JP4647705B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4647705B2 JP4647705B2 JP2009511714A JP2009511714A JP4647705B2 JP 4647705 B2 JP4647705 B2 JP 4647705B2 JP 2009511714 A JP2009511714 A JP 2009511714A JP 2009511714 A JP2009511714 A JP 2009511714A JP 4647705 B2 JP4647705 B2 JP 4647705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- bottom plate
- frame
- electric field
- dielectric member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 87
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 73
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 15
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
(a)前記処理ガスの噴出口を有して前記被処理物配置部に面するとともに電気的に接地された金属製の底板と、前記底板の縁部に連結された枠と、前記枠の底板側とは反対側に連結された蓋とを含む容器と、
(b)前記容器の内側に連結されて収容され、前記容器内を底板側の前記放電空間と蓋側の電極収容部とに仕切る固体誘電体からなる電界印加側誘電部材と、
(c)電源に接続されるとともに、底板側の面が前記電界印加側誘電部材に接するようにして前記電極収容部に収容された電界印加電極と、を備え、更に好ましくは、
(d)前記放電空間と前記噴出口を連ねる噴出導孔を有して、前記底板の内面に重ねられた固体誘電体からなる接地側誘電部材を備え、
前記容器と電界印加側誘電部材との連結、前記底板と枠との連結、前記枠と蓋との連結のうち少なくとも1つが、基端部を蓋側に向け先端部を底板側に向けたネジにてなされることを特許請求しない特徴とし、前記容器と電界印加側誘電部材との連結、前記底板と枠との連結、前記枠と蓋との連結の全てが、後述する一体形成とスライド嵌め込みを除き、基端部を蓋側に向け先端部を底板側に向けたネジにてなされることを特許請求する特徴とする。上記特許請求する特徴によれば、組み立ての際のネジ止め作業の容易化を図ることができる。
前記底板と前記枠とは、前記ネジにて連結されるのに代えて、1つの金属部材で一体形成されていてもよい。
前記ネジが、前記2つの被連結部材(容器と電界印加側誘電部材、または底板と枠、または枠と蓋)を直接的に連結するようになっていてもよく、前記2つの被連結部材に跨るブラケットなどの他の部材(連結補助部材)を介して間接的に前記2つの被連結部材を連結するようになっていてもよい。後者の間接的に連結する場合、前記ネジは、少なくとも1つあり、1つのネジで、前記2つの被連結部材のうち一方と前記連結補助部材とを連結し、もう1つのネジで、他方の被連結部材と連結補助部材とを連結する。
前記容器の底板、枠、蓋は、それぞれ一体物に限られず、複数のパーツから構成されていてもよい。例えば、枠が、周方向または厚さ方向(底板と蓋の対向方向)に複数のパーツに分割されていてもよい。前記蓋が、中央パーツと周縁パーツ(フランジ)とに分割されていてもよい。これら複数のパーツは、前記基端部を蓋側に向け先端部を底板側に向けたネジで互いに連結されるようになっていてよく、他の方向を向くネジや接着剤などの他の接合手段で互いに連結されるようになっていてもよい。
前記蓋と前記壁部とが前記ネジの1つにて連結されるとともに、前記鍔部と前記枠とが前記ネジの他の1つにて連結されていることがより好ましい。
前記底板と前記枠とが前記ネジの1つにて連結され、前記底板の前記ネジのための雌ネジ孔が、前記底板の前記被処理物配置部を向く面に達していないことが好ましい。これにより、底板と被処理物との間の処理ガスの流れが、雌ネジ孔及びネジによって乱されることがないようにすることができる。
これによって、放電空間の厚さを確保することができる。また、組み立ての際は、容器内に、接地側誘電部材、電界印加側誘電部材、電界印加電極を順次収容し、さらに蓋を被せ、ネジ止めすることができる。
前記蓋の蓋本体部と鍔部とは、一体形成されていてもよく、互いに別部材に構成され、ネジまたは接着剤などの接合手段にて接合されるようになっていてもよい。
この場合、前記蓋の端面が、前記底板の側へ向かうにしたがって外側へ突出する斜面になり、前記嵌合凹部の内面が、前記底板の側とは反対側に向かうにしたがって内側へ突出し前記蓋の端面に宛がわれる斜めの面を有していることが好ましい。これによって、蓋を枠に対し枠の縁に沿ってスライド可能かつこのスライド方向と交差する方向に変位不能に嵌め込むことができる。
1 処理ヘッド
1a 処理空間
2 被処理物配置部
10 容器
10a 電極収容部
10e 放電空間
11 底板(接地電極)
11a 噴出口
12 枠
12d 嵌合凹部
12e 斜めの面
12g 雌ネジ孔
13 蓋
16 蓋本体部
17 鍔部
17e 斜面
20 電界印加電極
30 電界印加側誘電部材
31 覆部
32 壁部
40 接地側誘電部材
40a 噴出導孔
41 段差部
51,52,53,55 ネジ
60 押さえ部材
70 接着剤
図1〜図3は、本発明の第1実施形態を示したものである。大気圧プラズマ処理装置は、処理ヘッド1と、被処理物配置部2とを備えている。被処理物配置部2は、ステージやコンベアで構成されており、その上側に被処理物Wが配置されるようになっている。被処理物Wは、例えばガラス基板や半導体基板である。
被処理物配置部2は、被処理物Wを図1の左右方向に搬送できるようになっている。被処理物Wが位置固定されていてもよく、処理ヘッド1が左右方向に移動するようになっていてもよい。
底板11は、ステンレス等の耐熱性及び耐腐食性の高い金属で構成され、長手方向を前後(図1の紙面直交方向)に向け、短手方向を左右に向けた平板状をなしている。底板11には、多数の噴出口11aが厚さ方向に貫通するように形成されている。これら噴出口11aは、規則的に(例えば四角格子状又は三角格子状等)に配列されている。各噴出口11aは、例えば直径3mm程度の円形になっている。
噴出口11aの形状は、真円に限られず、楕円などの変形円形でもよく、多角形でもよく、処理ヘッド1の長手方向又は短手方向に延びるスリット状でもよい。
底板11の下面は、被処理物配置部2ひいては被処理物Wと対向し、被処理物Wとの間に処理空間1aを形成するようになっている。
底板11は、接地線3b(図1)を介して電気的に接地され、後記のように、電界印加電極20に対する接地電極となっている。
なお、上記処理ガス源4には、処理目的に応じた処理ガスが蓄えられている。
蓋13は、耐腐食性の高い樹脂(絶縁体)で構成されている。蓋13は、中央の蓋本体部16と、この蓋本体部16の周縁に設けられた鍔部17とを一体に有し、処理ヘッド1の長手方向に延びている。蓋本体部16の下面の周縁部には、脚部18が設けられている。脚部18は、蓋本体部16から下方へ突出されている。蓋本体部16が、枠12の内側の開口を上方から塞いでいる。脚部18が、枠12の内側の上端部に差し入れられている。鍔部17が、枠12の上面に載せられ当接されている。枠12を挟んで、蓋13と底板11が上下に対向されている。
電界印加電極20は、ステンレスやアルミニウム等の金属で構成されている。電極30は、長手方向を前後(図1の紙面直交方向)に向け、短手方向を左右に向けた平板状をなし、接地電極としての底板11の上方に離れて位置されている。電界印加電極20は、給電線3aを介して電源3に接続されている。
誘電部材40の外周縁と枠12の内周面との間には、誘電部材40の収容操作を可能にする程度のクリアランスが形成されている。
噴出導孔40aの形状は、真円に限られず、楕円などの変形円形でもよく、多角形でもよく、処理ヘッド1の長手方向又は短手方向に延びるスリット状でもよい。噴出導孔40aの形状は、噴出口11aと相似形にするのが好ましいが、平面視で噴出導孔40aの内側に接地電極としての底板11が露出しない限り、噴出導孔40aが噴出口11aとは異なる形状になっていてもよい。
電界印加側誘電部材30の左右の壁部32と長辺側枠部14との間には、側部隙間10cが形成されている。側部隙間10cの上端部にガス導入口12bが連なっている。
電界印加側誘電部材30の覆部31と接地側誘電部材40との間には、上記段差部41の高さ分の厚さのギャップ10dが形成されている。このギャップ10dの左右中央部が、上記電極20,11間への電界印加により放電空間10eとなる。
ギャップ10dの左右端部は、それぞれ側部隙間10cの下端部に連なっている。これらギャップ10dと側部隙間10cとによって処理ガス流通部10bが構成されている。
ギャップ10dに噴出導孔40aが連なっている。
電界印加電極30と被処理物Wとの間に、接地電極11が介在されているので、電界印加電極30から被処理物Wにアーク等の異常放電が落ちるのを防止することができる。
電界印加電極30が蓋13と誘電部材30の間の電極収容部10aに収容され、処理ガス流通部10bから隔離されているので、電極30からのパーティクルがガス流通部10bに侵入するのを防止することができる。
図1に示すように、長めのネジ51が、蓋13の鍔部17及び枠12を垂直に貫通し、底板11の周縁部にねじ込まれている。これにより、底板11が、枠12の下端面に強く押し当てられて連結されている。ネジ51の基端部(頭部)は、上(蓋13の側)へ向けられ、鍔部17の内部に位置されている。ネジ51の先端部(脚部)は、下(底板11の側)へ向けられ、底板11の内部に位置されている。
底板11には、雌ネジ孔11fが形成されている。雌ネジ孔11fにネジ51の先端部が螺合されている。雌ネジ孔11fは、底板11の上面から下へ延びている。雌ネジ孔11fの下端部は、底板11の厚さ方向の中間部に位置され、底板11の下面(被処理物配置部2を向く面)へは達していない。
鍔部17には、挿通孔13gが厚さ方向(上下方向)に貫通形成されている。挿通孔13gにネジ52が挿通されている。
枠12の上端部には、雌ネジ孔12gが形成されている。雌ネジ孔12gにネジ52の先端部が螺合されている。
蓋13には、挿通孔10hが厚さ方向(上下方向)に貫通形成されている。挿通孔10hにネジ53が挿通されている。
壁部32の上端部には、雌ネジ孔32hが形成されている。雌ネジ孔32hにネジ53の先端部が螺合されている。
4つの枠部14,15を長方形に組み、これら枠部14,15をネジ54で止め、枠12を作る。この枠12を底板11の上に配置する。枠12の内側には、接地側誘電部材40を収容する。この接地側誘電部材40を底板11の上面に載置する。
次に、枠12の内部に電界印加側誘電部材30を挿入する。この電界印加側誘電部材30の長手方向の両端部を段差部41の上に載せる。
次に、電界印加側誘電部材30の内部に電界印加電極20を挿入し、この電界印加電極20を覆部31の上面に載置する。電界印加電極20の長手方向の両端部には、エンドピース35を配置する。
次いで、蓋13を部材20,30,12の上に被せる。
ネジ51,52,53がすべて同方向(上下)に向けられており、どのネジ51〜53によっても、連結される部材どうしが上下に押し当てられるようになっている。したがって、どのネジを先に締めても、残りのネジ締めの支障にはなることはない。したがって、締め付けの順番を工夫する必要がなく、同時併行して締め付ける必要もなく、任意の順番で容易にネジ締めすることができる。組み立てと分解が容易なので、ユーザー自身が生産ラインなどの現場でメンテナンスすることができる。また、生産ラインなどにおいて、処理ヘッド1の近傍に他の装置があっても、処理ヘッド1の上方に作業空間が確保できれば、メンテナンス作業を行うことができる。もちろん、狭い空間で処理ヘッド1を組み立てることもできる。
図4は、本発明の第2実施形態を示したものである。この実施形態では、底板11と枠12とが、1つの金属部材によって構成され、互いに一体になっている(一体に連結されている)。したがって、底板11と枠12の連結用ネジ51は設けられておらず、底板11と枠12の連結作業は不要である。
例えば、底板11と枠12との連結、枠12と蓋13との連結、容器10と電界印加側誘電部材30との連結の少なくとも1つが、基端部を蓋13側に向け先端部を底板11側に向けたネジ51〜53にてなされるようになっていればよく、必ずしも、上記の連結の全てが上記ネジ51〜53にてなされている必要はない。
上記連結されるべき2つの部材11と12;12と13;10と30どうしが、基端部を蓋13側に向け先端部を底板11側に向けたネジ51〜53に加えて、それ以外の向きのネジでも連結されるようになっていてもよい。
電界印加側誘電部材30が、蓋13に代えて枠12に連結されるようになっていてもよい。
第1〜第6実施形態の構成を組み合わせてもよい。例えば、第1実施形態の本体部16と鍔部17が一体物になった蓋13と、第2実施形態の一体物の底板11及び枠12とを組み合わせてもよい。
底板11と枠12が別体になった構造(図1、図5、図6)と、第5及び第6実施形態(図7、図8)の鍔17と嵌合凹部12dのスライド嵌合構造とを組み合わせてもよい。
第5及び第6実施形態(図7、図8)においても、鍔17を枠12にスライド嵌合させた後、これら鍔17と枠12をネジ52で連結することにしてもよい。
第5、第6実施形態の嵌合凹部12dは、蓋13の端部を枠12の縁に沿ってスライド可能かつこのスライド方向と交差する方向に変位不能に嵌め込むようになっていればよく、嵌合凹部12dの内面が、鍔17の上面に被さる面を有していてもよい。
接地側誘電部材40に代えて、電界印加側誘電部材30の長手方向の両端部の下面にギャップ10dの厚さを維持する段差部を設けることにしてもよい。ギャップ10dの厚さを維持する手段として、上記段差部に加えて、又はそれに代えて、誘電部材30,40の長手方向の中間部どうしの間に、スペーサを介在させてもよい。スペーサは、何れかの誘電部材30,40と一体の凸部にて構成されていてもよい。
接地側誘電部材40を省略し、電界印加側誘電部材30の覆部31と底板11とによってギャップ10dが画成されるようにしてもよい。或いは、底板11の上面にアルミナ等の溶射膜を被膜することにしてもよい。
枠12は、少なくとも一対の長辺側枠部14があればよく、短辺側枠部15は省略してもよい。
処理ヘッド1の姿勢は、底板11が下を向き、蓋13が上を向く状態に限られず、底板11が上又は横を向く状態になっていてもよく、斜めの状態になっていてもよい。処理ヘッド1の姿勢に合わせて、被処理物Wを底板11と対向するように処理ヘッド1の上に配置したり横に配置したり斜めに配置したりすることにしてもよい。
本発明は、洗浄、表面改質(親水化、撥水化等)、エッチング、成膜などの種々の表面処理に適用可能である。大気圧近傍下でのプラズマ処理に限られず、真空下でのプラズマ処理にも適用可能である。
Claims (9)
- 処理ガスを放電空間に通して噴出し、前記放電空間の外部の被処理物配置部に配置された被処理物に接触させ、プラズマ表面処理を行なう装置において、
(a)前記処理ガスの噴出口を有して前記被処理物配置部に面するとともに電気的に接地された金属製の底板と、前記底板の縁部に連結された枠と、前記枠の底板側とは反対側に連結された蓋とを含む容器と、
(b)前記容器の内側に連結されて収容され、前記容器内を底板側の前記放電空間と蓋側の電極収容部とに仕切る固体誘電体からなる電界印加側誘電部材と、
(c)電源に接続されるとともに、底板側の面が前記電界印加側誘電部材に接するようにして前記電極収容部に収容された電界印加電極と、
を備え、前記容器と電界印加側誘電部材との連結、前記底板と枠との連結、前記枠と蓋との連結の全てが、基端部を蓋側に向け先端部を底板側に向けたネジにてなされることを特徴とするプラズマ処理装置。 - (d)前記放電空間と前記噴出口を連ねる噴出導孔を有して、前記底板の内面に重ねられた固体誘電体からなる接地側誘電部材を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電界印加側誘電部材が、前記電界印加電極の底板側の面を覆う覆部と、この覆部の縁部から蓋側へ突出された壁部とを有し、
前記蓋と前記壁部とが前記ネジの1つにて連結されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電界印加電極の前記蓋を向く面に押さえ部材が宛てられ、この押さえ部材の端部が、基端部を蓋側に向け先端部を底板側に向けたネジにて前記壁部に連結されていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記底板と前記枠が、前記ネジにて連結されるのに代えて、1つの金属部材で一体形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記底板と前記枠とが前記ネジの1つにて連結され、前記底板の前記ネジのための雌ネジ孔が、前記底板の前記被処理物配置部を向く面に達していないことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電界印加側誘電部材と前記接地側誘電部材の何れか一方の端部に他方に突出して突き当たる段差部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記枠には、前記蓋の端部を当該枠の縁に沿ってスライド可能かつこのスライド方向と交差する方向に変位不能に嵌め込む嵌合凹部が形成され、前記枠と前記蓋が、前記ネジに代えて又は加えて、前記嵌合凹部に前記蓋の端部が嵌め込まれることによって連結されていることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記蓋の端面が、前記底板の側へ向かうにしたがって外側へ突出する斜面になり、
前記嵌合凹部の内面が、前記底板の側とは反対側に向かうにしたがって内側へ突出し前記蓋の端面に宛がわれる斜めの面を有していることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007110054 | 2007-04-19 | ||
JP2007110054 | 2007-04-19 | ||
PCT/JP2008/055280 WO2008132901A1 (ja) | 2007-04-19 | 2008-03-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008132901A1 JPWO2008132901A1 (ja) | 2010-07-22 |
JP4647705B2 true JP4647705B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=39925364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009511714A Expired - Fee Related JP4647705B2 (ja) | 2007-04-19 | 2008-03-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4647705B2 (ja) |
TW (1) | TW200850079A (ja) |
WO (1) | WO2008132901A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190077488A (ko) * | 2016-12-05 | 2019-07-03 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076328A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社ケイテックリサーチ | プラズマ処理装置 |
CN111527796B (zh) * | 2018-01-10 | 2022-08-19 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 活性气体生成装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
JP2001087643A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Pearl Kogyo Kk | プラズマ処理装置 |
JP2002180257A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置と薄膜形成方法および表面処理方法 |
JP2003100646A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2003303816A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板を加工するための電極組立体及びこれを有する加工装置 |
JP2004006211A (ja) * | 2001-09-27 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004288452A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004327394A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005238219A (ja) * | 2003-06-04 | 2005-09-08 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005302681A (ja) * | 2003-05-14 | 2005-10-27 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-03-21 WO PCT/JP2008/055280 patent/WO2008132901A1/ja active Application Filing
- 2008-03-21 JP JP2009511714A patent/JP4647705B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 TW TW97111562A patent/TW200850079A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
JP2001087643A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Pearl Kogyo Kk | プラズマ処理装置 |
JP2002180257A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置と薄膜形成方法および表面処理方法 |
JP2003100646A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2004006211A (ja) * | 2001-09-27 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003303816A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板を加工するための電極組立体及びこれを有する加工装置 |
JP2004288452A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004327394A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005302681A (ja) * | 2003-05-14 | 2005-10-27 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005238219A (ja) * | 2003-06-04 | 2005-09-08 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190077488A (ko) * | 2016-12-05 | 2019-07-03 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
KR102127084B1 (ko) | 2016-12-05 | 2020-06-25 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008132901A1 (ja) | 2008-11-06 |
TW200850079A (en) | 2008-12-16 |
JPWO2008132901A1 (ja) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9187827B2 (en) | Substrate support with ceramic insulation | |
US9827578B2 (en) | Tightly fitted ceramic insulator on large area electrode | |
KR101812920B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
TWI490910B (zh) | Cover plate fixture and induction coupling plasma processing device | |
JP4647705B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US7827931B2 (en) | Plasma processor electrode and plasma processor | |
WO2017022557A1 (ja) | 電気接続箱 | |
CN101658076A (zh) | 等离子处理装置 | |
JP2006228773A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6821281B2 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
CN101834155A (zh) | 用在等离子体处理系统中的磁性夹和基片保持器 | |
US20200260565A1 (en) | Active gas generation apparatus | |
WO2009119190A1 (ja) | インクジェットヘッド | |
KR102508913B1 (ko) | 레이저 가공용 공정 테이블 및 이를 포함하는 레이저 가공장치 | |
KR20150078475A (ko) | 기판처리장치 | |
US20080236754A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4845831B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008269907A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008257920A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008235161A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009205896A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4436239B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5911178B2 (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
KR20090051916A (ko) | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 및 이 장치의하부전극조립체 제조방법 | |
JP6936441B2 (ja) | 大気圧プラズマ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |