JP2013089285A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体バリア放電方式で被処理体に効率良くプラズマを照射する。
【解決手段】複数のアンテナ電極２と複数のアース電極３とを電極軸の径方向に誘電体４を介して交互に配置して形成されるプラズマ電極１と、前記アンテナ電極に電圧を印加する高周波印加電源５とを備え、前記プラズマ電極と対向するように配置された導電性の被処理体７にプラズマを照射するプラズマ処理装置において、前記アース電極はアースに接続されると共に前記被処理体と電気的に接続され、前記被処理体と前記アースとの間の抵抗がプラズマの浮遊電位に基づき定められる値よりも小さいことを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。

プラズマを被処理物に照射する技術は、これまで半導体製造用のエッチングや化学気相蒸着あるいは物理蒸着による成膜、さらに機械部品等のコーティングに応用されてきた。これらの処理は一般に真空チャンバーを用いて減圧状態でプラズマを生成する方式である。一方、近年、大気圧あるいは大気圧に近い減圧下でプラズマを生成する技術検討が進んでいる。

例えば、特許文献１には大気圧の反応容器内に反応ガスを還流させ、該容器内に面状のプラズマを形成し被処理体に近接させてプラズマを照射する装置が記載されている。また、特許文献２には、大気圧雰囲気下において、電極体と保持電極との間に炭化水素ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極の間に直流バイアス電圧を発生させながら、交流電圧を印加して電極と保持電極に保持された基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させて、基材の表面に非晶質硬質炭素膜の成膜を行う方法が記載されている。

特開２００６−３３１６６４号公報 特開２０１０−１２６７３４号公報

大気圧プラズマは、パッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則からわかるように雰囲気圧力が高くなると電極間隔が狭くなり、安定した均一なグロー放電の範囲が狭くなる。また、大気圧プラズマでは、プラズマ中で生成されたイオンやラジカルの平均自由行程が短いため、被処理体とプラズマの距離を短くする必要がある。一般に大気圧グロー放電装置はプラズマ放電電圧を印加するアンテナ電極とアース電極の対で構成され、アンテナ電極とアース電極の間に誘電体膜を挿入して異常放電を抑制する誘電体バリア放電方式が用いられている。誘電体バリア放電方式には、アンテナ電極とアース電極を同一面に配置して電極のみでプラズマ放電を生成する方式と、被処理体をアース電極としてアンテナ電極と対向させる方式がある。

電極のみでプラズマを生成する場合には、被処理体の処理に必要なプラズマ密度が得られる範囲に被処理体の表面を保持する必要があり、被処理体の表面と電極の距離は、大気圧下のアルゴン雰囲気ではおよそ０.５mmである。また、被処理体がアース電極を兼ねる場合では、例えば大気中の交流２ｋＶでおよそ０.５mmであり、距離が遠くなるとプラズマが消失するため放電電圧を高くする必要がある。

したがって、大気圧プラズマ、特に誘電体バリア放電方式で被処理体に照射する際は、被処理体と電極の距離を非常に近くする必要があるため、被処理体を設置し難いという課題があるが、上記特許文献のものでは十分に考慮されていない。

本発明の目的は、誘電体バリア放電方式で被処理体に効率良くプラズマを照射することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、複数のアンテナ電極と複数のアース電極とを電極軸の径方向に誘電体を介して交互に配置して形成されるプラズマ電極と、前記アンテナ電極に電圧を印加する高周波印加電源とを備え、前記プラズマ電極と対向するように配置された導電性の被処理体にプラズマを照射するプラズマ処理装置において、前記アース電極はアースに接続されると共に前記被処理体と電気的に接続され、前記被処理体と前記アースとの間の抵抗がプラズマの浮遊電位に基づき定められる値よりも小さいことを特徴とする。

また、複数のアンテナ電極と複数のアース電極とを電極軸の径方向に誘電体を介して交互に配置してプラズマ電極を形成し、前記プラズマ電極と対向するように導電性の被処理体を配置し、前記アンテナ電極に電圧を印加して前記被処理体にプラズマを照射するプラズマ処理方法において、前記アース電極をアースに接続すると共に前記被処理体と電気的に接続し、前記被処理体と前記アースとの間の抵抗をプラズマの浮遊電位に基づき定められる値よりも小さくなるように制御することを特徴とする。

本発明によれば、誘電体バリア放電方式で被処理体に効率良くプラズマを照射することができる。

本発明の第１の実施例になるプラズマ処理装置の構成図の例である。 本発明の第２の実施例になるプラズマ処理装置の構成図の例である。 本発明の第３の実施例になるプラズマ処理装置の構成図の例である。 本発明の第４の実施例になるプラズマ処理装置の構成図の例である。 本発明の第５の実施例になるプラズマ処理装置の構成斜視図の例である。 本発明の第６の実施例になるプラズマ処理装置の構成斜視図の例である。 被処理体にプラズマを照射した時の被処理体電圧と被処理体電流の測定例である。

本発明のプラズマ電極は、該電極だけで誘電体バリア放電によるプラズマを発生させる。実施例として用いた高周波印加電源は、周波数１０ｋ〜５００ｋＨｚの交流で、印加電圧の振幅は最大１０ｋＶで、出力電力は最大１０Ｗである。

電極の例として樹脂被覆電線をアンテナ電極とし、被覆しない導線をアース電極として電極の軸の径方向に交互に密に配列する。例えば樹脂被覆電線は、直径０.２５mmの銅線にテフロン樹脂を厚さ０.１mmで被覆し、アンテナ電極線とする。樹脂被覆は誘電体膜となり、アンテナ電極とアース電極間の電流を抑制し安定なグロープラズマを維持するために必須である。一方、アース電極は直径０.５mmの銅線あるいは錫めっき線とした。アンテナ電極線をアース電極線とともに交互かつ平面に配列する。円筒外周放電型のプラズマ電極の場合、任意の直径の丸棒の外周にアンテナ電極線とアース電極線を交互に密に巻きつけた。高周波印加電源の出力３Ｗではアンテナ電極線の長さはおよそ３０cmとした。電極線が短いと電源出力は少なくできるが、プラズマ放電の面積が狭くなる。電極線が長いとプラズマ放電のための電力が増大する。

本発明のプラズマ電極は上記の電線を用いるものだけでなく、アンテナ電極とアース電極の間が絶縁耐圧２ｋＶ程度以上の誘電体膜で絶縁されていればよく、アンテナ電極とアース電極の中心間隔が０.１mm以上１mm以下であればよい。０.１mm未満ではプラズマの厚さが電極中心間隔の２倍程度で薄く、１mmを超えるとプラズマが電極間にのみ発生し電極中央にプラズマの発生しない部分ができるためである。ただし、被処理体の表面に要求される処理パターンにより電極形状は可変であり、本条件に限定されない。さらに、アース電極は連続した基板としてもよく、たとえば螺旋状の溝を形成した筒をアース電極とし、誘電体で絶縁したアンテナ電極線を螺旋状の溝に挿入することもできる。

基材とアース電極もしくはアース間の電気抵抗をプラズマ照射面積に反比例して許容する値以下にする。抵抗の許容する値は、プラズマ電位の探極測定法において浮遊電位をイオン電流で割った値以下とする。

また、アンテナ電極とアース電極を隙間なく配置するだけでなく、アンテナ電極とアース電極の間に隙間を設け、該隙間から作動ガスや反応気体もしくはそれら混合気体を流出させることも可能である。さらに、プラズマ電極には、プラズマ点火のための補助電極（トリガー）を付加してもよい。

以下、プラズマ電極は上記のアンテナ電極とアース電極により構成されたものを用いた実施例を図面を用いて説明する。

本実施例では、被処理体をアースに接続してプラズマ電極に対抗させ、プラズマ照射により被処理体の表面処理および被処理体表面に被膜を形成する例を説明する。図１は本実施例の装置構成図の例である。

プラズマ電極１は、アンテナ電極２とアース電極３を交互等間隔に配置し、アンテナ電極２の表面は誘電体４を被覆した。プラズマ放電面は幅２mm、長さ１０mmの長方形とし、電極のプラズマ放電面の反対側は樹脂で空間を埋めプラズマが片側のみに放電するようにした。アンテナ電極２とアース電極３に高周波印加電源５を接続した。アース電極３と高周波印加電源５の回路のアース側は地面に接地した。被処理体７は、保持台に載せてプラズマ電極１に近接させるが、保持台とは絶縁しておき被処理体７と接地アース１０を直接接続した。図１の可変抵抗９はこのときの配線抵抗を模擬的に表している。被処理体７と接地アース１０の間の配線抵抗の値を検討するために可変抵抗９を挿入した。図１の可変抵抗９は実験用に挿入した可変抵抗９および被処理体７と接地アース１０の間の配線抵抗を合わせた値として検討した。被処理体７のプラズマ照射側表面には不可避的汚染物や金属不導体などの膜８がある。また、膜８は樹脂やセラミックスであってもよく、被処理体７の表面に塗布された有機金属や有機物、金属塩などの化合物でもよい。これらの膜８はプラズマ照射によって改質され、絶縁膜や硬質膜が形成される。この膜８の形成状況を調べプラズマ照射の効果を比較検討した。

プラズマ電極１に対向して導電性の被処理体７を設置し、該被処理体７をアース電極３と同電位になる接地アース１０に接続する。被処理体７と接地アース１０間の総配線抵抗Ｒは、プラズマ照射面から被処理体７に流れる電流により被処理体７の電圧が上昇しても、プラズマの浮遊電位を超えない範囲とする。浮遊電位以上ではイオンが表面に作用しなくなり、被処理体７の絶縁性不動体膜の表面に電子、電荷が蓄積するためプラズマが反発し照射効果が期待できなくなるためである。

プラズマ電極１と被処理体７を大気圧のアルゴンガス雰囲気中に設置した。高周波印加電源５からプラズマ電極１に印加する電圧は、周波数３０ｋＨｚ、電圧振幅１.２ｋＶとした。プラズマ放電したプラズマ電極表面から０.５mm離れた面に被処理体７の表面をプラズマ電極面と平行に設置し、被処理体７から接地アース１０に流れる電流を測定した。電流は被処理体７から接地アース１０に向かって流れ、略１μＡであった。電流は、可変抵抗９を大きくするに従い減少し、配線抵抗を含む抵抗値が５００ｋΩを超えると電流は検出できなくなった。アンテナ電極２とアース電極３を対にするプラズマ電極１によるプラズマの浮遊電位はおよそ５０Ｖで、バイアスを印加しない場合のイオン電流は０.１Ａ／ｍ²である。この場合、被処理体７の電位を浮遊電位の特に１％以下にすることでイオンを確実に被処理体７の表面に作用させることができると本願発明者らは実験により見出した。すなわち、総配線抵抗Ｒ（Ω）とプラズマ電極の照射面積（ｍ²）の積が０.５以下であることが望ましい。

誘電体バリア放電において、交流電圧を用いる場合は被処理体の電位は平均して中立になるが、プラズマの状態も同時に変化する。すなわち、プラズマ中の正イオン衝突や電子の流入などによる電荷の受け渡しが行われるため、被処理体が接地されていない場合は電荷の蓄積により被処理体表面が中立になるようにプラズマが被処理体から遠のいてしまう。したがって十分な照射効果が得られない。本実施例では、被処理体を確実に接地し被処理体基材に電荷が蓄積しないように配慮することが有効であることを確認した。

さらに、テトラメチルオルソシリケート（ＴＭＯＳ）に水を等量混合した液を予め被処理体表面に塗布し、プラズマ照射し反応を検討した。塗布した膜８にプラズマが作用するとオゾンが発生することから、プラズマ照射の有効性はオゾン発生濃度から類推することができる。被処理体７を接地しない場合は、膜８から発生するオゾン濃度は最大０.０１ppmと少なかった。一方、被処理体７を接地し配線抵抗３Ωの場合、発生するオゾン濃度は０.０７ppmに上昇した。このことからも被処理体７を確実に接地することが、プラズマを被処理体表面への照射効果向上に有効であることが明らかである。

金属等の導体に液体を塗布した表面を処理する場合、プラズマ照射により液体の流動や蒸発あるいは反応生成物の帯電が発生し、照射されるプラズマの密度が減少もしくは不均一になり易い。しかし、本実施例によれば被処理体表面へ十分なプラズマ密度で安定して照射することができるので照射効率が良い。

被処理体７を接地アース１０に接続する際は、配線抵抗は可能な限り低くする必要があり、本実施例での不可避的抵抗は最低３Ωであった。許容する配線抵抗はプラズマ放電の面積または被処理体７に照射されるプラズマ放電の面積と、被処理体の電流から算出することができるが、この抵抗は可能な限り小さくすることが望ましい。配線抵抗は被処理体と配線の締結や接触および接地アース１０までの配線材の抵抗を含んでいる。

また、大気圧プラズマの照射面積を広げるには、電極を被処理体に倣って面状に拡大して被処理体との距離を広範囲に一定に維持することが必要である。被処理体がアース電極を兼ねている方式では、プラズマ密度は電極と被処理体の距離が近い部分で高くなるため、被処理体の表面形状が複雑または面粗さが大きく不均一になると局部的な異常放電が発生し、処理が不均一になり易い。しかし本実施例のように、電極のみでプラズマを生成する方式では、電極形状およびプラズマは被処理体の表面形状に倣って形成でき、異常放電を抑制できるので、均一に処理し易い。

本実施例では実施例１の被処理体の処理方法に加えて、被処理体に電流を流れやすくした装置の例を説明する。図２は、実施例２におけるプラズマ処理装置を示す構成図の例である。図１のプラズマ処理装置のうち、既に説明した図１に示された同一の符号を付された構成と、同一の機能を有する部分については、説明を省略する。

図２において被処理体７と接地アース１０の間に、被処理体に電圧を印加する電源（電圧印加電源）１１として直流電源を挿入する。図７は、プラズマ照射中に被処理体電圧Ｖｐを変化させたときの被処理体７から電圧印加電源１１の間に流れる被処理体電流Ｉｐの変化を測定した結果である。被処理体電流は、被処理体電圧が負の時には被処理体７から電圧印加電源１１に向かって電流が発生する。被処理体電圧が−１００Ｖよりも小さくなると、被処理体７とプラズマ電極１の間に断片的な放電が発生し、プラズマが不安定になるため、−１００Ｖ以上０Ｖ以下が望ましい。

被処理体７に正の電圧を印加すると、被処理体７から電圧印加電源１１に向かう負の電流は徐々に減少し、プラズマの浮遊電位Ｖｆでは電流は流れなくなる。さらに電圧を高くすると、被処理体７からプラズマに向けて電流が流れるようになる。ここで、見かけ上電流がプラズマから被処理体７を通り電圧印加電源１１に流れる電流は、プラズマ放電中の正イオンが被処理体７の表面に照射されていることを意味している。なお、この測定での電圧印加電源１１の内部抵抗は８ｋΩであるが、被処理体７の電圧がゼロの時でも被処理体電流が得られている。

プラズマ電極１から被処理体７側に発生させるプラズマは、被処理体７の電位をアース以下に制御することで、導電性の被処理体７に電場が拡大し、プラズマの厚さが増え照射に有効な距離が拡大する。このため被処理体７の配置精度が緩和され、プラズマ電極１表面からの有効距離は被処理体７の電位を制御する前の２倍以上に拡大する。つまり、プラズマの有効距離は、制御しないときは０.５〜０.８mmであったが制御により０.５〜１.５mmになる。さらに、被処理体７の材質を選ばず安定なプラズマが得られ、照射効果も向上する。

実施例１と同様、被処理体７表面にＴＭＯＳと水の混合液を塗布してプラズマ照射によるオゾンの発生を調べたところ、被処理体７の電圧が負に大きくなるほど発生するオゾンの濃度は増大した。したがって、実施例１のように被処理体７をアース接地することに加え、被処理体７に負の電圧を印加することが、プラズマ照射効果を向上させることを確認できる。

本実施例では、プラズマ電極１の面積が広くなり雰囲気ガス（反応ガス）１２が被処理体７の表面に供給されにくくなった場合や、処理範囲が小さいプラズマ処理装置の例を説明する。なお、前述の実施例において既に説明した同一符号を付された構成と同一の機能を有する部分については説明を省略する。

図３（Ａ）は、誘電体膜４に被覆されたアンテナ電極２とアース電極３との間に、雰囲気ガス１２が通過できる程度（例えば０.２mm程度）の隙間を設けたプラズマ電極１とし、被処理体７に雰囲気ガス１２を吹き付ける構成を示す。被処理体７とアース電極３間の電位差を調整する電源もしくは配線抵抗を含む抵抗１３が、被処理体７と設地アース１０の間に挿入される。これは実施例１および実施例２で説明した可変抵抗９および電圧印加電源１１とおなじ機能である。電極のみで放電する誘電体バリア放電方式であれば、被処理体７を近接してプラズマを照射する際に、被処理体７を接地するか被処理体７に負の電圧を印加することで有効にプラズマ照射効果を得ることができる。

図３（Ｂ）はプラズマ電極がトーチ３１であり、芯線上のアンテナ電極３２と、内面に誘電体膜３４が形成された円筒状のアース電極３３で構成される。一対のアンテナ電極３２とアース電極３３はプラズマが発生する側の円筒端部が同一面内に配置されている。アンテナ電極３２へ交流電圧を印加することで、筒状のアース電極３３および筒状の誘電体膜３４の内部にプラズマを発生させる。雰囲気ガス１２は筒の中に送られ、プラズマ空間を通り、被処理体７にプラズマジェットとして照射される。

図３（Ｂ）のトーチ３１においても、被処理体７を接地アース１０に接続すること、あるいは被処理体７に負の電圧を印加することで、プラズマジェットの被処理体表面へのイオン衝撃を有効にすることができる。

大気圧の雰囲気ガス１２中において、予め電極のみで誘電体バリア放電によりプラズマ放電させておく場合、該プラズマを照射する被処理体４７をアースに接地するか負の電圧を印加することで、プラズマを被処理体４７に近づけることができるので、プラズマ照射に有効なプラズマ電極４１と被処理体４７表面の距離を長くすることができると同時に、装置内に被処理体４７を設置し易くすることができる。したがって、被処理体４７を雰囲気を制御する容器で囲み収納して高精度に固定する必要がなくなる。本実施例では、大型の被処理体４７の表面の一部分に、部分的にプラズマ照射が行えるプラズマ処理装置の構成例を説明する。

図４は実施例４における大型部品の処理装置構成図の例を示す。大型の被処理体４７のうちプラズマ処理される部分は、雰囲気ガス１２を封入する容器４２と被処理体４７との隙間を塞ぐためのシール４９で囲まれる。容器４２内の空間には流入口から雰囲気ガス１２を充填し、流出口から排出することで雰囲気ガス１２を還流させる。プラズマ電極４１はアンテナ電極とアース電極とを交互に配置した略平面形状に形成し、被処理体表面と略等距離の位置となるよう容器４２内に設置する。高周波印加電源のアース電極は接地され、被処理体４７をアース電極と共通の接地アースに接続する。もしくは被処理体４７を予め周囲と絶縁した上で、電圧印加電源１３に接続する。容器４２と被処理体４７はシール４９によって絶縁されていることが望ましい。被処理体４７の処理部表面には汚れあるいは塗布した膜などの処理対象となる膜４８がある。

本実施例４のプラズマ処理装置によれば、従来チャンバーなどの容器に収納できない大型部品や、製品が使用されている様々な環境に置いたまま、プラズマ処理装置を装着して補修などの処理を行うことができ、例えば面精度０.５mm以内まで均一処理が可能である。

大気圧プラズマ処理は、大型部品の部分処理や補修への応用が期待されており、本発明によれば電極と被処理体との距離を広げることができるので、効率良くプラズマが照射されるように被処理体を設置することができる。また、プラズマの照射効果が得られる範囲を拡大できるので、装置の簡便化が図れる。

本実施例では、被処理体が平面であるだけでなく、棒状の部品の外周を処理する装置の例を説明する。図５は棒状の部品を被処理体５７としたときの装置構成例の斜視図である。棒状の被処理体５７は予めアースもしくは負の電圧を印加しておく。プラズマ電極５１の内面の輪郭は、被処理体５７のある軸と直交する方向に切断したときの断面形状に相似で、被処理体５７の外周表面（側面）と所定の隙間を介して一周囲うように形成する。本実施例での被処理体５７は隙間は片側０.５〜１.５mmに保持すればよいが、例えば本実施例での隙間は１mmとする。プラズマ電極５１に高周波電圧を印加することで、棒状の被処理体表面にプラズマを照射する。プラズマ照射に際しては、プラズマ電極５１と被処理体５７が接触しないように平均隙間の半分程度の絶縁体スペーサーを挿入しておいても良い。本実施例では被処理体５７の電位を制御することで、制御しない場合よりもプラズマ電極と被処理体の有効距離が２倍拡大している。そのため、プラズマ電極５１と被処理体５７の位置決め精度を低くすることができ、処理装置を簡便化することができる。

本実施例では、実施例１〜実施例５の構成に加え、長尺の線材を被処理体とすることができる装置例について説明する。図６は導線あるいは被覆電線などの線材のプラズマ照射連続処理装置の例である。なお、被処理体６７は線材に限らず、薄い平板状のものであってもよい。被処理体６７は、巻き出しドラム６８に巻きつけられており、予め被処理体６７の端部を接地アース１０もしくは電圧印加電源１３に接続しておく。被処理体６７は巻き出しドラム６８から円筒内面放電型の円筒状のプラズマ電極６１に向けて送り出される。次いで、被処理体６７はプラズマ電極６１の放電面と所定間隔を保ちながらプラズマ電極６１の中を通ってプラズマ照射され、巻き取りドラム６９によって回収する。

被処理体６７の電位を制御しない場合、プラズマ電極６１を通過する被処理体６７の０.１mm程度の位置ずれによっても処理斑ができるのに対し、被処理体６７の導体部を接地あるいは導体部に負の電圧を印加することにより、被処理体６７の外周および長さ方向の全長にわたる表面を均一に処理することができる。

１、２１、４１、５１、６１ プラズマ電極
２、３２ アンテナ電極
３、３３ アース電極
４ 誘電体膜（誘電体）
５ 高周波印加電源
６ プラズマ
７ 被処理体（基材）
８、４８ 膜
９ 可変抵抗
１０ 接地アース
１１ 電圧印加電源
１２ 雰囲気ガス
１３ 抵抗
３１ トーチ
３４ 誘電体膜
４２ 容器
４７、５７、６７ 被処理体
４９ シール
６８ 巻き出しドラム
６９ 巻き取りドラム

Claims (10)

1. 複数のアンテナ電極と複数のアース電極とを電極軸の径方向に誘電体を介して交互に配置して形成されるプラズマ電極と、
   前記アンテナ電極に電圧を印加する高周波印加電源とを備え、
   前記プラズマ電極と対向するように配置された導電性の被処理体にプラズマを照射するプラズマ処理装置において、
   前記アース電極はアースに接続されると共に前記被処理体と電気的に接続され、
   前記被処理体と前記アースとの間の抵抗がプラズマの浮遊電位に基づき定められる値よりも小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 請求項１において、前記被処理体と前記アースとの間の抵抗と、前記プラズマ電極のプラズマ照射面積との積を０.５以下とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項１において、前記被処理体に負の電圧を印加する電圧印加電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項１において、前記アンテナ電極と前記アース電極との軸中心の間隔が０.１〜１mm、印加電圧振幅が５ｋＶ、周波数が１０〜２００ｋＨｚであることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項１において、前記被処理体の一部を覆うと共に前記プラズマ電極を収納する空間を有する容器を備え、前記容器は前記空間に雰囲気ガスを充填又は貫流させる流入口と流出口とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 請求項１において、前記プラズマ電極は、前記被処理体の側面を所定の隙間を介して一周囲うように形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 複数のアンテナ電極と複数のアース電極とを電極軸の径方向に誘電体を介して交互に配置してプラズマ電極を形成し、
   前記プラズマ電極と対向するように導電性の被処理体を配置し、
   前記アンテナ電極に電圧を印加して前記被処理体にプラズマを照射するプラズマ処理方法において、
   前記アース電極をアースに接続すると共に前記被処理体と電気的に接続し、
   前記被処理体と前記アースとの間の抵抗をプラズマの浮遊電位に基づき定められる値よりも小さくなるように制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
8. 請求項７において、前記被処理体の表面に、樹脂、有機物、セラミックス、有機金属、金属塩の少なくとも一種を設けた後にプラズマを照射することを特徴とするプラズマ処理方法。
9. 請求項７において、前記被処理体の一部を覆うと共に前記プラズマ電極を収納する空間を有する容器を備え、前記空間に雰囲気ガスを充填又は貫流させることを特徴とするプラズマ処理方法。
10. 請求項７において、前記プラズマ電極の放電面と所定間隔を保ちながら前記被処理体を連続的に通過させることを特徴とするプラズマ処理方法。