JP2004526276A

JP2004526276A - 大気圧プラズマアッセンブリ

Info

Publication number: JP2004526276A
Application number: JP2002538461A
Authority: JP
Inventors: オレイリー、ファーガル; ドゥビン、ピーター; ハーバート、アンソニー
Original assignee: Dow Corning Ireland Ltd
Current assignee: Dow Corning Ireland Ltd
Priority date: 2000-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2004-08-26
Also published as: MY138190A; AU2002210861A1; CN1466771A; KR20030074613A; BR0114352A; MXPA03003661A; WO2002035576A1; US20040052028A1; EP1334507A1

Abstract

大気プラズマアッセンブリは、それぞれが誘電体プレート（３１）に接合された平行に個別に隔てられた一対の平面電極（３６）を有する。２つのスペーサプレート（２１）は、プラズマ領域を形成するために誘電体プレート（３１）を分離する。ノズルを有する散布ポール（４０）は、誘電体プレート（３１）と電極（３６）上に冷却水を吹き付けるために用いられる。理想的には、誘電体プレート（３１）と電極（３６）は垂直に配置される。

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極間にあり、１つの電極に隣接した少なくとも１つの誘電体プレート（３１）を有する、平行に個別に隔てられた一対の平面電極と、前記誘電体プレートともう一方の誘電体プレートまたは電極との間にあり、前駆体ガス用のプラズマ領域を形成する間隔とを備えたタイプの大気圧プラズマアッセンブリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
物質はエネルギーが絶えず供給される場合、その温度は上昇し、そしてそれは一般的には固体から気体へそしてガスの状態に変形する。エネルギーを供給し続けると、システムは、マイナスの電荷を帯びた電子、プラスまたはマイナスの電荷を帯びたイオン並びに他の種を生成するために活発な衝突によりガスの中性原子または分子が分解される一層の状態変化をさらに被る。集団的な振る舞いを示すこの荷電粒子の混合物は、物質の第４状態である「プラズマ」と呼ばれる。それらの電気的なチャージのため、プラズマは外部の電磁界によって大いに影響を受け、電磁界はプラズマを容易に制御可能とする。さらに、高いエネルギー含有量は、液体またはガス処理によるような物質の他の状態によっては不可能か困難なプロセスを達成することを可能とする。
【０００３】
「プラズマ」という用語はその密度や温度が多くの桁数によって変わるシステムの大きな範囲をカバーしている。いくつかのプラズマは非常に熱く、それら全ての微細な種（イオン、電子など）は、システムへのエネルギー入力が原子／分子レベルの衝突によって広く分散されている近似的な熱平衡状態にある。しかしながら他のプラズマ、特に低圧（例えば１００Ｐａ）で衝突が比較的まれなプラズマは、広く異なる温度で構成種を持っており、「非熱平衡状態」プラズマと呼ばれる。これらの非熱プラズマでは、自由電子は数千度Ｋを持ち非常に熱く、一方中性及びイオンの種は冷たいままである。自由電子はほとんど無視できる質量であり、トータルのシステム熱容量は低く、プラズマは従って室温の近傍でサンプル上への有害な熱負担を課することなくプラスティックやポリマのような熱に敏感な材料の処理を可能とする。しかしながら熱い電子は高いエネルギー衝突によって、豊富なラジカルの源と、重大な化学や物理反応を可能とする高い化学ポテンシャルエネルギーを持つ励起された種とを生成する。それは低温処理と高い反応とのコンビネーションであり、これらは非熱プラズマを技術的に重要なものとし、製造及び金属処理のための非常に強力なツールとなり、もしもプラズマを全くなしで達成できるとすれば、非常に高い熱または有害で大胆な化学物質を必要とするであろうプロセスを得ることができる。
【０００４】
プラズマ技術の産業応用に対して、便利な方法は電磁気力を、処理されるべきワーク／サンプルが浸されるあるいは通過するガスや蒸気の混合となることができる大量のプロセスガスに結びつけることである。ガスはサンプルの表面で反応する化学的な基、ＵＶ放射、そしてイオンを生成するプラズマ内にイオン化される。プロセスガス組成、駆動電力周波数、電力結合モード、圧力、そして他の制御パラメータの正しい選択により、プラズマプロセスはメーカーによって要求される特定の応用に適合することができる。
【０００５】
プラズマの巨大な化学的そして熱的な範囲により、プラズマは絶えず拡張されていく多くの技術的な応用に適している。非熱平衡プラズマは、特に表面活性化、表面クリーニング、材料エッチングそして表面のコーティングに有効である。
【０００６】
高分子材料の表面活性化は、自動車産業によって開拓され、広く用いられている産業プラズマ技術である。従って、例えば、ポリエチレンやポリプロピレンのようなリサイクル性が奨励されているポリオレフィンは、無極性表面とその結果としてコーティングや接着に対する貧弱な性質を持つ。しかしながら酸素プラズマによる処理は表面極性群の組成に帰着し、高い湿潤性と、その結果として金属ペイント、接着剤または他のコーティングの優れた有効範囲と付着性を与える。従って、例えば、プラズマ表面技術は自動車の計器盤、ダッシュボード、バンパなどの製造や玩具の部品組み立てなどの産業に不可欠である。ポリマ、プラスティック、セラミック／無機質、金属そして他の材料における全ての結合構造の部品の印刷、塗装、接着、薄層化そして一般的なコーティングにおいて、多くの他の応用が利用可能である。
【０００７】
世界的な環境立法の普及及び強化の増大は、特に部品／表面の清掃に対して、製造において溶剤や他の湿式化学物質の使用を減らすまたは除くことに対する産業上のかなりの圧力を創出している。特に、ＣＦＣに基づいた脱脂処理は、酸素、空気、そして他の無害なガスを用いて処理するプラズマ清掃技術によって大部分が取って代わられている。水に基づいた前洗浄とプラズマを組み合わせることは、一様に極度に汚された部品を清掃することを可能とし、得られた表面品質は従来の方法によってもたらされるものよりも一般的に優れている。いかなる有機的な表面汚染も、室温プラズマによって急速に除去され、安全に排気されるガスのＣＯ_２や水に変換される。
【０００８】
プラズマはさらに大量の材料のエッチング、すなわち不要な材料の除去を実行できる。したがって、例えば、酸素に基づいたプラズマは基板の製造で用いられるプロセスであるポリマなどをエッチングするであろう。金属、セラミック、無機質などの異なった材料は、先駆体ガスの注意深い選択及びプラズマ化学に対する関心によってエッチングされる。ナノメータの限界の次元まで下がってきた構造は、今やプラズマエッチング技術によって生産されている。
【０００９】
主流産業に急速に出現しているプラズマ技術は、プラズマコーティング／薄膜フィルム沈着である。一般的にハイレベルの重合はモノマーのガス及び蒸気へのプラズマの適用によって達成される。したがって、高密度の、しっかりと結合した、そして３次元的に接続され、熱的に安定で化学的に非常に抵抗力があり機械的に頑強なフィルムを形成することができる。このようなフィルムは最も複雑な表面ですら一様に、そして基板上へ低温の負担を保証する温度で付着される。プラズマはしたがって頑健な材料とともにデリケートで温度に敏感な材料に対して理想的である。プラズマコーティングは薄い層であっても微少孔さえない。コーティングの光学特性たとえば色はしばしばカスタマイズされ、プラズマコーティングはスチール（例えば金属反射板上の耐食フィルム）と同様に例えばポリエチレンのような無極性の材料にさえもよく付着する。
【００１０】
これらの全てのプロセスにおいて、プラズマ技術はいずれにしろ材料の大きさに影響を及ぼさずに望まれた応用または製品にカスタマイズされる表面効果を生む。プラズマ処理はしたがって多才で強力なツールを提供し、メーカーに大量の技術的なそして商用的な特性に対する材料の選択を可能とし、一方で全く異なるセットの要求を満たすその表面を個別に設計する自由を与える。プラズマ技術はしたがって非常に強化された製品機能性、性能、寿命そして品質を授け、製造業者にその製品性能に対する重要な付加価値を与える。
【００１１】
これらの特性はプラズマに基づいた処理を採用する産業に対して強力な動機を提供し、この動きは、半導体、金属、そして誘電体の処理のための超先端技術や高い資本コストのエンジニアリングツールに低圧グロー放電プラズマを発展させたマイクロエレクトロニクス社会によって、１９６０年代以降リードされた。同様の低圧グロー放電タイプのプラズマは、１９８０年代に、より手ごろなコストで、付着性／接着力の増強のためのポリマ表面活性化のようなプロセス、高品質の脱脂／清掃そして高性能コーティングの沈着を提供して以来、他の産業分野にもますます浸透した。したがって、プラズマ技術を取り上げる重要性があるのである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プラズマ技術の採用はほとんどの産業上のプラズマシステムでの主な制約、すなわち低圧での処理に対する要求により、制限されている。部分的な真空オペレーションは密閉した周囲を意味しており、密閉されたリアクタシステムはオフラインで個別のワークのバッチ処理のみを提供している。スループットは低いかまたは適度であり、真空に対する要求は投資コストとランニングコストを付加する。
【００１３】
しかしながら、気圧プラズマは、ワーク／ウェブ、すなわち大きいまたは小さいエリアのウェブまたはコンベヤで運ばれる個別のワークのオンライン連続処理によって、プラズマ領域への自由な入り口や出口を提供するオープンポートまたは周辺のシステムを産業に提供する。スループットは高く、高圧処理から得られる高い種のフラックスによって増強される。編み物、包装、紙、医療、自動車、航空宇宙など多くの産業分野はほとんど完全に連続オンライン処理を当てにしており、大気圧でのオープンポート／周辺構成のプラズマは新しい生産処理能力を提示する。
【００１４】
コロナ及びフレーム（さらにプラズマ）の処理システムは約３０年の間、気圧プラズマ処理能力の制限された形を産業に提供してきた。しかしながら、高い生産性にもかかわらずこれらのシステムは市場に浸透しておらず、より低い圧力での電解層処理のみのプラズマタイプと同じ範囲のようないかなるものにも産業によって取り上げられていない。理由はコロナ／フレームシステムが著しい制限を持つことである。それらは単一の表面活性化処理を提供する周囲の空気中で作動し、多くの材料でごくわずかな効果を持ち、大部分で弱い効果を持つ。処理はほとんどの場合不均一であり、コロナプロセスは厚いウェブまたは３Ｄワークには適合せず、一方フレーム処理は熱に敏感な基板には適合しない。気圧プラズマ技術は産業の要求を満たした先進のシステムを開発するために気圧プラズマスペクトラムへさらに深く移行することが明らかとなっている。
【００１５】
現在の非平衡状態気圧プラズマ製造技術、つまりコロナプロセスの最も重大な処理の欠点のいくつかは、コロナプラズマタイプとその結果として生成された比較的小さなプラズマを生成するために用いられる装置の構造から発生している。コロナプラズマタイプは、プラズマが形成される先駆体プロセスガスを含むギャップによって分離された、２つの一般的に非対称に対向する電極間に高電圧を印加することによって生成される。コロナ生成の鍵は、先駆体ガスとプラズマ構成の局部的なブレークダウンへと導く特異点で非常に高いローカルな電子の電位勾配を生成する電極間の、電界分布における点、線または他の特異点の存在である。このような特異点は、点対平面、点対点、線／棒対平面、線／棒対線／棒、そして代表的な産業上のコロナプロセス装置構成である線／棒対平行ローラのようなシャープに配置された電極形状によって得られる。プラズマは、最も高い電子の電位勾配の領域にある電極間の電界線に一般に追従する個別プラズマストリーマの配列の形を取る。
【００１６】
生成されたプラズマの量は電位分布によって制御される。もしも電界が不均一であるとすると、明らかに電界強度が増加したときはフィールド領域の一部分だけが接近し、プラズマを与えるために必要な先駆体ガスブレークダウン電位勾配を得るであろう。フィールド領域の残りはブレークダウン閾値よりも低くなり、プラズマは生成されないであろう。生成されたプラズマの量はこのように電界不均一の範囲に制限される。
【００１７】
従来のコロナプロセスの場合は、電子の電位勾配、すなわち電界が電界特異点を生成する電極に非常に接近し、例えば点や線／棒のような電極からの距離とともに（２乗に反比例してまたはそれ以上のパワーで）急速に減少する。プラズマの構成は、したがって、先駆体ガスがブレークダウンしプラズマに変わるポイントに到達した電位勾配の領域で制限される。ガスブレークダウンより下の電界領域はプラズマを生成し維持することができない。電位勾配をあげることによりプラズマの量を増加させる試みは、電界分布を変えることはできず、したがってプラズマの分布や量は、プラズマストリーマ内の電流として現れる広く影響を受けない付加的なパワーとなるであろう。
【００１８】
従来のコロナプロセスにおける電極構造とプラズマ発生のモードは、このように、単一の電極のセットで生成されうるプラズマの量における基本的な制限に帰着する。工業プロセスが、コンベア上を動いているウェブまたは商品のような広範囲のワーク処理を含む場合には、原則として、Ｘまたはワーク／プラズマ幅方向におけるプラズマの生成の範囲の制限はないが、Ｙまたはワーク／プラズマ長さ方向におけるコロナプラズマの範囲は非常に制限を受け、一般的に産業界のコロナシステムでは数十ｍｍである。この制限は次の欠点を有する。
【００１９】
１．一定のライン処理速度（ｍ／ｓ）で移動するワークのプラズマ中での滞留時間は比較的短く、ライン速度を落とすことによってのみ増加させることができる。プラズマ中での滞留時間は表面の活性化または清掃、そしてコーティングされたプラズマの厚みの程度に影響する。
【００２０】
２．プラズマによってワークの中に結合される単位面積あたりのエネルギー（Ｊ／ｍ^２）は比較的低く、ライン速度を落とす及び／またはプラズマ出力密度（Ｗ／ｍ^２）を増加させることによってのみ増加させることができる。
【００２１】
３．コロナの個別ストリーマに対するワークの短時間照射は全ての表面領域にプラズマを行き着かせることができず、従って与えられた不均一処理は貧弱な製品性能に結びつく。
【００２２】
これらの欠点は拡張された領域、特にワーク／プラズマの長さ方向に拡張された領域に渡って、涼しく非熱平衡状態の気圧プラズマの生成に対してシステムを駆り立てる。従って、例えば幅１０ｍ×長さ０．０２ｍのコロナプラズマ領域の代わりに、少なくともプラズマ経路長として３桁の増大となる新たなシステムは幅１０ｍ×長さ２０ｍのプラズマ領域が可能となるべきである。利点を以下に示す。
Ｉ＝プラズマの経路長
ｔ＝任意のワーク部品のプラズマ中の滞留時間
ｖ＝ライン処理速度（ｍ／ｓ）
Ｐ＝プラズマ出力密度（Ｗ／ｍ^２）
Ｅ＝ワークに結合された単位面積あたりのエネルギー（Ｊ／ｍ^２）
とすると、
ｔ＝Ｉ／ｖ
ｖが固定と仮定すると、ｔとＩは比例
そして
Ｅ＝Ｐｔ＝ＰＩ／ｖ
ｖとＰが固定と仮定すると、ＥとＩは比例
従って、例えば、Ｉが０．０２ｍから２０ｍに増加したとすると、Ｅとｔはともに１０^３増加する。一方、もしもＥとｔが一定値を保つならば同じ処理を得るためにライン速度は１０^３増大されうる。
【００２３】
大気圧におけるプラズマ沈着で著しい進歩が見られた。多くの仕事は、気圧グロー放電の安定化に関して行われ、５０Ｈｚ電源を使用した気圧で空気、アルゴン、酸素そして窒素中の安定したグロー放電の外観がＪ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２６（１９９３）の８８９〜８９２ページに岡崎佐知子、小駒益博、上原誠、木村義久によって記述されている。さらに米国特許第５４１４３２４号（Ｒｏｔｈら）に、１〜１００ＫＨｚで１〜５ｋＶの実行値ポテンシャルでエネルギーを与えられた高周波で、５ｃｍ以内の間隔を置いた１組の絶縁金属プレート電極の間における大気圧での定常状態のグロー放電プラズマの生成が記述されている。この特許明細書は電気的に絶縁された金属プレート電極の使用について記述している。この特許明細書は電極プレートの問題および電極の端部における電気的なブレークダウンを防止する必要性を記述している。さらに、この場合は銅プレートである電極と電極に接合した流体流れ導管を通って供給される水冷システムの使用について記述しており、水それ自体はいかなる電極表面とも直接接触していない。
【００２４】
米国特許第５１８５１３２号（堀池ら）に、プレート電極が垂直構成で用いられる大気プラズマ反応法が記述されている。しかしながら、それらは単にプラズマを準備するために垂直構成で使用され、そしてプラズマはプレート間から垂直に配列された電極の下の水平平面上へ導かれる。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電極間にあり、１つの電極に隣接した少なくとも１つの誘電体プレートを有する、平行に個別に隔てられた一対の平面電極と、前記誘電体プレートともう一方の誘電体プレートまたは電極との間にあり、前駆体ガス用のプラズマ領域を形成する間隔とを備えたタイプの大気圧プラズマアッセンブリであって、電極が誘電体プレートに隣接しているときに、冷却液分配システムは、前記電極の平面をカバーするために、冷却導電性液を前記電極の外側に誘導するために提供されることを特徴とする大気圧プラズマアッセンブリが提供されている。これは、特にワーク／プラズマ長さ方向において拡張されたエリアを保証するこの大気圧プラズマアッセンブリの主要な問題の１つを克服する。さらに、プラズマまたは一定スピードで移動するワークの静止時間を一様に増加させることにより、活性化清掃またはコーティングであれ、目標プロセスを増強することができる。プラズマ領域の中のより長い滞留時間に伴う全ての利点を持っている。
【００２６】
理想的には冷却液は誘電体プレートから離れた電極の表面をカバーする。冷却導電性液は水であり、金属塩または可溶性の有機添加物のような導電率制御化合物を含んでいるであろう。理想的には、電極は誘電体プレートに接触する金属電極である。１つの実施の形態では、誘電体プレートにそれぞれが接触している一組の金属電極がある。本発明に係る水は、効率的な電極の提供をさらに援助する非常に効率的な冷却剤と同じように作用する。
【００２７】
理想的には誘電体プレートは電極の周囲に渡って広がっており、冷却液はさらに電極の周囲に接する誘電体のその部分を少なくともカバーするために誘電プレートを渡って誘導される。全ての誘電体プレートは冷却液で覆われていることが好ましい。電極は金属メッシュの形状でもよい。電極は、大体は垂直に配列されるであろう。理想的には、絶縁スペースは電極間にマウントされる。驚くほどに、水を冷やすことに加えて、それは端部、角部、またはワイヤメッシュ電極が用いられるメッシュ端部のような金属電極中でいかなる境界、特異点、不均一も電気的に不動態化するために作用する。水は制限された導電性の電極として効率的に作用する。さらに、垂直配列を有することにより、電気的なシステムの大部分の重量は、別の方法でなるようなたるみ、ゆがみ、変形がないように置かれる。
【００２８】
本発明の１つの実施の形態において、電極は箱の内部で誘電体プレートに結合された平面電極を有する誘電体プレートにより形成された面を有する防水箱と、液注入口と、液排出口を備えたものからなる電極アッセンブリの部分を形成する。このように作られた２つが一緒にアッセンブリを形成する。このような配置の箱はモジュール性を可能とし、電極アッセンブリを提供する特に効率的な方法である。
【００２９】
本発明の別の実施の形態において、電極は箱の内部で誘電体プレートに結合された一組の平面電極の１つをそれぞれ有する誘電体プレート端面からそれぞれ形成された２つの平行な面を有する防水箱と、液注入口と、液排出口を備えたものからなる電極アッセンブリの部分を形成する。この後者の実施の形態で、この箱は本発明による他の箱と一緒に使用されてもよい。理想的には、この箱は拡張されたプラズマ領域を提供するために、一方が他方の上にある。これは相当なフレキシビリティを可能とし、非常に小さな工場の設置面積で非常に長いプラズマ経路長がいるような配置を可能とする。
【００３０】
本発明の１つの実施の形態において、液分配システムはクーラーと再循環ポンプを備えている。
【００３１】
別の実施の形態では、冷却液分配システムはスプレーノズルを合体させた散布パイプを備えている。さらに、本発明はアッセンブリを用いた基板処理方法を提供し、結果として本発明のアッセンブリまたは方法により製造された基板を本発明が提供することが認識されるであろう。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明は、以下の添付図面に関してのみの例により与えられるいくつかの実施の形態の以下の記述から、より明白に理解されるであろう。
図面及びその中の図１〜図４を参照して、参照番号１によって通常示された大気プラズマシステムが提供されており、ケーブル３を経由して電源４が供給され、そしてさらにプラズマアッセンブリ２の中にマウントされた冷却液分配システムを供給する冷却水アッセンブリが供給される大気圧プラズマアッセンブリ２を備えており、更なる詳細は後述される。冷却水アッセンブリは、水ポンプ５、熱交換器６の形をしたクーラー、主水分配パイプ７を備えている。主水分配パイプ７の１つは、水ホース９と液注入口１４を通ってプラズマアッセンブリ２に順番に供給する入り口マニホールド８につながれている。帰還水ホース１０は液排出口１５を介して、ポンプ５につながれたもう一方の水分配パイプ７に順番につながれているさらなる帰還出力マニホールド１１につながっている。圧開放パイプ１３はプラズマアッセンブリ２にマウントされている。
【００３３】
特に図２〜４を参照して、プラズマアッセンブリ２は参照番号２０によって通常示される防水箱からなり、防水箱の開放上部２２と開放下部２３との間に形成したスペーサプレート２１の形をした垂直の絶縁スペーサによってつながれている。防水箱２０とスペーサプレート２１の間にプラズマ領域２５の範囲が定められている。
【００３４】
各防水箱２０は、後部プレート３０と、排水穴３４が設けられたクロスバー３３を持つ水封じ込めフレーム３２にマウントされて離れて置かれた前部プレート３１とからなる。後部プレート３０と前部プレート３１は、ガスケット３５により水封じ込めフレーム３２につながれている。後部プレート３０、前部プレート３１、そして水封じ込めフレーム３２は適した誘電体材料から製造される。複数のノズル４１を持ち、プラスティック材料のような絶縁材料のパイプで形成された一組の散布ポール４０は、箱２０内にマウントされ、給水ホース９につながれている。
【００３５】
運転中は、ワークは矢印Ａの方向でプラズマ領域を通過して供給することができ、明らかに逆方向でも供給でき、プラズマ領域２５内を前後に供給することができる。プロセスガスをプラズマ領域に注入でき、プラズマ領域２５中で電極３６にふさわしいパワーを供給できる。水は入り口マニホールド８から給水ホース９を通って散布ポール４０内に届けられ、そこで水はワイヤ電極３６上にそしてさらに前部プレート３１の露出した内面のいたる所にノズル４１からスプレー状に噴出される。
【００３６】
図５から図７を包括的に参照すると、プラズマアッセンブリの代替構成が例証されており、この場合、以前記述された箱２０と同一の２つの箱と、大体は箱２０と同じ構造の第３の箱２６からなり、前の実施の形態で記述されたものと同じパーツは同じ参照番号で識別されている。箱２６と箱２０との間のただ１つの違いは、箱２６のどちらのサイドともが箱２０の前部プレートとして作用するために実際上２つの前部プレート３１と各前部プレート上の電極３６を持つことである。この実施の形態では散布ポールのノズル４１は、前部プレート３１の両面に水を誘導している。
【００３７】
図８は２つの外側の箱２０の間に挟まれた３つの箱２６の配置を示しており、その間のウェブ経路が破線で示されている。図９は一方が他方の上にあるいくつかの箱の配置を示しており、一方図１０はここでは水平に配列された箱２０の間で物を運ぶためのコンベアに関する配置を示している。
【００３８】
記述された実施の形態では、電極は誘電体プレートの外側にマウントされているが、ある状況においては代わりに誘電体プレートの中に入れられることもあり得ることが予想される。
【００３９】
本質的には、本発明は不均一な電界からプラズマ発生のメカニズムにより均一な電界に移ることを頼みとしている。
【００４０】
本発明で、発生されたプラズマの量は、電界が均一でそして明らかに電界強度が増加するときの電界分布によって制御され、電界領域の全体は広く接近し、プラズマを与えるために必要な前駆ブレークダウン電圧勾配を得るであろう。
【００４１】
理想的には、プラズマが電界のいたる所で生成されるためには、電界領域のどこもがブレークダウンしきい値よりも低くならないことであろう。生成されるプラズマの量は、したがって電極の物理的な大きさによってのみ制限される。
【００４２】
本発明は、誘電体材料に対する要求と協力して、並列プレート電極の配列（形状）の問題を克服する。
【００４３】
本発明は熱処理の問題を克服する。並列プレートシステムのための一般的な電極間間隔は、約１０ｍｍである。目標領域は２０ｍ×２０ｍまたはそれ以上の領域にまで及ぶことができ、目標プラズマ出力密度は約１０ｋＷ／ｍ^３またはそれ以上となるであろう。従ってそのようなシステムで生成された出力は強制冷却の形を取らずに放散するためのシステムの能力を超えて適切になる熱を生成するであろう。これはプラズマと直接接触しているほとんどの誘電体材料の貧弱な熱伝導率と、配列に含まれる比較的長い熱パスによって順番に悪化させられる。本発明はこの問題を克服する。水は好ましいが、使用できる唯一の冷却液ではない。
【００４４】
本発明の１つの実施の形態において、水はハロゲン化金属、硫酸塩、炭酸塩、有機酸塩及び有機塩基塩を含む金属塩のような導電率制御化合物を含んでいる。
【００４５】
本発明の別の実施の形態では、導電率制御化合物は、結果として生じるコーティングされた製品に影響を与えないグリコールやアルコールからなっている。
【００４６】
さらに、非常に大きなエリアにおいて、向かい合うように配置したシートに関して非常に正確な配置を次には要求する誘電体材料の相当な重量があるために、電極そしてまた誘電体プレートの垂直の向きが特に重要となる。電極間間隔内の不均一は、プラズマの均一性とプロセス品質に非常に影響することが示されており、したがって電極を垂直にマウントすることはこれらのかなり多くの問題を克服する。
【００４７】
本発明によれば、ポリカーボネート、ポリエチレン、ガラスなどのような適切な誘電体材料を用いてよく、金属電極は様々なタイプとなることができ、接着剤あるいは誘電体材料に対する電極金属の熱処理及び融着のいくつかの応用によって誘電体材料に接合されてもよい。同様に、電極は誘電体材料内に封入されてもよい。
【００４８】
本発明の１つの実施の形態において、使用された誘電体材料はポリエチレンであり、一般的には５０〜１２０ｍｍの箱間のギャップが使われた。配置におけるプロセスガスの使用方法は、我々の対応したＰＣＴ特許公報第ＷＯ０１／５９８０９号に申し分なく記述されクレームされている。約２１ｍ以上で対向する電気極性電極の散布ポールの間の水の経路長を保証する絶縁柔軟性ホースが用いられる条件のもとで、低周波数ＲＦプラズマ励起周波数でそして数十キロボルトの電極間ギャップの電位差で、通常の生水を冷却用として使用できることが明らかとなった。水の経路長が短すぎると、冷却水による電極間のショートによるパワーロスのために、プラズマを当てることが困難あるいは不可能になる。
【００４９】
冷却に加えて、本発明による水がさらに、端部、角部またはワイヤメッシュ電極が用いられるメッシュ端部のような金属電極における境界、特異点または不均一を電気的に不動態化する働きをすることが意外にも明らかになった。不動態化なしでこれらがコロナあるいは他のプラズマを放電することができ、その結果ブレークダウンに潜在的に結びつく電力ロスと局部加熱を引き起こすことが認識されるであろう。本質的に、水それ自身は、電位差を平滑化しそして電極箱内部の不要な電気放電を抑制するために制限された導電性の電極として作用する。一般的には、電極間ギャップで生成されたプラズマは、水の導電性により金属電極のエッジを超えて約５ｃｍ広がるであろう。
【００５０】
本発明により、かなりの利点があることが明らかになった。特別な配置は、ワークパスを任意のサイズにそして従来の産業のコロナプロセスの大きさよりも相当大きな桁まで容易にのばすことができるプラズマ経路長を可能とする。一定のライン処理速度で動くワークのプラズマ内の滞留時間は、それが活性化、清掃またはコーティングのいずれであろうと、目標プロセスを向上させるように容易に増加させることができる。代わりに、一定の滞留時間に対してはライン速度を増大させることが可能となる。さらに必要に応じてプラズマ出力密度を可変にし、そして変更することが可能となる。さらに、プラズマがワーク表面の処理の均一性を高める全ての部品に参入することを可能とするプラズマ領域におけるより長い滞留時間において主要な利点がある。これは複雑に形作られたワークにとって特に重要である。本発明によって、長い設備寿命及びワークへの過度の熱負担の除去を保証する高いプラズマ出力密度を備えた物でさえ、低い電極温度を維持することが可能であることが明らかとなった。
【００５１】
垂直電極配置の大きな利点の１つは、水平に配置されたシステムを用いた他の方法ではある同じようなたるみ、ゆがみ、変形がないことである。さらに垂直配置は小さな工場の設置面積で長いプラズマ経路長を可能にすることが認識されるであろう。
【００５２】
本発明の１つの実施の形態において、三つの両面電極と２つの片面電極の配列は、図８に示された一般的な構成の並立した４組のプラズマ経路を作成するために構築された。本当は、３．２ｍのプラズマ経路全長と２．１ｍのウェブ幅処理能力を与えるために実測で幅２１００ｍｍ、長さ４００ｍｍである８組の対向する金属電極となるものであった。プラズマアッセンブリの上下にローラを用いることにより、ウェブはプラズマ領域全体に渡って誘導された。図９と図１０は代替の配置を示している。
【００５３】
ヘリウム、酸素、アルゴン、窒素、ハロカーボン、４塩化珪素、シロキサンなどのような前駆体プロセスガスが用いられた。無線周波数電源は、電源を用いて約４０ｋＨｚで約３０ｋＷのＲＦパワーのマッチングトランスにより電極へ印加された。システムは故障なしで１０００時間以上運転された。
【００５４】
本発明は上述の実施の形態に制限されることはなく、構成や詳細両方に関して変わるかもしれない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による気圧プラズマの正面図である。
【図２】図１で例証されたシステムの一部の部分的な分解透視組立図である。
【図３】システムの一部を形成するプラズマアッセンブリの分解透視組立図である。
【図４】プラズマアッセンブリの一般的な垂直断面図である。
【図５】プラズマアッセンブリの別の構成の分解組立図である。
【図６】図５のプラズマアッセンブリの一部の、図３と同様の分解組立図である。
【図７】図５のプラズマアッセンブリの、図４と同様の断面図である。
【図８】本発明による大気プラズマシステムの一部を形成するプラズマアッセンブリの様々な配置を図式にした立面図である。
【図９】本発明による大気プラズマシステムの一部を形成するプラズマアッセンブリの様々な配置を図式にした立面図である。
【図１０】本発明による大気プラズマシステムの一部を形成するプラズマアッセンブリの様々な配置を図式にした立面図である。

Claims

電極間にあり、１つの電極（３６）に隣接した少なくとも１つの誘電体プレート（３１）を有する、平行に個別に隔てられた一対の平面電極（３６）と、
前記誘電体プレート（３１）ともう一方の誘電体プレート（３１）または電極（３６）との間にあり、前駆体ガス用のプラズマ領域（２５）を形成する間隔と
を備えたタイプの大気圧プラズマアッセンブリ（２）において、
電極（３６）が誘電体プレート（３１）に隣接しているときに、冷却液分配システムは、前記電極の平面をカバーするために、冷却導電性液を前記電極（３６）の外側に誘導するために提供されることを特徴とする大気圧プラズマアッセンブリ（２）。
前記冷却液は、前記誘電体プレート（３１）から離れた前記電極（３６）の面をカバーする請求項１に記載のアッセンブリ。
前記冷却導電性液は、水である請求項１または２に記載のアッセンブリ。
前記水は、導電率制御化合物を含む請求項３に記載のアッセンブリ。
前記導電率制御化合物は、金属塩である請求項４に記載のアッセンブリ。
前記導電率制御化合物は、可溶性有機添加物である請求項４に記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）は、前記誘電体プレート（３１）と接触する金属電極である上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
それぞれが誘電体プレート（３１）と接触する一組の金属電極（３６）を有する上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
前記誘電体プレート（３１）は、前記電極（３６）の周囲よりも広がっており、前記冷却液もまた、少なくとも前記電極（３６）の周囲に隣接する誘電体部をカバーするために、前記誘電体プレート（３１）を渡って誘導される上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
前記誘電体プレート（３１）の全てが冷却液でカバーされている請求項９に記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）は、金属メッシュの形である上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）は、電極間でワークを受け取るために実質上垂直に複数配列されている上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）間に絶縁スペーサが実装されている請求項１２に記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）は、箱の内部で誘電体プレートに結合された前記平面電極（３６）を有する誘電体プレート（３１）により形成された面を有する防水箱（２０）と、
液注入口（１４）と、
液排出口（１５）と
を備えた電極アッセンブリの一部を形成する上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
前記電極（３６）は、箱（２６）の内部で誘電体プレートに結合された一組の平面電極の１つをそれぞれ有する誘電体プレート（３１）端面からそれぞれ形成された２つの平行な面を有する防水箱（２６）と、
液注入口（４）と、
液排出口（１５）と
を備えた電極アッセンブリの一部を形成する上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ。
請求項１４に記載の２つの箱（２０）を備えたアッセンブリ。
請求項１４に記載の２つの箱（２０）と、その間に実装された請求項１５に記載の１以上の箱（２６）を備えたアッセンブリ。
前記箱（２０，２６）は、拡張されたプラズマ領域を提供するために一方が他方の上にある請求項１４ないし請求項１７のいずれかに記載のアッセンブリ（２）。
前記液分配システムは、クーラー（６）と再循環ポンプ（５）を備えた上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ（２）。
前記冷却液分配システムはスプレーノズル（４）を合体させた散布パイプ（４０）を備えた上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリ（２）。
上記請求項のいずれかに記載のアッセンブリを用いた基板処理方法。
請求項２１の方法により処理された基板。