KR100481492B1 - 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법 - Google Patents

미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상압에서 유전막 방전을 이용하여 외부로 플라즈마를 분시키는 장치에 있어서, 미세아크를 흡수하여 패턴을 안전하게 보호하면서도 플라즈마는 안전하게 하부로 분사시키는 방법을 통하여 패턴이 있는 대형의 시료에 플라즈마 표면 세정을 하는 효율적인 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치는 교류전력이 인가되는 고전압 전극; 상기 고전압 전극상에 위치한 유전체; 상기 고전압 전극과의 사이에서 발생하는 플라즈마가 분사되는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 상기 고전압 전극과 소정 거리로 이격되어 위치하는 접지전극; 상기 고전압 전극과 접지전극을 포함하는 프레임; 및 상기 두 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 반응가스를 주입하는 반응가스 주입부를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있으며, 본 발명의 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법은 고전압 전극에 교류전원 공급장치로부터 교류전압이 인가되는 단계; 상기 고전압 전극상의 유전체와 접지전극 사이에서 플라즈마가 발생되는 단계; 상기 플라즈마가 상기 고전압 전극 및 접지전극을 포함하는 프레임과 상기 유전체 사이의 좁은 슬릿을 통과하여 유속이 빨라진 반응가스에 의해 방전 면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해 분사되는 단계; 및 상기 플라즈마가 피처리물에 분사되어 피처리물의 표면이 처리되는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법은 홀이 형성된 전극구조를 사용하여 피처리물에 손상을 유발하는 미세아크 스트리머를 완벽하게 제어할 수 있으며 전극구조는 간단한 형태의 유전체를 사용함으로써 폭, 면적이 넓은 피처리물과 형상이 복잡한 3차원 피처리물을 플라즈마 분사 형태로 처리할 수 있는 효과가 있다.
또한, 분사된 홀 간의 2차 방전 유발 효과로 플라즈마 확산효과를 발생시키고 피처리물을 균일하게 처리할 수 있을 뿐만 아니라, 반응가스의 소모량을 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법{Apparatus and method for plasma formation of micro arc prevention type}
본 발명은 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상압에서 유전막 방전(DBD: Dielectric Barrier Discharge)을 이용하여 외부로 플라즈마를 분시키는 장치에 있어서, 미세아크를 흡수하여 패턴을 안전하게 보호하면서도 플라즈마는 안전하게 하부로 분사시키는 방법을 통하여 패턴이 있는 대형의 시료에 플라즈마 표면 세정을 하는 효율적인 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), 웨이퍼 등의 반도체 제조공정중의 세정공정에는 표면에 흡착된 오염물질을 제거하기 위하여 여러 가지 방법이 사용되고 있다.
최근에는 에너지, 신재료, 반도체 소자제조, 환경분야 등에서 널리 사용되고 있는 플라즈마를 이용하여 세정하는 방법이 주로 사용되고 있다.
이와 같은 플라즈마는 일반적으로 진공에서 생성시킬 수 있으며, 글로우방전(Glow Discharge)과 아크방전(Arc Discharge)이 가장 많이 사용된다. 특히 글로우 방전은 전극의 양단에 수백 볼트(Volt)의 전압을 인가하여 플라즈마 내의 양이온이 음극과 충돌하여 발생된 2차 전자가 외부로 인가한 전계에 의해 플라즈마로 가속되어 가면서 중성가스(Neutral gas)를 이온화시키고 이 때 생성된 전자가 다시 중성가스를 이온화시키는 과정이 반복되는 전자사태(Avalanche)를 일으켜 전극 양단간에 전류가 흐르게 되는 현상을 말한다.
종래의 플라즈마를 이용한 표면처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(1), 전력공급장치(3), 전극(4), 유확산펌프(5), 및 로터리 펌프(6)로 이루어진 진공펌프, 챔버 내부의 진공도를 측정하기 위한 열전쌍 진공계(7)와 이온게이지(8), 반응성 가스를 주입하기 위한 주입포트(9, 10)로 구성된다.
챔버(1)의 내부 압력을 일정 진공도로 유지하고, 내부에 주입포트(9, 10)를 통해 반응성 가스를 주입한다. 전력공급장치(3)를 사용하여 기판에 소정 전력을 인가함으로써 반응성 가스를 방전시킨다. 그러면, 직류 또는 고주파에 의하여 발생된 플라즈마 내에서 반응가스들의 분자결합이 끊어지게 되고, 끊어진 체인과 활성화된 양이온 또는 음이온들이 결합하여 전극(4) 사이에 위치하는 시료기판(2) 표면에 고분자 중합체가 형성된다.
이와 같이 종래의 플라즈마를 이용한 표면처리장치는 챔버를 진공상태로 유지하면서 반응성 가스를 주입하여 챔버 내부에 원하는 반응성 가스만을 순수하게 존재하도록 하는데, 이와 같이 챔버 내부의 공기 중에 있는 불순물을 제거하기 위하여 진공상태를 유지시키는 데 많은 비용과 장치를 필요로 하는 문제점이 있었다.
또한, 불순물을 처리하고, 다음 단계의 처리단계로 진행하기 위하여 진공상태의 챔버에서 꺼내어 다음 단계로 이송하는 데 필요한 또 다른 과정을 거쳐야 하므로 인라인 연속처리가 어려운 문제점이 있다.
따라서, 대기압에서 라디오파(Radio Frequency)의 공명현상을 이용하여 방전을 하게 되면 글로우 방전 혹은 코로나 방전 등을 일으키면서 동시에 방전 기체의 온도를 다른 방법의 대기압 방전보다 현저히 낮출 수 있다.
대기압에서 플라즈마를 생성시키는 방법으로는 펄스 코로나 방전(pulsed corona discharge)과 유전막 방전이 일반적으로 사용되고 있다. 코로나 방전은 고전압 펄스 전원을 이용해서 처리 대상에 플라즈마를 생성시키는 방법이고, 유전막 방전은 두 개의 전극 중 적어도 하나는 유전체를 사용하고, 이러한 전극에 수십 Hz 내지 수 MHz의 주파수를 가진 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 방법이다. 방전전극은 평판 대 평판 타입, 평판 대 봉 타입, 봉 대 봉 타입, 이중 실린더 타입 등과 같은 전극들이 서로 마주보는 형상으로 배열을 이루고 있다.
대기압 방전에서 시스템의 기압 증가는 전자 자유운동 거리(mean free path)의 현저한 감소를 수반하며 이에 따라 전기방전 조건의 극단화를 요구한다. 따라서 기존기술에 의한 대기압 전기방전은 아주 강한 전장을 요구하기 때문에 발생전원의 비대화와 같은 비현실적인 문제를 야기하게 된다. 따라서 대기압에서 쉽고 저렴하게 그리고 대량으로 플라즈마를 생산하기 위한 기술이 필요하다. 현재 대기압 플라즈마 발생기술은 세계적으로 연구되고 있는 기술로서 플라즈마의 발생 방법과 발생된 플라즈마의 특성에 대하여 주로 연구되고 있다.
Uchiyama 등의 미국 등록특허 제5,124,173호는 평판 전극 사이에 피처리물을 놓고 불활성 기체를 이용하여 대기압에서 유전막 방전을 일으켜 표면을 친수처리하는 방법에 대해 개시하고 있다.
또한 Roth 등의 미국 등록특허 제5,414,324호에는 이러한 대기압 플라즈마를 형성시키기 위한 기체의 조성과 전극간 간격 등의 조건을 변화시켜 방전 상태를 개선하였고, 미국 등록특허 제6,429,400호에는 평판 전극이 아닌 튜브 형태의 전극을 적용한 대기압 플라즈마 장치에 대해서 개시하고 있다. 이러한 연구들은 도 2에서 나타낸 것과 같이 고전압 전극(11)과 접지전극(12) 사이에 피처리물(14)을 두고 가스공급부(13)에서 공급되는 기체를 사용하여 방전이 일어나도록 한다.
대한민국 등록특허 제0169490호는 대기압에서 유전체 판을 사이에 둔 두 전극 사이에 He, Ar 등의 불활성 기체(inert gas)를 주입하여 방전을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 것으로, 상압 플라즈마를 효율적으로 생성시켜 외부로 분사하는 대기압 플라즈마 표면처리 방법을 제시하였다.
대한민국 등록특허 제0365898호에서는 유전체관을 이용한 상압플라즈마 분사장치에 있어서의 냉각장치의 구성을 특징으로 하는 것으로, 고효율의 방전을 위해 전극의 구조를 다양하게 설계할 수 있는 플라즈마 처리장치 및 처리방법을 제시하고 있다.
종래에 사용되는 상압 유전막 방전은 유전체를 사이에 둔 두 개의 전극 사이에 수십 Hz ∼ 수십 MHz의 주파수를 가진 전원을 인가하여 방전을 일으키는 형태의 장치로서, 전극 사이에 형성되는 플라즈마는 전극 간격, 유전막의 유전상수 및 두께, 가스 조성, 인가 전압 및 주파수 등에 따라 특성이 달라진다.
그러나, 종래의 유전막 방전 기술은 도 3과 같이 두 전극 사이에 전원을 인가하여 전극 사이에서 방전이 일어나므로 처리하고자 하는 자재의 두께가 두껍거나 3차원적인 형상, 또는 넓은 면적을 처리하는 데는 한계가 있다. 그리고 종래기술을 이용한 두 전극사이에 유전체를 이용한 대기압 방전 기술은 전극 간격을 수mm 이상 띄우기 어려울 뿐 만 아니라 방전 상태가 글로우 상태의 균일한 방전이 되지 못하고 스트리머가 다량 발생되어 피처리물에 손상을 줄 수 있다. 또한 전극사이에 피처리물이 삽입되어야 하므로 두께가 얇은 판형태의 형상만을 처리 할 수 있다.
또한, 도 4와 같이 분사관 형태의 전극은 유전막으로 이루어진 관의 내부에 봉 형태의 전극이 장입된 형태로서 관 내부에 형성되는 전기장의 에너지가 강하지 않고, 유전체를 대형화하거나 여러 개를 배열해서 대면적을 처리하기는 기술적으로 어려운 문제점 등이 있으며, 유전막을 이용한 상압 방전 분사장치는 유전체관 내부의 플라즈마 밀도가 약하게 형성되어 반응 활성종 및 이온, 전자가 외부로 효과적으로 분사되지 못하고, 유전체의 형상이 튜브 모양의 관 형태이므로 직경이 50∼100mm 이상으로 제작하기 힘들고 제작된다 하더라도 내부를 고르게 방전시켜 플라즈마를 분사 시키기 힘들다. 그리고, 대면적을 처리하기 위해서는 분사관을 여러개 배열시켜야 하는데 피처리물이 고르게 처리되면서 배열시키기에는 기술적으로 한계가 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 홀이 형성된 전극 구조를 사용하여 피처리물에 손상을 유발하는 미세아크 스트리머를 완벽하게 제어할 수 있으며, 전극구조는 간단한 형태의 유전체를 사용함으로써 폭, 면적이 넓은 피처리물과 형상이 복잡한 3차원 피처리물을 플라즈마 분사 형태로 처리할 수 있으며, 분사된 홀 간의 2차 방전 유발 효과로 플라즈마 확산효과를 발생시키고 피처리물을 균일하게 처리할 수 있을 뿐만 아니라, 반응가스의 소모량을 현저히 줄일 수 있는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 교류전력이 인가되는 고전압 전극; 상기 고전압 전극상에 위치한 유전체; 상기 고전압 전극과의 사이에서 발생하는 플라즈마가 분사되는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 상기 고전압 전극과 소정 거리로 이격되어 위치하는 접지전극; 상기 고전압 전극과 접지전극을 포함하는 프레임; 및 상기 두 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 반응가스를 주입하는 반응가스 주입부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적은 고전압 전극에 교류전원 공급장치로부터 교류전압이 인가되는 단계; 상기 고전압 전극상의 유전체와 접지전극 사이에서 플라즈마가 발생되는 단계; 상기 플라즈마가 상기 고전압 전극 및 접지전극을 포함하는 프레임과 상기 유전체 사이의 좁은 슬릿을 통과하여 유속이 빨라진 반응가스에 의해 방전 면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해 분사되는 단계; 및 상기 플라즈마가 피처리물에 분사되어 피처리물의 표면이 처리되는 단계를 포함하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 형성장치를 나타낸 것이다. 상기 도 5와 같이 금속 혹은 전도성 물질의 고전압 전극과 홀이 뚫려 있는 접지전극, 고전압 전극 표면에 부착된 유전체, 반응가스 주입부, 상기 고전압 전극에 교류전원을 인가하는 교류전원 공급장치 그리고 고전압 전극과 접지전극을 포함하는 프레임으 로 구성된다. 고전압 전극에 교류전원 공급장치로부터 주파수가 1kHz ∼ 90MHz이고, 0.1kV ∼ 900kV의 고전압이 인가됨으로서 유전체와 접지전극 사이에서 플라즈마가 발생된다. 이렇게 형성된 플라즈마는 좁은 슬릿(slit)을 통과하며 유속이 빨라진 반응가스가 방전면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해서 분사된다.
여기에 사용되는 유전체는 MgO, Al2O3, TiO2, SiO2, Pb(Zr, Ti)O3, Si3N4 및 PZT의 산화물 계열의 세라믹이나 PTFE, Teflon, ABS, PEEK, PC 및 PVC의 폴리머 계열의 엔지니어링 플라스틱을 사용할 수 있다. 유전체에 부착된 고전압 전극은 전도성 재료를 붙이거나 혹은 유전체에 바로 코팅해서 전극으로 사용할 수 있다.
또한, 도 6은 본 발명에 따른 전극간 간격과 홀의 직경 및 피처리물과의 거리에 따른 상관관계 모식도를 나타낸 것이다. 상기 도 6과 같이 접지전극에 뚫은 홀의 직경을 조절함으로써 고전압 전극과 접지전극 사이에 스트리머(streamer)나 글로우(Glow) 등의 다양한 방전을 억제하며 피처리물에 닿는 아크를 없앨 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 전극간 간격과 홀 직경에 따른 미세아크 플라즈마 영향 상관관계를 나타낸 것이다. 고전압 전극과 접지전극 사이의 간격(b)은 0.1 ∼ 9mm, 홀의 직경(a)은 0.01 ∼ 9mm이며 홀의 직경(a)이 전극간 간격의 3배 내지 6배를 유지하면 미세아크인 스트리머가 하부 피처리물에 영향을 주지 않는다. 상기 도 7의 (1)과 같이 홀 직경(a)이 5b(전극 간격) 이내이면 미세 아크 스트리머가 샘플에 영향을 주지 않고, 상기 도 7의 (2)와 같이 5b 이상이면 직접적으로 미세아크 스트리머가 샘플에 손상을 주게 된다. 상기 도 7의 (3)의 미세아크에 의한 손상과 홀 직경(a)과 전극간격(b)와의 상관관계 그래프를 보면 확실히 알 수 있다.
고전압/유전체와 접지전극 사이의 강한 전기장(Electric Field)에 의한 플라즈마가 접지전극의 홀을 통해서 바로 인접한 피처리물에 도달하므로 플라즈마 형성시 발생한 높은 밀도의 반응활성종(Radical), 이온(Ion), 전자(Electron) 등이 표면개질이나 세정(Cleaning), 에칭(Etching) 등의 작용을 효과적으로 일으킬 수 있다.
플라즈마 방전이 형성되는 접지전극의 안쪽면은 방전이 쉽게 이루어 질 수 있도록 표면에서의 2차 전자(Secondary Electron)의 방출이 많은 백금(Pt)이나 텅스턴(W) 및 은(Ag) 등을 코팅하거나 이들 재료를 접지전극으로 사용할 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 2차방전 유발효과 모식도를 나타낸 것이다. 분사된 플라즈마에 의해 피처리물을 처리할 때 피처리물과 전극 사이에 형성된 전기장과 도 6에서 피처리물과 하부 접지전극과의 거리(D)를 홀 직경(a)의 15배 내지 25배로 유지함으로써 2차방전 유발효과로 인한 플라즈마 확산현상이 발생할 수 있다. 접지전극과 고전압 전극의 간격을 대기압 방전이 용이하게 일어날 수 있도록 0.1mm ∼ 9mm의 간격을 균일하게 유지하도록 한다.
이것을 구현한 것으로 도 9는 피처리물과 하부 접지전극과의 거리별로 나타낸 방전 사진을 나타낸 것이다. 상기 도 9와 같이 거리가 가까워지면서 플라즈마 확산 효과가 극대화됨을 알 수 있다. 이렇게 퍼지는 확산효과와 홀의 갯수 및 직경, 홀 간의 간격 등을 조절함으로써 반응가스의 양을 효과적으로 줄일 수 있다.
상기 피처리물은 PCB 기판을 포함하는 전자부품이거나 고무, 직물, 고분자재료, 유리, 금속 가운데 적어도 어느 하나로 이루어진 것이다.
또한, 반응가스로는 표면처리 방식이 예컨대 표면개질(surface modification), Si 에칭, 포토레지스트 에칭, 살균, 또는 필름 증착 중 어느 것인가에 따라 N2, O2, H2O, Ar, He, CO2, CO, H2, NH 3, CF4, Air, CH4 및 C2H6 등을 다양하게 혼합하여 사용할 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 분사관 형태와 미세아크 방지형 전극과의 가스 소모량을 비교한 그래프이다. 일반적으로 반도체 팩키지 양산라인에서 필요한 스팩은 접촉 각(Contact Angle)을 30°로 기준할 때 분사관 형태의 플라즈마는 글로우가 80(L/min)이고, 미세아크 방지형 플라즈마의 글로우는 30(L/min)로 50(L/min)의 글로우가 줄어드는 효과를 볼 수 있다.
본 발명에 따른 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법은 먼저 고전압 전극에 교류전원 공급장치에서 교류 전압을 인가하여 고전압 전극과 접지전극 사이에 있는 유전체에서 플라즈마를 발생시킨다. 상기 발생한 플라즈마는 좁은 슬릿을 통과하여 유속이 빨라진 반응가스에 의해 방전 면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해 분사된다. 이에 따라 피처리물은 표면처리된다. 상기 고전압 전극과 접지전극 사이에 발생할 수 있는 방전은 상기 접지전극의 홀의 직경을 조절하여 방지할 수 있다.
대면적 처리를 위해서는 유전체와 고전압 전극, 접지전극을 넓게 제작하여 정지상태에서 넓은 면적을 한번에 처리하거나 스캔하는 방법을 사용할 수 있다. 반응가스의 양은 접지전극에 뚫려 있는 홀의 개수와 직경, 홀 간의 간격 등을 조절함으로써 가능하다. 접지전극에 뚫린 홀은 삼각형, 사각형 등의 다각형 격자구조이거나 원형 혹은 일직선으로 길게 뚫은 슬릿의 형태가 가능하며 직경은 다양한 사이즈가 가능하다.
이 밖에도 본 발명에 의한 미세아크 방지형 플라즈마 표면처리는 세정, 증착, 에칭, 애싱, 미생물 살균처리 등의 공정에 응용할 수 있다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
따라서, 본 발명의 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법은 홀이 형성된 전극구조를 사용하여 피처리물에 손상을 유발하는 미세아크 스트리머를 완벽하게 제어할 수 있으며 전극구조는 간단한 형태의 유전체를 사용함으로써 폭, 면적이 넓은 피처리물과 형상이 복잡한 3차원 피처리물을 플라즈마 분사 형태로 처리할 수 있는 효과가 있다.
또한, 분사된 홀 간의 2차 방전 유발 효과로 플라즈마 확산효과를 발생시키고 피처리물을 균일하게 처리할 수 있을 뿐만 아니라, 반응가스의 소모량을 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 2는 종래기술에 의한 플라즈마를 이용한 표면처리장치.
도 3은 종래의 유전막 방전 상압 플라즈마.
도 4는 종래의 분사관 형태의 상압 플라즈마 분사장치.
도 5는 본 발명에 따른 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
도 6은 본 발명에 따른 전극간 간격과 홀의 직경 및 피처리물과의 거리에 따른 상관관계 모식도.
도 7은 본 발명에 따른 전극간 간격과 홀 직경에 따른 미세아크 플라즈마 영향 상관관계.
도 8은 본 발명에 따른 2차방전 유발효과 모식도.
도 9는 본 발명에 따른 피처리물과 하부접지 전극과의 거리에 따른 방전 사진.
도 10은 본 발명에 따른 분사관 형태와 미세아크 방지형 전극과의 가스 소모량 비교 그래프.

Claims (11)

  1. 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치에 있어서,
    교류전력이 인가되는 고전압 전극;
    상기 고전압 전극상에 위치한 유전체;
    상기 고전압 전극과의 사이에서 발생하는 플라즈마가 분사되는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 상기 고전압 전극과 소정 거리로 이격되어 위치하는 접지전극;
    상기 고전압 전극과 접지전극을 포함하는 프레임; 및
    상기 두 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 반응가스를 주입하는 반응가스 주입부
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 프레임은 상기 반응가스 주입부를 포함함을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 접지전극의 홀 직경(a)은 상기 고전압 전극과 접지전극 사이의 간격(D)의 3배 내지 5배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 접지전극의 하부와 피처리물과의 거리(D)는 홀 직경(a)의 15배 내지 25배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 접지전극과 고전압 전극의 간격은 0.1mm 내지 9mm임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 홀은 0.01mm 내지 9mm의 직경인 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 접지전극의 홀은 삼각형 또는 사각형의 다각형 격자구조 또는 원형 또는 일직선으로 길게 뚫은 슬릿인 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치.
  8. 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법에 있어서,
    고전압 전극에 교류전원 공급장치로부터 교류전압이 인가되는 단계;
    상기 고전압 전극상의 유전체와 접지전극 사이에서 플라즈마가 발생되는 단계;
    상기 플라즈마가 상기 고전압 전극 및 접지전극을 포함하는 프레임과 상기 유전체 사이의 좁은 슬릿을 통과하여 유속이 빨라진 반응가스에 의해 방전 면적 전체에 걸쳐 접지전극의 홀을 통해 분사되는 단계; 및
    상기 플라즈마가 피처리물에 분사되어 피처리물의 표면이 처리되는 단계
    를 포함하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 반응가스의 양은 접지 전극에 뚫려 있는 홀의 개수와 직경, 홀 간의 간격으로 조절되는 것을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 접지전극의 홀 직경(a)은 상기 고전압 전극과 접지전극 사이의 간격(D)의 3배 내지 5배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 접지전극의 하부와 피처리물과의 거리(D)는 홀 직경(a)의 15배 내지 25배임을 특징으로 하는 미세아크 방지형 플라즈마 형성방법.
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