JP3686663B1 - プラズマ処理装置の電極構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 大面積の被処理物用のプラズマ処理装置において、電極のクーロン力による撓み量を低減し、表面処理の均一性を確保する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極構造３０Ｘは、左右にそれぞれ延びるとともに前後に互いに対峙する一対の電極列３１Ｘ，３２Ｘからなる。各電極列は、左右に並べられた複数の電極部材３１Ａ〜３２Ｃにて構成され、左右方向の実質的に同じ位置に配置された一方の電極列と他方の電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの対向面の間に列間部分隙間３３ｐを形成している。さらに、各電極列の隣り合う電極部材どうしの極性が互いに逆になっている。
【選択図】 図２

Description

この発明は、処理ガスを電極間でプラズマ化し、被処理物の表面処理を行なう所謂リモート式のプラズマ処理装置に関し、特に大面積の被処理物の処理に適したプラズマ処理装置の電極構造に関する。

例えば、特許文献１には、処理ガスを電極間の放電空間でプラズマ化して吹出し、搬送手段で送られて来た被処理物に当てる所謂リモート式のプラズマ処理装置が記載されている。該装置の電極は、２つの平らな電極板を平行に対向配置した構造になっている。通常、これら電極板は、被処理物の幅（搬送方向と直交する方向）以上の長さのものが用いられる。したがって、これら電極板の間の放電空間およびそれに連なるプラズマ吹出し口も、被処理物の幅寸法以上の長さになっている。これによって、電極間でプラズマ化した処理ガスを吹出し口の全長域から一様に吹出し、被処理物の全幅を一度にプラズマ処理できる。この結果、処理効率を向上させることができる。

特開２００２−１４３７９５号公報（第１頁、図４）

近年、液晶用ガラス基板などの被処理物は、大型化が進んでおり、例えば１辺が１．５ｍ〜数ｍのものも登場して来ている。このような幅広・大面積の被処理物に対応するには、プラズマ処理装置の電極板を長尺化する必要がある。
しかし、電極板が長くなればなるほど、寸法精度を確保するのが難しくなるだけでなく、両電極板間に作用するクーロン力や、電極を構成する金属本体とその表面の固体誘電体との熱膨張率の違いや電極内部の温度差による熱応力等によって撓みやすくなる。そのため、放電空間の厚さが不均一になりやすく、ひいては表面処理の均一性が損なわれやすい。クーロン力に対抗するには、電極板を厚肉にし剛性を高めることが考えられるが、そうすると電極重量が増大し、これを支える電極支持構造に負担が掛かるだけでなく、材料費や加工費も上昇してしまう。
また、電極が大型化すると電源からの単位面積あたりの供給電力が小さくなり、処理能力が低下してしまう。電源を大容量のものに替えればよいが、製造コスト等の面で容易でない。小容量電源でもこれを複数用意して１つの電極板に接続すれば全体の供給電力を増大させることができるが、その場合、これら複数の電源を互いに同期させる必要がある。

本発明は、処理ガスを放電空間でプラズマ化して吹出し、被処理物に当てることによりプラズマ処理を行なう装置に係り、特に、前記放電空間を形成する電極構造に係る。この電極構造は、一方向に並べられた複数の電極部材からなる第１電極列と、この第１電極列と平行に並べられた他の複数の電極部材からなる第２電極列と、を含んでいる。
前記並び方向の実質的に同じ位置に配置された第１、第２電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の一部分となる列間部分隙間を構成している。
第１、第２電極列どうしの間に前記列間部分隙間を部分とする列間隙間が形成されている。すなわち、第１、第２電極列どうしの間には、複数の列間部分隙間を一列に連ねてなる列間隙間が形成されている。
第１、第２電極列の電極部材の長さは、被処理物の寸法より短いことが望ましい。
第１、第２電極列の各々の長さは、全体として被処理物の寸法に対応する大きさであることが望ましい。
列間隙間は、列間部分隙間を複数一列に並べることにより構成され、前記放電空間の略全部または大部分を構成する。

これによって、被処理物の略全幅を一度に処理でき、良好な処理効率を確保できるとともに、個々の電極部材の長さを被処理物の幅の数分の１程度に短くすることができる。或いは、被処理物の幅寸法に依らず、個々の電極部材をある短い長さにし、その並び数を調節することによって、被処理物の幅に対応させることができる。これによって、寸法精度の確保が容易になるだけでなく、クーロン力等による電極部材の撓み量を小さくでき、ひいては、表面処理の均一性を確保することができる。電極部材を厚肉にする必要もなく、重量増大を回避して支持構造への負担を軽減でき、材料費等の上昇を抑えることができる。
被処理物は、前記第１、第２電極列の延び方向（これら電極列の電極部材の並び方向）と交差するように相対移動されるのが好ましい。すなわち、プラズマ処理装置は、前記電極構造を含む放電処理部と、被処理物を前記放電処理部に対し前記電極構造の列間隙間と交差する方向に相対移動させる移動手段とを備えていることが望ましい。

前記極性としては、電界印加極と接地極がある。そのうち電界印加極を構成する電極部材どうしが、互いに異なる電源に接続されていることが望ましい（図２参照）。これによって、大容量電源を用いなくても各電極部材の単位面積あたりの供給電力を十分に大きくでき、処理ガスを十分にプラズマ化でき、処理能力を高くすることができる。また、電源ごとに別の電極部材に電力供給するので、電源どうしを同期させる必要がない。
電界印加極を構成する電極部材どうしが、共通（単一）の電源に接続されていてもよい（図３４参照）。
隣り合う列間部分隙間どうしは、直接または連通空間を介して連通されていてもよく（図２、図３７参照）、隔壁で隔てられていてもよい。

前記第１電極列と第２電極列の実質的に同位置において互いに対向する電極部材どうしのうち少なくとも一方の電極列の電極部材の対向面には、固体誘電体を設ける。固体誘電体は、アルミナ等の溶射膜にて構成されていてもよく、セラミック等の板にて構成され、この板を電極部材の表面に付設することにしてもよい。セラミック等の容器に電極部材を納め、このセラミック等の容器を固体誘電体層として機能させることにしてもよい。
第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材どうしが、前記並び方向にずれていてもよい（図３３参照）。この場合、互いに長さの過半が対向している電極部材どうしが、「並び方向の実質的に同じ位置」に対向配置されたものに該当する。
各電極列における隣接電極部材どうし間の間隔は、処理条件等に応じて適宜設定される。

前記並び方向に隣り合う電極部材どうしの極性が互いに逆（互い違い）になっていることが望ましく、前記第１電極列および／または第２電極列において前記並び方向に隣り合う電極部材どうしの間に列内隙間を形成することがより望ましい（図２参照）。これによって、この列内隙間をも前記放電空間の他の一部分とすることができ、被処理物において、該隣接電極部材どうし間の境に対応する箇所をも確実に表面処理することができ、処理の均一性を一層高めることができる。なお、前記並び方向に隣り合う電極部材どうし間に放電空間の他の一部分としての列内間隙が形成されている場合には、これら隣り合う電極部材のうち少なくとも一方の端面にも、固体誘電体を設ける。さらに、電界印加極と接地極のうち電界印加極を構成する電極部材どうしを互いに異なる電源に接続することにすれば、単位面積あたりの供給電力を十分に大きくでき処理能力を高くできるのは勿論のこと、電源どうしが同期していなくても、電界印加極どうしが直接隣接していないのでアークが発生するおそれがない。

前記列内隙間の下流端は、処理ガスを前記列間隙間を介さずに吹出し可能に開口されていることが望ましい（図２７参照）。これによって、列内隙間でプラズマ化した処理ガスを列内隙間から直接的に吹出し、被処理物に当てることができる。

上記の互い違いの極性配置構造（図２等）に代えて、前記並び方向に隣り合う電極部材どうしが、同一極性になっていてもよい（図３５参照）。
この場合、電界印加極と接地極のうち電界印加極を構成する電極部材どうしを、互いに異なる電源に接続することにしてもよい（図３５参照）。これによって、単位面積あたりの供給電力を十分に大きくでき、処理能力を高くすることができる。
また、前記並び方向に隣り合う電界印加極の電極部材どうしの間には、絶縁性の隔壁を介在させるのが望ましい（図３５参照）。これによって、電源どうしが同期していなくても、隣接電極部材どうし間にアークが発生するのを防止できる。前記並び方向に隣り合う接地極の電極部材どうしの間にも、絶縁性の隔壁を介在させることにしてもよい。

前記放電空間の上流端には、処理ガス導入口を形成する導入口形成部が配され、前記放電空間の下流端には、吹出し口を形成する吹出し口形成部が配されているのが望ましい。そうすると、前記第１電極列及び第２電極列の延び方向すなわちこれら電極列の電極部材の並び方向は、前記処理ガス導入口から吹出し口への方向とは交差する方向になる。前記第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材どうしのうち前記並び方向の第１位置に配置されたものどうしは、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の一部分となる第１列間部分隙間を形成している。また、第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材どうしのうち、前記第１位置の隣の第２位置に配置されたものどうしが、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の他の一部分となる第２列間部分隙間を形成している。
更に、前記第１列間部分隙間における第２位置寄りの部位（隣寄りの部位）を通る処理ガス流を第２位置との境または第２位置の方向（隣方向）へ誘導するガス誘導手段を備えるのが望ましい（図５〜図３０参照）。第１列間部分隙間だけでなく、各列間部分隙間における隣の列間部分隙間寄りの側部を通る処理ガス流を、隣側へ誘導するガス誘導手段を付設するのが、より望ましい。
これによって、被処理物において、隣り合う列間部分隙間どうしの境に対応する箇所にもプラズマを十分に吹き付けることができ、処理ムラを防止することができる。ひいては、前記撓み抑制効果などと相俟って、表面処理の均一性を十分に確保することができる。
この場合、電界印加極の電極部材ごとに互いに異なる電源を接続することにすれば、各電源の容量を大きくすることなく、単位面積あたりの供給電力を十分に確保でき、しかも、これら電源を互いに同期させなくても済む。

前記第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位の内部には、前記ガス誘導手段として、吹出し口へ向かうにしたがって第２位置方向へ傾くガス誘導面を有するガス誘導部材が設けられていてもよい（図５参照）。これによって、隣寄りのガス流を、ガス誘導面に沿って隣方向へ確実に誘導することができる。この場合、前記ガス誘導部材の前記ガス誘導面より吹出し口側には、ガス誘導面とは逆方向に傾くガス戻し面が形成されていることが望ましい（図６参照）。これによって、隣方向へ向かう処理ガスの一部をガス誘導部材より吹出し口側へ回り込ませることができ、被処理物におけるガス誘導部材に対応する箇所にもプラズマを吹き付けることができ、処理ムラを確実に防止できる。

前記ガス誘導手段は、前記導入口形成部（前記電極構造より処理ガス導入側）に設けられていてもよい。
例えば、前記導入口が、前記第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位への分岐口を有し、この分岐口が、第２位置方向へ傾けられることにより、前記ガス誘導手段を構成していてもよい（図９参照）。これによって、処理ガスを列間部分隙間どうしの境へ確実に誘導することができる。

前記導入口における前記第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位と対応する位置に、前記ガス誘導手段として、第２位置方向へ傾けられた整流板が収容されていてもよい（図１３参照）。これによって、処理ガスを列間部分隙間どうしの境へ確実に誘導することができる。

前記ガス誘導手段が、前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間の境の前記導入口側の端部を塞ぐとともにそれより吹出し口側を開放する閉塞部を含んでいてもよい（図１５参照）。これによって、処理ガスが列間部分隙間でのプラズマ化を経たうえで列間部分隙間どうしの境に流れて行くようにすることができる。

前記導入口が、前記並び方向に延びるスリット状をなして第１列間部分隙間から第２列間部分隙間に跨っており、この導入口の前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間との境に対応する位置に前記閉塞部が収容されていてもよい（図１５参照）。
前記電極構造には、第１電極列における第１位置の電極部材と第２位置の電極部材どうし間、及び第２電極列における第１位置の電極部材と第２位置の電極部材どうし間にそれぞれ挟まる一対の介在部と、これら介在部を繋ぐ連結部を有するスペーサが設けられ、前記連結部が、前記境の前記導入口側の端部に片寄って配置されることにより前記閉塞部として提供されていてもよい（図１８参照）。処理ガスは、列間部分隙間を経て、前記境の前記連結部より吹出し口側の部分に流れて行く。

前記ガス誘導手段が、前記吹出し口形成部（前記電極構造より吹出し側）に設けられ、第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位から出た処理ガスを第２位置方向へ誘導するようになっていてもよい（図２１参照）。
この場合、前記ガス誘導手段が、第２方向へ傾くガス誘導面を有して、前記吹出し口内における前記第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位に対応する位置に配されていてもよい（図２１参照）。これによって、プラズマ化された処理ガスを、被処理物における列間部分隙間どうしの境に対応する部分に確実に当てることができる。

前記ガス誘導手段が、前記吹出し口内における前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間との境に対応する位置に前記電極構造の側に片寄って配置され、前記境の吹出し口側の端部を塞ぐ閉塞部を含んでいてもよい（図２６参照）。これによって、列間部分隙間どうしの境を流れて来た処理ガスが列間部分隙間へ流れてプラズマ化されるようにすることができ、列間部分隙間でのプラズマ化を経た処理ガスが閉塞部より下流側の吹出し口内に回り込むようにすることができる。
前記吹出し口が、スリット状をなして前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間に跨るようにして連なり、第１列間部分隙間から出た処理ガスが、隣方向（第２位置の方向）へ拡散するのを許容することにより前記ガス誘導手段を構成していてもよい（図２７参照）。

前記吹出し口形成部が、多孔板を有し、この多孔板によって、第１列間部分隙間からの処理ガスが分散され、ひいては第２位置方向へも拡散されて吹出され、これによって、前記多孔板が、前記ガス誘導手段として提供されるようになっていてもよい（図２３参照）。これによって、処理ガスを確実に均一化して吹出すことができ、処理ムラを確実に防止することができる。

前記吹出し口形成部の吹出し口における前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間どうしの境に対応する部位が、第１列間部分隙間に対応する部位よりも開口幅が大きくなっており、この開口幅の大きい部位が、前記ガス誘導手段として提供されるようになっていてもよい（図２７参照）。これによって、これによって、吹出し口における第１、第２列間部分隙間どうしの境に対応する部位の流通抵抗を、第１列間部分隙間に対応する部位の流通抵抗より小さくでき、第１列間部分隙間でプラズマ化された処理ガスが、前記境に対応する部位に流れて行くようにすることができる。

第１電極列における第１位置の電極部材と第２位置の電極部材どうしの極性が互いに逆になるとともにこれら電極部材どうしの間に列内隙間が形成されており、
第１電極列における第１位置の電極部材と第２位置の電極部材どうしの極性が互いに逆になるとともにこれら電極部材どうしの間に列内隙間が形成されており、
前記導入口形成部の導入口が、前記第１列間部分隙間と第２列間部分隙間に跨る列間導入口と、前記列内隙間に直接的に連なる列内導入口とを含んでいていてもよい（図３２参照）。

本発明のプラズマ処理は、好ましくは、大気圧近傍の圧力下（略常圧）で実行される。大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａ（１００〜８００Ｔｏｒｒ）が好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａ（７００〜７８０Ｔｏｒｒ）がより好ましい。
本発明は、好ましくは、大気圧グロー放電すなわち大気圧近傍の圧力下でグロー放電を起こすことによりプラズマを発生させ、処理を実行する。

本発明によれば、個々の電極部材の長さを被処理物の幅の数分の１程度に短くすることができる。或いは、被処理物の幅寸法に依らず、個々の電極部材をある短い長さにし、その並び数を調節することによって、被処理物の幅に対応させることができる。これによって、寸法精度の確保が容易になるだけでなく、クーロン力等による電極部材の撓み量を小さくでき、ひいては、表面処理の均一性を確保することができる。電極部材を厚肉にする必要もなく、重量増大を回避して支持構造への負担を軽減でき、材料費等の上昇を抑えることができる。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図１〜図３は、第１実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置を示したものである。この装置の被処理物Ｗは、例えば大型の液晶用ガラス基板であり、その幅方向（図２、図３において左右方向、図１において紙面と直交する方向）の寸法は、１．５ｍ程度である。被処理物Ｗは、加熱されていてもよく、冷却されていてもよく、常温に保たれていてもよい。

図１に示すように、プラズマ処理装置は、ノズルヘッド１と、処理ガス源２と、３つ（複数）の電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、搬送手段４とを備えている。
ノズルヘッド１は、図示しない支持手段によって、吹出し方向を下方に向けるようにして支持されている。
処理ガス源２には、処理目的に応じた処理ガスが蓄えられている。
電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、互いに同一のパルス状電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び／又は立下り時間は、１０μｓ以下、後記列間部分隙間３３ｐでの電界強度は１０〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが望ましい。
なお、パルス波に代えて、高周波などの連続波電源を用いることにしてもよい。
搬送手段４は、例えばローラコンベアからなり、被処理物のガラス基板Ｗを前後方向（図１において左右方向）に搬送してノズルヘッド１の下側に通すようになっている。このガラス基板Ｗに、ノズルヘッド１でプラズマ化された処理ガスが吹き付けられ、プラズマ表面処理が略常圧下で行なわれるようになっている。勿論、ガラス基板Ｗが固定され、ノズルヘッド１が移動するようになっていてもよい。搬送手段４として、ベルトコンベアや、上下のローラでワークを挟んで搬送するもの等の他の搬送手段で構成してもよい。

リモート式常圧プラズマ処理装置のノズルヘッド１について詳述する。
図１および図２に示すように、ノズルヘッド１は、上側の処理ガス導入部２０と、下側の放電処理部３０とを備え、前記ガラス基板Ｗの搬送方向（図２、図３において上下方向）と直交する左右方向に長く延びている。

処理ガス導入部２０は、左右（図１において紙面と直交する方向）に延びる２本のパイプ２１，２２からなるパイプユニット２５と、その上下に設けられた左右細長のチャンバー２３，２４とを有している。パイプユニット２５には、各パイプ２１，２２から上側のチャンバー２３に貫通するスポット状の孔２５ａが長手方向に沿って短間隔置きに多数形成されている。一方のパイプ２１の左端（図１において紙面手前）と他方のパイプ２２の右端（図１において紙面奥）に、ガス供給路２ａを介して処理ガス源２が連なっている。処理ガス源２からの処理ガスは、パイプ２１，２２内を互いに逆方向に流れながら、各スポット孔２５ａを通って上側のチャンバー２３に入る。その後、パイプユニット２５の前後両脇のスリット状の隙間２０ａを経て、下側のチャンバー２４に入る。これによって、処理ガスが、処理ガス導入部２０の左右長手方向の全ての位置で均一化され、放電処理部３０に導入されるようになっている。

放電処理部３０は、フレーム４０と、このフレーム４０に収容された電極ホルダ４８と、このホルダ４８の内部に設けられた電極ユニット（電極構造）３０Ｘと、下板４９を備えている。フレーム４０は、それぞれ剛性金属からなる上板４１と側板４２を含んでいる。ホルダ４８は、セラミックや樹脂などの絶縁材料からなる一対の逆Ｌ字断面の部材を含んでいる。

フレーム４０の上板４１には、チャンバー２４に連なるとともに左右（図１において紙面と直交する方向）に延びるスリット状の貫通孔４１ａが形成されている。ホルダ４８の一対の逆Ｌ字断面部材の上辺部どうし間には、上記貫通孔４１ａに連なるとともに左右に延びるスリット状の間隙４８ａが形成されている。これら貫通孔４１ａと間隙４８ａとにより左右に延びるスリット状の処理ガス導入口４３ａが構成されている。フレーム４０の上板４１とホルダ４８の一対の逆Ｌ字断面部材の上辺部とにより、導入口形成部４３が構成されている。
絶縁材料からなる下板４９は、左右に延びるスリット状の吹出し口４９ａを有し、吹出し口形成部を構成している。
処理ガス導入口４３ａを有する導入口形成部４３と吹出し口４９ａを有する下板４９は、電極ユニット３０Ｘを上下から挟むように配置されている。

次に、電極ユニット３０Ｘについて詳述する。
図１及び図２に示すように、電極ユニット３０Ｘは、前後に対向する一対の電極列３１Ｘ，３２Ｘを含んでいる。各電極列３１Ｘ，３２Ｘは、それぞれ左右に延びている。前側の第１電極列３１Ｘは、左右に並べられた３つ（ｎ個）の電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃにて構成されている。後側の第２電極列３２Ｘは、第１電極列３１Ｘと平行をなすように左右に並べられた３つ（ｎ個）の電極部材３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃにて構成されている。これら電極列３１Ｘ，３２Ｘどうしの間に左右に一直線をなすスリット状の列間隙間３３ｓが形成されている。

各電極部材３１Ａ〜３２Ｃは、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、黄銅等の合金、金属間化合物等の導電材料によって構成されている。各電極部材３１Ａ〜３２Ｃは、左右細長の厚い平板状をなしている。その左右方向の長さは、被処理物Ｗの左右方向の幅寸法の３分の１（ｎ分の１）程度である。３つの電極部材からなる電極列全体の長さひいては列間隙間３３ｓの長さは、被処理物Ｗの幅寸法より少し大きくなっている。
電極部材３１Ａ〜３２Ｃの長さは、それぞれ例えば五十数ｃｍであり、３つの電極部材を長手方向に並べることで電極ユニット３０Ｘ全体で約１．５ｍの有効処理幅が形成されている。
なお、電極部材どうしの長さは、互いに同一になっていなくてもよいが、互いに対向する電極部材どうしは、同長であることが望ましい。

図１および図２に図示するように、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃには、アーク放電の防止のために、アルミナなどの溶射膜からなる固体誘電体層３４が被膜されている。（なお、図３以降の図面では、固体誘電体層３４の図示を適宜省略し、必要に応じて図示する。）
固体誘電体層３４は、電極部材における他方の電極列との対向面の全体と、左右隣の電極部材との対向端面の全体と、上下両面の全体を覆うとともに、対向端面や上下端面から背面にも及んでいる。固体誘電体層３４の厚さは０．０１〜４ｍｍ程度が好ましい。固体誘電体として、アルミナの他に、セラミックスや樹脂等の板状物、シート状物、フィルム状のものを用いて電極部材の外周面を被覆してもよい。背面における固体誘電体層３４の幅は、１ｍｍ以上が好ましく、３ｍｍ以上がより好ましい。なお、図１、図２において、固体誘電体層３４の厚さは誇張して示してある。
各電極部材３１Ａ〜３２Ｃの角は、アーク防止のためにＲ取りされている。このＲの曲率半径は、１〜１０ｍｍが好ましく、２〜６ｍｍがより好ましい。

図２に示すように、２つの電極列３１Ｘ，３２Ｘにおいて左右同位置に配された電極部材３１Ａと３２Ａ，３１Ｂと３２Ｂ，３１Ｃと３２Ｃは、それぞれ前後に正対している。
すなわち、電極ユニット３０Ｘの左側の位置に配された電極部材３１Ａと電極部材３２Ａは、前後に正対している。これら電極部材３１Ａ，３２Ａどうしの間に上記列間隙間３３ｓの左側の部分となる列間部分隙間３３ｐが形成されている。中央の位置に配された電極部材３１Ｂと電極部材３２Ｂは、前後に正対し、これら電極部材３１Ｂ，３２Ｂどうしの間に列間隙間３３ｓの中央の部分となる列間部分隙間３３ｐが形成されている。右側の位置に配された電極部材３１Ｃと電極部材３２Ｃは、前後に正対し、これら電極部材３１Ｃ，３２Ｃどうしの間に列間隙間３３ｓの右側の部分となる列間部分隙間３３ｐが形成されている。各列間部分隙間３３ｐの厚さ（前後の対向電極部材間の距離）は、１ｍｍ〜３ｍｍ程度が好ましく、１ｍｍ〜２ｍｍ程度がより好ましい。

左側の列間部分隙間３３ｐと中央の列間部分隙間３３ｐの境には、４つの電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂの角によって連通空間３３ｒが形成されている。この連通空間３３ｒを介して左側の列間部分隙間３３ｐと中央の列間部分隙間３３ｐが一直線に連通されている。同様に、中央の列間部分隙間３３ｐと右側の列間部分隙間３３ｐの境には、これら列間部分隙間３３ｐ，３３ｐを連ねる連通空間３３ｒが４つの電極部材３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ｂ，３２Ｃによって形成されている。
左側、中央部、及び右側の３つの列間部分隙間３３ｐと、これらを連なる２つの連通空間３３ｒによって、上記列間隙間３３ｓが構成されている。
図１に示すように、この列間隙間３３ｓの上端開口の全長が、ガス導入口４３ａに連なり、下端開口の全長が、吹出し口４９ａに連なっている。
なお、下板すなわち吹出し口形成部材４９を省略し、列間隙間３３ｓの下端開口自体が吹出し口を構成し、この列間隙間３３ｓの下端開口から処理ガスが直接的に吹き出されるようにしていてもよい。

図２に示すように、第１電極列３１Ｘにおいて左側と中央部の隣り合う電極部材３１Ａ，３１Ｂどうしの間には、列内隙間３３ｑが形成されている。この列内隙間３３ｑは、左側の連通空間３３ｒに連なっている。中央部と右側の電極部材３１Ｂ，３１Ｃどうしの間にも、列内隙間３３ｑが形成され、この列内隙間３３ｑは、右側の連通空間３３ｒに連なっている。
同様に、第２電極列３２Ｘにおいて隣り合う電極部材３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃどうしの間にも、列内隙間３３ｑがそれぞれ形成され、この列内隙間３３ｑが、対応する連通空間３３ｒに連なっている。
各電極部材３１Ａ〜３２Ｃの列内隙間３３ｑ形成面は、列間部分隙間３３ｐ形成面に対し直角をなしている。列内隙間３３ｑは、列間隙間３３ｓに対し直交している。列内隙間３３ｑの厚さは、１〜３ｍｍ程度が好ましい。

各列内隙間３３ｑには、隣り合う電極部材どうし間の間隔を維持する小スペーサ３６が設けられている。スペーサ３６は、セラミックなどの絶縁性かつ耐プラズマ性の材料で構成されている。スペーサ３６は、電極部材の背面寄り（他方の電極列とは逆側寄り）に片寄って配置され、これにより、空間としての列内隙間３３ｑが確保されている。空間としての（スペーサ３６の幅を差し引いた）列内隙間３３ｑの奥行きは、例えば５ｍｍ程度である。列内隙間３３ｑの厚さ（左右の隣接電極部材間の距離）は、上記列内隙間３３ｑないしは列間部分隙間３３ｐと同程度にしてもよく、それより例えば１ｍｍ〜３ｍｍ程度大きくしてもよい。

図２に示すように、電極ユニット３０Ｘは、互い違いの極性配置構造をなしている。すなわち、前後に対向する電極部材どうしの一方は、電界印加極となり、他方は、接地極となり、互いに逆の極性を有している。しかも、左右に隣接する電極部材どうしは、互いに逆極性になっている。
詳述すると、電極ユニット３０Ｘの左側部において、前側の電極部材３１Ａは、給電線３ａを介してパルス電源３Ａに接続され、後側の電極部材３２Ａは、接地線３ｅを介して接地されている。これによって、電極ユニット３０Ｘの左側の列間部分隙間３３ｐでは、電源３Ａから電極部材３１Ａへのパルス電圧によりパルス電界が形成され、グロー放電が起きるようになっている。
電極ユニット３０Ｘの中央部において、電極部材３１Ｂは、接地線３ｅを介して接地され、電極部材３２Ｂは、給電線３ｂを介してパルス電源３Ｂに接続されている。電源３Ｂからのパルス電圧により、中央の列間部分隙間３３ｐでパルス電界が形成されグロー放電が起きるようになっている。
電極ユニット３０Ｘの右側部において、電極部材３１Ｃは、給電線３ｃを介してパルス電源３Ｃに接続され、電極部材３２Ｃは、接地線３ｅを介して接地されている。電源３Ｃからのパルス電圧により、右側の列間部分隙間３３ｐでパルス電界が形成されグロー放電が起きるようになっている。
これにより、電極ユニット３０Ｘの３つの列間部分隙間３３ｐが、それぞれ放電空間の一部分となり、ひいては、列間隙間３３ｓの略全体が、放電空間となるようになっている。

さらに、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃからの電圧により、電極ユニット３０Ｘの４つの列内隙間３３ｑでも、同様にパルス電界が形成されグロー放電が起きるようになっている。これにより、列内隙間３３ｑも電極ユニット３０Ｘの放電空間の一部分となっている。これら列間部分隙間３３ｑは、左側の中央の列間部分隙間３３ｐの切れ目及び中央と右側の列間部分隙間３３ｐの切れ目を繋ぎ、これにより、放電空間が、電極ユニット３０Ｘの左右方向の略全長にわたって連続化されている。
電界印加極を構成する３つの電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃは、互いに異なる電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃに接続されている。
電極ユニット３０Ｘの左側部を「第１位置」とし、左側の列間部分隙間３３ｐを「第１列間部分隙間」とすると、中央部が「第１位置の隣の第２位置」となり、中央の列間部分隙間３３ｐが「第２列間部分隙間」となる。
電極ユニット３０Ｘの中央部を「第１位置」とし、中央の列間部分隙間３３ｐを「第１列間部分隙間」とすると、左側部又は右側部が「第１位置の隣の第２位置」となり、左側又は右側の列間部分隙間３３ｐが「第２列間部分隙間」となる。
電極ユニット３０Ｘの右側部を「第１位置」とし、右側の列間部分隙間３３ｐを「第１列間部分隙間」とすると、中央部が「第１位置の隣の第２位置」となり、中央の列間部分隙間３３ｐが「第２列間部分隙間」となる。

なお、図１に図示（図２以降において省略）するように、ノズルヘッド１の放電処理部３０には、フレーム４０の側板４２に樹脂製のボルトカラー６０３を介して引っ掛けられるとともに各電極部材３１Ａ〜３２Ｃにねじ込まれて該電極部材を前後外側へ引く引きボルト（引きネジ部材）６０１と、ホルダ４８を介して電極部材を前後内側へ押す押しボルト（押しネジ部材）６０２とが、左右に間隔を置いて設けられている。これらボルト６０１，６０２によって、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃの前後位置ひいては列間隙間３３ｓの厚さを調節することができるようになっている。これら押し引きボルト６０１，６０２は、電極部材３１Ａ〜３２Ｃのクーロン力による撓みに対する阻止手段としても機能する。各電極部材３１Ａ〜３２Ｃには、押し引きボルト６０１，６０２を二組以上設けるのが好ましい。

上記のように構成されたリモート式常圧プラズマ処理装置の作用を説明する。
処理ガス導入部２０にて左右に均一化された処理ガスは、導入口４３ａを経て、電極ユニット３０Ｘの列間隙間３３ｓの長手方向に均一に導入される。これと併行して、各電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃから電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃにそれぞれパルス電圧が供給される。これによって、各列間部分隙間３３ｐ内にパルス電界が形成され、グロー放電が起き、処理ガスがプラズマ化（励起・活性化）される。このプラズマ化された処理ガスが、吹出し口４９ａにおける各列間部分隙間３３ｐに対応する領域から均一に吹出される。これによって、図３に示すように、ガラス基板Ｗの上面における各列間部分隙間３３ｐに対応する領域Ｒ１にプラズマを当て、表面処理することができる。

また、導入口４３ａからの処理ガスの一部は、連通空間３３ｒに導入され、そこから列内隙間３３ｑに入り込む。この列内隙間３３ｑにおいても、前記電源からのパルス電圧供給によりパルス電界が形成され、グロー放電が起き、処理ガスがプラズマ化される。この列内隙間３３ｑ内でプラズマ化された処理ガスが、吹出し口４９ａにおける連通空間３３ｒに対応する部分から吹出される。これによって、図３に示すように、ガラス基板Ｗにおける連通空間３３ｒに対応する領域Ｒ２にも、プラズマを吹付けることができる。これによって、大面積のガラス基板Ｗの左右全幅を一度に、しかもムラ無く略均一にプラズマ表面処理することができる。
同時に、搬送手段４にてガラス基板Ｗを前後に移動させることにより、ガラス基板Ｗの全面を処理することができる。

電極ユニット３０Ｘ全体としては、ガラス基板Ｗの幅寸法に対応する長さであっても、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃは、その３分の１（数分の１）程度の長さしかないため、寸法精度を容易に確保できる。それだけでなく、印加電界によってクーロン力が強く働いたり、電極部材３１Ａ〜３２Ｃを構成する金属本体と表面の固体誘電体３４との熱膨張率の違いや電極部材内部の温度差等で熱応力が発生したりしても、撓み量が大きくならないようにすることができる。これによって、列間部分隙間３３ｐの幅を一定に維持することができる。したがって、列間部分隙間３３ｐ内での処理ガスの流れを均一に維持でき、ひいては、表面処理の均一性を確実に得ることができる。また、電極部材を剛性アップのために厚肉にする必要がなく、重量増大を回避して支持構造への負担を軽減でき、材料費等の上昇を抑えることができる。

短小の電極部材３１Ａ．３２Ｂ，３１Ｃごとに電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃを設けているので、各電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃの容量が小さくても、単位面積あたりの投入電力を十分に大きくすることができる。ひいては、処理ガスを十分にプラズマ化することができ、高い処理能力を確保することができる。また、これら電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、互いに別の電極部材に接続されているので、同期させる必要がない。さらに、極性が互い違いになっており、電界印加極どうしが左右に隣接していないので、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃどうしが同期していなくても、隣接電極部材どうし間に異常電界が形成されアークが発生するおそれがない。

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の実施形態と重複する構成に関しては、図面に適宜同一符号を付して説明を簡略化する。
図４および図５に示す実施形態では、各列間部分隙間３３ｐに、「ガス誘導手段」を構成するガス誘導部材５１が収容されている。このガス誘導部材５１は、各第１列間部分隙間３３ｐにおける隣（第２位置）の列間部分隙間寄りの部位に配置されている。すなわち、左側の列間部分隙間３３ｐにおいては、その右側部にガス誘導部材５１が配置されている。中央の列間部分隙間３３ｐにおいては、その左右両側部にガス誘導部材５１がそれぞれ配置されている。右側の列間部分隙間３３ｐにおいては、その左側部にガス誘導部材５１が配置されている。

ガス誘導部材５１は、セラミックなどの絶縁性かつ耐プラズマ性の材料にて構成され、上向きのくさび状（細い縦長の三角形状）をなしている。すなわち、ガス誘導部材５１は、垂直面と、この垂直面と鋭い鋭角をなすようにして下方へ向かって隣側（第２位置の方向）へ傾くガス誘導面５１ａと、これら２面の下端を結ぶ底面とを有している。ガス誘導部材５１の底面の左右幅は、５ｍｍ以下が好ましい。

図５の矢印に示すように、導入口４３ａから列間隙間３３ｓへ流れ込む処理ガスのうち各第１位置の列間部分隙間３３ｐにおける隣寄りの部位（第２位置寄りの部位）以外の部分を通るガス流ｆ０は、そのまま真っ直ぐ下方へ向かう。一方、各第１位置の列間部分隙間３３ｐにおける隣寄りの部位を通るガス流ｆ１は、ガス誘導部材５１のガス誘導面５１ａに沿って隣方向へ誘導される。この過程でプラズマ化されていく。このプラズマ化されたガス流ｆ１が、連通空間３３ｒを経て、吹出し口４９ａから吹出される。これによって、ガラス基板Ｗにおける連通空間３３ｒに対応する領域Ｒ２にプラズマを一層確実に吹付けることができる。この結果、処理ムラを一層確実に防止でき、表面処理の均一性を一層高めることができる。

また、各第１位置の列間部分隙間３３ｐ内のガス流ｆ０のうち、ガス誘導部材５１の垂直面に沿って真下に流れるガス流の一部ｆ２が、ガス誘導部材５１の下側に回り込む。これによって、ガス誘導部材５１の下側に対応する箇所でもプラズマ処理を確実に行なうことができ、処理の均一性をより一層高めることができる。
発明者らの実験によれば、処理前に行う電極加熱等のための空放電工程において、処理ガスをガス誘導手段で連通空間３３ｒや列内隙間３３ｑに誘導することにより、該空放電の所要時間を短縮することができた。

図６は、ガス誘導部材の変形例を示したものである。このガス誘導部材５２には、頂角から下方へ向かって隣側（第２位置の方向）へ傾くガス誘導面５２ａと、このガス誘導面５２ａの下端から下方へ向かって隣側とは逆側に傾くガス戻し面５２ｂとが設けられている。
このガス誘導部材５２によれば、ガス誘導面５２ａに沿って隣方向へ誘導されるガス流ｆ１の一部ｆ３を、ガス戻し面５２ｂに沿って逆側に確実に戻すことができ、ガス誘導部材５２の下側に確実に回り込ませることができる。これによって、ガス誘導部材の直下でもプラズマ処理を確実に行なうことができ、処理の均一性をより一層高めることができる。

ガス誘導部材は、図５、図６に示す形状に限定されるものではなく、第１列間部分隙間３３ｐの第２位置寄りのガス流を隣りの第２位置へ誘導できるものであれば種々の形状を採用できる。例えば、図７に示すガス誘導部材５３のように、正三角形に近い断面形状でもよく、図８に示すガス誘導部材５４ように、下方へ向かって隣方向へ傾斜した平板形状でもよい。これら部材５３，５４において、下方へ向かって隣方向（第２位置の方向）へ傾斜する斜面は、ガス誘導面５３ａ，５４ａを構成している。

図９に示す実施形態では、ガス流を隣方向へ誘導するガス誘導手段が、電極ユニット３０Ｘより上側（処理ガス導入側）のガス導入口形成部４３に設けられている。詳述すると、処理ガス導入口形成部４３の導入口が、第１実施形態の左右細長スリット４８ａに代えて、左右に短間隔置きに配置形成された多数の細い分岐口４３ｂ，４３ｃにて構成されている。これら分岐口４３ｂ，４３ｃのうち、列間部分隙間３３ｐの中程に対応する分岐口４３ｃは、まっすぐ下に向かって開口されている。これに対し、各第１列間部分隙間３３ｐの隣寄り側部（第２位置寄りの部位）に対応する分岐口４３ｂは、隣方向（第２位置の方向）へ傾けられている。この傾斜分岐口４３ｂが、「ガス誘導手段」を構成している。

処理ガスのうち、垂直分岐口４３ｃを通ったガス流ｆ０は、列間部分隙間３３ｐ内を真っ直ぐ下へ流れながら、プラズマ化された後、ガラス基板Ｗに吹付けられる。
一方、傾斜分岐口４３ｂを通ったガス流ｆ１は、列間部分隙間３３ｐ内でプラズマ化されながら隣方向（第２位置の方向）へ向けて斜め下に流れる。そして、連通空間３３ｒの下方へ吹出される。これによって、ガラス基板Ｗの連通空間に対応する領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確実に確保でき、処理の均一性を高めることができる。

図１０に示す実施形態では、電極ユニット３０Ｘ（３３Ｂのみ図示）の上方に、処理ガス導入口形成部としてガス導入管４３Ｐが設けられている。ガス導入管４３Ｐは、第１列間部分隙間３３ｐに沿って延びるとともに、第１列間部分隙間３３ｐの左右長手方向の両側に対応する部分が上に反るように湾曲されている。このガス導入管４３Ｐの下側部には、第１列間部分隙間３３ｐへの処理ガス導入口として多数の小孔状の分岐口４３ｄ，４３ｅが該管４３Ｐの長手方向に沿って短間隔置きに形成されている。第１列間部分隙間３３ｐの中程に対応する分岐口４３ｅは、略真下に向かって開口されている。一方、両端に近い分岐口４３ｅほど、隣方向（第２位置の方向）への傾きが大きくなっている。そして、両端すなわち第１列間部分隙間３３ｐの隣寄り側部（第２位置寄りの部位）に対応する分岐口４３ｄは、隣方向への傾きが最も大きくなっている。この分岐口４３ｄが、「ガス誘導手段」を構成している。

導入管４３Ｐの一端部に処理ガスが導入される。この処理ガスは、導入管４３Ｐ内を流れるとともに、漸次、分岐口４３ｄ，４３ｅから下方の第１列間部分隙間３３ｐへ漏れ出る。そのうち、分岐口４３ｄから出たガス流ｆ１’は、第１列間部分隙間３３ｐ内を隣方向（第２位置の方向）へ向けて斜め下に流れる。これによって、ガラス基板Ｗの連通空間対応領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確保でき、処理の均一性を高めることができる。

図１１に示す実施形態では、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃ（３１Ａ，３１Ｂのみ図示）の左右隣の電極部材との対向端面が、斜めにカットされ、該対向端面の上側部は、隣の電極部材から大きく離れ、下へ向かうにしたがって隣の電極部材へ接近している。したがって、連通空間３３ｒおよび列内隙間３３ｑは、下方へ向かうにしたがって幅狭になっている。
同図の矢印に示すように、処理ガスは、前記端面の傾斜と略同じ角度をなして列間部分隙間３３ｐへ導入されるようになっている。これによって、処理ガスの列間部分隙間内の通過距離を長くでき、十分にプラズマ化することができる。

図１２及び図１３に示す実施形態では、処理ガス導入口形成部４３の導入口４３ａに、ガス誘導手段として３つ（複数）の絶縁樹脂製の整流部材６０が設けられている。ここで、導入口４３ａは、列間隙間３３ｓの全長すなわち３つの列間部分隙間３３ｐにわたるスリット状をなしている。図１４に示すように、各整流部材６０は、ベース板６１と、このベース板６１の片面に設けられた複数の整流板６２，６３を一体に有している。ベース板６１は、各列間部分隙間３３ｐと対応する長さの細長い薄板状をなしている。図１２及び図１３に示すように、このベース板６１が、フレーム上板４１のスリット状貫通孔４１ａの片方の内側面に宛がわれるようにして、３つの整流部材６０が、スリット状貫通孔４１ａ内に左右に一列に並べて収容されている。整流部材６０は、列間部分隙間３３ｐと一対一に対応している。隣接する整流部材６０どうしの境は、連通空間３３ｒと対応している。

図１３及び図１４に示すように、整流板６２，６３は、ベース板６１の長手方向に間隔を置いて配置されている。これら整流板６２，６３によってスリット状貫通孔４１ａが仕切られている。また、図１２に示すように、整流板６２，６３は、スリット状貫通孔４１ａにおけるベース板６１とは反対側の内側面に突き当てられ、これにより、整流部材６０が、貫通孔４１ａ内にしっかりと固定されている。図１３に示すように、連通空間３３ｒの近くに配置された整流板６２は、下方へ向かって隣の整流部材６０に近づくように斜めをなしている。それ以外の整流板６３は、ほぼ垂直になっている。

図１３の符号ｆ０で示すように、導入口４３ａに導かれた処理ガスの大半は、まっすぐ下に向かって流れる。流れが整流板６３によって乱されることは殆どない。一方、符号ｆ１で示すように、整流板６２の配置場所の近くでは、処理ガスの流れが整流板６２によって斜めになる。この斜めの流れｆ１が、第１列間部分隙間３３ｐの隣寄り部分（第２位置寄りの部位）を通り、プラズマ化されながら連通空間３３ｒひいては隣の第２列間部分隙間３３ｐに寄って行く。これによって、連通空間３３ｒの下側へもプラズマを吹出すことができ、ガラス基板Ｗの連通空間と対応する領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確実に確保でき、処理の均一性を高めることができる。
なお、整流部材６０は、連通空間３３ｒ付近の上方のみに設けることにしてもよい。整流板６２，６３のうち整流板６３を省き整流板６２だけにしてもよい。
図１２及び図１３の態様では、整流部材６０は、フレーム４０の上板４１の貫通孔４１ａに設けられているが、ホルダ４８の間隙４８ａに設けることにしてもよい。

図１５及び図１６に示す実施形態では、処理ガス導入口形成部４３の導入口４３ａに、絶縁樹脂からなる閉塞部材（閉塞部）７０が嵌め込まれている。閉塞部材７０は、隣り合う２つの列間部分隙間３３ｐに跨るようにして、導入口４３ａにおける連通空間３３ｒに対応する部分（第１列間部分隙間と第２列間部分隙間の境）に配置されている。この閉塞部材７０によって連通空間３３ｒの導入口４３ａ側の端部が塞がれている。閉塞部材７０より吹出し口側の連通空間３３ｒは、開放され、両隣の列間部分隙間３３ｐを介して導入口４３ａと連通している。

図１５の符号ｆ１に示すように、第１列間部分隙間３３ｐの連通空間３３ｒ寄り（ひいては第２列間部分隙間３３ｐ寄り）の部位を通る処理ガスは、そこでプラズマ化された後、閉塞部材７０の下側に回り込むようにして、連通空間３３ｒに入って来る。これによって、連通空間３３ｒの下側へもプラズマを吹出すことができ、ガラス基板Ｗの連通空間と対応する領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確実に確保でき、処理の均一性を高めることができる。

図１７〜図１９に示す実施形態では、図２のスペーサ３６を、「ガス誘導手段」として提供されるように変形した態様に係るものである。図１７及び図１９に示すように、電極構造３０Ｘの左右に隣り合う電極部材どうしの境には絶縁樹脂製の門型スペーサ８０が介装されている。すなわち、左側の電極部材３１Ａ，３２Ａと中央部の電極部材３１Ｂ，３２Ｂの間、及び中央部の電極部材３１Ｂ，３２Ｂと右側の電極部材３１Ｃ，３２Ｃの間に、それぞれ門型スペーサ８０が挟まれている。

図１８に示すように、スペーサ８０は、一対の脚部８１と、これら脚部８１の上端部間を繋ぐ連結部８２を有し、門型の平板状をなしている。門型スペーサ８０の外輪郭は、電極ユニット３０Ｘ全体の側面断面の輪郭と一致している。図１９に示すように、一対の脚部８１の片方は、第１電極列３１Ｘの隣り合う第１電極部材どうし間に挟まれ、他方の脚部８１は、第２電極列３２Ｘの隣り合う第２電極部材どうし間に挟まれている。これら脚部８１は、「隣り合う電極部材どうし間への介在部」となっている。

スペーサ８０の脚部８１は、電極部材の背面寄り（他方の電極列とは逆側寄り）に片寄って配置され、これにより、空間としての列内隙間３３ｑが確保されている。なお、脚部８１を電極部材３１Ａ〜３２Ｃと等幅にして、列内隙間３３ｑを完全に埋めることにしてもよい。

図１７及び図１８に示すように、連結部８２は、列内隙間３３ｑ及び連通空間３３ｒの上側すなわち導入口４３ａの側に片寄って配されている。この連結部８２によって連通空間３３ｒの導入口４３ａ側の端部が塞がれている。連結部８２より吹出し口側の連通空間３３ｒは、開放され、両隣の列間部分隙間３３ｐを介して導入口４３ａと連通している。連結部８２は、「第１列間部分隙間と第２列間部分隙間の境の導入口側の端部を塞ぐとともにそれより吹出し口側を開放する閉塞部」として提供されている。

図１７の符号ｆ１に示すように、処理ガスは、連結部８２の両側の列間部分隙間３３ｐを経て、プラズマ化されたうえで、連結部８２より下側の連通空間３３ｒに入って来る。これによって、ガラス基板Ｗの連通空間と対応する領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確実に確保でき、処理の均一性を高めることができる。また、各電極列３１Ｘ，３２Ｘにおいて隣り合う電極部材どうしの極性を互いに異ならせることにより、列内隙間３３ｐをも放電空間の一部とすることができ、そこでも処理ガスのプラズマ化を起こすことができる。これによって、ガラス基板Ｗの連通空間対応領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を一層確実に確保でき、処理の均一性を一層高めることができる。

図２０および図２１に示す実施形態では、「ガス誘導手段」が、電極ユニット３０Ｘより下側（吹出し側）に設けられている。すなわち、下板４９の左右細長スリット状の吹出し口４９ａには、各第１列間部分隙間３３ｐの隣寄り側部（第２位置寄りの部位）に対応する位置に、ガス誘導手段としてガス誘導部４９Ｂが設けられている。ガス誘導部４９Ｂは、下板４９と一体をなしている。ガス誘導部４９Ｂは、下方へ向かって隣側（第２位置の方向）へ傾くガス誘導面４９ｃを有する断面三角形状をなし、吹出し口４９ａの前後の縁面間に架け渡されている。

図２１に示すように、第１列間部分隙間３３ｐにおいてプラズマ化された処理ガスのうち、隣寄り側部（第２位置寄りの部位）から出たガス流ｆ１”は、ガス誘導部４９Ｂのガス誘導面４９ｃによって隣方向（第２位置の方向）へ誘導される。これによって、ガラス基板Ｗの連通空間対応領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確保でき、処理の均一性を高めることができる。

図２２および図２３に示す実施形態では、下板４９のスリット状吹出し口４９ａの内部に、ガス誘導手段として、多数の小孔９０ａを有する多孔板９０が嵌め込まれている。多孔板９０は、電極ユニット３０Ｘより下方に若干離れ、吹出し口４９ａの下側部に片寄って配置されている。

列間隙間３３ｓからの処理ガスは、吹出し口４９ａの多孔板９０より上側の空間４９ｇ内で拡散され、均一化される。したがって、図２３の符号ｆ１に示すように、各列間部分隙間３３ｐでプラズマ化された処理ガスの一部が、連通空間３３ｒの下側へも拡散される。そして、多数の小孔９０ａから一様に吹出される。これによって、処理の均一性を高めることができる

図２４、図２５、図２６に示す実施形態では、放電処理部３０の吹出し口形成部としての下板４９が、上下２枚の板部４９Ｕ，４９Ｌによって構成されている。上段の板部４９Ｕには、各列間部分隙間３３ｐに対応する３つのスリット状の上段吹出し口４９ｄが一列をなすようにして形成されている。左側の上段吹き出し口４９ｄと中央の上段吹出し口４９ｄどうしは、橋部４９Ｅにて分断されている。同様に、中央の上段吹き出し口４９ｄと右側の上段吹出し口４９ｄどうしは、他の橋部４９Ｅにて分断されている。

各上段吹出し口４９ｄは、その上側の列間部分隙間３３ｐに直接に連なっている。上段吹出し口４９ｄの幅は、列間部分隙間３３ｐの幅より大きい。
下段の板部４９Ｌには、列間隙間３３ｓの全長と略同じ長さの下段吹出し口４９ｆが形成されている。下段吹出し口４９ｆの幅は、上段吹出し口４９ｄの幅より小さく、列間部分隙間３３ｐの幅と略等しい。

橋部４９Ｅは、連通空間３３ｒの真下に配置されている。この橋部４９Ｅによって連通空間３３ｒの下端が塞がれている。これにより、橋部４９Ｅは、「吹出し口の隣り合う列間部分隙間どうしの境の吹出し口側の端部を塞ぐ閉塞部」を構成している。橋部４９Ｅの下方に下段吹出し口４９ｆが配置されている。すなわち、橋部４９Ｅは、上下の段の吹出し口４９ｄ，４９ｆを合わせた吹出し口全体における上側に片寄って配置されている。連通空間３３ｒは、両隣の列間部分隙間３３ｐを介してのみ吹出し口４９ｄ，４９ｆと連通している。
なお、板部４９Ｕ，４９Ｌどうしは、互いに一体になっていてもよく、２枚に代えて３枚以上の板部を積層することによって吹出し口形成部材を構成してもよい。

図２６の符号ｆ１に示すように、連通空間３３ｒ内を下降して来た処理ガスは、橋部４９Ｅによって連通空間３３ｒから直接吹出口へ行くのを阻止され、必ず両隣の列間部分隙間３３ｐを経てプラズマ化されたうえで吹出し口４９ｄに流れ込む。そして、橋部４９Ｅの下側の下段吹出し口４９ｆ内に回り込み、その下方へ吹出される。これによって、連通空間と対応する領域Ｒ２でのプラズマ表面処理を確保でき、処理の均一性を高めることができる。

図２７及び図２８は、プラズマ処理装置の下板４９に形成された吹出し口４９ａの変形態様を示したものである。下板４９には、左右に長く延びる列間吹出し口４９ｈと、この列間吹出し口４９ｈの中間の２箇所と交差するようにして前後に延びる２つの短い列内吹出し口４９ｉが形成されている。列間吹出し口４９ｈは、列間隙間３３ｓの下端部の全長に連なっている。２つの列内吹出し口４９ｉのうちの片方は、左側の電極部材３１Ａ，３２Ａと中央の電極部材３１Ｂ，３２Ｂのちょうど境に配置され、これら電極部材どうし間の列内隙間３３ｑ及び連通空間３３ｒの下端部に連なっている。もう片方の列内吹出し口４９ｉは、中央の電極部材３１Ｂ，３２Ｂと右側の電極部材３１Ｃ，３２Ｃのちょうど境に配置され、これら電極部材どうし間の列内隙間３３ｑ及び連通空間３３ｒの下端部に連なっている。これによって、下板４９の吹出し口は、隣り合う列間部分隙間３３ｐどうしの境に対応する部位が、各列間部分隙間３３ｐに対応する部位よりも開口幅が大きくなり、流通抵抗が小さくなっている。

列内隙間３３ｑでプラズマ化された処理ガスは、該列内隙間３３ｑの真下に連なる列内吹出し口４９ｉから吹出される。また、各第１列間部分隙間３３ｐの隣寄り側部（第２位置寄りの部位）から出た処理ガスは、流通抵抗の小さな列内吹出し口４９ｉに向かって流れながら吹出される。これによって、処理の均一性を高めることができる。吹出し口４９ａの列内吹出し口４９ｉ（第１、第２列間部分隙間３３ｐの境に対応する大開口の吹出し口部分）は、「ガス誘導手段」を構成している。

列内隙間３３ｑの全体を絶縁スペーサで埋め、処理ガスが列間隙間３３ｓしか通らないようにした構成においても、或いは、後記実施形態（図３５、図３６等）のように、列内隙間３３ｑを挟んで隣り合う電極部材どうしの極性が同じで列内隙間３３ｑで放電が起きないようにした構成においても、列内吹出し口４９ｉは有効である。すなわち、各列間部分隙間３３ｐでプラズマ化された処理ガスが、大開口・低流通抵抗の列内吹出し口４９ｉに流れ込もうとし、これにより、処理ガスの均一性を確保できる。

なお、列内吹出し口４９ｉの長さは、適宜延長、短縮してよく、列内隙間３３ｑに合わせる必要はない。
また、図２９に示すように、列内吹出し口４９ｉを列間吹出し口４９ｈの片側（例えば第２電極列３２Ｘの側）にだけ設けることにしてもよい。
列内吹出し口４９ｉを、図２０のガス誘導部４９Ｂ等と組み合わせてもよい。
下板すなわち吹出し口形成部材４９を省略し、列内隙間３３ｑ及び列間隙間３３ｓの下端開口自体が吹出し口を構成し、そこから処理ガスが直接的に吹き出されるようにしていてもよい。

第１、第２列間部分隙間３３ｐどうしの境に対応する大開口の吹出し口部分の形状は、列内吹出し口４９ｉのようなスリット状に限られない。例えば、図３０（ａ）に示す開口４９ｊのように、菱形にしてもよく、同図（ｂ）に示す開口４９ｋのように、列間吹出し口４９ｈの片側に突出する三角形にしてもよく、その他、円形等の種々の形状にしてもよい。

図３１および図３２は、ガス導入手段すなわち導入口形成部４３の変形態様を示したものである。導入口形成部４３には、図示しない処理ガス導入部２０の下端のチャンバー２４に連なる処理ガス導入口４３ａが形成されている。処理ガス導入口４３ａは、左右に長く延びる列間導入口（主導入口）４３ｈと、この列間導入口４３ｈの中間の２箇所の両側面に形成された切込み状の列内導入口（副導入口）４３ｉを含んでいる。

列間導入口４３ｈの下端部は、列間隙間３３ｓの全長に直接的に連なっている。
列内導入口４３ｉは、第１電極列３１Ｘの隣り合う電極部材３１Ａ，３１Ｂどうし及び３１Ｂ，３１Ｃどうしの境、並びに第２電極列３２Ｘの隣り合う電極部材３２Ａ，３２Ｂどうし及び３２Ｂ，３２Ｃどうしの境にそれぞれ配置され、これら電極部材どうし間の列内隙間３３ｑの上端部に直接的に連なっている。

処理ガス導入部２０で均一化された処理ガスは、列間導入口４３ｈから各列間部分隙間３３ｐに導入されるとともに、列内導入口４３ｉから列内隙間３３ｑに直接的に導入される。これによって、各第１列間部分隙間３３ｐ内のプラズマ化された処理ガスを第２列間部分隙間３３ｐとの境に向けて偏流させなくても、列内隙間３３ｑ内に直接導入された処理ガスをプラズマ化でき、第１、第２列間部分隙間３３ｐどうし間の境の部分のプラズマ量を確実に確保することができる。この結果、処理の均一性を高めることができる。

なお、列内導入口４３ｉの長さは、適宜延長、短縮してよく、列内隙間３３ｑに合わせる必要はない。また、列内導入口４３ｉを、列間導入口４３ｈの前後両側のうちの片側にだけ設けることにしてもよい。

本発明において、２つの電極列３１Ｘ，３２Ｘの電極部材３１Ａと３２Ａどうし、３１Ｂと３２Ｂどうし、３１Ｃと３２Ｃどうしは、前後に正対している必要はなく、実質的に同位置において対向していればよい。例えば、図３３に示す実施形態では、第１電極列３１Ｘの電極部材３１Ａ〜３１Ｃと第２電極列３２Ｘの電極部材３２Ａ〜３２Ｃどうしが、左右に多少ずれて配置されている。

図３３のずらし配置構成は、上記図２等の互い違い極性配置の電極構造に適用してもよく、後記図３５、図３６等の列ごと同極性の電極構造に適用してもよい。発明者らが実験したところによれば、列ごと同極性構造の場合は勿論、互い違い極性構造の場合においても、２つの列間に多少ずれがあってもワークＷの幅方向の全域を処理することができた。

図３４に示す実施形態では、電界印加極を構成する電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃどうしが、既述実施形態の互いに別々の電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃに代えて、共通（単一）の電源３に接続されている。したがって、各列間部分隙間３３ｐに形成されるプラズマ電界どうしを、互いに確実に同期させることができる。勿論、この単一電源構造においても、ガス誘導手段を適用可能である。

図３５に示す実施形態では、電極ユニット３０Ｘの極性配置が、既述実施形態の互い違いに代えて、電極列３１Ｘ，３２Ｘごとに同極に揃えられている。
すなわち、第１電極列３１Ｘの電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃは、それぞれ電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃに接続されることにより、すべて電界印加極となっている。一方、第２電極列３２Ｘの電極部材３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、すべて接地極となっている。この極性配置においても、列間部分隙間３３ｐでグロー放電が起き、処理ガスをプラズマ化することができる。

各列内隙間３３ｑは、セラミックなどの絶縁性かつ耐プラズマ性の材料からなる隔壁３５によって完全に埋められ、左右に隣り合う電極部材どうしが互いに絶縁されている。これによって、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃの同期が取れていなくても、左右に隣り合う電極部材間でアークが発生するのを防止することができる。

なお、隔壁３５は、少なくとも電界印加極の電極部材３１Ａ〜３１Ｃどうし間に設けられていればよく、接地極の電極部材３１Ａ〜３１Ｃどうし間には無くてもよい。接地極の電極部材３２Ａ〜３２Ｃどうしは、くっついていてもよい。
各第１列間部分隙間３３ｐの第２位置寄りの部位には、「ガス誘導手段」として図４及び図５の態様と同様のガス誘導部材５１が設けられているが、これに代えて、その他の図面に示した態様の「ガス誘導手段」を適用してもよい。

図３６に示す実施形態では、図３５の態様の列ごと同極性の電極ユニット３０Ｘにおいて、電界印加極の電極部材３１Ａ〜３１Ｃに共通（単一）の電源３を接続したものである。
当該図３６の実施形態の列内隙間３３ｑは、図３５の態様と同様に絶縁性の隔壁３５で完全に埋められているが、電極部材３１Ａ〜３１Ｃへの印加電圧が確実に同期しているので、隔壁３５を省き、列内隙間３３ｑを開放してもよい。或いは、接地極の電極部材３２Ａ〜３２Ｃどうしは勿論、電界印加極の電極部材３１Ａ〜３１Ｃどうしをも互いにくっ付け、列内隙間３３ｑを無くしてもよい。

図３７に示すように、第１実施形態（図２）と同様の互い違い極性配置の電極ユニット３０Ｘにおいて、各電極列３１Ｘ，３２Ｘの左右に隣り合う電極部材どうしを互いに突き当て、列内隙間３３ｑを無くしてもよい。より詳細には、各電極部材の側端面には固体誘電体層３４ｅが被膜されておち、隣り合う電極部材の側端面の固体誘電体層３４ｅ，３４ｅどうしが、互いに当接・密着されている。これら側端面の固体誘電体層３４ｅ，３４ｅが、隣り合う電極部材間の絶縁層としての役目を担っている。隣り合う列間部分隙間３３ｐどうし間の連通空間３３ｒの幅は、ちょうど２つの固体誘電体層３４ｅ，３４ｅの厚さを合わせた大きさになっている。

なお、互いに突き当てられた２つの電極部材のうちの一方の側端面にのみ固体誘電体層３４ｅを設け、他方の電極部材については、その金属本体の側端面がむき出しになっていてもよい。勿論、この場合、上記１つの電極部材の側端面の固体誘電体層３４ｅが、それ単独で、２つの電極部材を絶縁できるようになっていることを要する。
図３７の態様においても、ガス誘導部材５１等のガス誘導手段を設けることにしてもよい。そうすると、上記連通空間３３ｒすなわち固体誘電体層３４ｅ，３４ｅの直下にもプラズマを吹出すことができ、処理の均一性を向上させることができる。
図３７の態様において、隣り合う電極部材間に図３５と同様の隔壁３５を介装することにしてもよい。
図３７の態様では、第１実施形態と同様に電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃごとに電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃが別々に設けられているが、これら別々の電源３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃに代えて、図３４の態様と同様に単一の電源３を用いることにしてもよい。

図３８に示すように、図３５の態様と同様の、列ごと同極性配置の電極ユニット３０Ｘにおいて、各電極列３１Ｘ，３２Ｘの隣り合う電極部材どうしを互いに突き当てることにしてもよい。この実施形態の各電極部材の側端面には、固体誘電体層３４ｅが被膜されておらず、金属本体がむき出しになっている。これによって、左右に隣り合う電極部材の金属本体の側端面どうしが、直接突き当てられている。連通空間３３ｒは、殆ど大きさを有さず、隣り合う列間部分隙間３３ｐどうしが、ほぼ直接的に連なっている。３つの電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、互いに同期していることが望ましい。同期していない場合には、少なくとも電界印加側の電極列３１Ｘの電極部材３１Ａ〜３１Ｃの側端面に、上記図３７の態様と同様に、絶縁層として固体誘電体層３４ｅを設けるのが望ましい。別々の電源３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃに代えて、図３６の態様と同様の単一電源３を用いることにしてもよい。この図３８の態様においても、ガス誘導部材５１等のガス誘導手段を適用してもよい。

本発明は、上記形態に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない限りにおいて種々の改変をなすことができる。
例えば、電極構造において、隣り合う列間部分隙間３３ｐどうし間の連通空間３３ｒに絶縁樹脂などの隔壁を埋め込むなどして、隣り合う列間部分隙間３３ｐどうしを隔ててもよい。
電極ユニット３０Ｘを、前後に複数段配置することにしてもよい。
各電極列３１Ｘ，３２Ｘにおいて隣り合う電極部材どうし間の間隙に挟むスペーサ３６（図２）の前後方向の寸法や配置位置を調節することにより、列内隙間３３ｑの処理ガス通路としての大きさを適宜調節することにしてもよい。
列内隙間３３ｑの幅や列間部分隙間３３ｐの幅は、適宜設定する。列内隙間３３ｑの幅が、列間部分隙間３３ｐより大きくてもよく、小さくてもよく、等しくてもよい。
図９〜図１６、図３１〜図３２等のガス導入口形成部４３におけるガス誘導手段ないしガス導入手段と、図４〜図８等の放電空間３３ｓ内におけるガス誘導手段と、図２０〜図３０等の吹出し口形成部４９におけるガス誘導手段とを相互に組み合わせる等、各実施形態の要部を相互に組み合わせてもよい。
処理ガス導入部２０を省略し、処理ガスを処理ガス源から放電処理部３０に直接導入するように構成してもよい。途中に処理ガスの圧力変化を防止する圧力調整弁を備えるように構成してもよい。
本発明は、洗浄、成膜、エッチング、表面改質（親水性処理や撥水性処理等）、アッシング等の種々のプラズマ表面処理に遍く適用でき、グロー放電に限らず、コロナ放電、沿面放電、アーク放電などによるプラズマ表面処理にも適用でき、略常圧に限らず減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。

第１実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置を示す側面断面図である。 図１のII−II線に沿う前記リモート式常圧プラズマ処理装置の電極構造の平面断面図である。 前記リモート式常圧プラズマ処理装置の被処理物であるガラス基板に電極構造を投影させた平面図である。 電極構造の電極列間の隙間にガス誘導部材を設けた実施形態を示す概略平面図である。 図４のV−V線に沿う電極構造の正面断面図である。 ガス誘導部材の変形例を示す正面断面図である。 ガス誘導部材の変形例を示す正面断面図である。 ガス誘導部材の変形例を示す正面断面図である。 処理ガス導入口形成部にガス誘導手段を設けた実施形態を示す正面図である。 処理ガス導入口形成部に設けたガス誘導手段の他の実施形態を示す正面図である。 処理ガスの斜流に合わせて電極部材の端面を斜めにした実施形態を示す平面図である。 処理ガス導入口形成部に設けたガス誘導手段の他の実施形態を示し、図１３のXII−XII線に沿う側面断面図である。 図１２のXIII−XIII線に沿う正面断面図である。 図１２のガス誘導手段としての整流部材の斜視図である。 処理ガス導入口形成部にガス誘導手段として列間部分隙間どうしの境の閉塞部材を設けた実施形態を示す正面断面図である。 図１５の実施形態の平面断面図である。 電極間にガス誘導手段となる門型スペーサを設けた実施形態を示す正面断面図である。 前記門型スペーサを正視した図である。 図１７の実施形態の平面断面図である。 吹出し口形成部にガス誘導手段を設けた実施形態を示す分解斜視図である。 図２０の実施形態の正面断面図である。 吹出し口にガス誘導手段として多孔板を設けた実施形態を示す分解斜視図である。 図２２の実施形態の正面断面図である。 吹出し口形成部にガス誘導手段として列間部分隙間どうしの境の閉塞部を設けた実施形態を示す分解斜視図である。 図２４のXXV−XXV線に沿う側面図である。 図２４のXXVI−XXVI線に沿う正面図である。 列内隙間の下流端を列内吹出し口を介して開口させた実施形態を示す分解斜視図である。 図２７の実施形態の吹出し口形成部材（下板）の平面図である。 上記列内吹出し口の変形例を示す平面図である。 上記列内吹出し口の他の変形例を示す平面図である。 上記列内吹出し口の他の変形例を示す平面図である。 処理ガス導入部に列内導入口を設けた実施形態を示す分解斜視図である。 図３１の処理ガス導入部の平面図である。 第１、第２電極列の互いに対向する電極部材どうしを少しずらした実施形態を示す平面図である。 共通（単一）の電源を用いた実施形態を示す平面図である。 電極列ごとに極性を同じに揃えた実施形態を示す平面図である。 電極列ごとに同極性とし、共通（単一）の電源を用いた実施形態を示す平面図である。 各電極列の隣り合う電極部材の端面どうしを突き当て、列内隙間を無くした実施形態の平面断面図である。 図３７において更に電極列ごとに同極性とした実施形態の平面断面図である。

符号の説明

Ｗ 被処理物
２ 処理ガス源
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ 電源
３ 共通（単一）の電源
３０ 放電処理部
３０Ｘ 電極ユニット（電極構造）
３１Ｘ 第１電極列
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 電極部材
３２Ｘ 第２電極列
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ 電極部材
３３ｓ 列間隙間
３３ｐ 列間部分隙間
３３ｒ 連通空間
３３ｑ 列内隙間
４３ 導入口形成部
４３ａ 処理ガス導入口
４３ｂ 第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位に対応する分岐口（ガス誘導手段）
４３ｄ 第１列間部分隙間の第２位置寄りの部位に対応する分岐口（ガス誘導手段）
４３ｈ 列間導入口（主導入口）
４３ｉ 列内導入口（副導入口）
４９ 下板（吹出し口形成部）
４９ａ スリット状吹出し口
４９Ｂ ガス誘導部（ガス誘導手段）
４９ｃ ガス誘導面
４９ｄ 上段吹出し口
４９Ｅ 橋部（吹出し口の隣り合う列間部分隙間どうしの境の吹出し口側の端部を塞ぐ閉塞部）
４９ｆ 下段吹出し口
４９ｇ 吹出し口の多孔板より上側の空間
４９ｈ 列間吹出し口
４９ｉ 列内吹出し口（大開口幅の吹出し口、ガス誘導手段）
４９ｊ 菱形開口（大開口幅の吹出し口、ガス誘導手段）
４９ｋ 三角形開口（大開口幅の吹出し口、ガス誘導手段）
４９ｍ 列間吹出し口
４９ｎ 傾斜列内吹出し口
４９Ｕ 下板の上段の板部
４９Ｌ 下板の下段の板部
５１ ガス誘導部材（ガス誘導手段）
５１ａ ガス誘導面
５２ ガス誘導部材（ガス誘導手段）
５２ａ ガス誘導面
５２ｂ ガス戻し面
５３ ガス誘導部材（ガス誘導手段）
５４ ガス誘導部材（ガス誘導手段）
５３ａ，５４ａ ガス誘導面
６０ ガス誘導手段としての整流部材
６２ 連通空間の近くに配置された整流板
７０ 閉塞部材（閉塞部）
８０ 門型スペーサ
８１ 脚部（隣り合う電極部材どうし間への介在部）
８２ 連結部（閉塞部）
９０ ガス誘導手段としての多孔板
９０ａ 多数の小孔

Claims (6)

1. 処理ガスを略大気圧の放電空間でプラズマ化して吹出し、被処理物に当てることによりプラズマ処理を行なう装置における前記放電空間を形成する電極構造であって、
   前記放電空間の上流端から下流端へ向かう方向とは交差する一方向に並べられた複数の電極部材からなる第１電極列と、
   この第１電極列と平行に並べられた他の複数の電極部材からなる第２電極列と、を含み、
   これら第１電極列の電極部材及び第２電極列の電極部材が、それぞれ長手方向を前記並び方向に向けており、
   前記並び方向の実質的に同じ位置に配置された第１、第２電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の一部分となる列間部分隙間を構成し、
   第１、第２電極列どうしの間に、前記列間部分隙間をその延び方向に沿って一列に複数連ねてなる列間隙間が形成され、
   しかも、前記並び方向に隣り合う電極部材どうしの極性が互いに逆になっていることを特徴とするプラズマ処理装置の電極構造。
2. 前記第１電極列および／または第２電極列において前記並び方向に隣り合う電極部材どうしの間に列内隙間が形成され、この列内隙間も前記放電空間の他の一部分を構成していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置の電極構造。
3. 前記列内隙間の下流端が、処理ガスを前記列間隙間を介さずに吹出し可能に開口されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置の電極構造。
4. 前記極性として電界印加極と接地極があり、前記電極部材のうち電界印加極を構成するものどうしが、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置の電極構造。
5. 前記極性として電界印加極と接地極があり、前記電極部材のうち電界印加極を構成するものどうしが、共通の電源に接続されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置の電極構造。
6. 各列間部分隙間における隣の列間部分隙間寄りの側部を通る処理ガス流を、隣側へ誘導するガス誘導手段を付設したことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ処理装置の電極構造。

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