KR101103349B1 - Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 - Google Patents
Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101103349B1 KR101103349B1 KR1020090100814A KR20090100814A KR101103349B1 KR 101103349 B1 KR101103349 B1 KR 101103349B1 KR 1020090100814 A KR1020090100814 A KR 1020090100814A KR 20090100814 A KR20090100814 A KR 20090100814A KR 101103349 B1 KR101103349 B1 KR 101103349B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad region
- atmospheric pressure
- tft substrate
- etching
- pressure plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 i) 상기 TFT 기판의 패드영역으로 플라즈마 플레임을 분사시키기 위한 슬릿 홀이 형성되어 있는 애노드와 캐소드로 이루어진 전극 모듈이 형성된 플라즈마 발생부, 및 ⅱ) 스테이지 상에 위치한 기판의 패드영역과 상기 슬릿 홀 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치가 형성된 샘플이송 모듈과 에칭반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 배기조절 모듈로 구성되는 에칭부를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법에 대한 것이다.
TFT 기판, 패드영역, 플라즈마 에칭
Description
본 발명은 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 i) 상기 TFT 기판의 패드영역으로 플라즈마 플레임을 분사시키기 위한 슬릿 홀이 형성되어 있는 애노드와 캐소드로 이루어진 전극 모듈이 형성된 플라즈마 발생부, 및 ⅱ) 스테이지 상에 위치한 기판의 패드영역과 상기 슬릿 홀 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치가 형성된 샘플이송 모듈과 에칭반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 배기조절 모듈로 구성되는 에칭부를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법에 대한 것이다.
TFT(thin film transistor)는 기판 위에 반도체, 절연체, 금속 박막 등을 차례로 증착하여 만들어진 트랜지스터로서, 대면적 기판 위에 형성될 수 있는 장점을 이용해 액정디스플레이, 레이저프린터 헤드 등의 주변 소자, 그리고 스캐너 등의 이미지센서 등 다양한 방면에 개발되어 실용화되고 있다.
그 중, 디스플레이 소자는 높은 명암비, 고해상도, 색표시성, 고속 응답성, 광시야각 등을 구현할 수 있어야 하는데, 단순 매트릭스(passive matrix) 형의 소자는 상기와 같은 특성들을 모두 향상시키기가 어려울 뿐만 아니라 신호 잡음(cross-talk)의 문제점이 있었지만, 각 화소에 스위치 소자인 TFT를 부가함으로써, 전체적으로 표시성능을 향상시킬 수 있었다.
특히, TFT-LCD는 LED(light emitting device), PDP(plasma display panel), EL(electroluminescence) 등의 디스플레이 소자 중 LED와 함께 가장 널리 사용되고 있으며, 전자손목시계를 비롯, 각종 문자, 도형 표시는 물론 TV의 화면 표시에까지 활용되고 있다. 상기 TFT-LCD의 액정 셀의 구조는, 도 1에 도시된 바와 같이, 끝이 봉해진 두 장의 유리판 사이에 액정이 들어 있으며, 유리판의 내면에는 각각 나타내고자 하는 상을 표시하기 위한 전극이 형성되어 있고, 이들 전극들은 외부 단자에 전기적으로 접속되어 있다.
TFT-LCD 모듈은 TFT 소자의 종류에 따라 a-Si(amorphous silicon) TFT와 p-Si(polysilicon) TFT로 나눌 수 있으며, a-Si TFT를 이용한 TFT-LCD가 가장 널리 사용된다. TFT-LCD 모듈은 크게 기판과 기판 사이에 액정이 주입된 패널, 상기 패널을 구동시키기 위한 드라이버 LSI 및 각종 회로 소자가 부착된 PCB를 포함한 구동 회로부, 및 백라이트 유닛으로 이루어진다.
상기 패널 부분은 백라이트 유닛에서 입사된 백색 평면관을 구동 회로 유닛 으로부터 입력된 개개 화소의 신호전압에 따라 화소에 투과되는 빛을 제어하여 컬러 영상을 표현하는 역할을 한다. 상기 패널을 구성하는 요소들을 도 1을 통해 간략히 살펴보면, 액정 셀에 전압을 인가하는 공통 전극과 TFT를 통하여 인가된 신호전압을 액정 셀에 가해주는 화소 전극, 꼬인 배열을 하고 있는 액정으로 이루어진 액정층과 상기 액정의 배향을 일정하게 하는 배향막, 상기 액정에 신호 전압을 인가하고 차단하는 스위칭 소자인 TFT, 액정을 통과한 빛이 색깔을 갖도록 하는 컬러 필터와 컬러 필터의 픽셀 사이에 형성되어 간섭 형상을 차단하는 블랙 매트릭스 등으로 구성되는 것을 알 수 있다.
이때, 상기 TFT 소자를 외부와 연결시키기 위해서는 패널 주변에 패드 영역을 형성시켜야 할 필요가 있는데, 3 마스크 공정과 같이 패드 영역의 개방이 저절로 이루어지지 않는 경우에는 패드 영역에 증착된 패시배이션(Passivation) 막의 식각을 위해 패드 영역 형성을 위한 포토 공정을 별도로 수행하여야 했다.
그러나, 이런 패드 영역은 주로 패널의 가장자리 부분에 국한되어 존재하므로 일부러 비싼 포토(photo) 공정을 사용하지 않고서도 패드 영역을 개방할 필요가 있었다.
한편, 일반적으로 LCD 공정에서 사용되는 플라즈마(plasma) 공정을 살펴보면, 증착, 식각(에칭) 등의 정밀 공정에는 고전압 전류와 진공 설비를 필요로 하며 정밀한 제어가 가능한 진공 플라즈마 공정이 주로 사용되며, 세정(ashing) 등의 공정에는 비용이 싸고 비교적 사용이 쉬운 대기압 즉 상압 플라즈마 공정이 주로 사용된다.
특히, 대기압 플라즈마 공정은 진공 설비를 별도로 필요로 하지 않아 연속 공정에 적용되기 쉽고 공정이 단순하고 비용을 절감할 수 있다는 장점에도 불구하고, 진공 또는 저기압 플라즈마에 비해 정확성이 떨어지고 제어가 어려워 에칭 공정에는 적용되기가 어려웠다.
이에, 본 발명자는 대기압 플라즈마 공정을 TFT-LCD 모듈 제작에 응용하여, 비싼 포토(photo) 공정을 사용하지 않고서도 TFT 기판의 패드 영역을 개방할 수 있는 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 플라즈마 에칭 방법을 개발하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은 대기압 플라즈마 공정을 TFT-LCD 모듈 제작에 응용하여, 비싼 포토 공정을 사용하지 않고서도 TFT 기판의 패드 영역을 개방할 수 있어 생산 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 생산 공정을 단순화하여 생산 효율을 높일 수 있는 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것이다.
상술한 바와 같은 목적 달성을 위하여, 본 발명은 i) 상기 TFT 기판의 패드영역으로 플라즈마 플레임을 분사시키기 위한 슬릿 홀이 형성되어 있는 애노드와 캐소드로 이루어진 전극 모듈이 형성된 플라즈마 발생부, 및 ⅱ) 스테이지 상에 위 치한 기판의 패드영역과 상기 슬릿 홀 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치가 형성된 샘플이송 모듈과 에칭반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 배기조절 모듈로 구성되는 에칭부를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치를 제공한다.
여기서, 상기 에칭부는 상기 플라즈마 발생부의 상부에 위치하는 것이 바람직하며, 상기 전극 모듈은 상기 캐소드와 소정 간격 이격되어서 상기 캐소드를 둘러싸는 유전체를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 캐소드와 상기 유전체 사이에 증류수를 순환시키는 냉각 모듈을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 애노드에 형성된 슬릿 홀의 폭을 패드 영역에 따라 조절할 수 있는 것이 바람직하다.
한편, 상술한 바와 같은 목적 달성을 위하여, 본 발명은 슬릿 홀이 형성되어 있는 애노드와 캐소드로 이루어진 전극 모듈, 스테이지에 놓여진 기판의 패드영역과 상기 슬릿 홀 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치로 이루어진 샘플이송 모듈, 및 반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 상부 배기조절 모듈을 포함하는 플라즈마 에칭 장치를 이용한 에칭 방법에 있어서, ⅰ) 상기 스테이지 상에 TFT 기판을 올려놓은 후, 상기 얼라인 장치를 통하여 상기 기판의 패드영역과 상기 양극에 형성된 슬릿 홀 부분이 일치하도록 정열하는 제1단계, ⅱ) 상기 전극 모듈에 전력과 에칭가스를 공급함으로써 방전에 의한 플라즈마를 발생시키는 제2단계, ⅲ) 상기 전극 모듈에서 발생한 플라즈마를 상기 슬릿 홀을 통하여 상기 기판의 패드영역에 분사함으로써 상기 패드영역을 에칭하는 제3단계, 및 ⅳ) 상기 에칭 반응이 끝 난 가스를 상기 상부 배기조절 모듈을 통하여 외부로 배기하는 제4단계를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 방법을 제공한다.
여기서, 상기 제1단계 후에 상기 애노드에 형성된 슬릿 홀의 폭을 패드 영역에 따라 조절하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 플라즈마 에칭 방법과 같이 대기압 플라즈마 공정을 TFT-LCD 모듈 제작에 응용함으로써, 비싼 포토 공정 및 진공 장치 등을 사용하지 않고서도 TFT 기판의 패드 영역을 개방할 수 있게 되어 생산 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 생산 공정을 단순화하여 생산 효율을 높일 수 있다.
본 발명에 따른 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법을 다음의 도면을 참조하여 이하 상세하게 설명하기로 한다. 도 1은 일반적인 TFT-LCD 모듈의 구성도이고, 도 2는 본 발명의 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치의 구성도이다며, 도 3은 본 발명의 전극 모듈의 일 실시예의 구성도이다.
본 발명에 따른 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장 치는, 도 2에 도시된 바와 같이, i) 상기 TFT 기판(100)의 패드영역(110)으로 플라즈마 플레임을 분사시키기 위한 슬릿 홀(211)이 형성되어 있는 애노드(210-1)와 캐소드(210-2)로 이루어진 전극 모듈(210)이 형성된 플라즈마 발생부(200), 및 ⅱ) 스테이지(311) 상에 위치한 기판(100)의 패드영역(110)과 상기 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치(312)가 형성된 샘플이송 모듈(310)과 에칭반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 배기조절 모듈(320)로 구성되는 에칭부(300)를 포함한다.
대기압 하에서 상기 애노드(210-1)와 캐소드(210-2)로 이루어진 상기 전극모듈(210)에 도면에 표시된 전력공급 모듈(400)과 가스 공급 모듈(500)을 통하여 전력 및 에칭 가스가 공급되게 되면 이혼화된 기체 상태인 플라즈마가 발생되게 된다.
이와 같은 대기압 플라즈마 생성 공정은 기존의 패드 영역 개방을 위하여 사용되는 일반적인 포토 공정에 비해 조작이 간단할 뿐만 아니라 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 진공 플라즈마 공정처럼 진공 설비를 별도로 필요로 하지 않지만, 상기와 같은 장점에도 불구하고 진공 플라즈마 에칭에 비해 정확성이 떨어지고 제어가 어려워 일반적인 에칭 공정에서 적용하기가 어려웠다.
그러나, TFT 기판의 패드 영역은 주로 패널의 가장자리 부분에만 국한되므로 대기압 플라즈마를 이용한 에칭으로도 패드 영역의 에칭 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 에칭부(300)는 상기 플라즈마 발생부(200)의 상부에 위치하는 것이 바람직하다. 플라즈마 플레임이 하부로 분사되는 경우에는 에칭을 마친 가스가 바로 외부로 배기되기 않고 남아서 기판 글래스에 영향을 주기 쉬울 뿐만 아니라, 이를 방지하기 위하여 반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키기 위한 배기조절 또한 어려웠다.
이에 반해, 상기 플라즈마 발생부(200)에서 발생하는 플라즈마 플레임이 상부로 분사되어 에칭 반응이 일어나는 경우에는 도 2의 화살표 표시와 같이 기판 글래스에 영향을 주지 않는 형태로 가스가 바로 상부로 배출될 수 있으며, 팬(fan)이나 펌프 등을 이용하여 쉽게 가스를 외부로 배기할 수도 있다.
또한, 상기 전극 모듈(210)은 도 3에 도시된 바와 같이 불용 방전을 방지하기 위하여 상기 캐소드(210-2)와 소정 간격 이격되어서 상기 캐소드(210-2)를 둘러싸는 유전체(212)를 포함할 수 있다.
이때 상기 캐소드(210-2)와 상기 유전체 또는 절연체 물질(212) 사이에 증류수 또는 액체 유전체 등으로 이루어진 냉각수(610)를 순환시키는 냉각 모듈(600)을 더 형성함으로써, 불용 방전 형성을 방지할 뿐만 아니라 상기 유전체(212)를 냉각시키는 효과를 함께 얻을 수 있다.
또한, 상기 애노드(210-1) 부분에 형성되어 플라즈마 플레임(flame)이 분사되는 통로 역할을 하는 슬릿 홀(211)은 그 폭을 에칭되어야 할 패드 영역(110)에 따라 조절할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
TFT 기판(100)이 스테이지(311) 상에 놓여지면, 상기 얼라인 장치(312)가 상기 패드영역(110)과 상기 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하게 되고, 상기 플라즈마 발생부(200)에서 발생시킨 플라즈마 플레임이 상기 슬릿 홀(211)을 통하여 패드 영역(110)을 에칭하게 되며, 에칭 반응을 끝낸 가스는 유리 기판에 영향을 주 지 않는 형태로 상부로 배출되게 된다.
이때, 상기 에칭부(300)는 상기 스테이지(311)와 상기 스테이지(311) 상에 놓여지는 기판(100)이 상기 플라즈마 플레임에 의해 움직이는 것을 방지하기 위하여 진공장치 등 다양한 수단을 이용한 고정 모듈(330)을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 상기에서 설명한 본 발명의 대기압 플라즈마 에칭 장치를 이용한 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 방법은, ⅰ) 상기 스테이지(311) 상에 TFT 기판(100)을 올려놓은 후, 상기 얼라인 장치(312)를 통하여 상기 기판의 패드영역(110)과 상기 양극에 형성된 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 제1단계, ⅱ) 상기 전극 모듈(210)에 전력과 에칭가스를 공급함으로써 방전에 의한 플라즈마를 발생시키는 제2단계, ⅲ) 상기 전극 모듈(210)에서 발생한 플라즈마를 상기 슬릿 홀(211)을 통하여 상기 기판의 패드영역(110)에 분사함으로써 상기 패드영역(110)을 에칭하는 제3단계, 및 ⅳ) 상기 에칭 반응이 끝난 가스를 상기 상부 배기조절 모듈(320)을 통하여 외부로 배기하는 제4단계를 포함한다.
이때, 상기 플라즈마 에칭 방법은 얼라인 장치(312)를 통하여 상기 기판(100)의 패드영역(110)과 상기 양극에 형성된 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 제1단계 후에 상기 애노드(210-1)에 형성된 슬릿 홀(211)의 폭을 패드 영역(110)에 따라 조절하는 단계를 추가로 포함하거나 또는 스테이지(311)와 상기 스테이지(311) 상에 놓여지는 기판(100)이 상기 플라즈마 플레임에 의해 움직이는 것을 방지하기 위하여 고정 모듈(330)을 이용하여 고정하는 단계를 추가로 포함할 수도 있다.
이상에서 살펴볼 수 있듯이, 본 발명의 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 플라즈마 에칭 방법과 같이 대기압 플라즈마 공정을 TFT 제작 공정에 응용함으로써, 비싼 포토 공정 및 진공 장치 등을 사용하지 않고서도 TFT 기판의 패드 영역을 개방할 수 있어 생산 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 생산 공정을 단순화하여 생산 효율을 높일 수 있다.
본 발명은 상술한 특정의 실시예 및 설명에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능하며, 그와 같은 변형은 본 발명의 보호 범위 내에 있게 된다.
도 1은 일반적인 TFT-LCD 모듈의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 플라즈마 에칭 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 전극 모듈의 일 실시예의 구성도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : TFT 기판 110 : 패드영역
200 : 플라즈마 발생부 210 : 전극 모듈
210-1 : 애노드 210-2 : 캐소드
211 : 슬릿 홀 212 : 유전체
300 : 에칭부 310 : 샘플이송 모듈
311 : 스테이지 312 : 얼라인 장치
320 : 배기조절 모듈 330 : 고정 모듈
400 : 전력공급 모듈 500 : 가스공급 모듈
600 : 냉각 모듈 610 : 냉각수
Claims (7)
- i) TFT 기판(100)의 패드영역(110)으로 플라즈마 플레임을 분사시키기 위한 슬릿 홀(211)이 형성되어 있는 애노드(210-1)와 캐소드(210-2)로 이루어진 전극 모듈(210)이 형성된 플라즈마 발생부(200), 및 ⅱ) 스테이지(311) 상에 위치한 기판(100)의 패드영역(110)과 상기 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치(312)가 형성된 샘플이송 모듈(310)과 에칭반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 배기조절 모듈(320)로 구성되는 에칭부(300)를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치.
- 제1항에 있어서,상기 에칭부(300)가 상기 플라즈마 발생부(200)의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치.
- 제1항에 있어서,상기 전극 모듈(210)이 상기 캐소드(210-2)와 소정 간격 이격되어서 상기 캐소드(210-2)를 둘러싸는 유전체(212)를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치.
- 제3항에 있어서,상기 캐소드(210-2)와 상기 유전체(212) 사이에 증류수(610)를 순환시키는 냉각 모듈(600)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치.
- 제1항에 있어서,상기 애노드(210-1)에 형성된 슬릿 홀(211)의 폭을 패드 영역(110)에 따라 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치.
- 슬릿 홀(211)이 형성되어 있는 애노드(210-1)와 캐소드(210-2)로 이루어진 전극 모듈(210), 스테이지(311)에 놓여진 기판(100)의 패드영역(110)과 상기 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 얼라인 장치(312)로 이루어진 샘플이송 모듈(310), 및 반응이 끝난 가스를 외부로 배출시키는 상부 배기조절 모듈(320)을 포함하는 플라즈마 에칭 장치를 이용한 에칭 방법에 있어서,ⅰ) 상기 스테이지(311) 상에 TFT 기판(100)을 올려놓은 후, 상기 얼라인 장치(312)를 통하여 상기 기판의 패드영역(110)과 상기 애노드에 형성된 슬릿 홀(211) 부분이 일치하도록 정열하는 제1단계,ⅱ) 상기 전극 모듈(210)에 전력과 에칭가스를 공급함으로써 방전에 의한 플라즈마를 발생시키는 제2단계,ⅲ) 상기 전극 모듈(210)에서 발생한 플라즈마를 상기 슬릿 홀(211)을 통하여 상기 기판(100)의 패드영역(110)에 분사함으로써 상기 패드영역(110)을 에칭하는 제3단계, 및ⅳ) 상기 에칭 반응이 끝난 가스를 상기 상부 배기조절 모듈(320)을 통하여 외부로 배기하는 제4단계를 포함하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 방법.
- 제6항에 있어서,상기 제1단계 후에 상기 애노드(210-1)에 형성된 슬릿 홀(211)의 폭을 패드 영역(110)에 따라 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090100814A KR101103349B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090100814A KR101103349B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110044022A KR20110044022A (ko) | 2011-04-28 |
| KR101103349B1 true KR101103349B1 (ko) | 2012-01-05 |
Family
ID=44048954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090100814A Expired - Fee Related KR101103349B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101103349B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040335A (ko) * | 2003-10-28 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR20070022527A (ko) * | 2005-08-22 | 2007-02-27 | (주)에스이 플라즈마 | 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
| KR20090081898A (ko) * | 2008-01-25 | 2009-07-29 | (주)에스이 플라즈마 | 양산용 상압 플라즈마 발생장치 |
-
2009
- 2009-10-22 KR KR1020090100814A patent/KR101103349B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040335A (ko) * | 2003-10-28 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR20070022527A (ko) * | 2005-08-22 | 2007-02-27 | (주)에스이 플라즈마 | 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
| KR20090081898A (ko) * | 2008-01-25 | 2009-07-29 | (주)에스이 플라즈마 | 양산용 상압 플라즈마 발생장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110044022A (ko) | 2011-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101572814B1 (ko) | 플라스틱 기판을 갖는 전자 디바이스 | |
| US7435630B2 (en) | Active matrix type organic light emitting diode device and fabrication method thereof | |
| US10216057B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device | |
| US7764327B2 (en) | Display device | |
| KR100915159B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US11036108B2 (en) | Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display apparatus | |
| US8637867B2 (en) | Electrostatic discharge device and organic electro-luminescence display device having the same | |
| US20100140623A1 (en) | Array substrate for display device and method of fabricating the same | |
| EP1890333A2 (en) | Display device and method of making the same | |
| US10367037B2 (en) | Pixel structure of OLED display panel and manufacturing method thereof | |
| KR20100062235A (ko) | 유기 발광표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US10802363B2 (en) | Array substrate and manufacturing method therefor, display device and driving method therefor | |
| US20060012742A1 (en) | Driving device for active matrix organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US7183700B2 (en) | Organic light emitting diode display having red, blue, and green colors emitted using heating circuit structure | |
| KR101103349B1 (ko) | Ｔｆｔ 기판의 패드영역 개방을 위한 대기압 플라즈마 에칭 장치 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 에칭 방법 | |
| KR101085451B1 (ko) | 표시장치용 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법 | |
| US20240337886A1 (en) | Display Panel, Display Device and Control Method of Display Panel | |
| US8518729B1 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display panel | |
| JP5090690B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、及び半導体薄膜の製造装置 | |
| KR20120053768A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101096703B1 (ko) | 플라즈마 애슁 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| KR100556347B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20060011165A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR100971396B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR20120053769A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20091022 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110329 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20111127 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20111230 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20120102 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141230 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20161209 |