CN102191502B - 气体簇射用构造体和基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供气体簇射用构造体和基板处理装置。该构造体将基座板层叠在顶板上而形成，用于呈簇射状向处理气氛供给气体，能不受组装误差的影响而将两板的压接力设定为适当的大小，且能防止固定两者的固定构件与顶板之间的摩擦。从顶板的下表面侧插入螺纹构件而将螺纹构件与基座板螺纹连接，在螺纹构件的头部与顶板之间夹装环状的弹性体，利用弹性体的复原力使顶板与基座板压接。此时，在上述头部和顶板之间形成有间隙。并且在上述头部的外缘侧夹装环状的弹性体的状态下，在该头部覆盖罩。作为另一例，使基座板比顶板的外缘突出，用螺纹构件固定位于顶板外缘部的外侧的环状的夹持构件和基座板的突出部分，且使弹性体介于夹持构件与顶板之间。

Description

气体簇射用构造体和基板处理装置

技术领域

本发明涉及在处理容器内向基板供给气体来进行处理的装置中的与基板相对设置的气体簇射用构造体和基板处理装置。

背景技术

作为用于半导体制造工艺的装置，存在对基板一张一张地进行处理的所谓单张式装置，作为具体的处理，能够列举出用等离子体进行CVD(chemical vapor deposition)、蚀刻等的等离子处理、进行热CVD等的热处理等。进行这样处理的装置通常在真空气氛内进行处理，因此，在构成为真空腔室的处理容器内设有载置台，并且在与该载置台相对的位置配置有用于呈簇射状向基板供给处理气体的气体簇射用构造体。

图10概略地示出真空处理装置的一般构造，附图标记101表示处理容器，附图标记102表示用于载置基板103的载置台，附图标记104表示兼用作处理容器101的顶板的气体簇射头，附图标记105表示用于进行真空排气的排气管。气体簇射头104具有利用未图示的密封构件气密地堵在处理容器101的上表面的开口部的盖构件106和簇射板107，使处理气体从气体导入件108经由扩散室109而自形成在簇射板107上的气体导入孔100呈簇射状流动。

簇射板107是将由互不相同的材质构成的两张板材层叠而形成的，位于上侧的基座板110的材质例如采用铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属，位于下侧的顶板111的材质采用硅(Si)、碳化硅(SiC)、石英等。这样采用两张板的理由如下所述：由于处理气氛是真空气氛，因此，对于整个簇射板107来说，要求其为不会因减压所施加的应力而变形的构造，而对于簇射板107的暴露于处理气氛中的部位，要求其为不能被金属污染的构造，在进行等离子处理的情况下，除了这样的要求之外，还要求其为具有耐等离子性的构造。

作为将基座板110和顶板111接合的构造，公知有例如图11的(a)、(b)所示的构造。图11的(a)的构造如下所述：将基座板110的外缘形成为比顶板111的外缘突出，并且利用螺纹构件113将基座板110和具有与该突出的部位相对的部分和覆盖顶板111的下表面周缘部的部分的环状的金属制夹持构件112彼此压接，从而将顶板111夹持在该基座板110和夹持构件112之间。另外，图11的(b)的构造是利用螺纹构件114将基座板110和顶板111在周缘部从顶板111侧固定的构造。

不过，在使用夹持构件112的构造中，利用螺纹构件113借助于夹持构件112进行基座板110和顶板111之间的压接，因此，需要在设计上在夹持构件112和基座板110之间形成间隙，利用该间隙，将压接力管理为螺丝扭力(screw torque)。因此，在螺纹构件113过紧时，需要不放松这样的严格的螺丝扭力的管理，要求严格的操作，有可能引起组装误差所导致的性能的偏差(压接力的偏差)。另外，作为夹持构件112的材质，从加工的容易性出发，采用金属，但由于顶板111与夹持构件112的材质互不相同，因此，担心在两者的压接部位S处产生因热膨胀的差异所导致的摩擦，从摩擦部位产生微粒，微粒分散到处理气氛中。

并且，簇射板107的温度是重要的工艺参数，因此，从簇射板107的上方侧、例如从簇射头104的外侧进行温度调整，但由于在夹持构件112与基座板110之间形成有间隙，因此两者之间的热传导较差。另外，在等离子处理中，在簇射板107被用作电极的情况下，导电较差。这样，热传导和导电较差时，簇射板107及其附近周围之间的热、电场的均匀性变差，因此有可能对基板的处理的面内均匀性带来不良的影响。

另外，在图11的(b)的构造中，利用螺纹构件114进行基座板110和顶板111之间的压接，因此，需要严格的螺纹扭力的管理。并且，由于顶板111的材质如上所述那样采用陶瓷等，而螺纹构件114的材质是金属，因此，需要将螺纹孔设在基座板110侧，因此，在螺纹构件114和顶板构件111之间的压接部位S处产生因热膨胀的差异所导致的摩擦，存在与上述相同的课题。另外，为了保护螺纹构件114的头部免受等离子体的影响，有时采用沿着顶板111的周向形成的环状的罩构件，但罩构件为大型时，在选择耐等离子性高的材质方面存在限制。并且，由于在罩构件和顶板111之间存在间隙，因此，无法消除等离子体从该间隙进入而损伤螺纹构件114、螺纹构件114发生放松、破损这样的担心。

在专利文献1中记载有利用螺钉将开设有多个孔的导体板隔着具有弹性的电接触构件固定于支持构造体的构造，但导体板和支承构造体之间的热传导、导电借助具有弹性的电接触构件局部地进行，因此难以说是传递作用良好。另外，担心在螺钉和垫片之间以及垫片与导体板之间产生因热膨胀的差异导致的摩擦，在处理气氛中分散有微粒。

另外，在专利文献2中记载有借助螺旋状的金属管将气体簇射板接合于高频电极主体的下侧的构造，但在从气体簇射板侧进行螺纹固定的情况下，会引起与图11的(b)同样的问题。

专利文献1：日本特开2001-135499(图1)

专利文献2：日本特开2004-356509(图1和图3)

发明内容

本发明就是基于上述情况而做成的，其目的在于提供一种设置于利用气体处理基板的处理容器中的、将面对处理气氛的板状体层叠于基座构件而成的气体簇射用构造体，该气体簇射用构造体能够不受组装误差的影响而将基座构件和板状体之间的压接力设定为适当的大小，并且，能够防止因固定两者的固定构件和板状体之间的摩擦所产生的微粒污染。

本发明的气体簇射用构造体被设置成与配置在处理容器内的基板相对，呈簇射状供给用于对基板进行处理的气体，其特征在于，该气体簇射用构造体包括：

板状体，其面对处理气氛地配置，设有多个气体喷出孔；

基座构件，其与该板状体压接并层叠于该板状体上，在该基座构件的与上述气体喷出孔相对应的位置设有气体喷出孔，

固定构件，该固定构件将板状体夹持在其与上述基座板构件之间，该固定构件用于将该板状体压接于基座构件；

压接用弹性体，其介于上述板状体的处理气氛侧的面和上述固定构件之间，由于固定构件与板状体接近而变形，从而作用有复原力；

利用上述弹性体的复原力将板状体压接于基座构件，在上述固定构件与板状体的处理气氛侧的面之间形成间隙。

具体而言，例如能够列举出如下机构。

(1)上述固定构件是被从板状体侧插入而与基座构件螺纹连接的螺纹构件；

上述弹性体介于该螺纹构件的头部和板状体之间。

(2)上述基座构件的外缘部构成为比上述板状体的外缘突出的突出部分；

上述固定构件由夹持构件和螺纹构件构成，该夹持构件具有内侧部分和外侧部分，该内侧部分形成为将上述板状体的外缘部夹持在该内侧部分与上述基座构件之间，该外侧部分压接于该基座构件的上述突出部分，该螺纹构件从上述基座构件的突出部分侧插入而与上述夹持构件的外侧部分螺纹连接，用于对该突出部分和上述夹持构件的外侧部分进行压接并进行固定；

上述压接用弹性体介于上述夹持构件和板状体之间。

另外，另一技术方案的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：

处理容器，其在内部设有基板载置部；

上述气体簇射用构造体；

气体供给部，其用于将处理气体供给到该气体簇射用构造体的气体喷出孔；

真空排气部，其用于对上述处理容器内进行真空排气。

本发明的气体簇射用构造体是将基座构件层叠于面对处理气氛地配置的板状体而形成的，用于呈簇射状供给气体，在板状体的处理气氛侧配置固定构件而将板状体夹持在该固定构件和基座构件之间，并且，在板状体和固定构件之间夹装弹性体，从而利用弹性体的复原力将板状体压接于基座构件，在固定构件与板状体之间形成有间隙。因而，能够不受组装误差的影响而将基座构件和板状体之间的压接力设定为适当的大小，并且，能够防止因固定两者的固定构件和板状体之间的摩擦所产生的微粒污染。

附图说明

图1是表示本发明的基板处理装置的实施方式的整体结构图。

图2是表示上述气体簇射用构造体的纵剖视图。

图3是表示作为上述基板处理装置的主要部分的气体簇射用构造体的一个例子的仰视图。

图4是表示上述气体簇射用构造体所采用的螺纹部和罩的分解剖视图。

图5是表示上述气体簇射用构造体所采用的弹性体的例子的剖视图。

图6是表示上述气体簇射用构造体的另一例子的纵剖视图。

图7是表示上述气体簇射用构造体的另一例子的分解立体图。

图8是表示上述气体簇射用构造体的又一例子的分解立体图。

图9是表示上述气体簇射用构造体的再一例子的分解立体图。

图10是表示以往的基板处理装置的一个例子的概略图。

图11是表示以往的气体簇射用构造体的纵剖视图。

具体实施方式

下面，对具有作为本发明的实施方式的气体簇射用构造体的基板处理装置的一个例子进行说明。图1表示基板处理装置的整体构造，该基板处理装置是作为等离子处理装置的RIE(Reactive Ion Etching)等离子蚀刻装置。首先，对该基板处理装置的整体结构进行简单说明。图1中的附图标记1是例如由铝构成的气密的处理容器(真空腔室)。上述处理容器1由小直径的圆筒状的上部1a和大直径的圆筒状的下部1b构成，设有用于水平载置作为基板的半导体晶圆W(以下称为晶圆)且作为下部电极而起作用的载置台2。上述载置台2例如由铝构成，隔着绝缘板11被支承在导体的支承台12上。并且，在上述载置台2的上方的外周设有例如由硅(Si)形成的聚焦环(focus ring)13。上述支承台12的下方部分被罩14覆盖。在上述支承台12的外侧设有挡板15。

上述处理容器1的顶壁部分构成为用于将处理气体导入到处理容器1内的作为气体供给部的气体簇射头16。气体簇射头16包括：堵在处理容器1的上表面开口部的例如由铝构成的盖构件17；隔着气体的扩散空间配置在该盖构件的下方侧的、相当于本发明的实施方式的气体簇射用构造体3。该气体簇射用构造体3随后详述，是将基座板31和顶板32层叠而成的，该气体簇射用构造体3具有：形成有多个气体喷出孔33的簇射板30；用于将基座板31和顶板32彼此压接而固定的螺纹构件4。

在气体簇射头16的上部设有气体导入件18，并且在气体簇射头16的内部形成有用于供气体扩散的扩散空间19。上述气体导入件18与气体供给管181相连接，该气体供给管181的另一端与用于供给处理气体的气体供给系统182相连接。

簇射板30作为上部电极而起作用，与作为下部电极起作用的载置台2平行地相对配置，由此，簇射板30与载置台2构成一对平行的平板电极。在上述处理容器1的下部1b的底壁上形成有排气口21，该排气口21与真空泵22相连接。在图1中，附图标记23是由闸阀24进行开闭的搬入搬出口。

上述载置台2经由匹配器28和25分别与等离子体形成用的第1高频电源26和离子牵制用的第2高频电源27相连接。并且，在载置台2的表面部设有静电吸盘201，该静电吸盘201被直流电源29驱动，用于吸附保持晶圆W。在上述载置台2的内部设有冷却室202，经由制冷剂导入管203向该冷却室202中导入制冷剂，使制冷剂从制冷剂排出管204排出而进行循环，该冷热通过载置台2传递到晶圆W，由此，将晶圆W的处理面控制成期望的温度。并且，在图1中，附图标记205是气体导入机构，该气体导入机构205用于经由气体供给管线206将传热用气体导入到静电吸盘201的表面和晶圆W的背面之间。

在上述处理容器1的上部1a的周围，只在上下电极之间的处理空间的周边部形成有磁场，为了获得将等离子体封闭在处理空间的作用，隔着搬入搬出口23配置有两个多极环形磁铁25a、25b。

下面，对气体簇射用构造体3的结构进行详细说明。如图1和2所示，气体簇射用构造体3在圆形的基座板31的下表面侧层叠有与该基座板31相同直径的圆形的顶板32。上述基座板31和顶板32分别相当于权利要求中的基座构件和板状体。基座板31由金属、例如铝构成，厚度例如为20mm。作为顶板32的材质，使用例如采用耐等离子性大的材料例如石英、碳化硅(SiC)或氮化硅等陶瓷，或者优选使用即使被等离子体撞击而成分分散对半导体装置的不良影响也较小的硅等。另外，顶板32的厚度例如为3～10mm。在基座板31和顶板32上的彼此对应的位置设有多个气体喷出孔33。另外，为了避免附图标记复杂化，对基座板31和顶板32的气体喷出孔都标注共用的附图标记“33”。并且，为了方便说明，将基座板31和顶板32的层叠体称为簇射板30。采用该簇射板30，能够使基座板31和顶板32分别分担防止因减压所施加的应力时的变形的作用、防止由于暴露于处理气氛中而分散有微粒、重金属的作用。

对于气体喷出孔33的布局，能够采用沿着以簇射板30的中心为中心的多个同心圆而形成的图案、形成为狭缝状的图案等。通过这样在簇射板30上形成气体喷出孔33，使利用扩散空间19扩散的气体呈簇射状流到处理气氛中。

上述基座板31和顶板32在顶板32的外缘部(外缘的附近区域)的周向上的等间隔的多个部位，从顶板32的下表面侧插入有作为固定构件的例如金属制的螺纹构件4，该螺纹构件4与基座板31的螺纹孔34螺纹连接。图3是从下方侧观察利用螺纹构件4将顶板32固定在基座板31上的状态的图，在该例子中，由螺纹构件4固定的部位为8处。

如图2和4所示，螺纹构件4由头部41和杆部42构成，头部41由大直径的圆形状的平板部41a(参照图2的右侧)和直径小于平板部41a的直径且大于杆部42的直径的圆筒部41b构成，该圆筒部41b在该平板部41的中央部向杆部42侧突出。并且，在顶板32上形成有口径稍大于螺纹构件4的圆筒部41b的通孔35，在螺纹构件4与基座板31的螺纹孔34螺纹连接时，圆筒部41b被收纳在顶板32的通孔35内。并且，圆筒部41b的杆部42侧的环状的面45作为在紧固螺纹构件4时与暴露在上述通孔35内的基座板31的下表面抵接的所谓停止面而起作用。

如图2和4所示，在螺纹构件4的头部41的平板部41a的靠杆部42侧的面(与顶板32相对的面)上以围绕杆部42的方式形成有环状的槽43，并且在该槽43的外侧形成有深度比该槽部43深的、切除外缘部而形成的缺口部44。

并且，在第1槽43中嵌合有与该第1槽43相对应地形成的环状的压接用弹性体51。该弹性体51在不变形时形成为从槽43突出那样的大小，在紧固螺纹构件4而使头部41与顶板32接近时，该弹性体51被夹在头部41的平板部41a和顶板32之间，被压扁而变形，顶板32被该弹性体51的复原力向基座板31侧按压，从而将顶板32和基座板31以彼此压接的状态固定。因而，在紧固螺纹构件4结束时，在螺纹构件4的头部41的平板部41a与顶板32之间形成有间隙。

在该例子中，螺纹构件4的各部分的尺寸被设定为：在处于适当的紧固状态时螺纹构件4的圆筒部41b的停止面(环状面)45与基座板31的下表面抵接而不过多地进入到基座板31内，因此，通过将螺纹构件4紧固到停止面45与基座板31抵接，能够始终获得适当的紧固状态、即能够获得顶板32和基座板31之间的适当的压接力。

如图2的右侧所示，上述间隙的尺寸D优选例如为0.2mm以下，以便抑制来自处理气氛的等离子体进入、尽可能地避免弹性体51与处理气氛、在本例中为等离子体接触而受到损伤。根据这一点，该间隙尽可能越小越好，但由于在利用等离子体加热顶板32时，螺纹构件4和顶板32之间的热膨胀的程度不同，因此，需要确保两者不会由于该热膨胀差异而发生摩擦那样程度的间隙。

如上所述，在该例子中，螺纹构件4将顶板32夹在其与基座板31之间，作为用于将该顶板32压接于基座板31的固定构件而起作用。

螺纹构件4的头部41被罩(帽)6从与杆部42相反的一侧覆盖，该罩6构成为内周面越向底部去越扩大的形状。因此，通过将环状的罩用弹性体52嵌入上述缺口部44，使该罩6克服该弹性体52的复原力地覆盖螺纹构件4的头部41，从而将罩6在自重的作用下不会脱落地安装于头部41上。另外，罩6的底面与头部41也可以利用未图示的粘接层粘接。该弹性体52具有吸收螺纹构件4和罩6之间的热膨胀差异的作用，并且具有抑制等离子体蔓延到头部41的顶面(在图2的状态下为下表面)、从而保护头部41和上述粘接层(存在粘接层的情况下)的作用。作为罩6的材质，优选相对于处理气氛难以产生劣化、难以受到损伤的材质，在该例子中优选耐等离子性大的材质，例如采用石英、碳化硅或氮化硅等陶瓷。

在此，作为上述弹性体51、52的构造，优选形成为表面相对于等离子的耐性较大、复原力(反作用力)不易由于热、经时变化(随着时间的变化而变化)而降低、不易对所接触的对象件造成损伤且表面摩擦阻力较小的构造。另外，所谓等离子体是指离子、自由基等活性种群。图5示出了弹性体51、52的具体例子。图5的(a)是表示这样的构造：以O型圈53为芯材，利用例如氟素树脂(例如，商品名“Teflon”(注册商标))覆盖该O型圈53的周围而形成为覆盖层54。图5的(b)是表示这样的构造：以在例如材质由不锈钢系材料构成的金属管上沿长度方向形成狭缝、在横截面上看时为一个部位被切除的构造的金属弹簧55为芯材，利用例如氟素树脂覆盖该金属管55的周围而形成为覆盖层54。上述构造对采用等离子体的工艺是有效的。图5的(c)是将上述O型圈53保持原样地用作弹性体的构造，是在不需要对等离子的抗性的情况下可以选择的构造之一。图5的(d)是将金属弹簧55保持原样地用作弹性体的构造，在要求强的复原力的情况下是有效的。

下面说明上述等离子处理装置的作用。首先，打开闸阀24，从搬入搬出口23将晶圆W搬入到处理容器1内，将晶圆W载置在载置台2上，利用静电吸盘201静电吸附晶圆W，之后，利用真空泵22经由排气口21将处理容器1内排气成规定的真空度。然后，从处理气体供给系统182经由气体供给管181、气体导入件18向气体簇射头16的扩散空间19内供给处理气体例如氟(F)等气体，将该处理气体从气体喷出孔33喷出到处理气氛中。然后，使处理容器1内的气体压力为规定的工艺压力(真空度)，在该状态下，从第1高频电源26向载置台2供给例如100MHz的高频电力，在载置台2和顶板32之间(处理气氛)形成高频电场。

并且，从第2高频电源27供给例如3.2MHz的高频电力，以便控制等离子体的离子能量。并且，在处理气氛中由多极环状磁铁25a、25b形成水平磁场，因此在晶圆W所存在的电极间的处理空间形成有正交电磁场，由此，利用所产生的电子的漂移形成磁控放电。然后，利用该磁控放电使处理气体等离子化，利用该等离子体对形成在该晶圆W的表面的规定的膜进行蚀刻。

在上述的实施方式中，在顶板32与基座板31层叠而固定的构造中，从基座板31侧插入螺纹构件4而与顶板32螺纹连接，并且，在螺纹构件4的头部41和顶板32之间夹装弹性体51，利用该弹性体51的复原力进行基座板31和顶板32之间的压接。因此，与未夹装弹性体51的情况相比，容易进行螺纹构件4的扭力管理，能够不受组装误差的影响而将基座板31与顶板32之间的压接力设定为适当的大小。并且，如上所述，预先将螺纹构件4的各部分的尺寸设定为在处于适当的紧固状态时螺纹构件4的停止面45与基座板31的下表面相抵接，由此实质上不需要进行扭力管理，更容易进行组装，上述压接力始终与预定的大小一致。并且，由于螺纹构件4被弹性体51的复原力向下侧按压，因此，能够抑制螺纹构件4的放松。

并且，由于利用弹性体51能实现上述压接，因此，在螺纹构件4的头部41与顶板32之间形成有间隙，因此，能够防止构件间因两者的热膨胀差异引起摩擦，能够防止因摩擦所产生的微粒。并且，通过使弹性体51的至少表面为氟素树脂等摩擦系数较小的材质，从而能够进一步防止因摩擦所产生的微粒。并且，即使上述间隙因热膨胀而扩大，也能够通过夹装弹性体51来防止等离子体进入到螺纹构件4的杆部42侧。并且，由于利用罩6覆盖螺纹构件4，因此，能抑制处理气氛与螺纹构件4相接触，并且，针对每个螺纹构件4设有罩6，因此，与沿着顶板32的整周呈环状设置罩的情况相比，更加小型化，因此材质的选择自由度变大。并且，如上所述就足够了，但由于在罩6和螺纹构件4之间夹装有罩用弹性体52，因此，欲进入螺纹构件4侧的等离子体被该弹性体52阻止，并且，通过夹装该弹性体52也能够防止罩6与螺纹构件4之间因热膨胀差异所产生的摩擦。

参照图6和图7说明本发明的气体簇射构造体的另一实施方式。在该实施方式中，在簇射板30的外缘部的下表面侧，沿着簇射板30的整周设有形成为环状的夹持构件7。基座板31的外缘部构成为比顶板32的外缘突出的突出部分311，该突出部分311形成得稍薄于层叠在顶板32上的部分，因而，该突出部分311的下表面位于顶板32的上表面的上方侧。

夹持构件7由与顶板32的外缘部相对的内侧部分71以及与基座板31的突出部分311的下表面相对且相接触的外侧部分72构成，在内侧部分71中，在从内缘起向外侧例如20mm的位置，沿着该夹持构件7的整周形成有环状的槽73，并且，比该槽73靠内缘侧的部位的表面形成为与顶板32之间隔着微小的间隙地相对的水平面74。并且，在上述夹持构件7的槽73内设有环状的压接用弹性体75，并且，从基座板31的突出部分311的上表面侧插入螺纹构件8，与夹持构件7的外侧部分72的螺纹孔81螺纹连接。由该螺纹构件8固定的部位沿着簇射板30的周向等间隔地形成有多处、如先前的实施方式那样例如为8处。

通过紧固螺纹构件8来使夹持构件7接近簇射板30侧，由此，弹性体75被压扁而变形。因此，利用该弹性体75的复原力将顶板32压接于基座板31。夹持构件7的外侧部分72的厚度和槽73的深度被设定为：在基座板31的突出部分311与夹持构件7的外侧部分72接触的状态下，利用弹性体75的复原力(反作用力)使基座板31和顶板32之间的压接力变得适当。因而，紧固螺纹构件8而使基座板31和夹持构件7接触之后，为了可靠地进行该接触，通过稍微施加扭力，能够使基座板31和顶板32之间的压接力适当，但也可以预先将螺纹构件8的各部分的尺寸设定为：在该压接力适当时，螺纹构件8的头部80的下表面(停止面)与基座板31相抵接。另外，对于弹体体75的材质、构造，可以采用与先前实施方式所记载的材质、构造相同的材质、构造。

优选是在比簇射板30靠上方侧的例如处理容器1的壁部设有温度调整机构，该温度调整机构隔着基座板31而将顶板32的温度调整成适于处理的温度，因此，也能将夹持构件7调整成适宜的温度。另外，优选在夹持构件7上隔着该夹持构件7在基座板31上流动有高频，从而在夹持构件7上形成均匀性高的电场。因而，在本实施方式中，夹持构件7与基座板31之间无间隙地接触，因此能够满足这样的要求、即能够在两者之间实现良好的热传导和电接触。因此，最好在两者之间不产生热膨胀的差异，从该观点出发，夹持构件7的材质采用与基座板31相同的材质、在该例子中采用铝。

并且，从抑制等离子体的进入来抑制弹性体的劣化的观点出发，夹持构件7的内侧部分74的水平面部74和顶板32之间的间隙优选例如为0.1～1mm，更优选为0.2mm以下。并且，从内侧部分71的内缘到槽73的距离优选例如为10mm以上，在该例子中被设定为20mm。在该例子中，权利要求中的固定构件由夹持构件7和螺纹构件8构成。

在这样的实施方式中，在夹持构件7和顶板32之间夹装弹性体75，利用弹性体75的复原力进行基座板31和顶板32之间的压接。因此，与不夹装弹性体75的情况相比容易进行螺纹构件4的扭力管理，能够不受组装误差的影响而将基座板31与顶板32之间的压接力设定为适当的大小。另外，虽然夹持构件7和顶板32之间的材质不同，但由于两者之间形成有间隙，因此，不会产生因热膨胀的差异所引起的摩擦，因而，能够防止微粒分散到处理气氛中。

另外，如图8和图9所示，也可以不沿夹持构件7的内侧部分的整周设置弹性体75，而是在周向上隔开间隔地设置，收纳弹性体75的槽73构成为凹部，弹性体75构成为收纳于该槽(凹部)73的形状。对于该例子中的附图标记，与图6和图7相对应的部位采用相同的附图标记。

并且，本发明并不限于应用于等离子处理装置，也可以是进行不采用等离子体的处理例如热CVD等的装置。并且，处理气氛也可以不是减压气氛，而是加压气氛。

Claims (7)

1.一种气体簇射用构造体，其被设置成与配置在处理容器内的基板相对，用于呈簇射状供给用于对基板进行处理的气体，其特征在于，该气体簇射用构造体包括：

板状体，其面对处理气氛地配置，设有多个气体喷出孔；

基座构件，其与该板状体压接并层叠于该板状体上，在该基座构件的与上述气体喷出孔相对应的位置设有气体喷出孔，

固定构件，该固定构件将上述板状体夹持在其与上述基座板构件之间，该固定构件用于将该板状体压接于基座构件；

压接用弹性体，其介于上述板状体的处理气氛侧的面和上述固定构件之间，由于固定构件与板状体接近而变形，从而作用有复原力；

利用上述弹性体的复原力将上述板状体压接于上述基座构件，在上述固定构件与板状体的处理气氛侧的面之间形成有间隙，

上述固定构件是被从上述板状体侧插入而与上述基座构件螺纹连接的螺纹构件；

上述弹性体介于该螺纹构件的头部和上述板状体之间，

上述螺纹构件是金属制成的，在上述螺纹构件的头部覆盖有自由装卸的罩，该罩由用于防止处理气氛对螺纹构件造成损伤的材质构成。

2.根据权利要求1所述的气体簇射用构造体，其特征在于，

上述弹性体以围绕上述螺纹构件的杆部的方式形成为环状。

3.根据权利要求1或2所述的气体簇射用构造体，其特征在于，

在上述螺纹构件的头部的周缘与上述罩的内表面之间夹装有罩用弹性体，该罩用弹性体用于吸收上述螺纹构件与上述罩之间的热膨胀的差异。

4.根据权利要求3所述的气体簇射用构造体，其特征在于，

上述罩用弹性体的至少表层部由用于保护螺纹构件不受处理气氛的损伤的材质构成。

5.根据权利要求1或2所述的气体簇射用构造体，其特征在于，

基板的处理是等离子处理，上述间隙为0.2mm以下。

6.根据权利要求1或2所述的气体簇射用构造体，其特征在于，

上述压接用弹性体是利用氟树脂覆盖具有弹性的芯材而构成的。

7.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：

处理容器，其在内部设有基板载置部；

权利要求1或2所述的气体簇射用构造体，其与上述基板载置部相对设置；

气体供给部，其用于将处理气体供给到该气体簇射用构造体的气体喷出孔；

真空排气部，其用于对上述处理容器内进行真空排气。

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