TW202243550A - 緊固結構、電漿處理裝置及緊固方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 在藉由緊固螺栓對構成基板處理裝置的構件彼此進行緊固的緊固結構中，抑制了構件之間的熱膨脹差異引起的緊固螺栓之變形。 [解決機構] 一種緊固結構，是藉由緊固螺栓來緊固構成基板處理裝置的第一構件和第二構件的緊固結構，前述第一構件具有內螺紋部，前述緊固螺栓具有：螺紋軸部，其形成有螺合在前述內螺紋部的外螺紋部；及螺栓頭部；前述第二構件具有供前述螺紋軸部穿過的通孔，具備第一墊圈和第二墊圈，其重疊配置在前述螺栓頭部與前述第二構件之間，且供前述螺紋軸部穿過；前述通孔的截面為長橢圓形狀，前述第一墊圈，係配置在前述螺栓頭部的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的孔，前述第二墊圈，係配置在前述第二構件的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的長橢圓形狀的孔和插入前述通孔中的突出部。

Description

緊固結構、電漿處理裝置及緊固方法
本揭示關於緊固結構、電漿處理裝置及緊固方法。
專利文獻1揭示了一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置係對真空排氣的處理空間內的玻璃基板進行基於已電漿化的處理氣體的電漿處理。該電漿處理裝置具備：金屬製成的處理容器，其具備載置玻璃基板的載置台，在與該載置台對置的上表面具有開口，並且被電性接地；金屬窗，其由並排排列的多個導電性局部窗構成，藉由封閉該處理容器的開口來形成處理空間；及電漿天線，其設置在金屬窗的上方側以面對該金屬窗，並且藉由感應耦合將處理氣體轉化為電漿。在專利文獻1的電漿處理裝置中，金屬窗的各局部窗兼用作供給處理氣體的噴淋頭。另外，各部分窗構成為從下方依序重疊有：形成有用於向處理空間供給處理氣體的多個處理氣體噴出孔的噴淋板，和在與該噴淋板之間形成用於使處理氣體擴散的處理氣體擴散室的金屬窗本體。另外，在專利文獻1的電漿處理裝置中，噴淋板藉由螺栓緊固在金屬窗本體上。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 特開2017-27775號公報
[發明欲解決的課題]
本揭示的技術目的為，在利用緊固螺栓緊固構成基板處理裝置的構件的緊固結構中，抑制了由於構件之間的熱膨脹差異而導致的緊固螺栓的變形。 [解決課題的機構]
本揭示的一態樣是一種緊固結構，是藉由緊固螺栓來緊固構成基板處理裝置的第一構件和第二構件的緊固結構，前述第一構件具有內螺紋部，前述緊固螺栓具有：螺紋軸部，其形成有螺合在前述內螺紋部的外螺紋部；及螺栓頭部；前述第二構件具有供前述螺紋軸部穿過的通孔，具備第一墊圈和第二墊圈，其重疊配置在前述螺栓頭部與前述第二構件之間，且供前述螺紋軸部穿過；前述通孔的截面為長橢圓形狀，前述第一墊圈配置在前述螺栓頭部的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的孔，前述第二墊圈配置在前述第二構件的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的橢圓形的孔和插入前述通孔中的突出部。 [發明效果]
根據本揭示，在藉由緊固螺栓對構成基板處理裝置的構件彼此進行緊固的緊固結構中，可以抑制構件之間的熱膨脹差異引起的緊固螺栓的變形。
在液晶顯示器(LCD)等平板顯示器(FPD)的製造工程中，對玻璃基板等基板進行蝕刻處理或成膜處理等基板處理。在這些基板處理中，使用具有收容處理對象的基板的處理容器等的基板處理裝置。另外，作為基板處理裝置，有使用處理氣體的電漿進行基板處理的電漿處理裝置。
電漿處理裝置具備載置基板的載置台，和內部設置有載置台的處理容器。另外，電漿處理裝置也可以以覆蓋載置台的側面的方式具備接地構件。如圖1所示，接地構件501固定在處理容器的底壁500上，經由底壁500電性接地。接地構件501的設置目的是作為載置台的對向電極的一部分而發揮功能，該載置台作為下部電極而發揮功能，用於對該接地構件501或連接到該接地構件501的構件(未示出)施加偏壓用的高頻電力。另外，處理容器的底壁500與接地構件501的固定，是與專利文獻1揭示的電漿處理裝置中的噴淋板與金屬窗本體的固定相同，係藉由使用螺栓502的緊固來進行固定。
由於來自處理氣體的電漿的熱容易進入接地構件501，所以在接地構件接地構件501與處理容器的底壁500之間會產生溫度差，這會導致兩者之間的熱膨脹差。
因此，例如將接地構件501的通孔501a形成為其截面在接地構件501主要熱膨脹的方向上，即在接地構件501延伸的方向(圖1的左右方向)上成為長的橢圓形狀。藉此，即使產生上述熱膨脹差時，螺栓502的軸部502a在通孔501a內相對移動，接地構件501的內壁面不與螺栓502的軸部502a接觸，因此可以防止螺栓502的變形。當螺栓502發生變形時，則存在緊固力降低、不能經由處理容器的底壁500將接地構件502適當地電性接地等問題。
然而，即使接地構件501的通孔501a的截面形成為如上所述的長的橢圓形狀，螺栓502也可能變形。例如，如圖2所示，接地構件501不僅在其延伸方向(圖中的左右方向)上而且在螺栓502的軸向(圖中的上下方向)上膨脹時，由於接地構件501的與螺栓頭502b相對的座面側的凹陷等，導致螺栓502的螺栓頭502b追隨接地構件501在延伸方向上的熱膨脹。結果，螺栓502有可能變形，具體而言，螺栓502的軸部502a有可能彎曲。
在對構成電漿處理裝置的構件彼此進行緊固的其他緊固結構中，或是在對構成電漿處理裝置以外的基板處理裝置的構件彼此進行緊固的緊固構造中，與上述同樣地，螺栓有可能變形，如果變形，則可能對基板處理等產生不利影響。
因此，本揭示的技術目的為，在構成基板處理裝置的構件彼此被緊固螺栓緊固的緊固結構中，抑制了由於構件之間的熱膨脹差異導致的緊固螺栓的變形。
以下，參照圖面對本實施形態的緊固結構、電漿處理裝置以及緊固方法進行說明。在本說明書和圖面中，具有基本相同功能構成的元件附加相同的符號標記，並省略重複說明。
＜電漿處理裝置1＞ 圖3和圖4分別表示本實施形態的電漿處理裝置的概略構成的縱剖視圖和橫剖視圖。圖5是表示後述的接地構件的概略構成的局部放大俯視圖。 圖3的電漿處理裝置1對作為基板的矩形玻璃基板G(以下，稱為“基板G”)進行基板處理，即使用處理氣體的電漿的電漿處理。電漿處理裝置1進行的電漿處理例如是FPD的成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等。藉由這些處理，在基板G上形成發光元件或發光元件的驅動電路等電子器件。
電漿處理裝置1具備有底角筒形狀的容器本體10。容器本體10由例如鋁等導電材料製成，並電性接地。由於在電漿處理中經常使用腐蝕性氣體，因此為了提高耐腐蝕性，對容器本體10的內壁面實施陽極氧化處理等耐腐蝕塗裝處理。此外，在容器本體10的上表面形成有開口。該開口被設置成與容器本體10絕緣的矩形的金屬窗20密閉，具體而言，藉由金屬窗20和後述的金屬框14密閉。由容器本體10和金屬窗20包圍的空間是電漿處理的處理對象的基板G位在電漿處理時的處理空間S1，金屬窗20上方側的空間成為供後述的高頻天線(電漿天線)90配置的天線室S2。在容器本體10的X方向負側(圖1中的左側)的側壁上設置有打開/關閉搬出入口11的閘閥12，該搬出入口11用於將基板G搬入處理空間S1內和將基板G從處理空間S1內搬出。
在容器本體10的底壁10a上，以面對金屬窗20的方式設置有載置基板G的載置台30。載置台30例如形成為俯視矩形狀。 載置台30具有以其上表面31a作為基板G的載置面的台本體31，台本體31藉由絕緣材料製成的腳部32設置在容器本體10的底壁10a上。在本實施形態中，藉由絕緣性的腳部32支撐台本體31並且覆蓋該台本體31的側面。但是，覆蓋台本體31的側面的絕緣性構件可以設置成與支撐台本體31的構件分離。無論哪種情況，台本體31的側面都被絕緣性構件覆蓋。
台本體31由導電材料例如鋁製成。為了提高絕緣性和耐腐蝕性，台本體31的處理空間S1側的表面進行了陽極氧化處理或陶瓷噴塗處理等塗敷處理。另外，在台本體31上設置有吸附保持基板G的靜電吸盤(未圖示)。
此外，高頻電源41經由匹配器40連接到台本體31。高頻電源41向台本體31供給偏壓用的高頻電力，例如供給頻率為3.2MHz的高頻電力。藉此，可以將在處理空間S1內產生的電漿中的離子吸引到基板G中。
此外，如圖4所示，在容器本體10的底壁10a(“第一構件”的一個例子)上設置有電性接地的多個接地構件50(“第二構件”的一個例子)。具體地，例如，設置有電性接地的接地構件50 1至50 4。
每個接地構件50由導電材料例如鋁製成。另外，每個接地構件50設置成隔著絕緣構件(具體而言，腳部32)覆蓋載置台30的側面。具體而言，接地構件50 1沿X方向(圖4的左右方向)延伸，且以覆蓋載置台30的Y方向正側(圖4的上側)的側壁的方式設置。接地構件50 2沿X方向延伸，且以覆蓋載置台30的Y方向負側(圖4的下側)的側壁的方式設置。接地構件50 3沿Y方向(圖4的上下方向)延伸，且以覆蓋載置台30的X方向正側(圖4的右側)的側壁的方式設置。接地構件50 4沿Y方向(圖4的上下方向)延伸，且設置為覆蓋載置台30的X方向負側(圖4的左側)的側壁。
接地構件50例如形成為截面L字狀，具有沿容器本體10的底壁10a延伸的水平部51，和沿載置台30的側面延伸並垂直於容器本體10的底壁10a的垂直部52。 此外，每個接地構件50與台本體31電性絕緣，並經由容器本體10的底壁10a電性接地。
此外，每個接地構件50藉由緊固螺栓53緊固到容器本體10的底壁10a。具體而言，如圖5所示，各接地構件50在水平部51上形成有沿上下方向(厚度方向)貫通該水平部51的通孔51a，藉由穿過通孔51a的緊固螺栓53進行緊固。緊固螺栓53設置有蓋部(未示出)，藉由該蓋部共同覆蓋該緊固螺栓53的螺栓頭以及後述的第一墊圈和第二墊圈。藉此，緊固螺栓53、第一墊圈和第二墊圈受到保護不受腐蝕氣體等的影響。
在每個接地構件50，沿該接地構件50延伸的方向，即沿接地構件50的長邊方向設置多個供緊固螺栓53穿過的通孔51a。另外，各通孔51a具有在設有該通孔51a的接地構件50的長邊方向上截面(與通孔51a的中心軸正交的截面)較長的長橢圓形狀(即長圓形狀)。 為了提高耐腐蝕性，對接地構件50的處理空間S1側的表面實施陽極氧化處理或陶瓷噴塗處理等的塗敷處理。但是，接地構件50的處理空間S1側的表面具有作為實施了上述塗敷處理的絕緣區域的覆蓋區域R1(圖5中用灰色表示)，和未實施上述塗敷處理而成為導電區域的未覆蓋區域R2。例如，將貫通孔51a周圍的後述的第二墊圈120所接觸的區域稱為未覆蓋區域R2。
擋板(未示出)可以連接到接地構件50。在電漿處理裝置1中，接地構件50和上述擋板作為施加於載置台30的偏壓用的高頻電力的對向電極發揮作用，用於防止電漿不慎引起的異常放電。另外，也可以設置覆蓋後述的排氣口13並具有接地電位的網狀構件。藉由該網狀構件使已電漿化的處理氣體失活。藉此，抑制了電漿化的處理氣體的排氣，抑制了在排氣口13和排氣部60的放電的產生。
此外，如圖4所示，在容器本體10的底壁10a上形成有排氣口13。在俯視呈矩形的載置台30的各邊沿該邊設置有多個排氣口13。如圖3所示，具有真空泵等的排氣部60被連接到排氣口13。處理空間S1由排氣部60減壓。排氣部60可以設置在多個排氣口13的每一個中，或者可以共同設置在多個排氣口13中。
在容器本體10的側壁的上表面側設有金屬框架14，該金屬框架14是由鋁等金屬材料製成的矩形框體。在容器本體10與金屬框架14之間設置有用於保持處理空間S1氣密的密封構件15。另外，由容器本體10、金屬框架14和金屬窗20構成內部設置有載置台30的處理容器。
金屬窗20分割為多個局部窗21，這些局部窗21設置在金屬框架14的內側，整體構成矩形狀的金屬窗20。
每個局部窗21用作為將處理氣體供應到處理空間S1的噴淋頭而發揮功能。例如，在各局部窗21上形成有多個用於向下方吐出處理氣體的氣體吐出孔21a和用於使處理氣體擴散的擴散室21b，氣體吐出孔21a與擴散室21b連通。
各局部窗21的擴散室21b經由氣體供給管70與處理氣體供給部71連接。處理氣體供給部71具備流量調整閥(未圖示)、開關閥(未圖示)等，並向擴散室21b供給成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等所需的處理氣體。為了便於說明，圖3表示處理氣體供給部71與一個局部窗21連接的狀態，但實際上處理氣體供給部71與各局部窗21的擴散室21b連接。
此外，局部窗21藉由絕緣構件22與金屬框架14電性絕緣，並且相鄰的局部窗21也藉由絕緣構件22相互電性絕緣。 為了保護該絕緣構件22，在絕緣構件22上設置有絕緣構件罩23，該絕緣構件罩23覆蓋該絕緣構件22的處理空間S1側的表面。
此外，頂板部80配置在金屬窗20的上方側。頂板部80由設置在金屬框架14上的側壁部81支撐。 構成金屬窗20的局部窗21經由懸吊構件(未圖示)從頂板部80懸吊。
由上述金屬窗20、側壁部81和頂板部80包圍的空間構成天線室S2。在天線室S2內部以面對局部窗21的方式配置有高頻天線90。
高頻天線90例如隔著由絕緣材料形成的間隔物(未圖示)與局部窗21隔開配置。高頻天線90，係沿著對應於每個局部窗21的表面，沿著矩形狀的金屬窗20的周方向配置的方式，例如形成為螺旋狀以便構成多個同心狀形成的多環狀天線。
高頻電源43經由匹配器42連接到每個高頻天線90。從高頻電源43經由匹配器42向各高頻天線90供給例如13.56MHz的高頻電力。藉此，在電漿處理時，感應出從局部窗21的各面的上表面向下表面循環的渦電流，藉由該渦電流在處理空間S1內部形成感應電場。從氣體吐出孔21a吐出的處理氣體藉由感應電場在處理空間S1內部成為電漿。
此外，在電漿處理裝置1設置有控制部U。控制部U例如是具備CPU或記憶體等的電腦，並且具有程式儲存部(未示出)。程式儲存部儲存用於控制電漿處理裝置1中的基板G的處理的程式。上述程式可以是記錄在電腦可讀取的非臨時性記憶媒體上，並且從該記憶媒體安裝到控制部U中者。程式的一部分或全部可以藉由專用硬體(電路基板)來實現。
＜基板處理＞ 接著，對電漿處理裝置1中的基板處理進行說明。又，以下的基板處理在控制部U的控制下進行。 首先，打開閘閥12，將基板G從搬出入口11搬入處理空間S1內，載置於載置台30上。之後，關閉閘閥12。
接著，從處理氣體供給部71經由各局部窗21的擴散室21b向處理空間S1內供給處理氣體。此外，處理空間S1被排氣部60進行排氣，處理空間S1內的壓力被調節到期望的壓力。
接著，從高頻電源43向高頻天線90供給高頻電力，經由金屬窗20在處理空間S1內產生均勻的感應電場。結果，處理空間S1內的處理氣體被感應電場電漿化，產生高密度的電感耦合電漿。然後，藉由從高頻電源41向載置台30的台本體31供給的偏壓用高頻電力，將電漿中的離子吸引到基板G，對基板G進行電漿處理。
電漿處理結束後，停止來自高頻電源41、43的電力供給和來自處理氣體供給部71的處理氣體的供給，以與搬入時相反的順序搬出基板G。 這樣就完成了一系列的基板處理。
＜緊固結構K＞ 如上所述，接地構件50分別藉由緊固螺栓53緊固到容器本體10的底壁10a。換言之，電漿處理裝置1具備緊固結構，用於對每個接地構件50藉由緊固螺栓53來緊固接地構件50與容器本體10的底壁10a。具體而言，電漿處理裝置1具備沿該接地構件50的長邊方向的用於每個接地構件50的多個緊固結構。 另外，如上所述，以往，在利用緊固螺栓將接地構件與處理容器的底壁緊固時，有時會因構件間的熱膨脹差而導致緊固螺栓變形。因此，在本實施型態的電漿處理裝置1中，為了抑制由於構件間的熱膨脹差引起的緊固螺栓53的變形，具有以下的緊固結構K。
圖6和圖7分別是表示電漿處理裝置1所具備的緊固結構K的概略構成的縱剖視圖，圖6表示熱膨脹前的狀態，圖7表示熱膨脹後的狀態。圖8和圖9分別是後述的第二墊圈的仰視圖和剖視圖。
如圖6和圖7所示，在緊固結構K中，容器本體10的底壁10a具有內螺紋部100。
此外，在緊固結構K中，緊固螺栓53具有：螺紋軸部53b，其具有與內螺紋部100螺合的外螺紋部53a；和與該螺紋軸部53b的基端部連接的螺栓頭部53c。緊固螺栓53例如由不銹鋼製成。
此外，在緊固結構K中，接地構件50具有通孔51a，緊固螺栓53的螺紋軸部53b穿過該通孔51a。通孔51a形成在接地構件50的水平部51(參照圖4等)中的與內螺紋部100相對應的位置處。如上所述，在通孔51a中，與其中心軸正交的截面形成為，在設置有該通孔51a的接地構件50的長邊方向(圖6和圖7的左右方向)上具有較長的長橢圓形狀(亦即長圓形狀)。換句話說，貫通孔51a是在對應的接地構件50的長邊方向上具有長徑，在與上述接地構件50的長邊方向正交的方向(垂直於圖6及圖7的紙面)，亦即在短邊方向上具有短徑的長孔。通孔51a的短徑L1(參照圖5)被設定為只有緊固螺栓53的螺紋軸部53b能夠插入該通孔51a，第二墊圈120等不能插入。此外，通孔51a的長徑L2(參照圖5)被設定為，當底壁10a與接地構件50之間在接地構件50的長邊方向上產生熱膨脹差時，接地構件50中的通孔51a的形成部分相對於底壁10a的相對移動不受緊固螺栓53的阻礙。通孔51a的短徑L1例如為4mm～8mm，長徑L2例如為10mm～20mm。
緊固結構K具備配置在緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間且供緊固螺栓53的螺紋軸部53b穿過的第一墊圈110和第二墊圈120。第一墊圈110配置在緊固螺栓53的螺栓頭部53c側(“螺栓頭部之側”的一例)，第二墊圈120配置在接地構件50側(“第二構件之側”的一個例子)。
第一墊圈110具有供緊固螺栓53的螺紋軸部53b穿過的孔111。具體而言，第一墊圈110例如是平墊圈，其中央具有只有緊固螺栓53的螺紋軸部53b能夠穿過的圓形的孔111。
如圖8和圖9所示，第二墊圈120具有墊圈本體121和突出部122。 墊圈本體121例如形成為圓板形狀，並且在中央具有長圓形狀的孔即長孔121a，該長孔121a是供緊固螺栓53的螺紋軸部53b貫穿的長孔。 突出部122形成為從墊圈本體121的下表面突出。在墊圈本體121的長孔121a的長徑方向與接地構件50的通孔51a的長徑方向一致的狀態下，突出部122插入該通孔51a中以與該通孔51a卡合，具體而言，被嵌入到該通孔51a中。突出部122只要設置在墊圈本體121的下表面上的能夠與接地構件50的通孔51a卡合的位置處即可，例如也可以沿著長徑方向設置在長孔121a的短徑方向的端部。藉此，第二墊圈120被固定到接地構件50。
第一墊圈110和第二墊圈120由諸如不銹鋼的高剛性導電材料形成。此外，為了防止在接地構件50沿緊固螺栓53的軸向膨脹時第一墊圈110和第二墊圈120的變形，第一墊圈110和第二墊圈120優選較厚。市場上的一般墊圈的厚度約為1mm(毫米)，而第一墊圈110和第二墊圈120的厚度例如分別為2mm至4mm。
第一墊圈110和墊圈本體121的直徑例如大致相等並且為10mm至12mm。 另外，第二墊圈120的長孔121a的長徑例如與接地構件50的通孔51a的長徑L2相同，為10mm～20mm。第二墊圈120的長孔121a的短徑的尺寸如下。亦即，例如，當突出部122設置在長孔121a的端部時，包含突出部122的長孔121a的短徑是與接地構件50的通孔51a的短徑L1相等，且為4mm～8mm。兩端的突出部122之間的尺寸比通孔51a的短徑L1小突出部122的量，為3mm～7mm。 第一墊圈110的圓形的孔111的直徑例如等於第二墊圈120的長孔121a的短徑，為4mm至8mm，或者等於突出部122之間的尺寸，為3mm至7mm。
此外，在緊固結構K中，第一墊圈110中的與第二墊圈120接觸的第一接觸面112和第二墊圈120中的與第一墊圈110接觸的第二接觸面(具體而言，墊圈本體121的上表面)121b之中的一者或兩者都覆蓋有潤滑性覆蓋膜。由此，能夠減小第一墊圈110與第二墊圈120之間的摩擦力。潤滑性覆蓋膜是藉由塗敷用於降低摩擦力的潤滑材料而形成的膜。
形成在上述第一接觸面112和第二接觸面121b中的至少一者上的潤滑性覆蓋膜需要保持緊固螺栓53與接地構件50之間的電性導通，因此具有導電性。具有導電性的潤滑性覆蓋膜例如是具有導電性的鐵氟龍潤滑鍍膜，更具體而言，是藉由塗敷含有聚四氟乙烯(PTFE)的無電解鍍鎳而形成的膜。
＜緊固結構K中的緊固方法＞ 接著，說明緊固結構K中的緊固方法的示例。 在該緊固方法中，首先，準備容器本體10(具體而言，其底壁10a)和接地構件50，準備第一墊圈110和第二墊圈120，準備緊固螺栓53。
接著，將底壁10a與接地構件50重疊，使容器本體10的底壁10a的內螺紋部100與對應的接地構件50的通孔51a連通。
此外，將第二墊圈120的突出部122插入接地構件50的通孔51a中。具體而言，使第二墊圈120的長孔121a的長徑方向與接地構件50的通孔51a的長徑方向一致，在該狀態下，將第二墊圈120的突出部122嵌入到上述通孔51a中。
然後，將緊固螺栓53的螺紋軸部53b穿過第一墊圈110的孔111、突出部122被嵌入到接地構件50的通孔51a中第二墊圈120的長孔121a、以及接地構件50的通孔51a中，使外螺紋部53a螺合到容器本體10的底壁10a的內螺紋部100，將容器本體10的底壁10a與接地構件50進行緊固。
＜緊固結構K的作用及效果＞ 接著，對電漿處理裝置1中的緊固結構K的作用和效果進行說明。 在電漿處理裝置1中，與固定有接地構件50的容器本體10的底壁10a相比，接地構件50從處理氣體的電漿有大量的直接熱量輸入。因此，在進行電漿處理時，接地構件50與底壁10a之間會產生溫差，兩者之間會產生熱膨脹差，具體而言，相比容器本體10的底壁10a，接地構件50變為更高溫並且膨脹得更多。
因此，在電漿處理期間，接地構件50中的通孔51a的形成部分，在接地構件50的長邊方向上相對於底壁10a相對地移動。 當接地構件50較厚時，在電漿處理中接地構件50在緊固螺栓53的軸向上亦即在接地構件50的厚度方向上膨脹，由於該膨脹，從接地構件50向上推動緊固螺栓53的螺栓頭部53c的力的作用，使得緊固螺栓53的軸向力可能增大。又，緊固螺栓53也沿其軸向膨脹，但如本實施型態那樣，當接地構件50的熱膨脹係數高於緊固螺栓53的熱膨脹係數時，例如在接地構件50的材料為鋁、緊固螺栓53的材料為不銹鋼的情況下等時，由於接地構件50的膨脹，緊固螺栓53的軸向力進一步增大。
如上所述，當緊固螺栓53的軸向力由於接地構件50的熱膨脹而增加時，在參照圖1說明的以往的沒有使用墊圈的緊固結構中，接地構件50的座面側可能凹陷，並且緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間不會發生滑動。在這種情況下，當接地構件50中的通孔51a的形成部分由於熱膨脹而在接地構件50的長邊方向上相對於底壁10a相對移動時，螺栓頭部53c追隨著該移動導致緊固螺栓53彎曲。
這裡，考慮與本實施形態的緊固結構不同，在緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間使用一個平墊圈的緊固結構(以下稱為“比較的緊固結構”)。在這種比較的緊固結構中，如果一個平墊圈很薄，當緊固螺栓53的軸向力由於接地構件50的熱膨脹而增加時，可能會損壞平墊圈。此外，在比較的緊固結構中，當緊固螺栓53的軸向力由於接地構件50的熱膨脹而增加時，即使平墊圈沒有發生損壞，接地構件50的座面側儘管比不使用墊圈時淺，也有可能凹陷。在任何一種情況下，在接地構件50與平墊圈之間都不會發生滑動。如此則，當接地構件50中的通孔51a的形成部分伴隨著熱膨脹而在接地構件50的長邊方向上相對於容器本體10的底壁10a移動時，伴隨著該移動螺栓頭部53c也隨之移動，導致緊固螺栓53彎曲。
相對於此，在本實施形態的緊固結構K中，第一墊圈110和第二墊圈120重疊使用在緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間，實質上，緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間使用的墊圈比上述比較的緊固結構更厚且剛性更強。因此，當緊固螺栓53的軸向力因接地構件50的熱膨脹而增大時，可以抑制緊固螺栓53的螺栓頭部53c與接地構件50之間使用的墊圈(第一墊圈110和第二墊圈120)的變形。此外，由於如上所述以重疊方式使用第一墊圈110和第二墊圈120，當緊固螺栓53的軸向力由於接地構件50的熱膨脹而增大時，即使接地構件50的座面側較淺而凹陷導致在接地構件50與第二墊圈120之間不發生滑動時，也可能在第一墊圈110與第二墊圈120之間發生滑動。這是因為第一墊圈110與第二墊圈120的直徑大致相等，並且由於這些材料使用具有高剛性的不銹鋼，所以在第一墊圈110與第二墊圈120之間沒有發生凹陷。因此，當接地構件50的通孔51a的形成部分因熱膨脹而相對於容器本體10的底壁10a在接地構件50的長邊方向上相對移動時，由於在第一墊圈110與第二墊圈120之間發生滑動，因此可以防止緊固螺栓53的螺栓頭部53c跟隨上述相對運動。結果，可以防止緊固螺栓53彎曲。 即，根據本實施形態，在藉由緊固螺栓53緊固底壁10a與接地構件50的緊固結構中，可以抑制由於構件之間的熱膨脹差異導致的緊固螺栓53的變形。 由於在第一墊圈110與第二墊圈120之間發生滑動，因此可以防止對緊固螺栓53的螺栓頭部53c施加意外的扭矩力，可以防止緊固螺栓53意外鬆動。
此外，在本實施形態的接觸結構中，將插入接地構件50的通孔51a中的突出部122設置在第二墊圈120中，有意地構成在接地構件50與第二墊圈120之間不會發生滑動，即將第二墊圈120固定在接地構件50上。如果第二墊圈120沒有固定在接地構件50上，則第二墊圈120從導電性的未覆蓋區域R2突出並覆蓋絕緣性的覆蓋區域R1，有可能導致第二墊圈120與接地構件50之間的電性導通變為不良。相對於此，如上所述藉由將第二墊圈120固定在接地構件50，第二墊圈120可以始終位於未覆蓋區域R2內，從而可以防止第二墊圈120與接地構件50之間的電性導通不良。結果，接地構件50可以更可靠地電性接地。
此外，在本實施形態中，第一墊圈110中與第二墊圈120接觸的第一接觸面112和第二墊圈120中與第一墊圈110接觸的第二接觸面(具體而言是墊圈本體121的上表面)121b的其中一者或兩者都覆蓋有潤滑性覆蓋膜。因此，第一墊圈110與第二墊圈120之間容易發生滑動。因此，當接地構件50中的通孔51a的形成部分，伴隨著熱膨脹而在接地構件50的長邊方向上相對於容器本體10的底壁10a相對移動時，可以更可靠地防止緊固螺栓53的螺栓頭部53c跟隨該移動而移動。結果，可以更可靠地防止緊固螺栓53彎曲。 此外，由於潤滑性覆蓋膜具有導電性，因此能夠在不損害接地構件50與底壁10a之間的導電性的情況下抑制緊固螺栓53的彎曲。 又，藉由利用潤滑性覆蓋膜覆蓋第一接觸面112和第二接觸面121b之兩者，當在第一墊圈110與第二墊圈120之間發生滑動時可以減輕作用在第一墊圈110與第二墊圈120之間的摩擦力。因此，可以抑制潤滑性覆蓋膜之剝離。
＜變形例＞ 在以上的例中，第一墊圈110中與第二墊圈120接觸的第一接觸表面112和第二墊圈120中與第一墊圈110接觸的第二接觸表面121b的其中一者或兩者覆蓋有潤滑性覆蓋膜。但是，被潤滑性覆蓋膜覆蓋的部分不限於此，例如可以是整個第一墊圈110和整個第二墊圈120的其中一者或兩者。也就是說，在緊固結構K中，至少上述第一接觸表面112和上述第二接觸表面121b的其中一者或兩者被潤滑性覆蓋膜覆蓋即可。
另外，在上述例子中，作為電漿處理的處理對象的基板是玻璃基板，但也可以使用半導體晶圓等其他基板。
在上述例子中，本揭示的技術使用於在構成電漿處理裝置1的容器本體10的底壁10a與接地構件50之間使用了緊固螺栓53的緊固結構。但是，本揭示的技術可以應用於電漿處理裝置1中使用緊固螺栓的其他緊固結構。此外，本揭示的技術也可以應用於在除了電漿處理裝置之外的基板處理裝置中使用緊固螺栓的緊固結構。
這次揭示的實施形態應被認為在所有方面是示例性的，而不是限制性的。在不脫離申請專利範圍及其主旨的範圍內，可以對上述實施形態進行各種省略、替換或修改。
1:電漿處理裝置 10:容器本體 10a:底壁 50,50 1,50 2,50 3,50 4:接地構件 51a:通孔 53:緊固螺栓 53a:外螺紋部 53b:螺紋軸部 53c:螺栓頭部 100:內螺紋部 110:第一墊圈 111:孔 120:第二墊圈 121a:長孔 122:突出部 G:玻璃基板 K:緊固結構
[圖1]說明本揭示的技術課題的圖。 [圖2]說明本揭示的技術課題的圖。 [圖3]概略表示本實施形態的電漿處理裝置的構成的縦剖視圖。 [圖4]概略表示本實施形態的電漿處理裝置的構成的橫剖視圖。 [圖5]概略表示接地構件的構成的局部放大平面圖。 [圖6]概略表示電漿處理裝置具備的緊固結構的構成的縦剖視圖。 [圖7]概略表示電漿處理裝置具備的緊固結構的構成的縦剖視圖。 [圖8]第二墊圈的仰視圖。 [圖9]第二墊圈的剖視圖。
10a:底壁
50:接地構件
51a:通孔
53:緊固螺栓
53a:外螺紋部
53b:螺紋軸部
53c:螺栓頭部
100:內螺紋部
110:第一墊圈
111:孔
112:第一接觸面
120:第二墊圈
121a:長孔
121b:第二接觸面
K:緊固結構

Claims (6)

  1. 一種構件的緊固結構，是藉由緊固螺栓來緊固構成基板處理裝置的第一構件和第二構件的緊固結構， 前述第一構件具有內螺紋部， 前述緊固螺栓具有：螺紋軸部，其形成有螺合在前述內螺紋部的外螺紋部；及螺栓頭部； 前述第二構件具有供前述螺紋軸部穿過的通孔， 具備第一墊圈和第二墊圈，其重疊配置在前述螺栓頭部與前述第二構件之間，且供前述螺紋軸部穿過； 前述通孔的截面為長橢圓形狀， 前述第一墊圈，係配置在前述螺栓頭部的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的孔， 前述第二墊圈，係配置在前述第二構件的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的長橢圓形狀的孔和插入前述通孔中的突出部。
  2. 如請求項1之緊固結構，其中 前述第一墊圈中與前述第二墊圈接觸的第一接觸面和前述第二墊圈中與前述第一墊圈接觸的第二接觸面的其中一者或兩者係被潤滑性覆蓋膜覆蓋。
  3. 如請求項2之緊固結構，其中 前述潤滑性覆蓋膜係具有導電性的鐵氟龍潤滑鍍膜。
  4. 一種電漿處理裝置，係對基板進行電漿處理的電漿處理裝置， 該電漿處理裝置具備： 第一構件，係具有內螺紋部； 緊固螺栓，係具有：螺紋軸部，其形成有螺合在前述內螺紋部的外螺紋部；及螺栓頭部； 第二構件，係藉由前述緊固螺栓緊固在前述第一構件，且具有供前述螺紋軸部穿過的通孔；及 第一墊圈和第二墊圈，係重疊配置在前述螺栓頭部與前述第二構件之間，且供前述螺紋軸部穿過； 前述通孔的截面為長橢圓形狀， 前述第一墊圈，係配置在前述螺栓頭部的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的孔， 前述第二墊圈，係配置在前述第二構件的一側，並且具有供前述螺紋軸部穿過的長橢圓形狀的孔和插入前述通孔中的突出部。
  5. 如請求項4之電漿處理裝置，其中，還具備： 載置台，用於載置電漿處理的處理對象的基板； 處理容器，其內部設置有前述載置台；及 接地構件，係覆蓋前述載置台的側面，且經由前述處理容器的底壁被接地； 前述第一構件為前述處理容器的底壁， 前述第二構件為前述接地構件。
  6. 一種構件的緊固方法，包含以下工程： 準備構成基板處理裝置的具有內螺紋部之第一構件和具有截面為長橢圓形狀的通孔之第二構件的工程； 準備具有孔的第一墊圈，及具有長橢圓形狀之孔和突出部的第二墊圈的工程； 準備緊固螺栓的工程，該緊固螺栓具有形成有外螺紋部的螺紋軸部，和螺栓頭部； 將前述第一構件與前述第二構件重疊使得前述內螺紋部與前述通孔連通的工程； 將前述第二墊圈的前述突出部插入前述通孔內的工程；及 使前述緊固螺栓的前述螺紋軸部穿過前述第一墊圈的孔、前述突出部已被插入到前述通孔內的前述第二墊圈的孔、和前述通孔，將前述外螺紋部螺合在前述內螺紋部，從而將前述第一構件與前述第二構件緊固的工程。
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