CN114823270A - 紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法 - Google Patents

紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，抑制因构件间的热膨胀差而紧固螺纹件变形。一种将构成基板处理装置的第1、第2构件利用紧固螺纹件紧固的紧固构造，第1构件具有内螺纹部，紧固螺纹件具有螺纹件头部和形成有与内螺纹部螺合的外螺纹部的螺纹件杆部，第2构件具有供螺纹件杆部贯穿的贯通孔，紧固构造具备在螺纹件头部与第2构件之间重叠地配置并供螺纹件杆部贯穿的第1、第2垫圈，贯通孔的截面是长圆形状，第1垫圈配置于螺纹件头部那侧并具有供螺纹件杆部贯穿的孔，第2垫圈配置于第2构件那侧并具有供螺纹件杆部贯穿的长圆形状的孔和向贯通孔插入的突出部。

Description

紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法
技术领域
本公开涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。
背景技术
在专利文献1中，公开有一种对进行了真空排气的处理空间内的玻璃基板利用进行了等离子体化的处理气体执行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：金属制的处理容器，其包括载置玻璃基板的载置台，与该载置台相对的上表面开口，并且该处理容器电接地；金属窗，其由以封堵该处理容器的开口而形成处理空间的方式排列着的多个导电性的局部窗构成；以及等离子体天线，其以与该金属窗相对的方式设于该金属窗的上方侧，用于利用电感耦合对处理气体进行等离子体化。在专利文献1的等离子体处理装置中，金属窗的各局部窗兼作处理气体供给用的喷头。另外，各局部窗成为将喷淋板和金属窗主体自下方依次重叠而成的结构，该喷淋板形成有用于向处理空间供给处理气体的许多处理气体喷出孔，该金属窗主体用于在其与该喷淋板之间形成使处理气体扩散的处理气体扩散室。而且，在专利文献1的等离子体处理装置中，利用螺纹件将喷淋板紧固于金属窗主体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-27775号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术是，在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，抑制由于构件间的热膨胀差导致紧固螺纹件变形。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是一种紧固构造，其将构成基板处理装置的第1构件和第2构件利用紧固螺纹件紧固，其中，所述第1构件具有内螺纹部，所述紧固螺纹件具有螺纹件头部和形成有与所述内螺纹部螺纹结合的外螺纹部的螺纹件杆部，所述第2构件具有供所述螺纹件杆部贯穿的贯通孔，该紧固构造具备第1垫圈和第2垫圈，该第1垫圈和第2垫圈在所述螺纹件头部与所述第2构件之间重叠地配置，并供所述螺纹件杆部贯穿，所述贯通孔的截面是长圆形状，所述第1垫圈配置于所述螺纹件头部那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的孔，所述第2垫圈配置于所述第2构件那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的长圆形状的孔和向所述贯通孔插入的突出部。
发明的效果
根据本公开，在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，能够抑制由于构件间的热膨胀差导致紧固螺纹件变形。
附图说明
图1是用于说明本公开的技术的课题的图。
图2是用于说明本公开的技术的课题的图。
图3是表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的概略的纵剖视图。
图4是表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的概略的横剖视图。
图5是表示接地构件的结构的概略的局部放大俯视图。
图6是表示等离子体处理装置所具备的紧固构造的结构的概略的纵剖视图。
图7是表示等离子体处理装置所具备的紧固构造的结构的概略的纵剖视图。
图8是第2垫圈的仰视图。
图9是第2垫圈的剖视图。
具体实施方式
在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)的制造工序中，对玻璃基板等基板进行蚀刻处理、成膜处理等基板处理。在这些基板处理中，使用具有用于收容作为处理对象的基板的处理容器等的基板处理装置。另外，作为基板处理装置，存在使用处理气体的等离子体进行基板处理的等离子体处理装置。
等离子体处理装置具备载置基板的载置台和在内部设有载置台的处理容器。另外，等离子体处理装置有时以覆盖载置台的侧面的方式具备接地构件。如图1所示，接地构件501固定于处理容器的底壁500，并借助该底壁500电接地。设置接地构件501的目的在于，使该接地构件501或连接于该接地构件501的构件(未图示)作为后述的与被施加有偏压用的高频电力并作为下部电极发挥功能的载置台相对的对向电极的局部发挥功能等。另外，处理容器的底壁500与接地构件501之间的固定与专利文献1所公开的等离子体处理装置中的喷淋板与金属窗主体之间的固定同样，通过使用了螺纹件502的紧固来进行。
然而，来自处理气体的等离子体的热容易向接地构件501输入，因此，在接地构件501与处理容器的底壁500之间产生温度差，由此，有时在两者之间产生热膨胀差。
因此，例如，将接地构件501的贯通孔501a形成为，其截面成为在接地构件501主要进行热膨胀的方向即接地构件501所延伸的方向(图1的左右方向)上较长的长圆形状。由此，即使产生上述的热膨胀差，由于螺纹件502的杆部502a在贯通孔501a内相对地移动，因而接地构件501的内壁面也不与螺纹件502的杆部502a接触，因此，能够防止螺纹件502的变形。此外，若螺纹件502变形，则存在紧固力的降低、无法借助处理容器的底壁500将接地构件501适当地电接地等问题。
但是，即使将接地构件501的贯通孔501a的截面如上述这样设为长圆形状，螺纹件502也可能变形。例如，如图2所示，接地构件501不仅在其延伸方向(图中的左右方向)上膨胀，还在螺纹件502的轴向(图中的上下方向)上膨胀，因而接地构件501的与螺纹件头502b相对的基座面侧会凹陷等，由此，螺纹件502的螺纹件头502b追随接地构件501的沿延伸方向的热膨胀。由此，可能导致螺纹件502变形，具体而言，螺纹件502的杆部502a弯曲。
在将构成等离子体处理装置的结构构件彼此紧固的其他的紧固构造、将构成等离子体处理装置以外的基板处理装置的构件彼此紧固的紧固构造中，也可能与上述同样地导致螺纹件变形，若产生变形，则可能对基板处理等造成不良影响。
因此，本公开的技术为，在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，抑制由于构件间的热膨胀差导致的紧固螺纹件的变形。
以下，参照附图，说明本实施方式的紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复的说明。
＜等离子体处理装置1＞
图3和图4分别是表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的概略的纵剖视图和横剖视图。图5是表示后述的接地构件的结构的概略的局部放大俯视图。
图3的等离子体处理装置1对作为基板的矩形的玻璃基板G(以下，称作“基板G”)进行使用了处理气体的等离子体的基板处理即等离子体处理。等离子体处理装置1所进行的等离子体处理例如是FPD用的成膜处理、蚀刻处理、灰化处理等。利用这些处理，在基板G上形成发光元件、发光元件的驱动电路等电子器件。
等离子体处理装置1具备有底的方筒形状的容器主体10。容器主体10由导电性材料、例如铝形成，并电接地。在等离子体处理中，经常使用腐蚀性的气体，因此，出于提高耐腐蚀性的目的，容器主体10的内壁面实施有阳极氧化处理等耐腐蚀涂敷处理。另外，在容器主体10的上表面形成有开口。该开口被与容器主体10绝缘地设置的矩形形状的金属窗20气密地封堵，具体而言，被金属窗20和后述的金属框14气密地封堵。由容器主体10和金属窗20围起来的空间成为作为等离子体处理的处理对象的基板G在等离子体处理时所位于的处理空间S1，金属窗20的上方侧的空间成为配置后述的高频天线(等离子体天线)90的天线室S2。在容器主体10的X方向负侧(图1的左侧)的侧壁，设有用于相对于处理空间S1内送入送出基板G的送入送出口11和对送入送出口11进行开闭的闸阀12。
在容器主体10的底壁10a上，以与金属窗20相对的方式设有载置基板G的载置台30。载置台30例如形成为俯视时呈矩形形状。
载置台30具有台主体31，该台主体31的上表面31a成为基板G的载置面，台主体31借助由绝缘性的材料构成的腿部32设置于容器主体10的底壁10a上。此外，在本实施方式中，由绝缘性的腿部32支承台主体31，并且还覆盖该台主体31的侧面，但也可以将覆盖台主体31的侧面的绝缘性的构件与支承台主体31的构件设为能够分离。在任一情况下，台主体31的侧面均由绝缘性的构件覆盖。
台主体31由导电性材料、例如铝形成。台主体31的处理空间S1侧的表面实施有阳极氧化处理或陶瓷喷镀处理等涂敷处理，以提高绝缘性和耐腐蚀性。另外，在台主体31设有吸附保持基板G的静电卡盘(未图示)。
而且，在台主体31借助匹配器40连接有高频电源41。高频电源41向台主体31供给偏压用的高频电力、例如频率为3.2MHz的高频电力。由此，能够将在处理空间S1内生成的等离子体中的离子向基板G引入。
另外，如图4所示，在容器主体10的底壁10a(“第1构件”的一个例子)上，设有多个电接地的接地构件50(“第2构件”的一个例子)，具体而言，例如，设有电接地的接地构件501～504。
接地构件50分别由导电性材料、例如铝形成。另外，接地构件50分别以隔着绝缘性的构件(具体而言为腿部32)覆盖载置台30的侧面的方式设置。具体而言，接地构件501以沿着X方向(图4的左右方向)延伸并覆盖载置台30的Y方向正侧(图4的上侧)的侧壁的方式设置。接地构件502以沿着X方向延伸并覆盖载置台30的Y方向负侧(图4的下侧)的侧壁的方式设置。接地构件503以沿着Y方向(图4的上下方向)延伸并覆盖载置台30的X方向正侧(图4的右侧)的侧壁的方式设置。接地构件504以沿着Y方向(图4的上下方向)延伸并覆盖载置台30的X方向负侧(图4的左侧)的侧壁的方式设置。
接地构件50例如形成为剖视时呈L字状，具有沿着容器主体10的底壁10a延伸的水平部51和沿着载置台30的侧面延伸并与容器主体10的底壁10a垂直的垂直部52。
另外，接地构件50分别与台主体31电绝缘，并借助容器主体10的底壁10a电接地。
另外，接地构件50分别利用紧固螺纹件53紧固于容器主体10的底壁10a。具体而言，如图5所示，各接地构件50在水平部51形成有在上下方向(厚度方向)上贯通该水平部51的贯通孔51a，利用贯穿于该贯通孔51a的紧固螺纹件53进行紧固。此外，在紧固螺纹件53设有将该紧固螺纹件53的螺纹件头和后述的第1垫圈以及第2垫圈一并地覆盖的覆盖件(未图示)。由此，保护紧固螺纹件53、第1垫圈以及第2垫圈不受腐蚀性气体等的影响。
供紧固螺纹件53贯穿的贯通孔51a针对每个接地构件50沿着该接地构件50所延伸的方向即该接地构件50的长度方向设有多个。另外，各贯通孔51a是其截面(与贯通孔51a的中心轴线正交的截面)在设有该贯通孔51a的接地构件50的长度方向上较长的长圆形状(即长圆孔)。
接地构件50的处理空间S1侧的表面实施有阳极氧化处理或陶瓷喷镀处理等涂敷处理，以提高耐腐蚀性。但是，接地构件50的处理空间S1侧的表面具有实施有上述涂敷处理并作为绝缘性的区域的覆盖区域R1和未实施上述涂敷处理并作为导电性的区域的非覆盖区域R2。例如，贯通孔51a的周围的供后述的第2垫圈120接触的区域设为非覆盖区域R2。
在接地构件50也可以连接有隔板(未图示)。在等离子体处理装置1中，接地构件50和上述隔板相对于向载置台30施加的偏压用的高频电力作为对向电极发挥功能，抑制等离子体不经意地引起异常放电。另外，也可以设置覆盖后述的排气口13并成为接地电位的网构件。利用该网构件，使进行了等离子体化的处理气体失活。由此，抑制进行了等离子体化的处理气体被排出，抑制在排气口13、排气部60产生放电。
另外，如图4所示，在容器主体10的底壁10a形成有排气口13。排气口13在俯视时呈矩形形状的载置台30的各边沿着该边设有多个。如图3所示，在排气口13连接有具有真空泵等的排气部60。处理空间S1利用该排气部60减压。排气部60既可以在多个排气口13分别设置，也可以在多个排气口13共用地设置。
在容器主体10的侧壁的上表面侧设有由铝等金属材料形成的作为矩形形状的框体的金属框14。在容器主体10与金属框14之间设有用于将处理空间S1保持为气密的密封构件15。另外，容器主体10、金属框14和金属窗20构成在内部设有载置台30的处理容器。
金属窗20被分割成多个局部窗21，这些局部窗21配置于金属框14的内侧，整体上构成矩形形状的金属窗20。
局部窗21分别作为向处理空间S1供给处理气体的喷头发挥功能。例如，在各局部窗21形成有向下方喷出处理气体的许多气体喷出孔21a和使处理气体扩散的扩散室21b，气体喷出孔21a与扩散室21b连通。
各局部窗21的扩散室21b借助气体供给管70连接于处理气体供给部71。处理气体供给部71具备流量调整阀(未图示)、开闭阀(未图示)等，向扩散室21b供给成膜处理、蚀刻处理、灰化处理等所需要的处理气体。此外，为了方便图示，在图3中示出了在一个局部窗21连接有处理气体供给部71的状态，但实际上在各局部窗21的扩散室21b连接有处理气体供给部71。
另外，局部窗21利用绝缘构件22自金属框14电绝缘，并且相邻的局部窗21彼此也利用绝缘构件22互相电绝缘。
在绝缘构件22设有覆盖该绝缘构件22的处理空间S1侧的面的绝缘构件覆盖件23，以保护该绝缘构件22。
而且，在金属窗20的上方侧配置有顶板部80。顶板部80由设于金属框14上的侧壁部81支承。
此外，构成金属窗20的局部窗21借助悬挂构件(未图示)从顶板部80悬挂。
由上述的金属窗20、侧壁部81以及顶板部80围起来的空间构成天线室S2，在天线室S2的内部以面向局部窗21的方式配置有高频天线90。
高频天线90例如隔着由绝缘材料形成的间隔件(未图示)自局部窗21分离地配置。高频天线90以沿着与各局部窗21对应的面且沿着矩形形状的金属窗20的周向绕转的方式例如呈漩涡状且呈同心状地形成有多个，构成多环状的天线。
在各高频天线90借助匹配器42连接有高频电源43。自高频电源43借助匹配器42向各高频天线90供给例如13.56MHz的高频电力。由此，在等离子体处理的期间，诱发自局部窗21各自的表面的上表面向下表面循环的涡电流，利用该涡电流在处理空间S1的内部形成感应电场。自气体喷出孔21a喷出来的处理气体利用感应电场在处理空间S1的内部进行等离子体化。
而且，在等离子体处理装置1设有控制部U。控制部U例如是具备CPU、存储器等的计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有控制等离子体处理装置1中的基板G的处理的程序。上述的程序也可以存储于能够由计算机读取的非临时性的存储介质，并自该存储介质加载于控制部U。程序的一部分或整体也可以由专用硬件(电路基板)来实现。
＜基板处理＞
接着，说明等离子体处理装置1的基板处理。此外，以下的基板处理在控制部U的控制下进行。
首先，打开闸阀12，将基板G经由送入送出口11向处理空间S1内送入，并载置于载置台30上。然后，关闭闸阀12。
接着，自处理气体供给部71借助各局部窗21的扩散室21b向处理空间S1内供给处理气体。另外，进行利用排气部60实现的处理空间S1的排气，将处理空间S1内调节为期望的压力。
接着，自高频电源43向高频天线90供给高频电力，由此，借助金属窗20在处理空间S1内产生均匀的感应电场。其结果，利用感应电场，对处理空间S1内的处理气体进行等离子体化，生成高密度的电感耦合等离子体。然后，利用自高频电源41供给到载置台30的台主体31的偏压用的高频电力，将等离子体中的离子向基板G引入，对基板G进行等离子体处理。
在等离子体处理结束后，停止自高频电源41、43的电力供给、自处理气体供给部71的处理气体供给，按照与送入时相反的顺序将基板G送出。由此，一系列的基板处理结束。
＜紧固构造K＞
如上所述，接地构件50分别利用紧固螺纹件53紧固于容器主体10的底壁10a。换言之，等离子体处理装置1针对每个接地构件50具备将接地构件50与容器主体10的底壁10a利用紧固螺纹件53紧固的紧固构造。具体而言，等离子体处理装置1针对每个接地构件50沿着该接地构件50的长度方向具备多个上述紧固构造。
另外，如上述这样，以往，在将接地构件和处理容器的底壁利用紧固螺纹件紧固的情况下，有时由于构件间的热膨胀差导致紧固螺纹件变形。因此，在本实施方式的等离子体处理装置1中，为了抑制由于构件间的热膨胀差导致的紧固螺纹件53的变形，具备以下的紧固构造K。
图6和图7分别是表示等离子体处理装置1所具备的紧固构造K的结构的概略的纵剖视图，图6表示热膨胀前的样子，图7表示热膨胀后的样子。另外，图8和图9分别是后述的第2垫圈的仰视图和剖视图。
在紧固构造K中，如图6和图7所示，容器主体10的底壁10a具有内螺纹部100。
另外，在紧固构造K中，紧固螺纹件53具有：螺纹件杆部53b，其具有与内螺纹部100螺纹结合的外螺纹部53a；以及螺纹件头部53c，其连接于该螺纹件杆部53b的基端部。紧固螺纹件53例如由不锈钢形成。
而且，在紧固构造K中，接地构件50具有供紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b贯穿的贯通孔51a。贯通孔51a形成于接地构件50的水平部51(参照图4等)的与内螺纹部100对应的位置。如上述这样，贯通孔51a是与其中心轴线正交的截面在设有该贯通孔51a的接地构件50的长度方向(图6和图7的左右方向)上较长的长圆形状(即长圆孔)。换言之，贯通孔51a是在对应的接地构件50的长度方向上具有长径、且在与上述接地构件50的长度方向正交的方向(与图6和图7的纸面垂直的方向)即宽度方向上具有短径的长孔。贯通孔51a的短径L1(参照图5)设定为，仅紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b能够插入于该贯通孔51a而第2垫圈120等无法插入。另外，贯通孔51a的长径L2(参照图5)设定为，在底壁10a与接地构件50之间产生了接地构件50的长度方向上的热膨胀差时，接地构件50的贯通孔51a的形成部分相对于底壁10a的相对的移动不被紧固螺纹件53妨碍。此外，贯通孔51a的短径L1例如为4mm～8mm，长径L2例如为10mm～20mm。
而且，紧固构造K具备第1垫圈110和第2垫圈120，该第1垫圈110和第2垫圈120配置于紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间，并供紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b贯穿。第1垫圈110配置于紧固螺纹件53的螺纹件头部53c侧(“螺纹件头部那侧”的一个例子)，第2垫圈120配置于接地构件50侧(“第2构件那侧”的一个例子)。
第1垫圈110具有供紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b贯穿的孔111。具体而言，第1垫圈110例如是平垫圈，在中央具有仅紧固螺纹件53中的螺纹件杆部53b能够穿过的圆形的孔111。
如图8和图9所示，第2垫圈120具有垫圈主体121和突出部122。
垫圈主体121例如形成为圆板状，在中央具有供紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b贯穿的作为长圆形状的孔的长孔121a。
突出部122形成为自垫圈主体121的下表面突出。突出部122在垫圈主体121的长孔121a的长径方向与接地构件50的贯通孔51a的长径方向一致的状态下以与该贯通孔51a卡合的方式插入于该贯通孔51a，具体而言，嵌入于该贯通孔51a。突出部122只要在垫圈主体121的下表面设于能够与接地构件50的贯通孔51a卡合的位置即可，例如，可以在长孔121a的短径方向上的端部沿着长径方向设置。由此，第2垫圈120相对于接地构件50固定。
第1垫圈110和第2垫圈120由刚性较高的导电性材料、例如不锈钢形成。另外，第1垫圈110和第2垫圈120优选较厚，以当接地构件50在紧固螺纹件53的轴向上产生了膨胀时抑制该第1垫圈110和第2垫圈120变形。市场上流通的一般的垫圈的厚度约为1mm，相对于此，第1垫圈110和第2垫圈120的厚度例如分别为2mm～4mm。
第1垫圈110和垫圈主体121的直径例如互相大致相等，为10mm～12mm。
另外，第2垫圈120的长孔121a的长径例如与接地构件50的贯通孔51a的长径L2相等，为10mm～20mm。与第2垫圈120的长孔121a的短径有关的尺寸如下所述。即，例如，在突出部122设于长孔121a的端部的情况下，长孔121a的包含突出部122在内的短径与接地构件50的贯通孔51a的短径L1相等，为4mm～8mm，两端的突出部122之间的尺寸比贯通孔51a的短径L1小突出部122的量，为3mm～7mm。
此外，第1垫圈110的圆形的孔111的直径例如与第2垫圈120的长孔121a的短径相等，为4mm～8mm，或者与突出部122之间的尺寸相等，为3mm～7mm。
另外，在紧固构造K中，第1垫圈110的与第2垫圈120接触的第1接触面112和第2垫圈120的与第1垫圈110接触的第2接触面(具体而言，垫圈主体121的上表面)121b中的任一者或两者由润滑性覆盖膜覆盖。由此，能够降低第1垫圈110与第2垫圈120之间的摩擦力。此外，润滑性覆盖膜是利用用于降低摩擦力的润滑材料覆盖而形成的膜。
由于需要在紧固螺纹件53与接地构件50之间维持电导通，因而在上述第1接触面112和第2接触面121b中的至少任一者形成的润滑性覆盖膜具有导电性。具有导电性的润滑性覆盖膜例如是具有导电性的特氟龙润滑镀膜，更具体而言，是利用含聚四氟乙烯(PTFE)的化学镀镍进行覆盖而形成的膜。
＜紧固构造K的紧固方法＞
接着，说明紧固构造K的紧固方法的一个例子。
在该紧固方法中，首先，准备容器主体10(具体而言为其底壁10a)和接地构件50，准备第1垫圈110和第2垫圈120，准备紧固螺纹件53。
接着，以容器主体10的底壁10a的内螺纹部100与对应的接地构件50的贯通孔51a连通的方式，将底壁10a和接地构件50重叠。
另外，将第2垫圈120的突出部122插入于接地构件50的贯通孔51a。具体而言，使第2垫圈120的长孔121a的长径方向与接地构件50的贯通孔51a的长径方向一致，在该状态下，将第2垫圈120的突出部122嵌入于上述贯通孔51a。
然后，将紧固螺纹件53的螺纹件杆部53b贯穿第1垫圈110的孔111、第2垫圈120的将突出部122嵌入于接地构件50的贯通孔51a后的长孔121a以及接地构件50的贯通孔51a，使外螺纹部53a与容器主体10的底壁10a的内螺纹部100螺纹结合，从而将容器主体10的底壁10a和接地构件50紧固。
＜紧固构造K的作用和效果＞
接着，说明等离子体处理装置1的紧固构造K的作用和效果。
在等离子体处理装置1中，与固定有接地构件50的容器主体10的底壁10a相比，接地构件50的来自处理气体的等离子体的直接的热输入较多。因此，在等离子体处理过程中，在接地构件50与底壁10a之间产生有温度差，在两者之间产生有热膨胀差，具体而言，与容器主体10的底壁10a相比，接地构件50成为高温且更大程度地膨胀。
因而，在等离子体处理过程中，接地构件50的贯通孔51a的形成部分相对于底壁10a在接地构件50的长度方向上相对地移动。
另外，在接地构件50较厚的情况下，在等离子体处理过程中，接地构件50在紧固螺纹件53的轴向即接地构件50的厚度方向上也产生膨胀，由于该膨胀，自接地构件50作用有将紧固螺纹件53的螺纹件头部53c上推的力，因而有时紧固螺纹件53的轴力增加。此外，紧固螺纹件53也在其轴向上产生膨胀，但如本实施方式这样，在接地构件50的材料是铝而紧固螺纹件53的材料是不锈钢的情况等、接地构件50的热膨胀率高于紧固螺纹件53的热膨胀率的情况下，由于接地构件50的膨胀，紧固螺纹件53的轴力进一步增加。
如上述这样，在由于接地构件50的热膨胀而使紧固螺纹件53的轴力增加时，在使用图1说明了的以往的不使用垫圈的紧固构造中，存在如下这样的情况：接地构件50的基座面侧凹陷，紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间不产生滑动。在该情况下，当接地构件50的贯通孔51a的形成部分伴随热膨胀而相对于底壁10a在接地构件50的长度方向上相对地移动时，螺纹件头部53c追随该移动，而导致紧固螺纹件53弯曲。
在此，与本实施方式的紧固构造不同，考虑在紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间使用一个平垫圈的紧固构造(以下，称作“比较的紧固构造”)。在该比较的紧固构造中，若一个平垫圈较薄，则在由于接地构件50的热膨胀而使紧固螺纹件53的轴力增加时，存在平垫圈破损的情况。另外，在比较的紧固构造中，在由于接地构件50的热膨胀而使紧固螺纹件53的轴力增加时，即使平垫圈不产生破损，也存在接地构件50的基座面侧凹陷的情况，虽然与不使用垫圈的情况相比会凹陷得较浅。在任一情况下，接地构件50与平垫圈之间均不产生滑动。于是，当接地构件50的贯通孔51a的形成部分伴随热膨胀而相对于容器主体10的底壁10a在接地构件50的长度方向上相对地移动时，螺纹件头部53c追随该移动，而导致紧固螺纹件53弯曲。
相对于此，在本实施方式的紧固构造K中，在紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间重叠地使用第1垫圈110和第2垫圈120，在实质上，使在紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间使用的垫圈比上述比较的紧固构造厚，刚性得到提高。因而，能够在由于接地构件50的热膨胀而使紧固螺纹件53的轴力增加了时，抑制在紧固螺纹件53的螺纹件头部53c与接地构件50之间使用的垫圈(第1垫圈110和第2垫圈120)变形。另外，由于如上述这样重叠地使用第1垫圈110和第2垫圈120，因而，在由于接地构件50的热膨胀而使紧固螺纹件53的轴力增加了时，即使接地构件50的基座面侧较浅地凹陷而在接地构件50与第2垫圈120之间不产生滑动，也能够在第1垫圈110与第2垫圈120之间产生滑动。这是因为，由于第1垫圈110与第2垫圈120的直径大致相等、该第1垫圈110与第2垫圈120的材料使用刚性较高的不锈钢等方面，因而在第1垫圈110与第2垫圈120之间不会产生凹陷。因而，当接地构件50的贯通孔51a的形成部分伴随热膨胀而相对于容器主体10的底壁10a在接地构件50的长度方向上相对地移动了时，由于在第1垫圈110与第2垫圈120之间产生滑动，因而能够抑制紧固螺纹件53的螺纹件头部53c追随上述的相对的移动。其结果，能够抑制紧固螺纹件53弯曲。
也就是说，根据本实施方式，在将底壁10a和接地构件50利用紧固螺纹件53紧固的紧固构造中，能够抑制由于构件间的热膨胀差导致紧固螺纹件53变形。
此外，由于设为在第1垫圈110与第2垫圈120之间产生滑动，因而能够防止对紧固螺纹件53的螺纹件头部53c偶然地施加扭力，能够抑制紧固螺纹件53意外地松弛。
另外，在本实施方式的接触构造中，在第2垫圈120设置向接地构件50的贯通孔51a插入的突出部122，有意地使接地构件50与第2垫圈120之间不产生滑动，也就是说，将第2垫圈120相对于接地构件50固定。若未将第2垫圈120相对于接地构件50固定，则担忧第2垫圈120超出导电性的非覆盖区域R2，而进入绝缘性的覆盖区域R1，使第2垫圈120与接地构件50之间的电导通不良。相对于此，如上述这样将第2垫圈120相对于接地构件50固定，从而能够使第2垫圈120始终位于非覆盖区域R2内，因此，能够防止第2垫圈120与接地构件50之间的电导通不良。其结果，能够使接地构件50更可靠地电接地。
而且，在本实施方式中，第1垫圈110的与第2垫圈120接触的第1接触面112和第2垫圈120的与第1垫圈110接触的第2接触面(具体而言，垫圈主体121的上表面)121b中的任一者或两者由润滑性覆盖膜覆盖。因此，在第1垫圈110与第2垫圈120之间容易产生滑动。因而，当接地构件50的贯通孔51a的形成部分伴随热膨胀而相对于容器主体10的底壁10a在接地构件50的长度方向上相对地移动了时，能够更可靠地抑制紧固螺纹件53的螺纹件头部53c追随该移动。其结果，能够更可靠地抑制紧固螺纹件53弯曲。
而且，润滑性覆盖膜具有导电性，因而能够不破坏接地构件50与底壁10a之间的电导通地抑制紧固螺纹件53弯曲。
此外，预先将上述第1接触面112和上述第2接触面121b这两者利用润滑性覆盖膜覆盖，从而降低在第1垫圈110与第2垫圈120之间产生了滑动时作用于第1垫圈110与第2垫圈120之间的摩擦力。因而，能够抑制润滑性覆盖膜被剥离。
＜变形例＞
在以上的例子中，第1垫圈110的与第2垫圈120接触的第1接触面112和第2垫圈120的与第1垫圈110接触的第2接触面121b中的任一者或两者由润滑性覆盖膜覆盖。由润滑性覆盖膜覆盖的部分并不限定于此，例如，也可以是第1垫圈110的整体和第2垫圈120的整体中的任一者或两者。也就是说，在紧固构造K中，至少上述第1接触面112和上述第2接触面121b中的任一者或两者由润滑性覆盖膜覆盖即可。
另外，在以上的例子中，作为等离子体处理的处理对象的基板是玻璃基板，但也可以是半导体晶圆等其他的基板。
在以上的例子中，在构成等离子体处理装置1的容器主体10的底壁10a与接地构件50之间的使用了紧固螺纹件53的紧固构造中，使用了本公开的技术，但本公开的技术还能够应用于等离子体处理装置1中的使用了紧固螺纹件的其他的紧固构造。另外，本公开的技术能够应用于等离子体处理装置以外的基板处理装置中的使用紧固螺纹件的紧固构造。
应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (6)

1.一种紧固构造，其将构成基板处理装置的第1构件和第2构件利用紧固螺纹件紧固，其中，
所述第1构件具有内螺纹部，
所述紧固螺纹件具有螺纹件头部和形成有与所述内螺纹部螺纹结合的外螺纹部的螺纹件杆部，
所述第2构件具有供所述螺纹件杆部贯穿的贯通孔，
该紧固构造具备第1垫圈和第2垫圈，该第1垫圈和第2垫圈在所述螺纹件头部与所述第2构件之间重叠地配置，并供所述螺纹件杆部贯穿，
所述贯通孔的截面是长圆形状，
所述第1垫圈配置于所述螺纹件头部那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的孔，
所述第2垫圈配置于所述第2构件那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的长圆形状的孔和向所述贯通孔插入的突出部。
2.根据权利要求1所述的紧固构造，其中，
所述第1垫圈的与所述第2垫圈接触的第1接触面和所述第2垫圈的与所述第1垫圈接触的第2接触面中的任一者或两者由润滑性覆盖膜覆盖。
3.根据权利要求2所述的紧固构造，其中，
所述润滑性覆盖膜是具有导电性的特氟龙润滑镀膜。
4.一种等离子体处理装置，其对基板进行等离子体处理，其中，
该等离子体处理装置具备：
第1构件，其具有内螺纹部；
紧固螺纹件，其具有螺纹件头部和形成有与所述内螺纹部螺纹结合的外螺纹部的螺纹件杆部；
第2构件，其利用所述紧固螺纹件与所述第1构件紧固，并具有供所述螺纹件杆部贯穿的贯通孔；以及
第1垫圈和第2垫圈，其在所述螺纹件头部与所述第2构件之间重叠地配置，并供所述螺纹件杆部贯穿，
所述贯通孔的截面是长圆形状，
所述第1垫圈配置于所述螺纹件头部那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的孔，
所述第2垫圈配置于所述第2构件那侧，并且具有供所述螺纹件杆部贯穿的长圆形状的孔和向所述贯通孔插入的突出部。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置具备：
载置台，其载置作为等离子体处理的处理对象的基板；
处理容器，其在内部设有所述载置台；以及
接地构件，其覆盖所述载置台的侧面，并借助所述处理容器的底壁接地，
所述第1构件是所述处理容器的底壁，
所述第2构件是所述接地构件。
6.一种紧固方法，其中，
该紧固方法包含以下工序：
准备构成基板处理装置的、具有内螺纹部的第1构件和具有截面呈长圆形状的贯通孔的第2构件；
准备具有孔的第1垫圈和具有长圆形状的孔与突出部的第2垫圈；
准备具有螺纹件头部和形成有外螺纹部的螺纹件杆部的紧固螺纹件；
以所述内螺纹部与所述贯通孔连通的方式将所述第1构件和所述第2构件重叠；
将所述第2垫圈的所述突出部向所述贯通孔插入；
将所述紧固螺纹件的所述螺纹件杆部贯穿所述第1垫圈的孔、所述第2垫圈的将所述突出部插入于所述贯通孔后的孔以及所述贯通孔，使所述外螺纹部与所述内螺纹部螺纹结合，从而将所述第1构件和所述第2构件紧固。
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