JP2024007737A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理を行う基板処理装置において、窓部材とカバー部材との間に隙間が生じるのを抑制する。
【解決手段】基板が載置される載置台と、前記載置台の上方に設けられた窓部材を有し、前記載置台と前記窓部材との間に処理空間を画成する処理容器と、前記窓部材の上方に設けられ、前記処理空間内の処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記窓部材の前記処理空間側を覆うカバー部材と、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する固定機構と、を備え、前記窓部材と前記カバー部材との間に中空部が形成されており、前記固定機構は、前記中空部に設けられ、前記カバー部材を前記窓部材に向けて付勢する弾性部材を有し、前記弾性部材の弾性力により、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する、基板処理装置である。
【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１に開示の誘導結合プラズマ処理装置は、天井部分を構成する窓部材を有し、プラズマ処理が行われる処理室と、窓部材の上方に配置され、処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナと、窓部材を支持する支持部材と、窓部材の下面を覆うカバーと、を備える。また、特許文献１に開示のカバー固定具は、上記誘導結合プラズマ処理装置に用いられ、カバーを固定するものであり、カバーの一部である下面を有する被支持部を支持する支持部と、支持部材に固定される被固定部と、を備える。

特開２０１０－２５１７０８号公報

本開示にかかる技術は、プラズマ処理を行う基板処理装置において、窓部材とカバー部材との間に隙間が生じるのを抑制する。

本開示の一態様は、基板が載置される載置台と、前記載置台の上方に設けられた窓部材を有し、前記載置台と前記窓部材との間に処理空間を画成する処理容器と、前記窓部材の上方に設けられ、前記処理空間内の処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記窓部材の前記処理空間側を覆うカバー部材と、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する固定機構と、を備え、前記窓部材と前記カバー部材との間に中空部が形成されており、前記固定機構は、前記中空部に設けられ、前記カバー部材を前記窓部材に向けて付勢する弾性部材を有し、前記弾性部材の弾性力により、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する、基板処理装置である。

本開示によれば、プラズマ処理を行う基板処理装置において、窓部材とカバー部材との間に隙間が生じるのを抑制することができる。

本実施形態にかかる基板処理装置としての誘導結合プラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 金属窓の下面図である。 部分窓の断面図である。 固定機構の一例を説明するための断面図である。 図４の部分拡大図である。 比較の形態にかかる固定機構を説明するための断面図である。 比較の形態にかかる固定機構を用いた場合にシャワープレートに撓みが生じたときの様子を示す図である。 図４の固定機構を用いた場合にシャワープレートに撓みが生じたときの様子を示す図である。 カバー部材の取り付け方法の一例を説明するための図である。 固定機構の他の例を示す図である。

液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、ガラス基板等の基板に対し、エッチング処理や成膜処理等の基板処理が行われる。これらの基板処理には、処理対象の基板が収容される処理容器等を有する基板処理装置が用いられる。また、基板処理装置としては、処理ガスのプラズマを用いた基板処理すなわちプラズマ処理を行うプラズマ処理装置があり、プラズマ処理装置としては誘導結合プラズマ処理装置がある。

誘導結合プラズマ処理装置は、基板が載置される載置台と、載置台の上方に設けられた窓部材を有し載置台と窓部材との間に処理空間を画成する処理容器と、を備える。さらに、誘導結合プラズマ処理装置は、窓部材の上方に設けられ処理空間内の処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部として、高周波アンテナを備える。高周波アンテナに高周波電力を供給することで、処理空間内に誘導電界が形成され、処理空間内の処理ガスが誘導電界によりプラズマ化され、すなわち、処理ガスのプラズマが生成される。誘導結合プラズマ処理装置では、上述のようにして誘導電界により生成された処理ガスのプラズマを用いて、基板に対してプラズマ処理を行う。

また、誘導結合プラズマ処理装置では、窓部材をプラズマから保護することを目的として、窓部材の処理空間側を覆うカバー部材が設けられることがある。カバーは窓部材に対して固定される。

ところで、プラズマ処理の際に、プラズマからの入熱や処理空間の排気の影響により、窓部材またはカバー部材の少なくともいずれか一方が撓む場合がある。撓んだ場合、窓部材に対するカバーの固定方式によっては、窓部材とカバー部材との間に隙間が生じる。このように隙間が生じると、当該隙間において異常放電が生じたり、反応生成物が当該隙間を介してクリーニングで除去しにくい部分等に付着したりしてしまう。
なお、窓部材等の温度調節を行う場合もあるが、この場合も、設定温度によっては熱による窓部材等の撓みが生じることがあり、また、プラズマによる急峻な温度変化によって窓部材等に撓みが生じることがある。

そこで、本開示にかかる技術は、プラズマ処理を行う基板処理装置において、具体的には、誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材とカバー部材との間に隙間が生じるのを抑制する。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜誘導結合プラズマ処理装置１＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての誘導結合プラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、後述の金属窓の下面図である。図３は、後述の部分窓の断面図である。

図１の誘導結合プラズマ処理装置１（以下、「プラズマ処理装置１」という。）は、基板としての、矩形のガラス基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」という）に対し、プラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１が行うプラズマ処理は、例えばＦＰＤ用のエッチング処理、成膜処理、アッシング処理等である。これらの処理により、基板Ｇ上に、発光素子や発光素子の駆動回路等の電子デバイスが形成される。

プラズマ処理装置１は、有底の角筒形状の容器本体１０を備える。容器本体１０は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成され、電気的に接地されている。プラズマ処理にはしばしば腐食性のガスが用いられるため、容器本体１０の内壁面は、耐腐食性を向上させる目的で、陽極酸化処理等の耐腐食コーティング処理が施されている。また、容器本体１０の上面には開口が形成されている。この開口は、後述の載置台３０の上方に設けられた窓部材としての矩形状の金属窓２０によって気密に塞がれ、具体的には、金属窓２０及び後述の金属枠１４によって気密に塞がれる。なお、金属窓２０は、容器本体１０と絶縁されて設けられている。

金属窓２０と載置台３０との間の空間は、プラズマ処理の処理対象の基板Ｇがプラズマ処理時に位置する処理空間Ｓ１となり、金属窓２０の上方側の空間は、後述の高周波アンテナ（プラズマアンテナ）８０が配置されるアンテナ室Ｓ２となる。

また、容器本体１０のＸ方向負側（図１の左側）の側壁には、処理空間Ｓ１内に基板Ｇを搬入出するための搬入出口１１及び搬入出口１１を開閉するゲートバルブ１２が設けられている。

容器本体１０の底壁上には、金属窓２０と対向するように、基板Ｇが載置される載置台３０が設けられている。載置台３０は例えば平面視矩形状に形成されている。
載置台３０は、その上面が基板Ｇの載置面となる台本体３１を有し、台本体３１が、脚部３２を介して、容器本体１０の底壁上に設置されている。

台本体３１は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成されている。台本体３１の上面は、絶縁性及び耐腐食性を向上させるため、陽極酸化処理若しくはセラミック溶射処理等のコーティング処理が施されている。また、台本体３１には、基板Ｇを吸着保持する静電チャック（図示せず）が設けられている。

さらに、台本体３１には、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。高周波電源４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を台本体３１に供給する。これにより、処理空間Ｓ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。

また、容器本体１０の底壁には、排気口１３が形成され、この排気口１３には真空ポンプ等を有する排気部５０が接続されている。処理空間Ｓ１は、この排気部５０によって減圧される。排気部５０は、複数の排気口１３のそれぞれに設けられてもよいし、複数の排気口１３に共通に設けられてもよい。

容器本体１０の側壁の上面側には、アルミニウム等の金属材料から形成された矩形状の枠体である金属枠１４が設けられている。容器本体１０と金属枠１４との間には、処理空間Ｓ１を気密に保つためのシール部材１５が設けられている。また、容器本体１０と金属枠１４と金属窓２０とが、載置台３０と金属窓２０との間に処理空間Ｓ１を画成する処理容器を構成する。

金属窓２０は、図１及び図２に示すように、複数の部分窓２１に分割され、これらの部分窓２１が金属枠１４の内側に配置され、全体として矩形状の金属窓２０を構成している。

部分窓２１はそれぞれ、処理空間Ｓ１に処理ガスを供給するシャワーヘッドとして機能する。また、各部分窓２１の下面視における形状は、例えば三角形状また台形状である。

例えば、各部分窓２１は、図３に示すように、シャワープレート２２と窓本体２３とを下からこの順に重ねた構成となっている。シャワープレート２２及び窓本体２３は、それぞれ平板状に形成されている。シャワープレート２２には、処理空間Ｓ１に対して処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔２２ａが形成されている。窓本体２３は、シャワープレート２２との間に、処理ガスを拡散させる拡散室２３ａを形成する。

シャワープレート２２は例えばネジ（図示せず）によって窓本体２３に締結すなわち固定されている。
また、部分窓２１は、シャワープレート２２の下面が処理空間Ｓ１に露出するように、保持部（図示せず）を介して保持されている。

各部分窓２１の拡散室２３ａは、図１に示すように、ガス供給管６０を介して処理ガス供給部６１に接続されている。処理ガス供給部６１は、流量調整弁（図示せず）や開閉弁（図示せず）等を備え、エッチング処理、成膜処理、アッシング処理等に必要な処理ガスを拡散室２１ｂに供給する。なお、図示の便宜上、図３には、１つの部分窓２１に処理ガス供給部６１が接続された状態を示しているが、実際には各部分窓２１の拡散室２３ａに処理ガス供給部６１が接続される。

なお、各部分窓２１内には、当該部分窓２１の温度調節用の温調流体を通流させる温調流路（図示せず）が形成されている場合がある。この場合、上記温調流路は、具体的には、例えば、各部分窓２１の窓本体２３内に形成されている。この温調流路は、温調流体供給部（図示せず）に接続されている。温調流体供給部は、開閉弁やポンプ等を備え、温調流体を温調流路に供給する。この温調流体によって、例えば、窓本体２３を介して、シャワープレート２２の温度調節が行われる。

各シャワープレート２２及び各窓本体２３の形成材料は、非磁性体で導電性の材料、例えばアルミニウムである。また、シャワープレート２２の処理空間Ｓ１側の面である下面、シャワープレート２２及び窓本体２３の拡散室２３ａを形成する面と、シャワープレート２２のガス吐出孔２２ａの内周面とは、処理ガス等に腐食性ガスを用いる場合、耐腐食性を向上させるため、陽極酸化処理等の耐腐食性コーティングが施される。さらに、シャワープレート２２の下面は、耐プラズマ性を向上させるため、酸化イットリウム等のセラミックで被覆する処理等の耐プラズマコーティングが施されている。
なお、シャワープレート２２の厚みは例えば１０～２０ｍｍである。

また、部分窓２１は、絶縁部材２４によって金属枠１４から電気的に絶縁されると共に、隣り合う部分窓２１同士も絶縁部材２４によって互いに電気的に絶縁されている。絶縁部材２４は、複数に分割されていてもよい。

さらに、部分窓２１の保護等を目的として、当該部分窓２１の処理空間Ｓ１側を覆うカバー部材２５が複数設けられている。各カバー部材２５は、例えば、部分窓２１のシャワープレート２２の下面の周縁部における一部を覆う。具体的には、カバー部材２５は、例えば、互いに隣接するシャワープレート２２それぞれの下面の周縁部における一部とこれらの間に位置する絶縁部材２４の一部を覆う。また、カバー部材２５には、シャワープレート２２それぞれの下面の周縁部における一部と、金属枠１４の下面の内側周縁部における一部と、これらの間に位置する絶縁部材とを覆うものも存在する。

各カバー部材２５は平板状に形成されている。カバー部材２５の形成材料は、部分窓２１すなわちシャワープレート２２及び窓本体２３の形成材料とは異なる、セラミック等の誘電体材料である。カバー部材２５の厚みは例えば２～８ｍｍである。このカバー部材２５は、固定機構（後述の図４の符号１００参照）により部分窓２１に対して固定される。上記固定機構については後述する。

さらに、プラズマ処理装置１では、金属窓２０の上方側に天板部７０が配置されている。天板部７０は、金属枠１４上に設けられた側壁部７１によって支持されている。

上述の金属窓２０、側壁部７１及び天板部７０にて囲まれた空間はアンテナ室Ｓ２を構成し、アンテナ室Ｓ２の内部には、部分窓２１に面するように、プラズマ生成部としての高周波アンテナ８０が配置されている。

高周波アンテナ８０は、例えば、絶縁材料から形成されるスペーサ（図示せず）を介して金属窓２０から離間して配置される。高周波アンテナ８０は、矩形状の金属窓２０の上面に沿い、当該金属窓２０の周方向に沿って周回するように、例えば、複数の環が同心状に形成された、すなわち渦巻き状に形成されたアンテナを構成する。

各高周波アンテナ８０には、整合器４２を介して高周波電源４３が接続されている。各高周波アンテナ８０には、高周波電源４３から整合器４２を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、プラズマ処理の間、部分窓２１それぞれの表面の上面から下面を循環する渦電流が誘起され、この渦電流によって処理空間Ｓ１の内部に誘導電界が形成される。ガス吐出孔２２ａから吐出された処理ガスは、誘導電界によって処理空間Ｓ１の内部においてプラズマ化される。

さらに、プラズマ処理装置１には制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１における基板Ｇの処理を制御するプログラムが格納されている。上述のプログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。上記記憶媒体は一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

＜固定機構＞
続いて、前述した固定機構の一例について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、上記固定機構の一例を説明するための断面図であり、図５は、図４の部分拡大図である。

図４及び図５に示す固定機構１００は、カバー部材２５を部分窓２１に対して固定する機構である。具体的には、固定機構１００は、カバー部材２５をシャワープレート２２に対して固定する機構であり、より具体的には、カバー部材２５をシャワープレート２２に密着させた状態で当該シャワープレート２２に対して固定する機構である。

この固定機構１００は、シャワープレート２２とカバー部材２５との間に形成された中空部Ｈに設けられている。中空部Ｈは、例えば、シャワープレート２２の下面に形成された凹部２２ｂとカバー部材２５の上面とにより構成される。凹部２２ｂの深さは、例えばシャワープレート２２の厚みの５０％～９０％である。また、固定機構１００は、例えば、１つの部分窓２１に対して複数（図４の例では２つ）設けられる。
さらに、固定機構１００は、弾性部材１１０と係合部１２０とを有する。

弾性部材１１０は、カバー部材２５をシャワープレート２２に向けて付勢する付勢力すなわち弾性力を有する。弾性部材１１０は、例えば、板バネにより構成される。弾性部材１１０を構成する板バネの厚みは例えば０．３～２ｍｍである。弾性部材１１０の材料は例えばステンレスである。

また、弾性部材１１０は、その根元部がシャワープレート２２に固定される。具体的には、弾性部材１１０は、その根元部が、当該弾性部材１１０を貫通するネジ１３０により、シャワープレート２２の凹部２２ｂの底部から突出するように形成された段差部２２ｃに固定される。なお、ネジ１３０の形成材料は例えばステンレスである。
さらに、弾性部材１１０は、その先端部が、係合部１２０と係合する。弾性部材１１０の先端部には、カバー部材２５の水平方向の位置決めを行うための位置決め凹部１１１が形成されている。

固定機構１００において、弾性部材１１０は、前述のように、カバー部材２５をシャワープレート２２に向けて付勢する弾性力を有する。そして、固定機構１００では、この弾性部材１１０の弾性力により、カバー部材２５をシャワープレート２２に対して押し付けて固定する。

係合部１２０は、一端がカバー部材２５に接続され、他端が弾性部材１１０（具体的には弾性部材１１０の先端部）と係合する。固定機構１００は、この係合部１２０を介してカバー部材２５をシャワープレート２２に対して固定する。

係合部１２０は、例えば、カバー部材２５と一体に形成されている。
また、係合部１２０は、弾性部材１１０と係脱自在に係合する。

係合部１２０は、例えば鉤状に形成され、カバー部材２５から垂直に延びる垂直部１２１と、垂直部１２１の先端から弾性部材１１０側へ垂直に延びる水平部１２２と、水平部１２２の先端からカバー部材２５に向けて垂直に延びる位置決め突起１２３と、を有する。弾性部材１１０の位置決め凹部１１１に、係合部１２０の位置決め突起１２３が収まることにより、カバー部材２５が水平方向について位置決めされる。なお、弾性部材１１０に凸部を形成し、係合部１２０に弾性部材１１０の凸部が収まる凹部を形成し、この凸部と凹部により、カバー部材２５の水平方向にかかる位置決めを行ってもよい。

＜基板処理＞
次に、プラズマ処理装置１における基板処理について説明する。なお、以下の基板処理は、制御部Ｕの制御の下、行われる。
まず、ゲートバルブ１２が開かれ、基板Ｇが、搬入出口１１を介して処理空間Ｓ１内に搬入され、載置台３０上に載置される。その後、ゲートバルブ１２が閉じられる。

続いて、処理ガス供給部６１から、各部分窓２１の拡散室２３ａを介して処理空間Ｓ１内に処理ガスが供給される。また、排気部５０による処理空間Ｓ１の排気が行われ、処理空間Ｓ１内が所望の圧力に調節される。

次いで、高周波電源４３から高周波アンテナ８０に高周波電力が供給され、これにより金属窓２０を介して処理空間Ｓ１内に均一な誘導電界が生じる。その結果、誘導電界により、処理空間Ｓ１内の処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源４１から載置台３０の台本体３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれ、基板Ｇに対しプラズマ処理が行われる。

プラズマ処理の終了後、高周波電源４１、４３からの電力供給、処理ガス供給部６１からの処理ガス供給が停止され、搬入時とは逆の順序で基板Ｇが搬出される。
これにより一連の基板処理が終了する。

＜固定機構１００の作用及び効果＞
続いて、プラズマ処理装置１における固定機構１００の作用及び効果について、図６～図８を用いて説明する。図６は、比較の形態にかかる固定機構を説明するための断面図である。図７は、比較の形態にかかる固定機構を用いた場合にシャワープレートに撓みが生じたときの様子を示す図である。図８は、図４の固定機構１００を用いた場合にシャワープレート２２に撓みが生じたときの様子を示す図である。

誘導結合プラズマ処理装置では、プラズマ処理中に、処理ガスのプラズマから入熱により、シャワープレートとカバー部材の両方が昇温する。その際、互いに異なる材料から形成されたシャワープレートとカバー部材との熱膨張差により、シャワープレートがカバー部材から離間するように撓むよう力が作用する場合がある。また、プラズマ処理中、処理空間Ｓ１の排気により、カバー部材がシャワープレートから離間するように撓むよう力が作用する場合もある。

本実施形態と異なる比較の形態としては、図６に示すように、カバー部材５００を貫通するネジ５２０で、カバー部材５００をシャワープレート５１０に固定する形態が考えられる。この比較の形態では、熱膨張差によりシャワープレート５１０がカバー部材５００から離間するように撓むよう力が作用した際に、ネジ５２０が緩み、図７に示すようにシャワープレート５１０が実際に撓み、カバー部材５００との間に隙間Ｊが生じることがある。カバー部材５００がシャワープレート５１０から離間するように撓むよう力が作用した際も、同様にシャワープレート５１０とカバー部材５００との間に隙間Ｊが生じることがある。

このように隙間Ｊが形成されてしまうと、当該隙間Ｊにおいて異常放電が生じることがある。また、隙間Ｊが形成されてしまうと、反応生成物が、互い隣接するシャワープレート５１０の間を隔てる絶縁部材とシャワープレート５１０または窓本体との間の部分や、シャワープレート５１０と窓本体との間の部分等、クリーニングで除去しにくい部分に、付着してしまうことがある。

それに対し、本実施形態では、固定機構１００において、弾性部材１１０が、前述のように、カバー部材２５をシャワープレート２２に向けて付勢する弾性力を有する。そして、固定機構１００では、この弾性部材１１０の弾性力により、カバー部材２５をシャワープレート２２に対して押し付けて固定する。

したがって、シャワープレート２２がカバー部材２５から離間するよう撓んだ際に、カバー部材２５が、弾性部材１１０の弾性力により、シャワープレート２２に近づくように撓む。すなわち、シャワープレート２２がカバー部材２５から離間するよう撓んだ際に、弾性部材１１０の弾性力により、シャワープレート２２の撓みに追従するように、カバー部材２５が撓む。
また、カバー部材２５がシャワープレート２２から離間するように撓むよう力が作用した際は、カバー部材２５が、弾性部材１１０の弾性力により、シャワープレート２２から遠ざからないよう引き上げられる。

よって、本実施形態によれば、プラズマからの入熱や処理空間Ｓ１の排気等により、シャワープレート２２とカバー部材２５との間に隙間が生じるのを抑制することができる。
その結果、上記隙間での異常放電の発生を抑制することができる。また、シャワープレート２２、窓本体２３または金属枠１４と絶縁部材２４との間の部分や、シャワープレート２２と窓本体２３との間の部分等、クリーニングで除去しにくい部分に付着するのを抑制することができる。そのため、上記クリーニングで除去しにくい部分に付着した反応生成物を取り除くための洗浄を含む、メンテナンスの実行周期を長くすることができる。すなわち、生産性を向上させることができる。

また、比較の形態では、ネジ５２０のネジ頭が存在するため、カバー部材５００を含む処理容器の天井面に凹凸が形成されている。このように凹凸が形成されていると、当該凹凸部分に反応生成物が多く付着してしまう。それに対し、本実施形態では、シャワープレート２２と窓本体２３との間に形成された中空部Ｈに固定機構１００が存在するため、カバー部材２５の下面を含む処理容器の天井面に、固定機構１００に起因する凹凸が形成されていない。そのため、カバー部材２５の下面を含む処理容器の天井面に付着する反応生成物の量を抑えることができる。

なお、比較の形態のようにネジ５２０を用いる場合、ネジ５２０のネジ頭が収まる凹部すなわちザグリをカバー部材５００に形成しておくことで、カバー部材５００の下面を含む処理容器の天井面を略平坦にし、当該天井面への反応生成物の付着を抑制することは可能である。しかし、カバー部材５００にザグリを設ける場合、カバー部材５００を厚くする必要があり、コストの面等で好ましくない。その点、本実施形態では、カバー部材２５にザグリを設ける必要がなく、カバー部材２５を厚くする必要がないため、コストの面でも好ましい。

＜カバー部材２５の取り付け方法＞
図９は、カバー部材２５の取り付け方法の一例を説明するための図である。
カバー部材２５を取り付ける際は、例えば、図９に示すように、シャワープレート２２の各凹部２２ｂに、弾性部材１１０側と反対側の面と弾性部材１１０との間の部分から、係合部１２０が挿入されると共に、シャワープレート２２の下面とカバー部材２５の上面とが接触される。

その後、係合部１２０が弾性部材１１０に向かっていくような方向にカバー部材２５をシャワープレート２２の下面に沿って摺動させて、係合部１２０を弾性部材１１０の先端に当接させる。

当接後も、カバー部材２５の上述の摺動を継続すると、当該摺動による係合部１２０の移動を妨げないように弾性部材１１０が変形する。上記摺動による係合部１２０の移動が容易になるよう、係合部１２０の弾性部材１１０側の面（具体的には位置決め突起１２３の弾性部材１１０側の面）と弾性部材１１０の係合部側の面をテーパー面としてもよい。

カバー部材２５の上述の摺動は、係合部１２０の位置決め突起１２３が弾性部材１１０の位置決め凹部１１１に収まるまで行われる。位置決め突起１２３が位置決め凹部１１１に収まると、カバー部材２５が、水平方向について位置決めされた状態で、弾性部材１１０の弾性力により、シャワープレート２２に固定される。これによってカバー部材２５の取り付けが完了する。

＜変形例＞
図１０は、固定機構の他の例を示す図である。
以上の例の固定機構１００は、弾性部材１１０が位置決め凹部１１１を有していた。ただし、図１０の固定機構１００Ａのように、弾性部材１１０Ａが、断面視直線状に形成され、位置決め凹部を有していなくてもよい。この場合、係合部１２０Ａから位置決め突起１２３を省略することができる。

また、以上の例では、プラズマ処理の処理対象の基板はガラス基板であったが、半導体ウェハ等の他の基板であってもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板が載置される載置台と、
前記載置台の上方に設けられた窓部材を有し、前記載置台と前記窓部材との間に処理空間を画成する処理容器と、
前記窓部材の上方に設けられ、前記処理空間内の処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、
前記窓部材の前記処理空間側を覆うカバー部材と、
前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する固定機構と、を備え、
前記窓部材と前記カバー部材との間に中空部が形成されており、
前記固定機構は、
前記中空部に設けられ、
前記カバー部材を前記窓部材に向けて付勢する弾性部材を有し、
前記弾性部材の弾性力により、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する、基板処理装置。
（２）前記カバー部材は、誘電体で形成されている、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記固定機構は、一端が前記カバー部材に接続され他端が前記弾性部材と係合する係合部を有する、前記（１）または（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記係合部は、前記カバー部材と一体に形成されている、前記（３）に記載の基板処理装置。
（５）前記係合部は、前記弾性部材と係脱自在に係合する、前記（３）または（４）に記載の基板処理装置。
（６）前記固定機構は、１つの前記カバー部材に対し、複数設けられている、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（７）前記窓部材が前記カバー部材から離間するよう撓んだ際に、前記カバー部材は、前記弾性部材の弾性力により、前記窓部材に近づくよう撓む、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。

１ 誘導結合プラズマ処理装置（プラズマ処理装置）
１０ 容器本体
１４ 金属枠
２０ 金属窓
２１ 部分窓
２５ カバー部材
３０ 載置台
８０ 高周波アンテナ
１００、１００Ａ 固定機構
１１０、１１０Ａ 弾性部材
Ｇ 基板
Ｈ 中空部
Ｓ１ 処理空間

Claims (7)

1. 基板が載置される載置台と、
   前記載置台の上方に設けられた窓部材を有し、前記載置台と前記窓部材との間に処理空間を画成する処理容器と、
   前記窓部材の上方に設けられ、前記処理空間内の処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、
   前記窓部材の前記処理空間側を覆うカバー部材と、
   前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する固定機構と、を備え、
   前記窓部材と前記カバー部材との間に中空部が形成されており、
   前記固定機構は、
   前記中空部に設けられ、
   前記カバー部材を前記窓部材に向けて付勢する弾性部材を有し、
   前記弾性部材の弾性力により、前記カバー部材を前記窓部材に対して固定する、基板処理装置。
2. 前記カバー部材は、誘電体で形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記固定機構は、一端が前記カバー部材に接続され他端が前記弾性部材と係合する係合部を有する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記係合部は、前記カバー部材と一体に形成されている、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記係合部は、前記弾性部材と係脱自在に係合する、請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記固定機構は、１つの前記カバー部材に対し、複数設けられている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
7. 前記窓部材が前記カバー部材から離間するよう撓んだ際に、前記カバー部材は、前記弾性部材の弾性力により、前記窓部材に近づくよう撓む、請求項１または２に記載の基板処理装置。

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