JP4092937B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4092937B2 JP4092937B2 JP2002109253A JP2002109253A JP4092937B2 JP 4092937 B2 JP4092937 B2 JP 4092937B2 JP 2002109253 A JP2002109253 A JP 2002109253A JP 2002109253 A JP2002109253 A JP 2002109253A JP 4092937 B2 JP4092937 B2 JP 4092937B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- plasma
- discharge space
- electrode
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面に存在する有機物や有機汚れ等のアッシングやクリーニング、レジストの剥離やエッチング、フィルムや成形品の表面改質、水や半田などの濡れ性の改善、接着性・密着性の改善、金属酸化物の還元、殺菌・滅菌、成膜などに利用されるプラズマ処理装置、及びこれを用いたプラズマ処理方法に関するものであり、特に、精密な接合が要求される電子部品や半導体部品の表面のクリーニングや表面改質に好適に応用されるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、大気圧下で発生させたプラズマ(特にプラズマの活性種)をジェット状に吹き出して被処理物に供給することによってプラズマ処理を行なうことが、例えば、特開平3−219082号公報、特開平4−212253号公報、特開平6−108257号公報等で開示されている。これらの公報に記載されている方法は、ジェット状のプラズマ(プラズマジェット)をスポット的に吹き出して被処理物に吹き付けることによって、被処理物を局所的にプラズマ処理するようにしたものである。
【0003】
また、ライン状あるいは面状のプラズマジェットを被処理物に吹き付けることによって、被処理物の処理領域を広くするための方法が、例えば、特開平4−358076号公報や特開平9−232293号公報などに記載されている。特開平4−358076号公報に記載のものは、誘電体で被覆した一対の電極をガス流方向に対して平行に配置し、プラズマ生成用ガスとして主に希ガスを用いることにより大気圧下で安定なグロー状の放電を生じさせ、隣り合う電極の間からライン状にプラズマジェットを吹き出すようにしたものである。また、特開平9−232293号公報に記載のものは、ガス流路の上流と下流に扁平な筒状の放電管の外周面に沿うように一対の電極を配置することによって、ライン状のプラズマジェットを吹き出すようにしたものである。
【0004】
さらに、上下に対向配置した一対の電極間に電圧を印加することによりプラズマを生成し、このプラズマをプラズマジェットとして被処理物に吹き付ける方法が、例えば、特開2001−334147号公報に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、誘電体を挟んで対向配置させた電極間に電圧を印加してプラズマを生成するプラズマ処理方法では、電極間におけるプラズマ密度が上がらず、プラズマ処理能力が低いという問題があった。
【0006】
一方、上下に対向配置した一対の電極間に電圧を印加してプラズマを生成し、このプラズマをライン状あるいは面状に吹き出すプラズマ処理方法では、ストリーマが生じやすくてプラズマ密度が上がりやすいという特徴がある反面、面内でのプラズマ密度の均一性を確保することが難しいものであり、このために、均一なプラズマ処理(特に幅方向でのプラズマ処理)が困難であった。
【0007】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理能力が高くて均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係るプラズマ処理装置は、絶縁材料で形成された反応容器1の外側に複数の電極2、3、4を設けると共に反応容器1内における電極2、3、4間の空間を放電空間5として形成し、放電空間5にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極2、3、4間に電圧を印加することによって、放電空間5において大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電によって生成されたプラズマPを放電空間5から吹き出すプラズマ処理装置において、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に二つの電極2、3を対向配置すると共に放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に二つの電極2、4を対向配置し、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極2、3間と放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した電極2、4間とに電圧を印加して放電空間5内において各対向配置した電極2,3、2,4間で放電を生じさせるための電源6を備え、前記プラズマ生成用ガスの流れ方向と平行に対向配置した二つ電極2、3のうちの一方の電極2と、プラズマ生成用ガスの流れ方向と平行に対向配置した二つの電極2、4のうちの一方とが、前記電源6と接続された同一の電極2であり、他の電極3、4が接地されて成ることを特徴とするものである。
【0010】
本発明の請求項2に係るプラズマ処理装置は、請求項1に加えて、電極2、3、4間に印加される電圧の波形が、休止時間のない交番電圧波形あるいはパルス状の波形あるいはこれらを組み合わせた波形であることを特徴とするものである。
【0011】
本発明の請求項3に係るプラズマ処理装置は、請求項1又は2に加えて、プラズマ生成用ガスの流れ方向において、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した二つの電極2、3のうち、接地した電極3を電源6と接続した電極2よりもプラズマ生成用ガスの流れ方向において下流側に配置して成ることを特徴とするものである。
【0012】
本発明の請求項4に係るプラズマ処理装置は、請求項1乃至3のいずれかに加えて、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極2、3の間隔を1〜20mmにすることを特徴とするものである。
【0013】
本発明の請求項5に係るプラズマ処理装置は、請求項1乃至4のいずれかに加えて、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向において反応容器1の内寸を0.1〜10mmにすることを特徴とするものである。
【0014】
本発明の請求項6に係るプラズマ処理装置は、請求項1乃至5のいずれかに加えて、放電を開始させるための始動補助手段7として、高電圧パルス発生装置25と、この高電圧パルス発生装置25で生成されたパルス電圧が供給される点灯用電極26とを備えて成ることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の請求項7に係るプラズマ処理方法は、請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図1に本発明のプラズマ処理装置の一例を示す。このプラズマ処理装置は反応容器1と複数(三つ)の電極2、3、4とを備えて形成されている。
【0018】
反応容器1は高融点の絶縁材料(誘電体材料)で形成されるものであって、例えば、石英ガラス、アルミナ、イットリア、ジルコニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などで形成することができるが、これらの材料に限定されるものではない。また、反応容器1は一対の対向する幅広側壁1aと一対の対向する幅狭側壁1bとで形成されるものであって、上下方向に長い真っ直ぐな略角筒状に形成されるものである。従って反応容器1は水平面における一方向(幅方向)の長さに比べて、この一方向(幅方向)と直交する方向(厚み方向)の長さが非常に小さい扁平板状に形成されている。
【0019】
また、反応容器1の内部の空間は上下方向に長いガス流路20として形成されている。ガス流路20の上端はガス導入口11として反応容器1の上面において全面に亘って開口されていると共にガス流路20の下端は吹き出し口12として反応容器1の下面において全面に亘って開口されている。反応容器1の厚み方向(短手方向)の内寸(幅広側壁1aの間隔)は0.1〜10mmに形成することができる。反応容器1のこの狭い方の内寸は上記のガス流路20及び後述の放電空間5の寸法であって、これにより、放電空間5でプラズマPを安定して効率よく生成することができるものである。すなわち、反応容器1の厚み方向の内寸が0.1mm未満であれば、放電空間5の体積が小さくなって生成されるプラズマPの量が少なくなり、プラズマ処理の効率が低くなる恐れがあり、反応容器1の厚み方向の内寸が10mmを超えると、反応容器1の外側に配置される電極2、3、4の間の距離が大きくなって放電空間5に安定した放電を発生させることができなくなり、従って、放電空間5でプラズマPを安定して生成することができなくなる恐れがある。そして、吹き出し口12及びガス導入口11は反応容器1の幅方向と平行な方向に長いスリット状に形成されるものである。
【0020】
電極2、3、4は銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼(SUS304など)などの導電性の金属材料を用いて矩形板状に形成されている。電極2、3、4はその長手方向(横方向)の寸法がほぼ同じで、短手方向(縦方向)の寸法がそれぞれ異ならせて形成されている。また、電極2、3、4の内部には冷却水循環路を設けることができ、この冷却水循環路に冷却水を通して循環させることによって電極2、3、4が冷却可能に形成されている。さらに、電極2、3、4の表面(外面)には腐食の防止等の目的で金メッキ等のメッキを施すことができる。
【0021】
上記の電極2、3、4のうち、最も短手方向の寸法が長い電極4は反応容器1の一方の幅広側壁1aの外面に接触させて設けられていると共に最も短手方向の寸法が長い電極3及び上記一方の電極3よりも短手方向の寸法が長く且つ上記他方の電極4よりも短手方向の寸法が短い電極2は反応容器1の一方の幅広側壁1aの外面に接触させて設けられている。また、電極2、3、4はその長手方向が反応容器1の幅方向と略平行になるように配置されていると共に電極2、3、4はその長手方向の端部が幅狭側壁1bよりも外側に突出するように配置されている。また、電極2、3と電極4とは反応容器1を挟んでほぼ水平方向に対向して配置されていると共に電極2と電極3とは反応容器1を挟まずに上下方向(鉛直方向)に対向して配置されている。さらに、電極3は電源6に接続される電極2よりも下側、すなわち吹き出し口12に近い方に配置されている。
【0022】
そして、反応容器1の内部において電極2、3、4の間に対応する部分が放電空間5として形成されている。すなわち、電極2、4の上端と電極3、4の下端との間に位置するガス流路20の一部分が放電空間5として形成されている。従って、電極2と電極4の間の放電空間5側には誘電体である反応容器1の幅広側壁1aが設けられていることになる。また、放電空間5はガス導入口11及び吹き出し口12と連通している。また、プラズマ生成用ガスはガス導入口11から吹き出し口12に向かってガス流路20を上下方向に流れるものであり、従って、放電空間5(ガス流路20)におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に二つの電極2、3が対向配置されていると共に放電空間5(ガス流路20)におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に二つの電極2、4が対向配置されている。また、放電空間5(ガス流路20)におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向において、電極3は電極2よりも下流側に配置されている。
【0023】
上記電極2には電圧を発生する電源6が接続されていると共に他の電極3、4は接地されている。このように反応容器1に設けた複数の電極2、3、4において、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した二つの電極2、3のうち、一方(上側)の電極2が電源6と接続される印加電極(高圧電極)として形成されると共に他方(下側)の電極3が接地された接地電極(低圧電極)として形成されるものであり、また、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した二つの電極2、4のうち、一方の電極2が電源6と接続される印加電極(高圧電極)として形成されると共に他方の電極4が接地された接地電極(低圧電極)として形成されるものである。また、電源6に接続された電極2に対して、接地された電極3、4の両方を対向配置させることによって、電源6に接続された電極2を共通化して用いることができ、電極3と電極4のそれぞれに別々の電極を対向配置させるよりも部品点数を少なくすることができて装置を簡素化することができるものである。
【0024】
また、上下方向に対向配置した電極2、3の間隔は1〜20mmに設定するのが好ましく、これにより、放電空間5でプラズマPを安定して効率よく生成することができるものである。すなわち、電極2、3の間隔が1mm未満であれば、反応容器1の外側で電極2、3の間で放電が発生して放電空間5に充分な電力を供給することができなくなり、生成されるプラズマPの量が少なくなってプラズマ処理の効率が低くなる恐れがあり、電極2、3の間隔が20mmを超えると、電極2、3の間の距離が大きくなって放電空間5に安定した放電を発生させることができなくなり、従って、放電空間5でプラズマPを安定して生成することができなくなる恐れがある。
【0025】
上記の電源6は電極2、3の間及び電極2、4の間に電圧を印加するためのものであり、これにより、放電空間5に電界を印加することができるものである。電極2、3の間及び電極2、4の間に印加される電圧の波形は、休止時間のない交番電圧波形あるいはパルス状の波形あるいはこれらを組み合わせた波形にすることができる。交番電圧波形は休止時間(電圧がゼロで定常状態になっている時間)が無いかほとんど無い電圧波形(例えば、正弦波)を有するものであり、パルス状の電圧波形は休止時間のある電圧波形を有するものである。
【0026】
上記のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うにあたっては、次のようにして行う。矢印Gで示すように、ガス導入口11から反応容器1のガス流路20にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプラズマ生成用ガスをガス流路20内で上から下に流すことによってプラズマ生成用ガスを放電空間5に導入して供給する。一方、電極2、3の間及び電極2、4の間には電圧が印加されており、これにより、放電空間5において大気圧近傍の圧力下(93.3〜106.7kPa(700〜800Torr))で放電が生じる。また、この放電により放電空間5に供給されたプラズマ生成用ガスがプラズマ化されて放電空間5に活性種を含むプラズマPが生成される。そして、このように生成されたプラズマPを矢印Jで示すように放電空間5から吹き出し口12を通じて下方に連続的に吹き出し、吹き出し口12の下側に配置された被処理物の表面にプラズマPを吹き付けるようにする。このようにして被処理物のプラズマ処理を行うことができる。本発明において、放電空間5で生じている放電は誘電体バリア放電である。
【0027】
プラズマ生成用ガスとしては、希ガス、窒素、酸素、空気、水素から選ばれる単独ガスあるいは複数種の混合ガスを用いることができる。空気としては、好ましくは水分をほとんど含まない乾燥空気を用いることができる。本発明においてグロー放電でない誘電体バリア放電を利用する場合は、希ガスなどの特殊なガスを用いる必要が無く、プラズマ処理にかかるコストを低く抑えることができるものである。また、誘電体バリア放電を安定して発生させるなどの理由でプラズマ生成用ガスとして希ガスあるいは希ガスと反応ガスの混合気体を用いることができる。希ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトンなどを使用することができるが、放電の安定性や経済性を考慮するとアルゴンを用いるのが好ましい。反応ガスの種類は処理の内容によって任意に選択することができる。例えば、被処理物の表面に存在する有機物のクリーニング、レジストの剥離、有機フィルムのエッチング、LCDの表面クリーニング、ガラス板の表面クリーニングなどを行う場合は、酸素、空気、CO2、N2Oなどの酸化性ガスを用いるのが好ましい。また、反応ガスとしてCF4などのフッ素系ガスも適宜用いることができ、シリコンなどのエッチングを行う場合にはこのフッ素系ガスを用いるのが効果的である。また金属酸化物の還元を行う場合は、水素、アンモニアなどの還元性ガスを用いることができる。反応ガスの添加量は希ガスの全量に対して10体積%以下、好ましくは0.1〜5体積%の範囲である。反応ガスの添加量が0.1体積%未満であれば、処理効果が低くなる恐れがあり、反応ガスの添加量が10体積%を超えると、誘電体バリア放電が不安定になる恐れがある。
【0028】
本発明では、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加する電圧の波形を休止時間のない交番電圧波形とすることができる。本発明で用いる休止時間のない交番電圧波形は、例えば、図2(a)乃至(d)及び図3(a)乃至(e)に示すような経時変化を示すものである(横軸を時間tとする)。図2(a)のものは正弦波形である。図2(b)のものは振幅で示される電圧変化の立ち上がり(電圧がゼロクロスから最大値に達するまでの間)が短時間で急激に起こり、電圧変化の立ち下がり(電圧が最大値からゼロクロスに達するまでの間)が立ち上がりよりも長い時間で緩やかに起こるものである。図2(c)のものは電圧変化の立ち下がりが短時間で急激に起こり、電圧変化の立ち上がりが立ち下がりよりも長い時間で緩やかに起こるものである。図2(d)のものは振動波形であって、一定の周期で減衰、増加していく振動波を繰り返し単位周期とし、この繰り返し単位周期が連続しているものである。図3(a)のものは矩形波形である。図3(b)のものは電圧変化の立ち下がりが短時間で急激に起こり、電圧変化の立ち上がりが階段状であって立ち下がりよりも長い時間で緩やかに起こるものである。図3(c)のものは電圧変化の立ち上がりが短時間で急激に起こり、電圧変化の立ち下がりが階段状であって立ち下がりよりも長い時間で緩やかに起こるものである。図3(d)のものは振幅変調波形である。図3(e)のものは減衰振動波形である。
【0029】
この交番電圧波形の立ち上がり時間と立ち下がり時間の少なくとも一方、好ましくは両方を100μsec以下にする。立ち上がり時間と立ち下がり時間の両方が100μsec以上であると、放電空間5におけるプラズマ密度を高くすることができず、プラズマ処理能力が低くなり、また、ストリーマが放電空間5に一様に発生しにくくなって、均一なプラズマ処理を行うことができなくなる。尚、立ち上がり時間と立ち下がり時間は短いほど好ましいので、特に下限は設定されないが、現在入手できる電源6で最も立ち上がり時間と立ち下がり時間を短くすることができるものは40nsec程度であり、これが実質的な下限となる。しかしながら、将来的な技術開発により40nsecよりも短い立ち上がり時間と立ち下がり時間が実現できれば、40nsecよりも短い時間にするのが好ましい。立ち上がり時間と立ち下がり時間は好ましくは20μsec以下、より好ましくは5μsec以下にすることができる。
【0030】
また、本発明では図4(a)に示すように、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加する休止時間のない交番電圧波形の電圧にパルス状高電圧を重畳するようにして電極2、3の間及び電極2、4の間に印加してしてもよい。このようにパルス状の高電圧を交番電圧波形の電圧に重畳することによって、放電空間5内で電子が加速されて高エネルギーの電子を生成することができ、この高エネルギーの電子により放電空間5内のプラズマ生成用ガスを効率よく電離、励起させることができて高密度のプラズマを生成することが可能となり、プラズマ処理の効率を高めることができるものである。
【0031】
このようにパルス状の高電圧を交番電圧波形の電圧に重畳する場合、パルス状の高電圧を交番電圧波形の電圧極性が変化した直後より所定時間経過した後に重畳し、重畳するパルス状の高電圧を印加する時間を変化させるのが好ましく、これにより、放電空間5内での電子の加速状況を変化させることができる。従って、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加するパルス状の高電圧のタイミングを変化させることにより、放電空間5内でのプラズマ生成用ガスの電離、励起状態を制御することが可能となり、所望のプラズマ処理に適したプラズマ状態を容易に作り出すことができるものである。
【0032】
また、図4(b)に示すように、パルス状の高電圧を交番電圧波形の1周期内に複数重畳してもよく、これにより、図4(a)の場合よりも放電空間5内での電子の加速状況を変化させ易くするものである。従って、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加するパルス状の高電圧のタイミングを変化させることにより、放電空間5内でのプラズマ生成用ガスの電離、励起状態をより制御しやすくなって、所望のプラズマ処理に適したプラズマ状態をさらに容易に作り出すことができるものである。
【0033】
また、上記のように重畳するパルス状の高電圧の立ち上がり時間は0.1μsec以下にするのが好ましい。重畳するパルス状の高電圧の立ち上がり時間が0.1μsecを超えると、放電空間5内のイオンもパルス状の電圧に追従して動くことが可能となり、電子のみを効率よく加速することができなくなる恐れがある。従って、パルス状の高電圧の立ち上がり時間を0.1μsec以下にすることによって、放電空間5内でプラズマ生成用ガスを効率よく電離、励起することができ、高密度のプラズマの生成が可能となってプラズマ処理の効率を高めることができるものである。尚、重畳するパルス状の高電圧の立ち下がり時間も0.1μsec以下にするのが好ましい。
【0034】
また、パルス状の高電圧の波高値は交番電圧波形の最大電圧値以上とするのが好ましい。パルス状の高電圧の波高値が交番電圧波形の最大電圧値未満の場合、パルス状の高電圧の重畳効果が低くなり、パルス状の電圧を重畳しない場合とほぼ同じプラズマ状態となる。従って、パルス状の高電圧の波高値は交番電圧波形の最大電圧値以上とすることにより、放電空間5内でプラズマ生成用ガスを効率よく電離、励起することができて高密度のプラズマの生成が可能となり、プラズマ処理の効率を高めることができるものである。
【0035】
また、本発明において、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加する休止時間のない交番電圧波形は、複数種の周波数の交番電圧波形を重ね合わせて形成し、図2、3のような波形にするのが好ましく、これにより、高周波成分の周波数の電圧により、放電空間5内の電子が加速されて高エネルギーの電子を生成することができ、この高エネルギーの電子により放電空間5内でプラズマ生成用ガスを効率よく電離、励起することができ、高密度のプラズマの生成が可能となってプラズマ処理の効率を高めることができるものである。
【0036】
また、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加される休止時間のない交番電圧波形の電圧の繰り返し周波数は、0.5kHz〜200MHzに設定するのが好ましい。この繰り返し周波数が0.5kHz未満であれば、単位時間内でのストリーマの発生数が少なくなるために、誘電体バリア放電のプラズマ密度が低くなってしまいプラズマ処理能力(効率)が低下する恐れがあり、一方、上記の繰り返し周波数が200MHzよりも高くなると、単位時間内に発生するストリーマが増加するために、プラズマ密度は増加するものの、アークが発生しやすくなると共にプラズマ温度が上昇してしまう。
【0037】
また、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加される休止時間のない交番電圧波形の電界強度は、電極2、3及び電極2、4の各間隔(ギャップ長)やプラズマ生成用ガスの種類あるいはプラズマ処理の対象物(被処理物)の種類などによっても変化するが、0.5〜200kV/cmに設定するのが好ましい。電界強度が0.5kV/cm未満であれば、誘電体バリア放電のプラズマ密度が低くなってしまいプラズマ処理能力(効率)が低下する恐れがあり、一方、上記の電界強度が200kV/cmより大きくなると、アークが発生しやすくなって被処理物に損傷を与える恐れがある。
【0038】
そして、本発明では、交番電圧波形の立ち上がり時間と立ち下がり時間の少なくとも一方を100μsec以下にするので、放電空間5におけるプラズマ密度を高くすることができ、プラズマ処理能力を高くすることができるものであり、また、ストリーマが放電空間5に一様に発生し易くなって放電空間5におけるプラズマ密度の均一性を高くすることができ、均一なプラズマ処理を行うことができるものである。
【0039】
また、本発明では電極2、3の間及び電極2、4の間に印加する電圧の波形をパルス状の波形とすることができる。図5(a)に示すパルス状の波形は図3(a)に示す波形において半周期ごとに休止時間を設けたものである。図5(b)に示すパルス状の波形は図3(a)に示す波形において一周期ごとに休止時間を設けたものである。図5(c)に示すパルス状の波形は図2(a)に示す波形において一周期ごとに休止時間を設けたものである。図5(d)に示すパルス状の波形は図2(a)に示す波形において複数の周期ごとに休止時間を設けたものである。図5(e)に示すパルス状の電圧は図2(d)に示す波形において隣り合う繰り返し単位周期の間に休止時間を設けたものである。
【0040】
このパルス状の波形の電圧を用いた場合も上記と同様の理由で、立ち上がり時間と立ち下がり時間の一方あるいは両方を100μsec以下とするのが好ましく、また、繰り返し周波数を0.5〜1000kHzにすることが好ましく、さらに、電界強度を0.5〜200kV/cmにすることが好ましい。そして、パルス状の波形の電圧を用いた場合も、上記の休止時間のない交番電圧波形の電圧を用いた場合と同様の効果を奏するものである。
【0041】
尚、本発明において立ち上がり時間は、図6に示すように、電圧波形のゼロクロスから最大値に達する時間t1で定義されるものであり、立ち下がり時間は、図6に示すように、電圧波形の最大値からゼロに達する時間t2で定義されるものである。また、本発明において繰り返し周波数は、図7(a)(b)(c)に示すように、繰り返し単位周期にかかる時間t3の逆数で定義されるものである。また、本発明において電界強度は、図8に示すように、(電極2、3間の印加電圧V)/(電極2、3の間隔d)あるいは(電極2、4間の印加電圧V)/(電極2、4の間隔d)で定義されるものである。
【0042】
そして、本発明では、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に二つの電極2、3を対向配置すると共に放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に二つの電極2、4を対向配置し、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極2、3間と、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した電極2、4間とに電源6により電圧を印加するので、プラズマ処理能力が高くて均一なプラズマ処理を行うことができるものである。すなわち、本発明では放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に電極2と電極3を対向配置することにより、図9に示すように、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ平行な電気力線aを放電空間5内において電極2、3の間に発生させることができ、これにより、ストリーマが生じやすくなってプラズマ密度が上がりやすくなり、プラズマ処理能力を高くすることができるものであり、また、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に電極2と電極4を対向配置することにより、図9に示すように、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ垂直な電気力線bを放電空間5内において電極2、4の間に発生させることができ、反応容器の幅方向と厚み方向においてプラズマ密度の均一性を確保することができ、均一なプラズマ処理を行うことができるものである。このように本発明では、電源6に接続された一つの電極2に対して、接地された電極3、4の二つを上記のように対向配置することにより、プラズマ処理能力が高くて均一なプラズマ処理を行うことができるようにしたものである。
【0043】
また、本発明では、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極2、3のうち、接地された電極3を電源6に接続された電極2よりも下流側に配置するので、高電圧を印加する電極2と被処理物との間に接地された電極3を介在させることができ、この電極3により電極2と被処理物との間で異常放電が発生しにくくなって、異常放電による被処理物の損傷を防止することができるものである。
【0044】
図10に他の実施の形態を示す。このプラズマ処理装置は図1に示すものにおいて、反応容器1の形状及び電極2、3、4の形状を変えたものであり、その他の構成は図1のものと同様である。反応容器1は上下方向に長い真っ直ぐな略円筒状に形成されるものであり、反応容器1の内部の空間は上下方向に長いガス流路20として形成されている。ガス流路20の上端はガス導入口11として反応容器1の上面において全面に亘って開口されていると共にガス流路20の下端は吹き出し口12として反応容器1の下面において全面に亘って開口されている。反応容器1は内径を例えば0.1〜10mm、好ましくは1〜5mmに形成することができるが、特に、これに限定されるものではない。
【0045】
また、電極2、3、4は平面視で略半円弧状に形成される板体であって、その曲率半径はほぼ同じで上下方向の寸法をそれぞれ異ならせて形成されている。電極2、3、4のうち、上下方向の寸法が最も短い電極3と上下方向の寸法が最も長い電極4が接地される接地電極(低圧電極)として形成されていると共に残りの電極2が電源6と接続される印加電極(高圧電極)として形成されており、印加電極である電極2の上下方向の寸法は接地電極である電極3よりも長くて接地電極である電極4よりも短く形成されている。そして、電源6と接続される電極2の内面(曲率半径の小さい方の面)を反応容器1の外面(周面)に接触させて反応容器1の外側に電極2を配置し、このように配置した電極2と反応容器1を挟んで対向する位置において接地された長い方の電極4を配置すると共に上記の電極2と上下に対向する位置に接地された短い方の電極3を配置する。この時、電極3、4の内面を反応容器1の外面(周面)に接触させるようにする。このようにして反応容器1のガス流路20の一部が電極2、3、4で囲まれた放電空間5とするプラズマ処理装置を形成することができる。
【0046】
このようなプラズマ処理装置においても上記の実施の形態と同様にして被処理物のプラズマ処理を行うことができ、また、上記の実施の形態と同様の効果を奏するものである。
【0047】
図11に他の実施の形態を示す。このプラズマ処理装置は図1に示すものにおいて、電極2、3、4の形状及び配置を変えたものであり、その他の構成は図1のものと同様である。電源6と接続される電極2は矩形板状に形成されるものであって、反応容器1の各幅広側壁1aの外面に電極2を一つずつ接触させるようにして二つの電極2が反応容器1に設けられている。二つの電極2は反応容器1を挟んで互いに対向するように配置されており、また、二つの電極2は高周波配線等により電気的に接続されている。従って、二つの電極2は高周波電圧を印加した際に同電位で同位相になるものである。
【0048】
接地される一方の電極3は矩形板状に形成されるものであって、上記の電源6と接続される電極2の下流側(下側)において、反応容器1の各幅広側壁1aの外面に電極3を一つずつ接触させるようにして二つの電極3が反応容器1に設けられている。二つの電極3は反応容器1を挟んで互いに対向するように配置されており、また、二つの電極3は高周波配線等により電気的に接続されている。従って、二つの電極3は高周波電圧を印加した際に同電位で同位相になるものである。尚、電極2、3は反応容器1の周囲を囲うような環状に形成されていても良い。
【0049】
接地されるもう一方の電極4は矩形板状に形成されるものであって、反応容器1のガス流路20内に配置されている。この電極4は反応容器1の内側(ガス流路20)の幅方向のほぼ全長に亘って形成されている。また、電極4は反応容器1のガス導入口11から吹き出し口12のやや上側に至るように形成されている。また、電極4の表面は被覆体30で被覆されている。この被覆体30はアルミナ等の誘電体を電極4の表面に溶射するなどして形成することができる。
【0050】
そして、反応容器1の内部において電極2、3、4の間に対応する部分が放電空間5として形成されている。すなわち、反応容器1の外側に配置された電極2の上端と電極3の下端との間に位置するガス流路20の一部分が放電空間5として形成されている。また、放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に電極2、3が対向配置されていると共に放電空間5におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に電極2、4が対向配置されている。
【0051】
このようなプラズマ処理装置においても上記の実施の形態と同様にして被処理物のプラズマ処理を行うことができ、また、上記の実施の形態と同様の効果を奏するものである。
【0052】
上記のような本発明において、反応容器1の放電空間5で放電を開始させるための始動補助手段7を備えるのが好ましい。図12に示すものでは始動補助手段7として高電圧パルス発生装置25と点灯用電極26とを反応容器1の外部に設けている。高電圧パルス発生装置25は高電圧のパルス電圧を発生させるためのものであって、例えば、ブロッキングオシレータ又は一石インバータと称される回路を用いることができる。点灯用電極26は先端が尖った金属製の棒で形成されるものであって、電極2、3、4と同様の金属材料で形成することができる。この点灯用電極26は高電圧パルス発生装置25に接続されており、高電圧パルス発生装置25で生成されたパルス電圧が点灯用電極26に供給されるようになっている。そして、点灯用電極26はその先端が反応容器1の吹き出し口12の下流側(下側)に位置するように配設されている。
【0053】
そして、このような始動補助手段7を用いて反応容器1の放電空間5にプラズマPを点灯させるにあたっては、上記と同様にして電極2、3の間及び電極2、4の間に電圧を印加すると共に放電空間5にプラズマ生成用ガスを導入した後、高電圧パルス発生器25でパルス電圧を発生させ、このパルス電圧を点灯用電極26から放電空間5を通じて接地された電極3、4に放電させる。この時のパルス電圧の大きさは電極2、3の間及び電極2、4間に印加する電圧、すなわち、プラズマを連続的に生成するのに必要な電圧の3倍以上にするのが好ましい。パルス電圧がプラズマを連続的に生成するのに必要な電圧の3倍未満であれば、プラズマを短時間(1秒以下)で確実に点火させることが難しく、プラズマ処理装置の始動が不良になる恐れがある。パルス電圧は大きいほど好ましいので、特に上限は設定されないが、通常はプラズマを連続的に生成するのに必要な電圧の40倍以下である。
【0054】
このようにして放電空間5に高電圧のパルス電圧を印加すると、放電空間5の空間中に予備電離プラズマが発生する。この後、予備電離プラズマが電極2、3の間及び電極2、4間に印加された電圧(本来であれば、反応容器1内を絶縁破壊させることのできない低い電圧)によって増幅され、反応容器1内の放電空間5にプラズマPが生成される。この後、上記のように放電空間5で放電が発生すると共にこの放電でプラズマ生成用ガスをプラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマPが連続的に生成される。この後、放電空間5で生成されたプラズマPを上記と同様にして吹き出し口12から下方に流出させて被処理物に吹き付けることによってプラズマ処理を行うことができる。
【0055】
このようにパルス電圧を発生させるための高電圧パルス発生装置25と、このパルス電圧を反応容器1に導入されたプラズマ生成用ガスに印加して反応容器1内にプラズマを点灯させるための点灯用電極26とを有する始動補助手段7を備えるので、高電圧パルス発生装置25で発生させたパルス電圧を点灯用電極26から放電して反応容器1に導入されたプラズマ生成用ガスに印加することによって、電極2、3の間及び電極2、4間に非常に大きな高電圧をかけなくても反応容器1の放電空間でプラズマを点灯させることができ、プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好になるものである。
【0056】
【実施例】
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
図1に示す構造のプラズマ処理装置を形成した。反応容器1は板厚1mmの石英ガラスを用いて、内寸においてスリット幅(厚み方向の寸法)1mm、幅方向の寸法70mm、高さ80mmの幅広の角筒状に形成した。電極2、3、4は銅で作製し、その表面に金メッキ処理を施した。また、電極2、3、4の内部には冷却水の流路を設け、この流路に冷却水を循環させて電極及び放電空間5を冷却できるように形成した。また、上下に対向配置された電極2と電極3の間隔(隣接間距離)は5mmにして反応容器1に配置した。そして、電極2に高周波電界(電圧)を発生する電源6を接続し、また、電極3、4は接地した。
【0057】
このような構成のプラズマ処理装置に大気圧下において、アルゴンを12リットル/分、酸素を0.6リットル/分の割合で混合したプラズマ生成用ガスを供給し、13.56MHzの周波数で1000Wの印加電力で高周波電界を放電空間5に印加して放電(プラズマ放電)を生じさせると共に吹き出し口12からプラズマPを吹き出させて被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行った。尚、電極2、3の間及び電極2、4の間に印加される電圧の波形は図2(a)である。
【0058】
プラズマ処理は、反応容器1の吹き出し口12の下側(下流)において、被処理物を反応容器1の幅方向と直交する方向に10mm/秒で移動させるようにして行った。被処理物としてはネガ型フィルムレジストを1μmの厚みで塗布して設けたシリコン基板を用いた。
【0059】
そして、レジストのエッチング深さを複数の位置で測定してその平均値を求めた結果、エッチング深さの平均値は800Åであり、ほぼ均一にプラズマ処理することができた。
(実施例2)
図1に示す構造のプラズマ処理装置を形成した。反応容器1は板厚1mmの石英ガラスを用いて、内寸においてスリット幅(厚み方向の寸法)1mm、幅方向の寸法150mm、高さ80mmの幅広の角筒状に形成した。電極2、3、4は銅で作製し、その表面に金メッキ処理を施した。また、電極2、3、4の内部には冷却水の流路を設け、この流路に冷却水を循環させて電極及び放電空間5を冷却できるように形成した。また、上下に対向配置された電極2と電極3の間隔(隣接間距離)は10mmにして反応容器1に配置した。そして、電極2に高周波電界(電圧)を発生する電源6を接続し、また、電極3、4は接地した。
【0060】
このような構成のプラズマ処理装置に大気圧下において、アルゴンを12リットル/分、酸素を0.6リットル/分の割合で混合したプラズマ生成用ガスを供給し、100kHzの周波数で8kVの図5(c)に示すパルス状波形の高電界(高電圧)を放電空間5に印加してプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口12からプラズマを吹き出させて被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行った。
【0061】
プラズマ処理は、反応容器1の吹き出し口12の下側(下流)において、被処理物を反応容器1の幅方向と直交する方向に30mm/秒で移動させるようにして行った。パルス高電界の立ち上がり、立下り時間はともに10μsec、周波数は100kHzであった。
【0062】
被処理物としては、OMPAC(Over Molded Pad Array Carrier)型BGA基板(幅50mm×長さ200mm×厚み0.5mm)を使用した。
【0063】
この基板をプラズマ処理した後、表面状態を評価するとともに、基板上に底面積が1cm2のプリン状の封止樹脂(松下電工製パナシーラーCV8100Z)を成形し剪断剥離強度を測定した。未処理の基板は剪断剥離強度10MPaであったが、処理後は18MPaであった。
【0064】
(実施例3)
図10に示す構造のプラズマ処理装置を形成した。反応容器1は板厚1mmの石英ガラスを用いて、内径3mm、外形5mmの円筒に形成した。電極2、3、4は銅で作製し、その表面に金メッキ処理を施した。また、電極2、3、4の内部には冷却水の流路を設け、この流路に冷却水を循環させて電極及び放電空間5を冷却できるように形成した。また、上下に対向配置された電極2と電極3の間隔(隣接間距離)は3mmにして反応容器1に配置した。そして、電極2に高周波電界(電圧)を発生する電源6を接続し、また、電極3、4は接地した。
【0065】
このような構成のプラズマ処理装置に大気圧下において、アルゴンを1.5リットル/分、酸素を0.04リットル/分の割合で混合したプラズマ生成用ガスを供給し、200kHzの周波数で8kVの図3(e)に示す減衰振動波形の高電界(高電圧)を放電空間5に印加してプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口12からプラズマを吹き出させて被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行った。プラズマ処理は、反応容器1の吹き出し口12の下側(下流)において、被処理物を反応容器1の幅方向と直交する方向に50mm/秒で移動させるようにして行った。減衰振動波形の高電界の立ち上がり、立下り時間はともに1μsecであった。
【0066】
被処理物としては、2枚の板状PPS樹脂を使用した。そして、プラズマ処理後にこの2枚の樹脂をエポキシ樹脂で接着し、引張りせん断接着強度試験を行なった結果、接着強度は5MPaであった。未処理では1MPaであった。
【0067】
(実施例4)
図11に示す構造のプラズマ処理装置を形成した。反応容器1は板厚2mmの四フッ化ポリエチレン(テフロン(R))を用いて、内寸においてスリット幅(厚み方向の寸法)1mm、幅方向の寸法300mm、高さ80mmの幅広の角筒状に形成した。電極2、3、4はステンレス鋼で作製し、その内部には冷却水の流路を設け、この流路に冷却水を循環させて電極及び放電空間5を冷却できるように形成した。また、電極2の上下方向に長さは30mm、電極3の上下方向の長さは5mmにした。反応容器1のガス流路20内に配設された電極4の表面にはアルミナ誘電体を溶射することにより厚み1mmの被覆体30を形成した。上下に対向配置された電極2と電極3の間隔(隣接間距離)は5mmにして反応容器1に配置した。また、反応容器1の幅広側壁1aの内面と被覆体30の表面との間隔は2mmにした。そして、電極2に高周波電界(電圧)を発生する電源6を接続し、また、電極3、4は接地した。
【0068】
このような構成のプラズマ処理装置に大気圧下において、窒素を15リットル/分、酸素を0.4リットル/分の割合で混合したプラズマ生成用ガスを供給し、200kHzの周波数で8kVの図5(c)に示すパルス状波形の高電界(高電圧)を放電空間5に印加してプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口12からプラズマを吹き出させて被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行った。プラズマ処理は、反応容器1の吹き出し口12の下側(下流)において、被処理物を反応容器1の幅方向と直交する方向に50mm/秒で移動させるようにして行った。パルス状波形の高電界の立ち上がり、立下り時間はともに0.9μsecであった。また、電界強度はプラズマ生成用ガスが空気と同様の組成であるために、比較的高い電界が必要となり、20kV/cmとした。また、印加電力は500Wに設定した。
【0069】
被処理物としては、2枚の板状LPS樹脂(住友化学スミカスーパーLCP、品番:E4008)を使用した。そして、プラズマ処理後にこの2枚の樹脂をエポキシ樹脂で接着し、引張りせん断接着強度試験を行なった結果、接着強度は0.3MPaであった。未処理では0.05MPaであった。
【0070】
(比較例)
図13に示すプラズマ処理装置を用いて実施例2と同一の条件で、BGA基板である被処理物Sの表面処理を行った。このプラズマ処理装置は実施例2と同様の反応容器1の一方の幅広側壁1aの外面に電極2を、他方の幅広側壁1bの外面に電極4を設けたものである。すなわち、実施例2において電極2の下側に電極3を設けず、且つ電極2と電極4を同じ大きさに形成して反応容器1を挟んで対向配置したものである。
【0071】
そして、このプラズマ処理装置では電極2と電極4の間に8kVの電圧を印加すると、図14に示すように、被処理物Sと電極2との間でアーク状の放電Aが生じ、被処理物である基板が破壊された。
【0072】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項1の発明は、絶縁材料で形成された反応容器の外側に複数の電極を設けると共に反応容器内における電極間の空間を放電空間として形成し、放電空間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に電圧を印加することによって、放電空間において大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電によって生成されたプラズマを放電空間から吹き出すプラズマ処理装置において、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に二つの電極を対向配置すると共に放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に二つの電極を対向配置し、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極間と放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した電極間とに電圧を印加して放電空間内において各対向配置した電極間で放電を生じさせるための電源を備え、前記プラズマ生成用ガスの流れ方向と平行に対向配置した二つの電極のうちの一方と、プラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した二つの電極のうちの一方とが、前記電源と接続された同一の電極であり、他の電極が接地されているので、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ平行な電気力線と、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ垂直な電気力線とを放電空間内に発生させることができ、これら二種類の電気力線の発生によりストリーマが生じやすくなってプラズマ密度が上がりやすくなると共にプラズマ密度の均一性を確保することができるものであり、これにより、プラズマ処理能力が高くて均一なプラズマ処理を行うことができるものであり、また電源に接続された電極を共通化して用いることができ、それぞれに別々の電極を対向配置させるよりも部品点数を少なくすることができて装置を簡素化することができるものである。
【0074】
また、本発明の請求項2の発明は、電極間に印加される電圧の波形が、休止時間のない交番電圧波形あるいはパルス状の波形あるいはこれらを組み合わせた波形であるので、放電空間への投入電力を大きくすることが可能となってプラズマ密度を高くすることができ、安定な放電を維持すると共に十分なプラズマ処理能力を得ることができ、しかもプラズマの温度を低下させることができるものである。
【0075】
また、本発明の請求項3の発明は、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した二つの電極のうち、接地した電極を電源と接続した電極よりもプラズマ生成用ガスの流れ方向において下流側に配置するので、高電圧を印加する電極と被処理物との間に接地された電極を介在させることができ、この接地された電極により電源と接続された電極と被処理物との間で異常放電が発生しにくくなって、異常放電による被処理物の損傷を防止することができるものである。
【0076】
また、本発明の請求項4の発明は、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極の間隔を1〜20mmにするので、反応容器の外側において電極の間の放電を防止して電力が放電空間以外で消費されるのを少なくすることができ、プラズマをより安定して効率よく生成することができるものである。
【0077】
また、本発明の請求項5の発明は、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向において反応容器の内寸を0.1〜10mmにするので、放電空間により安定した放電を発生させることができ、プラズマをさらに安定して効率よく生成することができるものである。
【0078】
また、本発明の請求項6の発明は、放電を開始させるための始動補助手段として、高電圧パルス発生装置と、この高電圧パルス発生装置で生成されたパルス電圧が供給される点灯用電極とを備えるので、電極の間に非常に大きな高電圧をかけなくても反応容器の放電空間でプラズマを点灯させることができ、プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好になるものである。
【0079】
また、本発明の請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うので、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ平行な電気力線と、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向とほぼ垂直な電気力線とを放電空間内に発生させることができ、これら二種類の電気力線の発生によりストリーマが生じやすくなってプラズマ密度が上がりやすくなると共にプラズマ密度の均一性を確保することができるものであり、これにより、プラズマ処理能力が高くて均一なプラズマ処理を行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図2】(a)乃至(d)は本発明で使用する交番電圧波形の例を示す説明図である。
【図3】(a)乃至(e)は本発明で使用する交番電圧波形の例を示す説明図である。
【図4】(a)(b)は本発明で使用する交番電圧波形の電圧にパルス状の高電圧を重畳した状態の波形を示す説明図である。
【図5】(a)乃至(e)は本発明で使用するパルス状の波形を示す説明図である。
【図6】本発明の立ち上がり時間と立ち下がり時間の定義するための説明図である。
【図7】(a)乃至(c)は本発明の繰り返し周波数を定義するための説明図である。
【図8】本発明の電界強度を定義するための説明図である。
【図9】本発明の動作を説明する断面図である。
【図10】同上の他の実施の形態の一例を示し、(a)は正面図、(b)は平面図である。
【図11】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図12】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図13】比較例を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図14】比較例の問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
1 反応容器
2 電極
3 電極
4 電極
5 放電空間
6 電源
7 始動補助手段
P プラズマ
Claims (7)
- 絶縁材料で形成された反応容器の外側に複数の電極を設けると共に反応容器内における電極間の空間を放電空間として形成し、放電空間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に電圧を印加することによって、放電空間において大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電によって生成されたプラズマを放電空間から吹き出すプラズマ処理装置において、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に二つの電極を対向配置すると共に放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に二つの電極を対向配置し、放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極間と放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した電極間とに電圧を印加して放電空間内において各対向配置した電極間で放電を生じさせるための電源を備え、前記プラズマ生成用ガスの流れ方向と平行に対向配置した二つの電極のうちの一方と、プラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向に対向配置した二つの電極のうちの一方とが、前記電源と接続された同一の電極であり、他の電極が接地されて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 電極間に印加される電圧の波形が、休止時間のない交番電圧波形あるいはパルス状の波形あるいはこれらを組み合わせた波形であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した二つの電極のうち、接地した電極を電源と接続した電極よりもプラズマ生成用ガスの流れ方向において下流側に配置して成ることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と平行な方向に対向配置した電極の間隔を1〜20mmにすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 放電空間におけるプラズマ生成用ガスの流れ方向と垂直な方向において反応容器の内寸を0.1〜10mmにすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 放電を開始させるための始動補助手段として、高電圧パルス発生装置と、この高電圧パルス発生装置で生成されたパルス電圧が供給される点灯用電極とを備えて成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002109253A JP4092937B2 (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002109253A JP4092937B2 (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003303814A JP2003303814A (ja) | 2003-10-24 |
JP4092937B2 true JP4092937B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=29392767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002109253A Expired - Fee Related JP4092937B2 (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4092937B2 (ja) |
Families Citing this family (292)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3686662B1 (ja) * | 2003-05-14 | 2005-08-24 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3853803B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2006-12-06 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置およびその製造方法 |
JP4630874B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-02-09 | チャンジョ エンジニアリング シーオー エルティディ | 大気圧大面積グロープラズマ発生装置 |
EP1689216A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) | Atmospheric-pressure plasma jet |
JP2007141583A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Uinzu:Kk | 放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法 |
JP2007141582A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Uinzu:Kk | 放電プラズマ処理装置 |
JP4963360B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-27 | 国立大学法人茨城大学 | 携帯型大気圧プラズマ発生装置 |
JP4963923B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-06-27 | 日本碍子株式会社 | 表面改質装置 |
DE102007033701A1 (de) * | 2007-07-14 | 2009-01-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen |
JP4582140B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2010-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 基板の表面処理方法 |
JP5137216B2 (ja) | 2008-03-04 | 2013-02-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 大気中での無機ナノ粒子の作製方法及びそのための装置 |
JP5169343B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-03-27 | 株式会社デンソー | コーティング形成方法、コーティング形成装置および重合方法 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP2010218801A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Nagoya Univ | 大気圧プラズマ発生装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US8742668B2 (en) * | 2012-09-05 | 2014-06-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for stabilizing plasma ignition |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
EP2935648B1 (en) * | 2012-12-21 | 2019-08-28 | AGC Inc. | Pair of electrodes for dbd plasma process |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
JP6991543B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2022-01-12 | 国立大学法人大阪大学 | プラズマ生成装置及びこれを用いたプラズマ生成方法 |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7144780B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2022-09-30 | 学校法人日本大学 | 大気圧プラズマ生成装置 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP7273671B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-05-15 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ発生装置 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
EP3879946B1 (en) * | 2019-11-12 | 2023-02-15 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Activated gas generation device |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
JP7351245B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2023-09-27 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア式プラズマ発生装置、及び、誘電体バリア式プラズマ発生装置のプラズマ放電開始方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
JP2023040527A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電式プラズマ発生装置 |
-
2002
- 2002-04-11 JP JP2002109253A patent/JP4092937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003303814A (ja) | 2003-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4092937B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR100676450B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US6670766B2 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
JP2003217898A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
US20080060579A1 (en) | Apparatus of triple-electrode dielectric barrier discharge at atmospheric pressure | |
TW200913056A (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium | |
JP3960190B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR100817038B1 (ko) | 물질의 표면 처리를 위한 대기압 저온 플라즈마 발생 장치와 이를 이용한 표면 처리 방법 | |
JP3975957B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2003318000A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
JP2002093768A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2003317998A (ja) | 放電プラズマ処理方法及びその装置 | |
KR20020071694A (ko) | 대기압 플라즈마를 이용한 표면 세정방법 및 장치 | |
JP2002151480A (ja) | 半導体素子の処理方法及びその装置 | |
JP2002008895A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2005026171A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2006004686A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP3722733B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
JP4321308B2 (ja) | プラズマ発生方法及び装置 | |
JP2004311116A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP4154838B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2004211161A (ja) | プラズマ発生装置 | |
KR100672230B1 (ko) | 동공 음극 플라즈마 장치 | |
JP2004134716A (ja) | 2電源方式プラズマ発生装置 | |
JP3773510B2 (ja) | 放電プラズマ処理方法および放電プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080225 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |