CN112420472B - 基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置及其制造方法和维护方法。基片处理装置具有处理容器，在设置于处理容器的壁部的第一贯通孔的内周面，和安装在壁部上的盖部件所具有的与第一贯通孔连通的第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，在第一贯通孔或者第二贯通孔安装有用于将第一贯通孔或者第二贯通孔的开口封闭的封闭部件，封闭部件由固定部固定在壁部，具有：插通体，其插通于第一贯通孔或者第二贯通孔，与内周面一起夹持导体；和凸缘，其与插通体连续地形成，具有比第一贯通孔或者第二贯通孔的开口大的平面面积。根据本发明，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。

Description

基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法。
背景技术
专利文献1公开了一种等离子体处理装置，其沿着容器主体和盖体的接合部配设有电磁屏蔽件部件，该电磁屏蔽件部件以大致沿着相对于与线圈轴心垂直的面倾斜的面的方式倾斜地卷绕线材或者薄带片材，由斜圈弹簧构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-164685号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够高效地对贯通孔等进行封闭部件的拆装的基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法，其中所述贯通孔设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括处理容器，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，在所述基片处理装置中，在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，所述封闭部件具有：插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。
发明效果
根据本发明，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
图2是将图1的II部放大的图，是表示电磁波泄漏防止结构的一例的图。
图3是安装在底板(壁部)上的盖部件的一例的分解立体图。
图4是表示电磁波泄漏防止结构的另一例的图。
图5是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
图6是接着图5表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
图7是接着图6表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
图8是接着图7表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
图9是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的另一例的工序图。
图10是验证封闭部件的拆装时所需时间的实验中所适用的从下方看处理容器的底板的平面图。
图11A是表示实验中所适用的比较例的封闭部件的平面图。
图11B是表示实验中所适用的实施例的封闭部件的平面图。
附图标记说明
16 壁部(底板)
16a 第一贯通孔
16c 开口
20 处理容器
31 插通体
32 凸缘
33 封闭部件
36、37 固定部
43 盖部件
42a 第二贯通孔
42c 开口
48 导体(环状的导体)
100 基片处理装置
G 基片
S 处理区域
E 外部区域
具体实施方式
以下，参照附图，说明本实施方式的基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[实施方式的基片处理装置]
<基片处理装置>
首先，参照图1，说明本发明的实施方式的基片处理装置的一例。在此，图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
图1所示基片处理装置100是对FPD用的俯视时呈矩形的基片(以下仅称为“基片”)G执行各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基片G的材料主要使用玻璃，根据用途能够使用透明的合成树脂等。在此，基片处理包含蚀刻处理、使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，例示有液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(ElectroLuminescence：EL)、等离子体显示器面板(Plasma Display Panel：PDP)等。基片G除了在其表面图案化有电路的方式之外，还包含支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着世代的推移而不断大规模化，基片处理装置100所能够处理的基片G的平面尺寸例如至少包含从第6代的1500mm×1800mm程度的尺寸至第10.5世代的3000mm×3400mm程度的尺寸。另外，基片G的厚度为0.2mm至数mm程度。
图1所示的基片处理装置100包括：长方体状的箱型的处理容器20；配置在处理容器20内的用于载置基片G的俯视时呈矩形的外形的基片载置台70；和控制部90。此外，处理容器也可以为圆筒状的箱型、椭圆筒状的箱型等的形状，在该方式下，基片载置台也为圆形或者椭圆形，载置在基片载置台上的基片也成为圆形等。
处理容器20被电介质板51划分为上下两个空间，作为上方空间的天线室A由上腔室13形成，作为下方空间的处理区域S由下腔室17形成。在此，相对于处理容器20的内部的处理区域S，使处理容器20的外部为外部区域E。
在处理容器20中，在成为下腔室17与上腔室13的边界的位置，矩形环状的支承框14以向处理容器20的内侧突出的方式设置，在支承框14上载置电介质板51。
形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，作为整体由铝或铝合金等的金属形成。
在内部具有处理区域S的下腔室17由侧壁15(壁部的一例)和底板16(壁部的一例)形成，作为整体由铝或铝合金等的金属形成。另外，侧壁15经由接地线21接地。
支承框14由导电性的铝或铝合金等的金属形成，有时也称为金属框。另外，电介质51由氧化铝(Al2O3)等的陶瓷或石英形成。
在下腔室17的侧壁15的上端形成矩形环状(环状)的密封槽22。在密封槽22嵌入有O形环等的密封部件23，支承框14的抵接面保持密封部件23，由此形成下腔室17与支承框14的密封构造。
在下腔室17的侧壁15设置有用于对下腔室17送入送出基片G的送入送出口18，送入送出口18可由闸阀24开闭。另外，下腔室17与内置有输送机构的输送室(均未图示)相邻，对闸阀24进行开闭控制，通过输送机构经由送入送出口18进行基片G的送入送出。
在电介质板51的下表面设置有用于支承电介质板51的支承梁，支承梁兼作为喷淋头57。喷淋头57由铝等的金属形成，可以通过阳极氧化来实施表面处理。在喷淋头57内形成有在水平方向延伸的气体流路58，气体流路58与向下方延伸且面向位于喷淋头57的下方的处理区域S的气体排出孔59连通。
电介质板51的上表面连接有与气体流路58连通的气体导入管65，气体导入管65气密地贯通上腔室13的顶板12上所开设的供给口12a，经与气体导入管65气密地结合的气体供给管61与处理气体供给源64连接。在气体供给管61的中途位置设置有开闭阀62和质量流量控制器那样的流量控制器63。由气体导入管65、气体供给管61、开闭阀62、流量控制器63和处理气体供给源64形成处理气体供给部60。此外，气体供给管61在中途分支，各分支管与开闭阀和流量控制器以及与处理气体种类相应的处理气体供给源连通(未图示)。在等离子体处理中，从处理气体供给部60供给的处理气体经气体供给管61和气体导入管65被供给到喷淋头57，并经由气体排出孔59被排出到处理区域S。
在形成天线室A的上腔室13内配置有高频天线52。高频天线52通过将由铜等的良导电性的金属形成的天线呈环状或者涡旋状卷绕而形成。例如，也可以将环状的天线多重配置。
天线的端子与向上腔室13的上方延伸的供电部件53连接，供电部件53的上端与供电线54连接，供电线54经进行阻抗匹配的匹配器55与高频电源56连接。从高频电源56对高频天线52施加例如13.56MHz的高频电功率，由此在下腔室17内形成感应电场。通过该感应电场，从喷淋头57供给到处理区域S的处理气体被等离子体化而生成感应耦合型等离子体，等离子体中的离子被提供到基片G。
高频电源56是等离子体产生用的电源，与基片载置台70连接的高频电源83是用于引入所产生的离子并对其赋予运动能的偏压电源。如上所述，在离子电源中利用感应耦合而生成等离子体，通过将作为其他电源的偏压电源与基片载置台70连接来进行离子能的控制，能够独立地进行等离子体的生成和离子能的控制，能够提高工艺处理的自由度。从高频电源83输出的高频电功率的频率优选在0.1～500MHz的范围内设定。
另外，在下腔室17所具有的底板16开设有多个排气口19，各排气口19与气体排气管25连接，气体排气管25经由开闭阀26与排气装置27连接。
由气体排气管25、开闭阀26和排气装置27形成排气部28。排气装置27具有涡轮分子泵等的真空泵，在工艺处理中将下腔室17内抽真空至规定的真空度。此外，在下腔室17的适当位置设置压力计(未图示)，压力计的监控信息被发送到控制部90。
基片载置台70具有基材73和形成在基材73的上表面73a的静电吸盘76，形成基片处理装置100中的下部电极。
基材73由上方基材71和下方基材72的层叠体形成。上方基材71俯视时的形状是矩形，具有与载置在基片载置台70的FPD相同程度的平面尺寸。例如，上方基材71具有与载置的基片G相同程度的平面尺寸，长边的长度为1800mm至3400mm程度，短边的长度能够设定为1500mm至3000mm程度的尺寸。相对于该平面尺寸，上方基材71和下方基材72的总厚度例如为50mm至100mm程度。
在下方基材72中以覆盖矩形平面的整个区域的方式设置有曲折形成的温度调节介质流路72a，由不锈钢、铝或铝合金等形成。另一方面，上方基材71也由不锈钢、铝或铝合金等形成。此外，温度调节介质流路72a例如也可以设置在上方基材71或静电吸盘76中。另外，基材73也可以不是如图示例那样为两个部件的层叠体，可以由铝或铝合金等的一个部件形成。
在下腔室17的底板16之上固定有由绝缘材料形成的在内侧具有台阶部的箱型的台座78，在台座78的台阶部之上载置基片载置台70。
在上方基材71的上表面形成有用于直接载置基片G的静电吸盘76。静电吸盘76包括：喷镀氧化铝等的陶瓷而形成的作为电介质覆膜的陶瓷层74；和埋设在陶瓷层74的内部的具有静电吸附功能的导电层75。
导电层75经由供电线84与直流电源85连接。在控制部90使设置在供电线84的开关(未图示)导通时，从直流电源85对导电层75施加直流电压，产生库伦力。通过该库伦力，基片G被静电吸附在静电吸盘76的上表面，以载置在上方基材71的上表面的状态被保持。
在构成基片载置台70的下方基材72中以覆盖矩形平面的整个区域的方式设置有曲折形成的温度调节介质流路72a。温度调节介质流路72a的两端与用于对温度调节介质流路72a供给温度调节介质的送出配管72b和用于排出在温度调节介质流路72a流通而升温的温度调节介质的送回配管72c连通。
如图1所示，送出配管72b和送回配管72c各自与送出流路87和送回流路88连通，送出流路87和送回流路88与制冷器86连通。制冷器86具有用于控制温度调节介质的温度、排出流量的主体部和压送温度调节介质的泵(均未图示)。由制冷器86、送出流路87和送回流路88形成温度调节源89。此外，作为温度调节介质能够使用制冷剂，该制冷剂可以使用Galden(注册商标)、氟素(注册商标)等。图示例的温度调节方式，是使温度调节介质在下方基材72流通的方式，但是也可以为在下方基材72中内置加热器等，通过加热器进行温度调节的方式，还可以为通过温度调节介质和加热器这两者来进行温度调节的方式。另外，替代加热器，通过使高温的温度调节介质流通来进行伴随加热的温度调节。此外，作为电阻体的加热器，由钨、钼或者上述的金属的任一种与氧化铝或钛等的化合物形成。另外，虽然在图示例中在下方基材72形成温度调节介质流路72a，但是例如上方基材71、静电吸盘76也可以具有温度调节介质流路。
在上方基材71配置热电偶等的温度传感器，温度传感器的监控信息被随时送到控制部90。然后，基于发送来的监控信息，由控制部90执行上方基材71和基片G的温度调节控制。更具体来说，由控制部90调节从制冷器86向送出流路87供给的温度调节介质的温度、流量。然后，进行了温度调节、流量调节的温度调节介质在温度调节介质流路72a中循环，由此，能够执行基片载置台70的温度调节控制。此外，热电偶等的温度传感器例如可以配置在下方基材72或静电吸盘76中。
由静电吸盘76及上方基材71的外周和矩形部件78的上表面形成台阶部，在该台阶部载置矩形框状的聚焦环79。在台阶部设置有聚焦环79的状态下，聚焦环79的上表面设定为比静电吸盘76的上表面低。聚焦环79由氧化铝等的陶瓷或者石英等形成。
下方基材72的下表面与供电部件80连接。供电部件80的下端与供电线81连接，供电线81经由进行阻抗匹配的匹配器82与作为偏压电源的高频电源83连接。从高频电源83对基片载置台70施加例如3.2MHz的高频电功率，由此，通过作为产生RF偏压且等离子体产生用的电源的高频电源56而生成的离子能够被引向基片G。因此，在等离子体蚀刻处理中，能够一同提高蚀刻率和蚀刻选择比。此外，可以在下方基材72开设有贯通孔(未图示)，供电部件80贯穿贯通孔而与上方基材71的下表面连接。如上所述，基片载置台70载置基片G，形成使RF偏压产生的偏压电极，该偏压电极成为下部电极。此时，成为腔室内部的接地电位的部位作为偏压电极的相对电极发挥作用，构成高频电功率的返回电路。
如图1所示，形成下部电极的基片载置台70经由多个螺钉部件39以具有电磁波泄漏防止结构的方式固定于下腔室17的底板16。该电磁波泄漏防止结构中，在开设于底板16的下表面(面对外部区域E的面)且具有沉孔部的贯通孔(第一贯通孔)中插通螺钉部件39，以下详细说明。螺钉部件39的一端与基片载置台70螺合，螺钉部件39的另一端与沉孔部卡合。然后，在沉孔部的内周面配置用于防止处理容器20内的电磁波向外部泄露的环状的导体(环状的电磁波屏蔽件)，封闭部件33在与沉孔部的内周面一起夹持导体的状态下封闭沉孔部的开口。然后，封闭部件33由一个固定部36固定。此外，环状的导体除了可以为被成形为环状的导体部件之外，还可以为将直线状且线状的导体部件或直线状且带状的导体部件弯曲并使其两端相对而设成环状的部件。此时，虽然优选相对的两端优选以接触且没有间隙的方式形成环状的导体部件，但是也可以以具有电磁波不能够通过的程度的微小间隙的方式形成环状的导体部件。
控制部90控制基片处理装置100的各构成部，例如制冷器86、高频电源56、83、处理气体供给部60、基于从压力计送来的监控信息进行排气的排气部28等的动作。控制部90包括CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read Only Memory，只读存储器)和RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)。CPU按照存储在RAM、ROM的存储区域中的方案(工艺处理方案)，执行规定的处理。在方案中设定有基片处理装置100对工艺处理条件的控制信息。控制信息包含例如气体流量、处理容器20内的压力、处理容器20内的温度、下方基材72的温度、工艺处理时间等。
方案和控制部90所适用的工艺处理例如可以存储在硬盘、光盘、光磁盘等中。另外，方案等也可以为在存储于CD-ROM、DVD、存储卡等的可移动式的计算机可读取的存储介质的状态下能够被控制部90设置且读取的方式。除此之外，控制部90还具有进行指令的输出操作等的键盘和鼠标等的输入装置、将基片处理装置100的运行状况可视化地显示的显示器等的显示装置和打印机等的输出装置这样的用户接口。
<电磁波泄漏防止结构的一例>
接着，参照图2说明电磁波泄漏防止结构的一例。在此，图2是将图1的II部放大的图，是表示电磁波泄漏防止结构的一例的图。此外，图2是说明作为构成处理容器20的壁部的一例而举出下腔室17的底板16，在将底板16与下部电极70固定的部位所形成的电磁波泄漏防止结构的图，但是，形成有电磁波泄漏防止结构的壁部可以为底板16以外的部件。例如，壁部可以为构成下腔室17的侧壁15，在侧壁15设置有贯通孔，在该贯通孔安装观察窗的情况下，也可以在该贯通孔与观察窗之间配置环状的导体以形成电磁波泄漏防止结构。在此，观察窗中能够嵌入由玻璃或石英等的透明的电介质形成的部件，但是，为了防止来自观察窗的电磁波泄漏，优选通过网状和具有穿孔的板状的导体部件等覆盖观察窗。通过在上述导体部件与贯通孔之间设置环状的导体，能够防止来自观察窗的电磁波的泄漏。另外，即使在观察窗没有设置上述那样的导体部件的情况下，通过设置在观察窗不使用时封闭该观察窗的导体的封闭部件，并在贯通孔与封闭部件之间设置环状的导体，也能够防止电磁波的泄漏。
如图2所示，在底板16开设有第一贯通孔16a，第一贯通孔16a从其中途位置到底板16的下表面(表面)设置有沉孔部16b，在底板16的下表面中的沉孔部16b的周围设置有向下方突出的凸状部16d。
在底板16上所载置的台座78中的与第一贯通孔16a对应的位置开设有第三贯通孔78a，第一贯通孔16a与第三贯通孔78a连通。
另外，在下部电极(基片载置台)70的下表面中的与第一贯通孔16a和第三贯通孔78a对应的位置设置有螺纹槽72d。
在沉孔部16b的底面配置具有螺纹孔的垫圈39c，螺钉部件39插通垫圈39c的螺纹孔以及第一贯通孔16a和第三贯通孔78a，在螺钉部件39的头部39a与沉孔部16b的底面卡合的状态下，螺钉部件39的一端39b与螺纹槽72d螺合。
在图2所示的状态下，多个螺钉部件39各自与设置在下部电极70的下表面上的对应的螺纹槽72d螺合，由此，如图1所示，下部电极70被固定于底板16。如图2所示，在底板16和台座78分别开设有第一贯通孔16a和第三贯通孔78a，第一贯通孔16a面向外部区域E，所以具有从哪被施加高频电功率来对基片G进行处理的处理容器20的内部泄露电磁波(噪声)的问题。
因此，通过在沉孔部16b的内周面配置环状的导体48(环状的电磁波屏蔽件)，并安装封闭部件33，能够形成电磁波泄漏防止结构。
封闭部件33包括：插通于与第一贯通孔16a连续形成的沉孔部16b，与沉孔部16b的内周面一起将环状的导体48夹持的插通体31；和与插通体31连续形成的具有比沉孔部16b的开口16c大的平面面积的凸缘32。在图示例子中，开口16c的直径是t1，凸缘32的直径(俯视时呈圆形的情况下)或者一边的长度(俯视时呈矩形的情况下)是t2，具有t2>t1的关系。在此，封闭部件33由铝、铝合金等的金属形成。
在凸状部16d的下表面开设有螺纹槽16e，一个销部件34通过将其前端螺纹螺合到螺纹槽16e，而向下方伸出。在该销部件34的中途位置设置有卡合槽34a。另一方面，在凸缘32开设有用于插通销部件34的销孔32a。
一边使销部件34插通到销孔32a中，一边使凸缘32与凸状部16d的下表面抵接。然后，对从销孔32a向下方伸出的销部件34从下方插入夹紧件35，设置在夹紧件35的内周面的卡合突起35a嵌入销部件34的卡合槽34a。销部件34与夹紧件35卡合，由此，能够实现凸缘32相对于凸状部16d的下表面的固定，将封闭部件33固定于底板16。
利用销部件34、供销部件34插通的销孔32a、保持从销孔32a向下方伸出的销部件34的夹紧件35，形成固定部36。此外，夹紧件35的扣紧方式除了图示例以外还可以具有各种的方式。例如，在销部件的头部嵌入夹紧件并使之旋转，由此成为双方卡合的方式。
在任意方式中，封闭部件33的插通体31均以嵌入于沉孔部16b的状态固定在凸状部16d的下表面，因此，仅通过一个固定部36，就能够实现封闭部件33相对于底板16的固定。此外，如上所述，能够通过一个固定部36稳定地固定封闭部件33，但是，由于固定部36破损时的后备或者其他的目的，也可以为通过两个以上的固定部36将封闭部件33固定在底板16的方式。
另外，在销部件34的头部嵌入夹紧件35等，通过一个动作，能够实现封闭部件33的固定和固定解除，因此能够简单且高效地进行封闭部件33的固定和固定解除这两者。例如，在通过螺纹固定等来将板状的封闭部件固定于底板的情况下，所使用的螺钉必然需要多个，在将各螺钉紧固的情况下或解除螺钉的情况下需要花费工序和时间。
在图2所示电磁波泄漏防止结构中，环状的导体48例如不是粘贴在沉孔部16b的内周面的方式，而是由沉孔部16b的内周面与封闭部件33的插通体31夹持的方式，因此无需重新粘贴导体。
另外，虽然省略图示，也可以在沉孔部16b的内周面设置环状的第一槽，并在插通体31中的与第一槽对应的位置设置环状的第二槽，在这些环状的第一槽与第二槽中收纳环状的导体48。根据该方式，能够抑制由沉孔部16b的内周面和封闭部件33的插通体31夹持的导体48的破损。
并且，通过具有利用夹紧件35进行的固定方法的一个固定部36，将封闭部件33固定在底板16，因此能够实现高效的固定操作。并且，例如在下部电极70的维护时要进行固定部36的固定解除的情况下，仅取下一个夹紧件35就能够将封闭部件33从底板16进行固定解除，因此能够进行高效的下部电极70的维护操作。
<电磁波泄漏防止结构的另一例>
接着，参照图3和图4说明电磁波泄漏防止结构的另一例。在此，图3是表示安装在底板(壁部)的盖部件的一例的分解立体图，图4是表示电磁波泄漏防止结构的另一例的图。
图3所示盖部件43包括：在中央开设有开口41a的板状体41；和配置在板状体41的一个面，在与开口41a对应的位置具有第二贯通孔42a的环状体42。
在板状体41的开口41a的周围开设有第一铆钉孔41c，在环状体42中的与铆钉孔41c对应的位置法开设有第二铆钉孔42b。通过在相互定位了的第一铆钉孔41c和第二铆钉孔42b中嵌合铆钉41d，能够将板状体41和环状体42固定。此时，首先，在第二贯通孔42a将环状的导体48向Y1方向嵌入，接着，使环状体42向Y2方向抵接于板状体41，并利用铆钉41d进行固定。
此外，在板状体41开设有多个螺纹孔41b，通过对螺纹孔41b插入螺钉并拧紧，板状体41被固定于底板16。另外，在环状体42设置有一个销部件44，在销部件44的中途位置形成有卡合槽44a。
如图4所示，使被组装了的盖部件43所具有的板状体41与底板16的下表面抵接，在设置于底板16的下表面的螺纹槽16e定位板状体41的螺纹孔41b，将螺钉45螺合，由此能够对底板16固定盖部件43。
一边销部件44插通于封闭部件33的凸缘32所具有的销孔32a，一边使凸缘32与环状体42的下表面抵接。然后，对于从销孔32a向下方伸出的销部件44，从下方插入夹紧件35，由此设置在夹紧件35的内周面的卡合突起35a嵌入于销部件44的卡合槽44a中。通过使夹紧件35与销部件44卡合，能够实现凸缘32相对于环状体42的下表面的固定，使封闭部件33隔着盖部件43被固定于底板16。然后，在该固定构造中，由环状体42的第二贯通孔42a和封闭部件33的插通体31来夹持环状的导体48，从而形成电磁波泄漏防止结构。
此外，在图4中，开口42c的直径是t1，凸缘32的直径(俯视时呈圆形的情况下)、或者一边的长度(俯视时呈矩形的情况下)是t2，具有t2>t1的关系。
利用销部件44、供销部件44插通的销孔32a、保持从销孔32a向下方伸出的销部件44的夹紧件35，来形成固定部37。
在图4所示电磁波泄漏防止结构中，与图2所示电磁波泄漏防止结构同样地，仅通过一个固定部37，就能够实现封闭部件33相对于底板16的固定。并且，通过在销部件44的头部嵌入夹紧件35等一个动作，就能够实现封闭部件33的固定和固定解除，因此，能够简单且高效地进行封闭部件33的固定和固定解除这两者。
[实施方式的基片处理装置的制造方法和维护方法]
<基片处理装置的制造方法的一例>
接着，参照图5至图8说明实施方式的基片处理装置的制造方法的一例。在此，图5至图8依次是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
图示的基片处理装置的制造方法是具有图4所示电磁波泄漏防止结构的基片处理装置的制造方法。
如图5所示，在处理容器20的底板16(壁部的一例)和台座78分别开设第一贯通孔16a和第三贯通孔78a，在下部电极(基片载置台)70的下表面中的与第一贯通孔16a和第三贯通孔78a对应的位置开设螺纹槽72d。然后，在底板16中，进一步在第一贯通孔16a中从该中途位置至底板16的下表面开设沉孔部16b。
然后，如该图5所示，使用工具T将安装有垫圈39c的螺钉部件39向第一贯通孔16a和第三贯通孔78a在X1方向插通，使工具T在X2方向旋转而使螺钉部件39的一端39b与螺纹槽72d螺合，由此，将下部电极70固定于底板16。
接着，如图6所示，使盖部件43所具有的板状体41与底板16的下表面抵接，在设置于底板16的下表面的螺纹槽16e定位板状体41的螺纹孔41b，将螺钉45螺合，由此将盖部件43固定于底板16。
在盖部件43相对于该底板16的固定时，盖部件43的组装过程中，在第二贯通孔42a嵌入环状的导体48，接着，使环状体42与板状体41抵接，将双方固定(配置环状的导体的步骤)。
接着，如图7所示，一边使销部件44插通于封闭部件33的凸缘32所具有的销孔32a，一边使凸缘32在X3方向与环状体42的下表面抵接。
接着，如图8所示，对于从销孔32a向下方伸出的销部件44，从下方将夹紧件35在X4方向插入，从而将设置在夹紧件35的内周面的卡合突起35a嵌入到销部件44的卡合槽44a。通过使夹紧件35与销部件44卡合，使凸缘32被固定在环状体42的下表面，封闭部件33隔着盖部件43被固定在底板16(固定在壁部的步骤)。
通过上述一系列的步骤，能够制造具有电磁波泄漏防止结构的基片处理装置。此外，在制造具有图2所示电磁波泄漏防止结构的基片处理装置的情况下，则不需要盖部件43。因此，如图5所示，在对底板16固定下部电极70后，在凸状部16d的螺纹槽16e固定销部件34，并且，在底板16所具有的沉孔部16b中嵌入环状的导体48。接着，将销部件34插通在封闭部件33的凸缘32所具有的销孔32a，对从销孔32a向下方伸出的销部件34插入夹紧件35，由此将凸缘32固定在凸状部16d的下表面，将封闭部件33固定在底板16。
根据图示的基片处理装置的施工方法，在插通体31被嵌入于环状体42的第二贯通孔42a和沉孔部16b的状态下在环状体42的下表面固定封闭部件33，所以，仅通过一个固定部37，就能够实现封闭部件33相对于底板16的固定。
并且，通过在销部件44的头部嵌入夹紧件35等一个动作，就能够实现封闭部件33的固定，因此，能够简单且高效地进行封闭部件33的固定。因此，能够在较高的制造效率下制造基片处理装置。
<基片处理装置的制造方法的另一例>
参照图5至图8说明的上述制造方法是通过螺钉部件39将下部电极70固定在底板16后，将盖部件43固定在底板16的方法，但是，也可以使用图9所示其他的制造方法。在此，图9是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的另一例的工序图。
在图9所示制造方法中，首先，将盖部件43固定在底板16。接着，使用工具T向第一贯通孔16a和第三贯通孔78a在X1方向插通，使工具T在X2方向旋转而将螺钉部件39的一端39b与螺纹槽72d螺合，由此，将下部电极70固定于底板16。之后，将封闭部件33安装在环状体42的下表面，由此制造基片处理装置。
通过图9所示的制造方法，仅通过一个固定部37，就能够实现封闭部件33相对于底板16的固定，能够简单且高效地进行封闭部件33的固定。
<基片处理装置的维护方法>
作为基片处理装置的维护方法，例如为了进行下部电极70(处于处理容器内的构成部件的一例)的维护，从底板16将下部电极70取下的情况下，按照实质上与制造方法相反的顺序即可。具体而言，按照图8、图7、图6和图9的顺序进行各种部件的固定解除。
首先，在图8所示电磁波泄漏防止结构中，从销部件44取下夹紧件35而成为图7所示的状态(取下封闭部件的步骤)。
接着，使封闭部件33向下方取下，使凸缘32从销部件44离开，成为图6所示状态。在此，在制造方法的说明中记载的各部件的组装时，在安装盖部件43之前的图5的状态下，使螺钉部件39螺合而固定下部电极70。对此，在维护时，如图9所示，通过第二贯通孔42a进行螺钉部件39的取下和安装即可，所以无需取下盖部件43。
接着，使用工具(维护用工具)T使螺钉部件39在与图9相反的方向旋转，由此使下部电极70相对于底板16的固定解除(解除构成部件的固定的步骤)。
根据实施方式的基片处理装置的维护方法，通过从销部件44的头部取下夹紧件35等一个动作，就能够实现封闭部件33的固定解除，因此，能够简单且高效地进行封闭部件33的固定解除。因此，能够在高维护效率下进行基片处理装置的维护。
[验证封闭部件的拆装时所需时间的实验]
接着，参照图10和图11说明由本发明人实施的验证封闭部件的拆装时所需时间的实验及其结果。在此，图10是从下方观看验证封闭部件的拆装时所需时间的实验中适用的处理容器的底板的平面图。另外，图11A、图11B各自是表示实验中适用的比较例和实施例的封闭部件的平面图。
如图10所示，在构成基片处理装置的处理容器的底板上，除了中央的点划线所示的供电线81用的开口H2和四个角的点划线所示的排气口H3之外，具有共计30个开口H1。该开口H1是用于将图2等中所示的下部电极固定在底板的开口，并且是在维护下部电极时用于将其从底板取出的开口。开口H1在俯视时呈矩形，一边的长度为150mm至200mm程度。
如图11A所示，比较例的封闭部件是通过共计8个螺钉N将平板状的封闭部件B螺钉固定在开口H1周围的方式。另一方面，如图11B所示，实施例的封闭部件BP是如已经说明的方式从具有环状体R和板状体CP的盖部件将突出的销部件P插通于销孔，并利用夹紧件F进行固定的方式。
此外，构成基片处理装置的处理容器搭载在高度为1.5m程度的框架台上，在处理容器的底板的下表面配置各种的驱动机构和匹配器机箱等各种的设备。在这样的设备环境下，操作员进入处理容器的底板的下方，进行涉及30个的封闭部件的拆装操作一般来说是不容易的。
计测对于图10所示处理容器的底板的30个开口H1拆装比较例的封闭部件B时所需时间的结果，可知需要合计600分钟。
另一方面，计测对处理容器的底板的30个开口H1拆装实施例的封闭部件BP时所需时间的结果，可知合计3分钟，拆装操作就结束，能够以比较例的1/200的时间进行拆装操作。
通过本实验，验证了：使用实施例的封闭部件BP，能够非常高效且在短时间进行将下部电极安装在下腔室的基片处理装置的制造和从下腔室将下部电极取下的基片处理装置的维护这两者。
对于上述实施方式列举的结构等，可以为与其他的构成要素组合的其他的实施方式，另外，本发明不限于在此所示的结构。关于这点，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行变更，能够根据其应用方式来适当确定。
例如，图示例的基片处理装置100作为具有电介质窗的感应耦合型的等离子体处理装置进行了说明，但也可以为替代电介质窗而具有金属窗的感应耦合型的等离子体处理装置，还可以为其他方式的等离子体处理装置。具体来讲，能够列举电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron resonance Plasma；ECP)、螺旋波激发等离子体(Helicon WavePlasma；HWP)、平行平板等离子体(Capacitively coupled Plasma；CCP)。另外，还能够列举微波激发表面波等离子体(Surface Wave Plasma；SWP)。这些等离子体处理装置包含ICP，均能够独立地控制离子通量和离子能，能够自由地控制蚀刻形状和选择性，并且能够获得1011至1013cm-3程度的较高的电子密度。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的特征在于：
在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，
在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有由金属构成的封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，
所述封闭部件具有：
插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和
凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述壁部中设置有多个所述第一贯通孔，所述封闭部件由一个所述固定部固定在各所述第一贯通孔，或者固定在位于与各所述第一贯通孔对应的位置的所述盖部件所具有的所述第二贯通孔。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述固定部具有：
销部件，其在所述壁部中的所述开口的外周，或者在所述盖部件中的所述开口的外周，向所述外部区域伸出；
在所述凸缘中供所述销部件插通的销孔；和
对插通于所述销孔的所述销部件进行保持的夹紧件。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述环状的导体形成电磁波屏蔽件。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述壁部是形成所述处理容器的底板，
从所述第一贯通孔的中途位置至所述壁部的表面设置有沉孔部，
在所述第一贯通孔中插通螺钉部件，并且在所述螺钉部件的头部与所述沉孔部卡合的状态下，使所述螺钉部件的一端与位于所述处理容器内的下部电极螺合，由此将所述下部电极固定在所述底板。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔设置环状的第一槽，在所述插通体的与所述第一槽对应的位置设置环状的第二槽，
所述环状的导体嵌入于所述第一槽和所述第二槽。
7.一种基片处理装置的制造方法，所述基片处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的制造方法的特征在于，包括：
在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置环状的导体的步骤，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔；和
准备由金属构成的、具有插通体和与所述插通体连续地形成的具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口大的平面面积的凸缘的封闭部件，使所述插通体插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，并与所述内周面一起夹持所述导体，用所述凸缘来封闭所述开口，并且用固定部将所述封闭部件固定在所述壁部的步骤。
8.如权利要求7所述的基片处理装置的制造方法，其特征在于：
在所述壁部中设置多个所述第一贯通孔，用一个所述固定部来将所述封闭部件固定在各所述第一贯通孔，或者固定在位于与各所述第一贯通孔对应的位置的所述盖部件所具有的所述第二贯通孔。
9.如权利要求7或8所述的基片处理装置的制造方法，其特征在于：
所述固定部具有：
销部件，其在所述壁部中的所述开口的外周，或者在所述盖部件中的所述开口的外周，向所述外部区域伸出；
在所述凸缘中供所述销部件插通的销孔；和
对插通于所述销孔的所述销部件进行保持的夹紧件，
通过将所述销部件插通于所述销孔，并将所述夹紧件设置于所述销部件，来将所述封闭部件固定在所述壁部。
10.如权利要求7或8所述的基片处理装置的制造方法，其特征在于：
所述壁部是形成所述处理容器的底板，
从所述第一贯通孔的中途位置至所述壁部的表面设置有沉孔部，
所述基片处理装置的制造方法还包括通过在所述第一贯通孔中插通螺钉部件，并且在所述螺钉部件的头部与所述沉孔部卡合的状态下，使所述螺钉部件的一端与位于所述处理容器内的下部电极螺合，来将所述下部电极固定在所述底板的步骤。
11.一种基片处理装置的维护方法，所述基片处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的维护方法的特征在于：
在所述基片处理装置中，在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，所述封闭部件具有：插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积，
所述基片处理装置的维护方法包括：
在所述基片处理装置中，解除所述固定部所进行的固定，将所述封闭部件拆下的步骤；和
在没有所述盖部件的情况下在所述第一贯通孔中插通维护用工具，在有所述盖部件的情况下在所述第一贯通孔和所述第二贯通孔中插通维护用工具，来解除固定在所述处理容器的构成部件的固定的步骤。
12.如权利要求11所述的基片处理装置的维护方法，其特征在于：
所述固定部具有：
销部件，其在所述壁部中的所述开口的外周，或者在所述盖部件中的所述开口的外周，向所述外部区域伸出；
在所述凸缘中供所述销部件插通的销孔；和
对插通于所述销孔的所述销部件进行保持的夹紧件，
在将所述封闭部件拆下的步骤中，通过解除所述夹紧件所进行的固定，并从所述销孔中拆下所述销部件，来将所述封闭部件从所述壁部拆下。
13.如权利要求11或12所述的基片处理装置的维护方法，其特征在于：
所述壁部是形成所述处理容器的底板，
从所述第一贯通孔的中途位置至所述壁部的表面设置有沉孔部，
在所述第一贯通孔中插通螺钉部件，并且在所述螺钉部件的头部与所述沉孔部卡合的状态下，使所述螺钉部件的一端与位于所述处理容器内的下部电极螺合，由此所述下部电极被固定在所述底板，
在所述解除固定的步骤中，通过使用所述维护用工具解除所述螺钉部件的螺合，来解除所述下部电极相对于所述底板的固定。
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