JP5019256B2 - プラズマエッチング用凸型シリコン電極板 - Google Patents

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この発明は、亀裂が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板に関するものである。
一般に、半導体集積回路を製造する際に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハをエッチングするためのプラズマエッチング用シリコン電極板として、近年、凸部および鍔部を有する凸型シリコン電極板をシールド電極支持体にボルトで固定した凸型シリコン電極板が用いられている(特許文献1参照)。前記凸部および鍔部を有するシリコン電極板はSiC、または単結晶、多結晶もしくは柱状晶のシリコンのいずれで構成されてもよいが、単結晶シリコンからなるシリコン電極板が最も多く使用されている。また、一般に、図3の一部断面説明図に示されるように、凸部2および鍔部8を有する凸型シリコン電極板1を熱伝導性に優れたアルミニウム等からなる冷却板3にボルト6で固定し、シリコン電極板に発生した熱を冷却板3を通して放熱することも行われている(特許文献2参照)。
これら凸部2および鍔部8を有する凸型シリコン電極板1を冷却板3にボルト6で固定してなる冷却板付きプラズマエッチング用凸型シリコン電極板9は、図4に示されるように、シールドリング7により支持され、真空容器(図示せず)内のほぼ中央に固定し、エッチングガス12を凸型シリコン電極板1および冷却板3に連通して設けられた貫通細孔5を通してウエハ4に向って流しながら高周波電圧を印加することによりシリコン電極板1とウエハ4の間にプラズマ10を発生させ、このプラズマ10がウエハ4に当ってウエハ4の表面をエッチングするようになっている。この時、プラズマ10により加熱されて生じる凸型シリコン電極板1の熱は冷却板3を通して放熱される。
再公表特許WO2002/058125 特開2003−289064
従来の凸部2および鍔部8を有する凸型シリコン電極板1を冷却板3にボルト6で固定してなるプラズマエッチング用凸型シリコン電極板9は、図5に示されるように、常にシールドリング7により支持されてプラズマエッチングを行っている。そのために、プラズマエッチング中は鍔部8は矢印Aの方向の力を受け、一方、凸部2は自重で矢印Bの方向の力を受けることからプラズマエッチング中に凸部2と鍔部8の境界の角に亀裂11が入ることがしばしば見られ、プラズマエッチング用シリコン電極板の早期の交換を余儀なくされることが多かった。
そこで、本発明者等は、凸型シリコン電極板1における凸部2と鍔部8の境界の角に亀裂11が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板9を作製すべく研究を行った。その結果、図2の断面図に示されるように、貫通細孔5を有する小径のシリコン電極板13と、貫通細孔5を有する大径のシリコン電極板14と、貫通細孔5を有する大径の冷却板3とを同心円状にかつ前記貫通細孔5が連通するように重ね合わせ、これらをボルト6で固定して作製した図1に示されるプラズマエッチング用凸型シリコン電極板は、凸部を形成する小径のシリコン電極板13と鍔部8を形成する貫通細孔5を有する大径のシリコン電極板14とが別個に形成されているために、凸部と鍔部の境界の角に亀裂が発生することはない、という研究結果が得られたのである。
この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、
(1)貫通細孔5を有する小径のシリコン電極板13と、貫通細孔5を有する大径のシリコン電極板14と、貫通細孔5を有する大径の冷却板3とを同心円状にかつ前記貫通細孔5が連通するように重ね合わせ、前記小径のシリコン電極板と前記大径のシリコン電極板とを前記大径の冷却板にボルト6で固定してなり、前記大径のシリコン電極板の外周部分に形成された鍔部でシールドリングにより支持される亀裂が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板、に特徴を有するものである。
この発明の亀裂が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板を図面に基づいて一層詳細に説明する。
図1は、この発明の亀裂が発生することのないプラズマエッチング用シリコン電極板の断面説明図である。図1に示されるこの発明の亀裂が発生することのないプラズマエッチング用シリコン電極板は、貫通細孔5を有する小径のシリコン電極板13と、貫通細孔5を有する大径のシリコン電極板14と、貫通細孔5を有する大径の冷却板3とを同心円状にかつ前記貫通細孔5が連通するように重ね合わせ、これらをボルト6で固定してなるものである。
この発明の亀裂が発生することのないプラズマエッチング用シリコン電極板を作製するには、図2に示されるように、貫通細孔5を有する小径のシリコン電極板13と、貫通細孔5を有する大径のシリコン電極板14と、貫通細孔5を有する大径の冷却板3とを用意し、これらを同心円状にかつ前記貫通細孔5が連通するように重ね合わせ、冷却板3に形成される穴17には雌ねじを形成しておき、ボルト6を小径のシリコン電極板13の周囲に形成される穴15および大径のシリコン電極板14に形成される穴16に通して冷却板3に締め付けることにより作製する。この場合、穴17は図示されていない貫通穴とし、図示されていないナットとボルト6とで固定しても良い。
この発明のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板はウエハをプラズマエッチングするに際し、亀裂が発生することがないのでシリコン電極板を交換することがなくなり、コストが削減できて、半導体装置産業の発展に大いに貢献しうるものである。
直径:250mm、厚さ:5mmの寸法を有し、直径:0.5mmの貫通細孔を設けた小径の単結晶シリコン電極板を用意し、さらに直径:300mm、厚さ:5mmの寸法を有し、直径:0.5mmの貫通細孔を設けた大径の単結晶シリコン電極板を用意し、さらに直径:0.5mmの貫通細孔を設けた大径のAl製冷却板を用意した。
前記小径のシリコン電極板、大径のシリコン電極板および大径のAl製冷却板を貫通細孔が一致するようにボルトで固定して図1に示される構造の本発明プラズマエッチング用凸型シリコン電極板を作製した。
一方、単結晶シリコンインゴットから直径:250mm、厚さ:10mmを有する凸部および直径:300mm、厚さ:5mmを有する鍔部を形成するよう切り出して一体型の凸型シリコン電極板を作製し、この一体型の凸型シリコン電極板に直径:0.5mmの貫通細孔を形成した。さらに直径:0.5mmの貫通細孔を設けた大径のAl製冷却板を用意し、一体型の凸型シリコン電極板に大径のAl製冷却板をボルトで固定して従来プラズマエッチング用凸型シリコン電極板を作製した。
この本発明プラズマエッチング用シリコン凸型電極板および従来プラズマエッチング用凸型シリコン電極板をプラズマエッチング装置にセットし、さらにウエハをセットし、周波数:13.5MHz,出力:800W,プラズマ発生ガス:Arガスの条件でプラズマを発生させプラズマエッチングを50時間行った。その結果、従来プラズマエッチング用凸型シリコン電極板における角には亀裂が発生する場合があったが、本発明プラズマエッチング用シリコン凸型電極板には亀裂の発生は見られなかった。
この発明のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板を説明するための断面説明図である。 この発明のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板の製造法を説明するための断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板の断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板の使用方法を説明するための断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用凸型シリコン電極板の使用時に発生する亀裂を説明するための断面説明図である。
符号の説明
1 凸型シリコン電極板
2 凸部
3 冷却板
4 ウエハ
5 貫通細孔
6 ボルト
7 シールドリング
8 鍔部
9 冷却板付きプラズマエッチング用凸型シリコン電極板
10 プラズマ
11 亀裂
12 エッチングガス
13 小径のシリコン電極板
14 大径のシリコン電極板
15 穴
16 穴
17 穴

Claims (1)

  1. 貫通細孔を有する小径のシリコン電極板と、貫通細孔を有する大径のシリコン電極板と、貫通細孔を有する大径の冷却板とを同心円状にかつ前記貫通細孔が連通するように重ね合わせ、前記小径のシリコン電極板と前記大径のシリコン電極板とを前記大径の冷却板にボルトで固定してなり、前記大径のシリコン電極板の外周部分に形成された鍔部でシールドリングにより支持されることを特徴とする亀裂が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板。
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