KR20080006053A - 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 - Google Patents
슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080006053A KR20080006053A KR1020060064713A KR20060064713A KR20080006053A KR 20080006053 A KR20080006053 A KR 20080006053A KR 1020060064713 A KR1020060064713 A KR 1020060064713A KR 20060064713 A KR20060064713 A KR 20060064713A KR 20080006053 A KR20080006053 A KR 20080006053A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- high voltage
- slot
- ceramic dielectric
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/4697—Generating plasma using glow discharges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- 플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 2개의 세라믹 유전체 판(1)을 상호 대향되도록 설치하여, 소정거리 이격된 슬롯(SLOT)형상으로 형성하여, 슬롯형상사이로 투입 공정가스가 통과하도록 하며, 상기 세라믹 유전체판(1)의 일측에는 고전압 전극(2)이 장착되며, 이에 대응되는 다른 세라믹 유전체판(1)의 일측에는 상기 고전압 전극에 대응되는 플라즈마 발생용 접지 전극(3)이 장착되어, 두 유전체 판 사이에 글로우 모드로 운전되는 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 세라믹 유전체판(1)의 내부에는 절연물질(5)로 충진시키며, 외부에는 외부 세라믹 유전체판(7)을 부착하여 밀봉시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 2개의 세라믹 유전체 판(1)을 상호 대향되도록 설치하여, 소정거리 이격된 슬롯(SLOT)형 상으로 형성시키며, 슬롯형상사이로 투입 공정가스가 통과하도록 하며, 상기 세라믹 유전체판(1)의 일측에는 고전압 전극(2)이 장착되며, 이에 대응되는 금속판(8)에는 전원장치의 접지단자가 장착되어, 유전체판(1)과 금속판(8) 사이에 글로우 모드로 운전되는 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 세라믹 유전체판(1)의 내부에는 절연물질(5)로 충진시키며, 외부에는 외부 세라믹 판(7)을 부착하여 밀봉시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체를 "ㄷ"자 형의 봉의 형태로 길게 가공하여, "ㄷ"자의 오목한 일 측면에 고전압 전극(2)을 위한 금속 전극을 도포 한 후, 금속 전극의 표면에 글라스 페이스트를 도포 및 열처리한 2개의 세라믹 유전체 판(1)을 상호 대향되도록 설치하고, 그 중간 공간에 금속판(8)을 삽입 장착하여, 소정거리가 이격된 2개의 슬롯(SLOT)형상으로 형성시키며, 슬롯형상사이로 투입 공정가스가 통과하도록 하며, 상기 2개의 세라믹 유전체판(1)의 금속 전극들에는 고전압 전극(2)이 장착되며, 이들 사이에 위치한 금속판(8)에는 전원장치의 접지단자가 장착되어, 유전체판(1)과 금속판(8) 사이에 글로우 모드로 운전되는 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 세라믹 유전체판(1)의 내부에는 절연물질(5)로 충진시키며, 외부에는 외부 세라믹 판(7)을 부착하여 밀봉시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,대상물체의 처리속도 향상 또는 각각 다른 종류의 공정가스 투입을 위한 2개 이상의 슬롯형을 형성하기 위하여, 1개의 슬롯형상으로 형성된 동일한 형태의 슬롯형 리모트 플라즈마 반응기를 다수개로 장착하여 병렬 배열한 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,유전체 전극의 내부에 강제 냉각을 수행하여 플라즈마의 온도조절 및 반응기의 내구성 향상을 위하여, 세라믹 유전체판(1)의 내부에 충진된 절연물질(5)내부에 냉각수가 유동되도록 냉각수관(6)을 설치하는 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속판(8)은 중앙에 플라즈마의 온도조절을 위해 냉각수가 유동되어지는 냉각수홀(10)이 형성되어지는 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,대면적에 유용하도록 길게 형성된 고전압전극(2)과 이에 대응되는 플라즈마 발생용 접지(3)에 의하여 플라즈마를 발생시키며, 대상물체에 근접하는 과정에 상 기 고전압 전극(2)으로부터 발생되는 고전압으로부터 전기장이 대상물체에 영향을 주지 않도록, 상기 고전압 전극(2)과 플라즈마 발생용 접지전극(3)에 대하여 수직방향으로 전기장 차단용 금속접지(4)를 "ㄷ" 형상의 세라믹 유전체판(1)의 하단에 장착하여, 고전압에 의한 전기장을 흡수하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 온도를 더욱 낮출 필요가 있을 경우에, 투입되는 공정가스를 외부에 설치된 냉동기를 통한 강제 냉각을 수행하여 리모트 플라즈마의 온도를 감소시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,고전압발생을 의한 전원장치는 10 kHz 이상 교류전원인 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,슬롯의 간극은 1mm이내 인 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
- 제2항에 있어서,상기 금속판(8)은 알루미늄을 적용하며, 발생할 수 있는 금속 성분 입자의 발생을 억제하도록 표면에 아노다이징 산화 피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060064713A KR100805690B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060064713A KR100805690B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080006053A true KR20080006053A (ko) | 2008-01-16 |
KR100805690B1 KR100805690B1 (ko) | 2008-02-21 |
Family
ID=39219932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060064713A KR100805690B1 (ko) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100805690B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101480161B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-01-07 | 한국기계연구원 | 표면 처리를 위한 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 표시 장치용 기판의 접합 방법 |
KR20210026874A (ko) * | 2019-09-02 | 2021-03-10 | 플람 주식회사 | 대기압 플라즈마 반응장치 |
KR20220046174A (ko) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 광운대학교 산학협력단 | 대면적 처리를 위한 유전체 장벽 방전 플라즈마 어레이 소스 |
CN116059427A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-05 | 西安电子科技大学 | 一种医疗废弃物处理系统 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101461139B1 (ko) | 2013-07-17 | 2014-11-13 | 주식회사 코디에스 | 플라즈마 소스 및 플라즈마 에칭 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0997926B1 (en) * | 1998-10-26 | 2006-01-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma treatment apparatus and method |
KR100500431B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2005-07-12 | 주식회사 피에스엠 | 코일형 전극 구조를 이용한 대기압 플라즈마 처리장치 |
-
2006
- 2006-07-11 KR KR1020060064713A patent/KR100805690B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101480161B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-01-07 | 한국기계연구원 | 표면 처리를 위한 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 표시 장치용 기판의 접합 방법 |
KR20210026874A (ko) * | 2019-09-02 | 2021-03-10 | 플람 주식회사 | 대기압 플라즈마 반응장치 |
KR20220046174A (ko) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 광운대학교 산학협력단 | 대면적 처리를 위한 유전체 장벽 방전 플라즈마 어레이 소스 |
CN116059427A (zh) * | 2023-02-22 | 2023-05-05 | 西安电子科技大学 | 一种医疗废弃物处理系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100805690B1 (ko) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101092091B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
KR101810065B1 (ko) | 대면적 전극 상에 억지 끼워맞춤된 세라믹 절연체 | |
KR100805690B1 (ko) | 슬롯형 리모트 저온 플라즈마 반응기 | |
KR0184677B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
US7453191B1 (en) | Induction concentration remote atmospheric pressure plasma generating apparatus | |
KR20050054984A (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마를 발생하는 반응 용기의제조 방법 및 플라즈마 처리 방법 | |
US20070284085A1 (en) | Plasma processing apparatus, electrode unit, feeder member and radio frequency feeder rod | |
JP4372918B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5725993B2 (ja) | 表面処理装置 | |
KR20080073412A (ko) | 리모트 저온 플라즈마 반응기 | |
KR101200876B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
TW200826750A (en) | Microwave plasma treatment apparatus, one-body type slot forming member, manufacturing method and method of use for microwave plasma treatment device | |
KR101949175B1 (ko) | 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법 | |
KR101206725B1 (ko) | 서로 다른 전위면 사이의 갭에 완충 절연재가 삽입된기판처리장치 | |
JP2006319192A (ja) | 電極および該電極を用いたプラズマプロセス装置 | |
WO2007148868A1 (en) | Induction concentration remote atmospheric pressure plasma generating apparatus | |
JP5110137B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2007026981A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100826432B1 (ko) | 반도체 공정 장비용 서셉터 및 이를 구비한 반도체 공정 장비 | |
CN112888130B (zh) | 一种用于果蔬保鲜的低温等离子体发生装置及方法 | |
JPH10144968A (ja) | 熱電素子および熱電変換装置 | |
KR100820916B1 (ko) | 리모트 저온 플라즈마 반응기 | |
JP4890313B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
WO2007089061A1 (en) | Plasma generating apparatus | |
KR101537986B1 (ko) | 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130103 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131206 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151208 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161207 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 13 |