KR20070022527A - 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극과 유전체 사이에 간격을 두고, 제1 전극과 유전체 사이에 액체 유전체를 채움으로써 불필요한 방전이 발생하는 것을 방지하는 대기압 플라즈마 전극 구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 불용방전으로 인한 전력손실 등의 각종 낭비를 방지할 수 있으며, 전극에 국부적인 가열이 발생하는 것을 차단함으로써 전극의 수명을 오래 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 액체 유전체를 이용하여, 전극과 유전체 사이의 불용방전을 차단하는 용도와 냉각의 용도로 동시에 활용함으로써 별도의 냉각수를 사용할 필요가 없는 효과도 있다.
대기압 플라즈마, 전극, 불용방전, 유전체
Description
도1은 종래의 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조를 나타낸 단면도,
도2는 종래의 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조의 또다른 실시예를 나타낸 단면도,
도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조를 나타낸 단면도,
도4는 본 발명의 제2실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
1, 10 : 제1전극 2, 20 : 제2전극
3, 30 : 유전체 4 : 냉각수
40 : 액체 유전체 5, 50 : 전원공급 수단
6, 60 : 플라즈마 7 : 불용방전 플라즈마
본 발명은 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극과 유전체 사이에 간격을 두고, 제1 전극과 유전체 사이에 액체 유전체를 채움으로써 불필요한 방전이 발생하는 것을 방지하는 대기압 플라즈마 전극 구조에 관한 것이다.
플라즈마 발생 장치는 두 전극 사이에 방전을 일으켜서 그 사이에 주입된 가스를 이온화시킴으로써 플라즈마를 발생시킨다. 이렇게 형성된 플라즈마는 화학반응을 용이하게 하므로 유기 오염물의 세정 및 표면처리 등의 공정에 이용된다.
최근에 각광받고 있는 대기압 플라즈마 발생 장치는 기존의 진공시스템이 필요치 않으며 1 기압 (760 torr)에서 반응 챔버 없이 기존 생산라인에 직접 적용이 가능하여 연속적인 공정으로 처리가 가능하다. 하지만 대기압 플라즈마는 진공이 아닌 상압에서 방전을 일으켜야 하므로 저압에서와 비교하여 상당히 높은 전압이 두 전극 사이에 인가됨으로 인해 Arc가 발생하게 되고, 이러한 Arc는 전극 및 피처리물의 손상을 가져오게 된다.
상기의 문제점을 해결하기 위한 방식으로 전극 사이에 유전체 층을 형성하는 방법이 알려져 있다. 두 전극의 한쪽 또는 양쪽 전극의 표면에 세라믹 등의 절연체 또는 유전체를 피복 또는 밀착하여 고전압을 인가하면 두 전극에서 직접 방전이 일어나지 않고 유전체와 전극 사이 또는 유전체와 유전체 사이에서 방전이 일어나는 데, 이를 유전체 장벽 방전(Dielectric-barrier Discharge) 또는 무성방전(Silent Discharge)이라 한다.
도1은 종래의 유전체 장벽 방전 방식을 이용한 대기압 플라즈마 발생 장치의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 전원공급 수단(5)이 제1 전극(1)과 제2 전극(2) 사이에 전압을 인가하며, 유전체(3)가 제1 전극(1)과 제2 전극(2) 면에 평판형으로 형성되어 있다. 두 유전체(3) 사이에는 일정 간격이 유지되는 공간이 형성되어 있으며, 전원공급 수단(5)에 의해 전압이 인가되면 두 유전체(3) 사이의 공간에서 플라즈마(6)가 생성된다.
두 전극(1, 2) 간에 위치하는 유전체(3)는 방전에 의해 전달되는 전하의 양을 제한하며, 방전이 전극 전체로 퍼지도록 하는 역할을 한다. 이러한 유전체 장벽 방전 방식에는 주로 수~수십 ㎑의 교류전압이나 펄스 형태의 전압이 인가되며 전압의 크기는 수 ㎸ 정도이다. 유전체 장벽 방전 방식은 전극 간의 전압이 높기 때문에 기존에 사용되는 비활성 가스뿐만 아니라 공기와 같이 방전 전압이 높은 가스로도 쉽게 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
도2는 종래의 유전체 장벽 방전 방식을 이용한 대기압 플라즈마 전극 구조의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 두 전극(1, 2) 사이에 유전체(3)가 형성되고 방전에 의해 플라즈마(6)가 생성되는 점은 도1과 동일하지만, 제1 전극(1)과 제2 전극(2)이 단면이 원형인 형태로 형성되며, 그 내부에 유전체(3) 층이 접하여 형성된 점이 특징 이다. 또한, 제1 전극(1)의 내부에 냉각수(4)를 채울 수 있는 공간이 형성되어 있는 것도 특징이다. 도1과 도2에서 어느 일방의 유전체는 생략할 수 있다.
도1 및 도2에 도시된 바와 같은 종래의 방전 구조에서는, 전극(1, 2)과 유전체(3)가 서로 밀착되어 있어서, 제1 전극(1)과 제2 전극(2) 사이에 전원이 인가되면 전극(1, 2)과 그에 접한 유전체(3) 사이의 미세한 틈 및 전극 주변 경계 영역에서도 방전이 발생하여 불필요한 플라즈마(7)가 생겨남으로 인해 전력손실을 가져오는 문제점이 있었다.
또한 전극(1, 2)에 유전체(3)를 피복하여 사용하는 경우에는, 피복층 내부 혹은 피복층과 전극(1, 2) 사이에 미세한 기포가 존재하면 기포에서 방전이 발생하게 되어 피복층이 깨지는 등 전극의 수명에 치명적인 영향을 미치게 되는 문제점도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 제1 전극이나 제2 전극에 유전체를 형성할 때, 전극과 유전에 사이에 공간을 형성하여 액체 유전체나 냉각수를 채움으로써 제1 전극과 제2 전극 주위에 불용방전이 발생하는 것을 방지하는 플라즈마 발생장치를 제공하는 데 있다.
냉각수도 유전체이므로 이하에서는 "액체유전체나 냉각수" 대신에 편의상 "액체유전체"라고만 칭하기로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치는,
전원공급 수단으로부터 방전 전압이 인가되는 제1 전극;
상기 제1 전극과 소정 간격 이격되어서 상기 제1 전극을 둘러싸는 유전체;
상기 제1 전극과 상기 유전체 사이의 공간에 채워지는 액체 유전체; 및
상기 유전체와 소정 간격 이격되어 설치되는 제2 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 전극과 소정 간격 이격되어서 상기 제2 전극을 둘러싸는 제2 유전체; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 유전체 사이의 공간에 채워지는 제2 액체 유전체;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 도체로 구성되는 제1 전극(10)이 원기둥의 형상을 하며 전원공급 수단(50)에 연결되어 있다. 그리고 유전체(30)가 제1 전극(10)과 소정 간 격(D) 이격되어 원기둥의 형상으로 제1 전극(10)을 둘러싸고 있으며, 제1 전극(10)과 유전체(30) 사이의 공간(D)에는 액체 유전체(40)가 채워진다. 또한 제2 전극(20)이 유전체(30)로부터 소정 간격 이격되어 유전체(30)를 원기둥의 형상으로 둘러싸며 설치되어 있다. 제1 전극(10)은 전원공급 수단(50)으로부터 전력을 공급받는 전력인가 전극으로서 작용한다. 제2 전극(20)은 접지시킬 수도 있고 또는 Floating 상태로 둘 수도 있다.
그리고 제2 전극에도 제1 전극에서와 같이 (제2)유전체 및 (제2)액체유전체를 부가할 수 있다.
여기서, 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 위치하는 유전체(30)로는 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화규소(SiO2)와 같은 산화물 계열의 세라믹 물질이 주로 쓰인다. 그리고 제1 전극(10)과 유전체(30) 사이에는 액체 유전체(40)가 채워지는데, 유전체(30)와 액체 유전체(40)는 방전에 의해 전달되는 전하의 양을 제한하고 방전이 전극 전체로 퍼지도록 하는 역할을 한다. 액체 유전체(40)는 또한 대기압 플라즈마 발생 장치의 구동 과정에서 발생되는 높은 열을 냉각시키는 역할도 하는바, 물의 유전성을 이용하여 물을 액체 유전체(40)로 사용할 수도 있다.
제1 전극(10)과 유전체(30) 사이의 간격(D)는 방전 전극의 폭, 길이, 액체 유전체(40)의 유전율 및 냉각 능력에 따라 다를 수 있으나, 액체 유전체(40)가 원활히 공급 및 배출될 수 있도록 0.1 ~ 30.0mm 정도의 간격이 적당하다.
전원공급 수단(50)으로부터 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 방전전압이 인가되면 유전체(30)와 제2 전극(20) 사이의 공간에서 방전이 발생하여 플라즈마(60)가 생성된다.
도4는 본 발명의 제2실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 도체로 구성되는 제1 전극(10)이 평판의 형상으로 전원공급 수단(50)에 연결되어 있다. 그리고 유전체(30)가 제1 전극(10)과 소정 간격 이격(D)되어 4각 기둥의 형태로 제1 전극을 둘러싸고 있으며, 제1 전극(10)과 유전체(30) 사이의 공간(D)에는 액체 유전체(40)가 채워진다. 또한 제2 전극(20)이 유전체(30)로부터 소정 간격 이격되어 넓은 평판형으로 설치되어 있다. 제1 전극(10)은 전원공급 수단(50)으로부터 전력을 공급받는 전력인가 전극으로서 작용한다. 제2 전극(20)은 접지시킬 수도 있고 또는 Floating 상태로 둘 수도 있다.
제2 전극에도 제1 전극에서와 같이 (제2)유전체 및 (제2)액체유전체를 적용할 수 있음은 물론이다.
유전체(30)는 제1실시예의 경우와 마찬가지로 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3 )), 산화티타늄(TiO2), 산화규소(SiO2)와 같은 산화물 계열의 세라믹 물질이 주로 쓰이며, 제1 전극(10)과 유전체(30) 사이에는 액체 유전체(40)가 채워진 다.
유전체(30)와 액체 유전체(40)의 역할은 제1실시예의 경우와 마찬가지로 방전에 의해 전달되는 전하의 양을 제한하고 방전이 전극 전체로 퍼지도록 하는 역할을 한다. 액체 유전체(40)는 또한 대기압 플라즈마 발생 장치의 구동 과정에서 발생되는 높은 열을 냉각시키는 역할도 하는바, 물의 유전성을 이용하여 물을 액체 유전체(40)로 사용할 수도 있다.
제1 전극(10)과 유전체(30) 사이의 평행한 면 사이의 간격(D)는 방전 전극의 폭, 길이, 액체 유전체(40)의 유전율 및 냉각 능력에 따라 다를 수 있으나, 액체 유전체(40)가 원활히 공급 및 배출될 수 있도록 0.1 ~ 30.0mm 정도의 간격이 적당하다.
그리고 평판형의 제2 전극(20)의 폭은 필요에 따라 유전체(30)의 가로면(W)보다 클 수도 있고 작을 수도 있다.
전원공급 수단(50)으로부터 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 방전전압이 인가되면 유전체(30)와 제2 전극(20) 사이의 공간에서 방전이 발생하여 플라즈마(60)가 생성된다.
지금까지 본 발명을 바람직한 2가지 실시예에 대해서 설명하였지만, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적 기술 사상을 유지한 채 다양한 변형 또는 인접 분야에의 적용이 가능할 수 있을 것이다. 즉, 전극 및 유전체 형상의 변경(원기둥형, 튜브형, 평판 4각 기둥형) 등을 통한 변형이나, 대기압 플라즈마 외에도 전극 사이의 방전을 이용한 다른 모든 플라즈마 발생장치에의 적용 이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마 발생장치에 의하면, 유전체를 이용하여 두 전극 사이에 방전을 일으켜 플라즈마를 생성하는 과정에서 전극과 유전체의 경계면 사이의 불용방전 발생을 차단하여 표면처리나 세정 등의 실제 작업에 쓰일 수 없는 불용방전 플라즈마가 생성되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라, 이와 같은 불용방전으로 인한 전력손실 등의 각종 낭비를 방지할 수 있으며, 전극에 국부적인 가열이 발생하는 것을 차단함으로써 전극의 수명을 오래 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 액체 유전체를 이용하여, 전극과 유전체 사이의 불용방전을 차단하는 용도와 냉각의 용도로 동시에 활용함으로써 별도의 냉각수를 사용할 필요가 없는 효과도 있다.
Claims (11)
- 플라즈마 발생장치로서,전원공급수단으로부터 방전 전압이 인가되는 제1 전극;상기 제1 전극과 소정 간격 이격되어서 상기 제1 전극을 둘러싸는 유전체;상기 제1 전극과 상기 유전체 사이의 공간에 채워지는 액체 유전체; 및상기 유전체와 소정 간격 이격되어 설치되는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서,상기 전원공급수단으로부터의 방전 전압이 상기 제2 전극에 인가되고, 상기 제1 전극은 접지 또는 플로우팅 상태로 된 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 전극과 소정 간격 이격되어서 상기 제2 전극을 둘러싸는 제2 유전체; 및상기 제2 전극과 상기 제2 유전체 사이의 공간에 채워지는 제2 액체 유전체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 액체 유전체는 냉각 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제4항에 있어서,상기 액체 유전체로서 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제3항에 있어서,상기 액체 유전체들은 냉각 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제6항에 있어서,상기 액체 유전체로서 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유전체와 상기 제2 전극 사이의 이격거리는 0.1~30mm 인 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제3항에 있어서,상기 유전체와 상기 제2 유전체 사이의 이격거리는 0.1~30mm 인 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제4항에 있어서,상기 유전체와 상기 제2 전극 사이의 이격거리는 0.1~30mm 인 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
- 제6항에 있어서,상기 유전체와 상기 제2 유전체 사이의 이격거리는 0.1~30mm 인 것을 특징으로 하는 불용방전 방지를 위한 전극 구조의 플라즈마 발생장치.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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