KR100481492B1 - 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법 - Google Patents
미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치에 있어서,교류전력이 인가되는 고전압 전극;상기 고전압 전극상에 위치한 유전체;상기 고전압 전극과의 사이에서 발생하는 플라즈마가 분사되는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 상기 고전압 전극과 소정 거리로 이격되어 위치하는 접지전극;상기 고전압 전극과 접지전극을 포함하는 프레임; 및상기 두 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 반응가스를 주입하는 반응가스 주입부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 프레임은 상기 반응가스 주입부를 포함함을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 접지전극의 홀 직경(a)은 상기 고전압 전극과 접지전극 사이의 간격(D)의 3배 내지 5배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 접지전극의 하부와 피처리물과의 거리(D)는 홀 직경(a)의 15배 내지 25배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 접지전극과 고전압 전극의 간격은 0.1mm 내지 9mm임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 홀은 0.01mm 내지 9mm의 직경인 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 제 1항에 있어서,상기 접지전극의 홀은 삼각형 또는 사각형의 다각형 격자구조 또는 원형 또는 일직선으로 길게 뚫은 슬릿인 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
- 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법에 있어서,고전압 전극에 교류전원 공급장치로부터 교류전압이 인가되는 단계;상기 고전압 전극상의 유전체와 접지전극 사이에서 플라즈마가 발생되는 단계;상기 플라즈마가 상기 고전압 전극 및 접지전극을 포함하는 프레임과 상기 유전체 사이의 좁은 슬릿을 통과하여 유속이 빨라진 반응가스에 의해 방전 면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해 분사되는 단계; 및상기 플라즈마가 피처리물에 분사되어 피처리물의 표면이 처리되는 단계를 포함하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
- 제 8항에 있어서,상기 반응가스의 양은 접지 전극에 뚫려 있는 홀의 개수와 직경, 홀 간의 간격으로 조절되는 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
- 제 8항에 있어서,상기 접지전극의 홀 직경(a)은 상기 고전압 전극과 접지전극 사이의 간격(D)의 3배 내지 5배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
- 제 8항에 있어서,상기 접지전극의 하부와 피처리물과의 거리(D)는 홀 직경(a)의 15배 내지 25배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100725045B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100725046B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100749406B1 (ko) | 2005-08-22 | 2007-08-14 | (주)에스이 플라즈마 | 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
KR100773725B1 (ko) | 2005-08-11 | 2008-01-02 | 주식회사 케이씨텍 | 대면적 기판 세정장치의 전극 냉각 방법 |
KR100855705B1 (ko) | 2006-12-18 | 2008-09-03 | (주)유이온 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100861703B1 (ko) | 2007-10-23 | 2008-10-06 | 주식회사 월덱스 | 수평 조절이 가능한 플라즈마 챔버 캐소드 미세 홀 가공장치 |
KR101333878B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2013-11-27 | 엘지전자 주식회사 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
CN104936371A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-23 | 北京大学 | 一种空心电极介质阻挡结构 |
KR102098002B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2020-04-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20200057858A (ko) * | 2018-11-16 | 2020-05-27 | 현대자동차주식회사 | 디스크브레이크의 마찰재 마모 분진 포집장치 |
CN113630949A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-09 | 西安交通大学 | 一种大面积低温等离子体活化水雾产生装置 |
CN114126179A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-03-01 | 中国人民解放军军事科学院国防工程研究院工程防护研究所 | 一种用于产生大面积均匀辉光放电等离子体的装置及方法 |
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2004
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100773725B1 (ko) | 2005-08-11 | 2008-01-02 | 주식회사 케이씨텍 | 대면적 기판 세정장치의 전극 냉각 방법 |
KR100749406B1 (ko) | 2005-08-22 | 2007-08-14 | (주)에스이 플라즈마 | 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
KR100725045B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100725046B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100855705B1 (ko) | 2006-12-18 | 2008-09-03 | (주)유이온 | 상압 플라즈마 발생장치 |
KR100861703B1 (ko) | 2007-10-23 | 2008-10-06 | 주식회사 월덱스 | 수평 조절이 가능한 플라즈마 챔버 캐소드 미세 홀 가공장치 |
KR101333878B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2013-11-27 | 엘지전자 주식회사 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
CN104936371A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-23 | 北京大学 | 一种空心电极介质阻挡结构 |
KR102098002B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2020-04-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20200057858A (ko) * | 2018-11-16 | 2020-05-27 | 현대자동차주식회사 | 디스크브레이크의 마찰재 마모 분진 포집장치 |
KR102603044B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2023-11-16 | 현대자동차주식회사 | 디스크브레이크의 마찰재 마모 분진 포집장치 |
CN113630949A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-09 | 西安交通大学 | 一种大面积低温等离子体活化水雾产生装置 |
CN114126179A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-03-01 | 中国人民解放军军事科学院国防工程研究院工程防护研究所 | 一种用于产生大面积均匀辉光放电等离子体的装置及方法 |
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