TWI525697B - Gas spray construction and substrate processing device - Google Patents

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TWI525697B TW100103804A TW100103804A TWI525697B TW I525697 B TWI525697 B TW I525697B TW 100103804 A TW100103804 A TW 100103804A TW 100103804 A TW100103804 A TW 100103804A TW I525697 B TWI525697 B TW I525697B
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Description

氣體噴淋用構造體及基板處理裝置
本發明關於一種氣體噴淋用構造體，其係與基板呈對向地設置於在處理容器內對基板供應氣體來進行處理之裝置中。
半導體製程所使用之裝置有一種1片片地對基板進行處理之所謂的枚葉式裝置，具體的處理舉例有以電漿來進行CVD(chemical vapor deposition)或蝕刻等之電漿處理、或進行熱CVD等之熱處理等。由於進行上述處理之裝置通常係在真空氛圍內進行處理，因此便於作為真空處理室之處理容器內設置有載置台，並於對向於該載置台之位置處，配置有噴淋狀地對基板供應處理氣體之氣體噴淋用構造體所加以構成。
圖10係概略顯示真空處理裝置的一般構造，元件符號101為處理容器，元件符號102為用以載置基板103之載置台，元件符號104為兼作為處理容器101的頂板之氣體噴淋頭，元件符號105為用以進行真空排氣之排氣管。氣體噴淋頭104係具備有藉由圖中未顯示之密封組件來將處理容器101上面的開口部氣密地封閉之蓋組件106與噴淋板107，並從氣體導入埠108透過擴散室109來使處理氣體從噴淋板107所形成之氣體導入孔100噴淋狀地流動。
噴淋板107係由材質相異的2片板材所層積構成，位於上側之基底板110的材質係使用例如鋁(Al)或不鏽鋼(SUS；Special Use Stainless)等金屬，而位於下側之頂板111的材質係使用矽(Si)、碳化矽(SiC)、石英等。如此地使用2片板材的理由，係因為由於處理氛圍為真空氛圍，因此便需使噴淋板107整體的構造為不會因減壓施加的應力而變形，而未曝露在處理氛圍之部位的構造則必須為不會有受到金屬污染之虞，並且於進行電漿處理時，除上述要求外必須使噴淋板107的構造更加具有耐電漿性。
接合基底板110與頂板111之構造已知有一種例如圖11(a)、(b)所示之構造。圖11(a)的構造係使基底板110的外緣形成為自頂板111的外緣突出，並利用具有與該突出部位呈對向之部分與覆蓋頂板111的下面周緣部之部分之環狀金屬製箝位組件112，而藉由螺絲組件113來將基底板110與箝位組件112相互地壓接以將頂板111挾置於兩者之間所加以構成。又，圖11(b)的構造係於周緣部處從頂板111側藉由螺絲組件114來將基底板110與頂板111加以固定之結構。
然而，使用箝位組件112之構造由於係藉由螺絲組件113並透過箝位組件112來進行基底板110與頂板111的壓接，因此設計上箝位組件112與基底板110之間必需存在有間隙，以利用該間隙來將壓接力作為螺絲扭矩(torque)加以管理。於是，便需要有使螺絲組件113不會過緊或過鬆之嚴格的螺絲扭矩管理，且要求嚴格的操作，而有因組裝誤差造成性能偏差(壓接力偏差)發生之疑慮。又，箝位組件112的材質雖係因加工的容易而使用金屬，但由於頂板111與箝位組件112的材質不同，因此便會有在兩者的壓接部位S處因熱膨脹之差異而產生摩擦，並從摩擦部位產生粒子而飛散至處理氛圍之疑慮。
又再者，由於噴淋板107溫度為重要的製程參數，因此便從較噴淋板107要上側(例如從氣體噴淋頭104外側)來進行溫度調整，但由於箝位組件112與基底板110之間形成有間隙，因此兩者之間的熱傳導不佳。又，於電漿處理中，將噴淋板107作為電極使用時，電傳導性不佳。如此地當熱傳導或電傳導性不佳時，由於噴淋板107與其附近周圍之間的熱量或電場的均勻性便會變差，因此會有對基板處理的面內均勻性造成不良影響之虞。
此外，由於圖11(b)的構造亦係藉由螺絲組件114來進行基底板110與頂板111的壓接，因此必須有嚴格的螺絲扭矩管理。又，頂板111的材質係如上所述地使用陶瓷等，而螺絲組件114的材質為金屬，因此必須將螺孔設置於基底板110側，如此螺絲組件114與頂板111的壓接部位S處便會因熱膨脹的差異而導致摩擦產生，而有與上述同樣的問題。再者，為了保護螺絲組件114的頭部不受電漿侵襲，雖有使用沿著頂板111周圍方向形成之環狀覆蓋組件的情況，但當覆蓋組件較為大型時，則在選擇耐電漿性高的材質上便會受到限制。又，由於覆蓋組件與頂板111之間存在有間隙，因此無法消除電漿從該間隙侵入而損傷到螺絲組件114，造成螺絲組件114的鬆弛或破損發生之疑慮。
專利文獻1雖記載了將開設有多個孔洞之導體板透過具有彈簧性之接電組件並藉由螺絲來固定於支撐構造體之構造，但由於導體板與支撐構造體之間的熱傳導或電傳導性係透過具有彈簧性之接電組件而局部地進行，因此難以稱之為傳達作用良好。又，螺絲與間隔物之間及間隔物與導體板之間會因熱膨脹差而導致摩擦產生，因而有粒子飛散至處理氛圍之疑慮。
再者，專利文獻2雖記載了透過螺旋狀金屬管來將氣體噴淋板接合於高頻電極本體的下側之構造，但自氣體噴淋板側進行螺絲鎖固後的情況仍會發生與圖11(b)相同的問題。
專利文獻1：日本特開2001-135499(圖1)
專利文獻2：日本特開2004-356509(圖1及圖3)
本發明係鑑於上述情事所發明者，其目的在於提供一種氣體噴淋用構造體，係設置於利用氣體來對基板進行處理之處理容器且係將面向處理氛圍之板狀體層積於基底組件所構成，其為可將基底組件與板狀體的壓接力設定為適當的大小而不會受到組裝誤差的影響，且可防止用以固定兩者之固定組件與板狀體之間的摩擦而造成粒子污染之技術。
本發明之氣體噴淋用構造體係與處理容器內所配置之基板呈對向設置，而噴淋狀地供應基板處理用氣體，其特徵在於具備有：板狀體，係面向處理氛圍配置，並穿設有多個氣體噴出孔；基底組件，係壓接並層積於該板狀體，並於對應於該氣體噴出孔之位置處穿設有氣體噴出孔；固定組件，係用以將板狀體夾在與該基底組件之間，而將該板狀體壓接於基底組件；及壓接用彈性體，係介設於該板狀體之處理氛圍側的面與該固定組件之間，並藉由固定組件接近板狀體而產生變形以使復原力加以作用；其中係藉由該彈性體的復原力來將板狀體壓接於基底組件，而在該固定組件與板狀體之處理氛圍側的面之間形成有間隙。
具體來說，可舉例有下述結構。
(1)　該固定組件係從板狀體側插入而螺合於基底組件之螺絲組件；該彈性體係介設於該螺絲組件的頭部與板狀體之間。
(2)　該基底組件的外緣部係構成為自該板狀體的外緣突出之突出部分；該固定組件係由箝位(clamp)組件與螺絲組件所構成；該箝位組件係具有與該基底組件之間挾置有該板狀體的外緣部而形成之內側部分，與壓接於該基底組件的該突出部分之外側部分；該螺絲組件係自該基底組件的突出部分側插入而螺合於該箝位組件的外側部分，以將該突出部分與該箝位組件的外側部分壓接並加以固定；該壓接用彈性體的結構為介設於該箝位組件與板狀體之間。
又，另一發明為一種基板處理裝置，其特徵在於具備有：處理容器，係於內部設置有基板載置部；上述氣體噴淋用構造體；氣體供應部，係用以將處理氣體供應至該氣體噴淋用構造體的氣體噴出孔；及真空排氣部，係用以將該處理容器內真空排氣。
本發明之氣體噴淋用構造體係於面向處理氛圍配置之板狀體層積基底組件所構成，而噴淋狀地供應基板處理用氣體，其係將固定組件配置於板狀體的處理氛圍側而將板狀體挾置於該固定組件與基底組件之間，然後使彈性體介設於板狀體與固定組件之間而藉由彈性體的復原力來將板狀體壓接於基底組件，並於固定組件與板狀體之間形成有間隙。於是便可將基底組件與板狀體與的壓接力設定為適當的大小而不會受到組裝誤差的影響，且可防止用以固定兩者之固定組件與板狀體之間的摩擦而造成的粒子污染。
以下，針對具備有本發明實施型態氣體噴淋用構造體之基板處理裝置的一例加以說明。圖1係顯示基板處理裝置的整體構造，該基板處理裝置為電漿處理裝置之RIE(Reactive Ion Etching)電漿蝕刻裝置。首先針對該基板處理裝置的整體結構簡單說明。圖1中之元件符號1係由例如鋁所構成的氣密處理容器(真空處理室)。該處理容器1係由小口徑的圓筒狀上部1a與大口徑的圓筒狀下部1b所構成，並設置有能夠水平地載置基板(半導體晶圓W，以下稱為晶圓)且具有下部電極的功能之載置台2。該載置台2係由例如鋁所構成，並透過絕緣板11被支撐在導體的支撐台12。又，該載置台2上方的外圍設置有例如矽(Si)所形成之聚焦環13。該支撐台12的下方部分則受到覆蓋體14的覆蓋。該支撐台12的外側設置有隔板15。
該處理容器1的頂壁部分係構成為用以將處理氣體導入至處理容器1內之氣體供應部(氣體噴淋頭16)。氣體噴淋頭16具備有：封閉處理容器1的上面開口部之例如鋁所構成的蓋組件17；以及透過氣體擴散空間而配置於該蓋組件的下側，且相當於本發明實施型態之氣體噴淋用構造體3。該氣體噴淋用構造體3將詳述於後，係具備有：層積基底板31與頂板32所構成並形成有多個氣體噴出孔33之噴淋板30，以及將基底板31與頂板32相互壓接並加以固定之螺絲組件4。
氣體噴淋頭16係於其上部設置有氣體導入埠18，且於其內部形成有供氣體擴散之擴散空間19。該氣體導入埠18係連接有氣體供應管181，而該氣體供應管181的另一端則連接有用以供應處理氣體之氣體供應系統182。
噴淋板30係具有上部電極的功能，並與具有下部電極的功能之載置台2平行地對向設置，藉由該等構成了一對平行平板電極。該處理容器1的下部1b底壁形成有排氣埠21，而該排氣埠21則連接有真空幫浦22。圖1中，元件符號23為藉由閘閥24而開閉之搬出入口。
該載置台2係透過係匹配器28及25而分別連接有電漿形成用的第1高頻電源26及離子吸引用的第2高頻電源27。又，載置台2的表面部係設置有藉由直流電源29而被驅動，並用以吸附保持晶圓W之靜電夾具201。該載置台2的內部設置有冷卻室202，該冷卻室202中，冷媒係經由冷媒導入管203來導入並從冷媒排出管204排出而循環，其冷熱係透過載置台2而傳導至晶圓W，藉以將晶圓W的處理面控制在所欲溫度。再者，圖1中，元件符號205為氣體導入機構，該氣體導入機構205係用以將傳熱用氣體經由氣體供應管206導入至靜電夾具201表面與晶圓W內面之間。
該處理容器1的上部1a的周圍處，僅有在上下電極之間的處理空間的周邊部形成有磁場，而為了獲得將電漿封入於處理空間之作用，係將搬出入口23挾置其中而配置有2個多極環磁石(multi-pole ring magnet)25a、25b。
接下來，詳細說明氣體噴淋用構造體3的結構。如圖1及圖2所示，氣體噴淋用構造體3係於圓形基底板31的下面側層積有一與該基底板31相同口徑的圓形頂板32。該等基底板31及頂板32係分別相當於申請專利範圍的基底組件及板狀體。基底板31係由金屬(例如鋁)所構成，厚度為例如20mm。頂板32的材質較佳宜使用例如耐電漿性大的材料(例如石英、碳化矽(SiC)或氮化矽等陶瓷)，或即使受到電漿撞擊導致成分飛散而對半導體裝置造成的不良影響較小之矽等。又，頂板32的厚度為例如3~10mm。基底板31及頂板32係於相互對應之位置處穿設有多個氣體噴出孔33。此外，為了避免元件符號複雜化，基底板31及頂板32所有的氣體噴出孔皆以共通的元件符號「33」來表示。又，為了便於說明，便將基底板31及頂板32的層積體稱為噴淋板30。依據該噴淋板30，便可使因減壓而施加有應力時之變形防止功能與因曝露在處理氛圍而導致粒子或重金屬之飛散防止功能分別分擔在基底板31與頂板32。
氣體噴出孔33的配置可採用沿著以噴淋板30中心為中心之多個同心圓所形成之圖案、或形成為矩陣狀之圖案等。如此地藉由於噴淋板30形成有氣體噴出孔33，則因擴散空間19而擴散之氣體便會噴淋狀地流向處理氛圍。
該等基底板31及頂板32於頂板32外緣部(外緣附近區域)之圓周方向的等間隔複數部位處，固定組件(例如金屬製的螺絲組件4)係從頂板32下面側插入而與基底板31的螺孔34相螺合。圖3係從下側所觀看到的藉由螺絲組件4來將頂板32固定在基底板31的狀態之圖式，此範例中利用螺絲組件4來加以固定的部位為8個部位。
螺絲組件4如圖2及圖4所示，係由頭部41與軸部42所構成，而頭部41係由口徑較大的圓形平板部41a(參照圖2的右側)，與於該平板部41中央部處向軸部42側突出且口徑小於平板部41a但大於軸部42之圓筒部41b所構成。然後，頂板32係形成有口徑較螺絲組件4的圓筒部41b稍大之透孔35，當螺絲組件4與基底板31的螺孔34相螺合時，圓筒部41b會收納在頂板32的透孔35內。又，圓筒部41b之軸部42側的環狀面45係具有所謂停止面的功能，當鎖固螺絲組件4時，該面45會抵接於露出在該透孔35內之基底板31的下面。
螺絲組件4的頭部41的平板部41a之軸部42側的面(面向頂板32之面)係形成有如圖2及圖4所示般圍繞軸部42之環狀溝部43，並且，該溝部43外側係形成有較該溝部43要更深深地刻劃外緣部所形成之缺陷部44。
然後，第1溝部43係嵌合有對應於第1溝部43而形成之環狀壓接用彈性體51。該彈性體51係形成為在未變形時會從溝部43凸出之大小，而當鎖固螺絲組件4來使頭部41接近頂板32時，則會被夾在頭部41的平板部41a與頂板32之間並被壓扁變形，而藉由其復原力來將頂板32推壓至基底板31側以使頂板32與基底板31在被相互壓接之狀態下加以固定。於是，在螺絲組件4的鎖固結束時，螺絲組件4之頭部41的平板部41a與頂板32之間便會形成有間隙。
此範例中，當成為適當的鎖固狀態後，由於螺絲組件4之各部份的尺寸係設定為螺絲組件4中之圓筒部41b的停止面(環狀面)45會抵到基底板31的下面但不會再進入到基底板31內，因此藉由鎖固螺絲組件4的停止面45直到抵到基底板31為止，便可經常地獲得適當的鎖固狀態(即頂板32與基底板31之適當的壓接力)。
圖2右側所示之該間隙的尺寸D為了儘可能抑制來自處理氛圍之電漿的侵入，以避免彈性體51接觸處理氛圍(本例中為電漿)而受到損傷，較佳宜為例如0.2mm以下。由這點看來，該間隙雖儘可能越小越好，但由於頂板32受到電漿的加熱時，螺絲組件4與頂板32之間的熱膨脹程度不同，因此必須確保間隙的大小程度為兩者不會因上述熱膨脹差而摩擦。
如以上所述，此範例中，螺絲組件4係將頂板32挾置於基底板31之間，而具有用以將該頂板32壓接於基底板31之固定組件的功能。
螺絲組件4的頭部41係自軸部42的相反側被覆有覆蓋體(蓋子)6，該覆蓋體6的形狀係構成為內周面愈接近底部則愈寬廣。因此，藉由使環狀覆蓋體用彈性體52嵌入於該缺陷部44，並抵抗該彈性體52的復原力來被覆覆蓋體6，則覆蓋體6便不會因自體重量而脫落，而會安裝在頭部41。此外，亦可藉由接著層(圖中未顯示)來接著覆蓋體6的底面與頭部41。該彈性體52係具有吸收螺絲組件4與覆蓋體6的熱膨脹差之功能，並具有抑制電漿繞進頭部41的頂面(圖2之狀態下為下面)，來保護頭部41及該接著層(具有接著層的情況)之功能。覆蓋體6的材質較佳宜為不容易因處理氛圍而發生劣化或損傷之材質，此範例中係使用耐電漿性大的材質，例如石英、碳化矽或氮化矽等的陶瓷。
此處該彈性體51、52的構造較佳宜為表面對電漿的耐受性較大、復原力(反作用力)不易因熱或隨著時間變化而降低、不會受到相接觸之材料的損傷且表面摩擦阻抗較小之構造。此外，電漿係指離子、自由基等活性群種。圖5係顯示彈性體51、52構造的具體例。圖5(a)係以O型環53作為芯材並以例如氟樹脂(例如商品名「鐵氟龍」(註冊商標))被覆該O型環53周圍而形成為被覆層54。圖5(b)係以例如材質為不鏽鋼系素材所構成之金屬管於長度方向形成有溝槽而從橫剖面觀看時，一部位具有刻槽之構造的金屬彈簧55為芯材，並以例如氟樹脂來被覆該金屬彈簧55周圍而形成為被覆層54。該等構造可有效使用於使用電漿之製程。圖5(c)係直接將該O型環53作為彈性體來使用，而為不須具有對電漿耐受性時之可選擇構造的其中之一。圖5(d)係直接將金屬彈簧55作為彈性體使用，可有效使用於要求強復原力的情況。
接下來敘述上述電漿處理裝置的作用。首先，打開閘閥24來將晶圓W從搬出入口23搬入至處理容器1內，並載置於載置台2而藉由靜電夾具201來將晶圓W靜電吸附後，藉由真空幫浦22並透過排氣埠21來將處理容器1內排氣至特定真空度。然後，處理氣體(例如氟(F)等)會從處理氣體供應系統182經由氣體供應配管181、氣體導入埠18而到達氣體噴淋頭16的擴散空間19，並從氣體噴出孔33向處理氛圍噴出。然後，使處理容器1內的氣體壓力為特定的製程壓力(真空度)，並在該狀態下從第1高頻電源26對載置台2供應例如100MHz的高頻電功率，而於載置台2及頂板32之間(處理氛圍)形成高頻電場。
又，為了控制電漿的離子能量，便從第2高頻電源27供應例如3.2MHz的高頻電功率。又，處理氛圍係藉由雙極環磁石(dipole ring magnet)25a、25b而形成有水平磁場，因此晶圓W所存在之電極間的處理空間便會形成有直交電磁場，並會藉由因此產生的電子漂移而形成有磁控(magnetron)放電。然後，利用該磁控放電來使處理氣體電漿化，並藉由該電漿來對形成於晶圓W表面之特定薄膜進行蝕刻。
上述實施型態於基底板31層積固定一頂板32之構造中，係從基底板31側插入螺絲組件4而螺合於頂板32，並使彈性體51介設在螺絲組件4的頭部41與頂板32之間，而藉由該彈性體51的復原力來進行基底板31與頂板32的壓接。因此，相較於未介設有彈性體51的情況，螺絲組件4的扭矩管理變得容易，且可將基底板31與頂板32的壓接力設定為適當的大小而不會受到組裝誤差的影響。又，如上所述地成為適當的鎖固狀態後，藉由預先設定各部份的尺寸來使螺絲組件4的停止面45抵到基底板31的下面，則扭矩管理便會實質上變得不需要，可更加容易地進行組裝，且可將該壓接力經常保持在預定大小。又，由於係藉由彈性體51的復原力來將螺絲組件4推至下側，因此可抑制螺絲組件4變得鬆弛。
再者，由於係藉由彈性體51來達成上述壓接，因此螺絲組件4的頭部41與頂板32之間會形成有間隙，如此可防止因兩者的熱膨脹差而造成組件間的摩擦，從而可防止因摩擦而導致粒子的產生。又，藉由使彈性體51的至少表面為氟樹脂等摩擦係數較小的材質，則可更加防止因摩擦而導致粒子的產生。又，即使該間隙因熱膨脹而擴大，仍可藉由介設有彈性體51來防止電漿侵入至螺絲組件4的軸部42側。又，由於螺絲組件4係受到覆蓋體6的覆蓋，因此可抑制處理氛圍與螺絲組件4的接觸，並且，由於每個螺絲組件4皆設置有覆蓋體6，故相較於沿著頂板32整圈設置有環狀覆蓋體的情況要遠遠來的小型化，因此材質的選擇自由度較大。再者，雖然已敘述於上，但由於覆蓋體6與螺絲組件4之間係介設有覆蓋體用彈性體52，因此即使電漿欲進入至螺絲組件4側，仍然會被該彈性體52所阻止，又，亦可藉由介設有該彈性體52來防止覆蓋體6與螺絲組件4之熱膨脹差所造成的摩擦。
針對本發明氣體噴淋構造體的其他實施型態，參照圖6及圖7來加以說明。該實施型態中，噴淋板30外緣部的下面側係設置有沿著噴淋板30整圈而形成為環狀之箝位組件7。基底板31的外緣部係構成為較頂板32外緣要突出之突出部分311，該突出部分311係形成為厚度稍小於層積於頂板32之部分，如此其下面便會位於較頂板32的上面要來得上側。
箝位組件7係由與頂板32的外緣部呈對向之內側部分71，以及與基底板31的突出部分311的下面呈對向並相接之外側部分72所構成。於內側部分71，從內緣往外側相距例如20mm之位置處係沿著該箝位組件7整圈而形成有環狀的溝部73，並且，較該溝部73要內緣側部位的表面係形成為與頂板32之間僅隔著微小間隙並呈對向之水平面74。然後該箝位組件7的溝部73內係設置有環狀壓接用彈性體75，並且，從基底板31的突出部分311上面側插入有螺絲組件8，而螺合於箝位組件7之外側部分72的螺孔81。該螺絲組件8的固定部位係沿著噴淋板30圓周方向而等間隔地形成於複數處(例如先前的實施型態中為8個部位)。
藉由螺絲組件8的鎖固來使箝位組件7接近噴淋板30側，則彈性體75便會因此而被壓扁變形。如此便可藉由該彈性體75的復原力來將頂板32壓接於基底板31。箝位組件7之外側部分72的厚度及溝部73的深度在基底板31的突出部分311與箝位組件7的外側部分72為相接觸之狀態下，係設定為基底板31及頂板32的壓接力會藉由彈性體75的復原力(反作用力)而成為適當的大小。於是，鎖固螺絲組件8來使基底板31與箝位組件7相接觸後，為了使該等確實接觸，雖可藉由稍為加大扭矩來使基底板31及頂板32為適當的壓接力，但預先使該壓接力為適當的該壓接力時，則亦可預先設定各部份的尺寸來使螺絲組件8之頭部80的下面(停止面)抵到基底板31。此外，彈性體75的材質、構造可使用與先前實施型態相同的材質、構造。
較噴淋板30要上側之例如處理容器1的壁部係設置有溫度調整機構，而透過基底板31來將頂板32的溫度調整為適當的製程溫度，因此較佳宜亦將箝位組件7調整為適當的溫度。又，為了在箝位組件7亦形成有均勻性高的電場，較佳宜透過該箝位組件7來使高頻流至基底板31。於是，在此實施型態中，由於箝位組件7與基底板31之間係無間隙地相連接，因此可達成上述要求，亦即可在兩者之間達成良好的熱傳導與電性接觸。於是，便期望兩者之間不會產生熱膨脹差，由此觀點來看，箝位組件7的材質係使用與基底板31相同的材質(此範例中為鋁)。
又，箝位組件7之內側部分74的水平面部74與頂板32之間的間隙從抑制電漿侵入與抑制彈性體劣化的觀點來看，較佳宜為例如0.1~1mm，更佳宜為0.2mm以下。再者，從內側部分71內緣至溝部73的距離較佳宜為例如10mm以上，此範例中係設定為20mm。此範例中，申請專利範圍的固定組件係由箝位組件7與螺絲組件8所構成。
上述實施型態亦係於箝位組件7與頂板32之間介設有彈性體75，而藉由該彈性體75的復原力來進行基底板31與頂板32的壓接。因此，相較於未介設有彈性體75的情況，螺絲組件4的扭矩管理會變得容易，且可將基底板31與頂板32的壓接力設定為適當的大小而不會受到組裝誤差的影響。又，箝位組件7與頂板32的材質雖不同，但由於兩者之間形成有間隙，因此不會因熱膨脹差而導致摩擦產生，從而可防止粒子飛散至處理氛圍。
此外，如圖8及圖9所示，箝位組件7的內側部分可不整圈設置，而是於圓周方向間隔地設置，並且用以收納彈性體75之溝部73可構成為凹部，而將彈性體75構成為可收納於該溝部(凹部)73之形狀。此外，有關範例中的符號，與圖6及圖7相對應之部位則使用相同符號。
又，本發明不限於適用在電漿處理裝置，而亦可為未使用電漿來進行處理(例如熱CVD等)之裝置。又，處理氛圍可非為減壓氛圍，而亦可為加壓氛圍。
D．．．間隙尺寸
S．．．壓接部位
W．．．晶圓
1．．．處理容器
1a．．．上部
1b．．．下部
11．．．絕緣板
12．．．支撐台
13．．．聚焦環
14．．．覆蓋體
15．．．隔板
16．．．氣體噴淋頭
17．．．蓋組件
18．．．氣體導入埠
181．．．氣體供應管
182．．．氣體供應系統
19．．．擴散空間
100．．．氣體導入孔
101．．．處理容器
102．．．載置台
103．．．基板
104．．．氣體噴淋頭
105．．．排氣管
106．．．蓋組件
107．．．噴淋板
108．．．氣體導入埠
109．．．擴散室
110．．．基底板
111．．．頂板
112．．．箝位組
113．．．螺絲組件
114．．．螺絲組件
2．．．載置台
21．．．排氣埠
22．．．真空幫浦
23．．．搬出入口
24．．．閘閥
25．．．匹配器
25a、25b．．．多極環磁石
26．．．第1高頻電源
27．．．第2高頻電源
25．．．匹配器
29．．．直流電源
201．．．靜電夾具
202．．．冷卻室
203．．．冷媒導入管
204．．．冷媒排出管
205．．．氣體導入機構
206．．．氣體供應管
3．．．氣體噴淋構造體
30．．．噴淋板
31．．．基底板
311．．．突出部分
32．．．頂板
33．．．氣體噴出孔
34．．．螺孔
35．．．透孔
4．．．螺絲組件
41．．．螺絲組件的頭部
41a．．．平板部
41b．．．圓筒部
42．．．螺絲組件的軸部
43．．．溝部
44．．．缺陷部
45．．．停止面
51．．．壓接用彈性體
52．．．覆蓋體用彈性體
53．．．O型環
54．．．被覆層
55．．．金屬彈簧
6．．．覆蓋體
7．．．箝位組件
71．．．內側部分
72．．．外側部分
73．．．溝部
74．．．水平面
75．．．彈性體
8．．．螺絲組件
80．．．頭部
81．．．螺孔
圖1係顯示本發明基板處理裝置的實施型態之整體結構圖。
圖2係顯示該氣體噴淋用構造體之縱剖面圖。
圖3係顯示該基板處理裝置的主要部份(氣體噴淋用構造體)的一例之底面圖。
圖4係顯示該氣體噴淋用構造體所使用之螺紋部及覆蓋體之分解剖面圖。
圖5係顯示該氣體噴淋用構造體所使用之彈性體的範例之剖面圖。
圖6係顯示該氣體噴淋用構造體的其他範例之縱剖面圖。
圖7係顯示該氣體噴淋用構造體的其他範例之分解立體圖。
圖8係顯示該氣體噴淋用構造體的另一其他範例之分解立體圖。
圖9係顯示該氣體噴淋用構造體的另一其他範例之分解立體圖。
圖10係顯示習知基板處理裝置的一例之概略圖。
圖11係顯示習知氣體噴淋用構造體之縱剖面圖。
D．．．間隙尺寸
30．．．噴淋板
31．．．基底板
32．．．頂板
33．．．氣體噴出孔
34．．．螺孔
35．．．透孔
4．．．螺絲組件
41．．．螺絲組件的頭部
41a．．．平板部
41b．．．圓筒部
42．．．螺絲組件的軸部
43．．．溝部
44．．．缺陷部
45．．．停止面
51．．．壓接用彈性體
52．．．覆蓋體用彈性體
6．．．覆蓋體

Claims (7)

  1. 一種氣體噴淋用構造體，係與處理容器內所配置之基板呈對向設置，而噴淋狀地供應基板處理用氣體，其特徵在於具備有：板狀體，係面向處理氛圍配置，並穿設有多個氣體噴出孔；基底組件，係壓接並層積於該板狀體，並於對應於該氣體噴出孔之位置處穿設有氣體噴出孔；金屬製螺絲組件，係用以將板狀體夾在與該基底組件之間，從板狀體側插入而螺合於基底組件，而將該板狀體壓接於基底組件；及壓接用彈性體，係介設於該板狀體之處理氛圍側的面與該螺絲組件的頭部之間，並藉由螺絲組件接近板狀體而產生變形以使復原力加以作用；覆蓋體，係被覆於該螺絲組件之頭部，由用以防止因處理氛圍而導致螺絲組件受到損傷之材質所構成；覆蓋體用彈性體，係設置於該螺絲組件頭部的周緣與該覆蓋體的內面之間，用以吸收螺絲組件與覆蓋體的熱膨脹差；其中係藉由該壓接用彈性體的復原力來將板狀體壓接於基底組件，而在該螺絲組件與板狀體之處理氛圍側的面之間形成有間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體噴淋用構造體，其中 該壓接用彈性體係形成為環狀而圍繞該螺絲組件的軸部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之氣體噴淋用構造體，其中該覆蓋體用彈性體的至少表層部係由用以保護螺絲組件不會受到處理氛圍損傷之材質所構成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之氣體噴淋用構造體，其中基板的處理為電漿處理，該間隙為0.2mm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之氣體噴淋用構造體，其中該壓接用彈性體係以氟樹脂被覆具有彈性之芯材所加以構成。
  6. 如申請專利範圍第1項之氣體噴淋用構造體，其中該螺絲組件之頭部周緣係具有朝外側傾斜之外側傾斜部，該覆蓋體係具有朝內側傾斜之內側傾斜部，該覆蓋體用彈性體係被設置於該外側傾斜部與該內側傾斜部之間。
  7. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備有：處理容器，係於內部設置有基板載置部；申請專利範圍第1或2項之氣體噴淋用構造體，係與該基板載置部呈對向設置；氣體供應部，係用以將處理氣體供應至該氣體噴淋用構造體的氣體噴出孔；及真空排氣部，係用以將該處理容器內真空排氣。
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