JP3104721B2 - 微粒子噴射加工装置 - Google Patents

微粒子噴射加工装置

Info

Publication number
JP3104721B2
JP3104721B2 JP04105354A JP10535492A JP3104721B2 JP 3104721 B2 JP3104721 B2 JP 3104721B2 JP 04105354 A JP04105354 A JP 04105354A JP 10535492 A JP10535492 A JP 10535492A JP 3104721 B2 JP3104721 B2 JP 3104721B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mixing chamber
ultrafine particles
compressed air
fine particle
delivery pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04105354A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05277948A (ja
Inventor
彰生 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP04105354A priority Critical patent/JP3104721B2/ja
Publication of JPH05277948A publication Critical patent/JPH05277948A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3104721B2 publication Critical patent/JP3104721B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板や半導体基
板などの被加工物に対して、エッチングやいわゆるデポ
ジションなどの加工を行なうのに好適な微粒子噴射加工
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路やプリント配線回路、さ
らには磁気ヘッドなどの各種機能素子などを製造する場
合に、様々な微細加工が必要となる。このため高度なエ
ッチング技術や薄膜形成技術が要求されている。
【0003】このようなエッチング技術としては、イオ
ンエッチング法、リアクティブイオンエッチング法、サ
ンドブラスト法などが知られている。しかしながらイオ
ンエッチング法は加工速度が遅く、サンドブラスト法は
被加工面の表面状態が劣る欠点があった。
【0004】一方、薄膜形成技術としては、スパッタ
法、熔射法、気相成長法などが知られている。しかしな
がらスパッタ法は成膜速度が遅く、熔射法は耐熱性基板
にしか膜形成が行なえず、気相成長法は成膜速度が遅い
上に耐熱性基板でなければ対応できない欠点があった。
【0005】上記の問題を解決するため、本発明者らは
特開平3−231096号公報に記載されたように、被
加工面に対して平均粒径0.01μm乃至3μmの極微
粒子を主体とする粉体を所定の入射角で吹き付ける加工
方法を提案した。この方法によると、早い成膜速度で被
加工面に対する制約も少なくデポジションの加工を行な
うことができ、また微細なパターンを精度よく高速でエ
ッチングの加工を行なうことができる。
【0006】図6に前記提案による加工方法で使用され
る加工装置の概略構成を示す。この加工装置は大別して
圧縮空気を供給するエアコンプレッサ1と、このエアコ
ンプレッサ1から送り出された圧縮空気に極微粒子2を
混合する混合室3と、圧縮空気とともに極微粒子2を被
加工物4に噴射する噴射室5と、噴射室5から極微粒子
2を回収吸引する排風機6とから構成されている。
【0007】上記のように構成された加工装置におい
て、エアコンプレッサ1から送り出された圧縮空気は、
第1の空気供給管7と第2の空気供給管8に分流され、
第1の空気供給管7に分流された圧縮空気は混合室3の
底部に設けられたフィルタ9または空気吹き出し口10
から混合室3内へ流入される。このとき圧縮空気が極微
粒子2内を通ることにより、エアバイブレータ効果によ
って極微粒子2が攪拌され、その一部が混合室3内に設
けれた集粉器11の下面凹部11aによって送出管12
の入口12aの近傍に集められる。
【0008】この攪拌に際しては混合室3の内部底面に
設けられた振動部材13により、極微粒子2の機械的な
分散も行なわれ、前記エアバイブレータ効果が効果的に
持続される。また集粉器11に接続される導出管14の
中途部に設けられた電磁弁15と、混合室3の上部の極
微粒子供給部16の蓋部17に接続された排気管18の
中途部に設けられた電磁弁19とは、一定の周期で互い
に開閉状態が逆になるように制御される。この結果これ
らの開閉操作による圧力差によって、混合室3内の極微
粒子2が一層攪乱されるようになっている。
【0009】一方、第2の空気供給管8に分流された圧
縮空気は、送出管12に直接送り込まれ、その空気流に
よって負圧となることにより、出口8a付近に集められ
た極微粒子2が吸い込まれ、送出管12内で圧縮空気と
混合される。そしてこの圧縮空気と極微粒子2との混合
物が送出管12を通って、噴射室5内のノズル20から
噴射され、被加工物4の被加工面に吹きつけられて加工
が行なわれる。使用済の極微粒子2は噴射室5に接続さ
れた反送管21,22を介して供給部16に戻され、再
使用に供される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記提案
による加工装置によると、送出管12の入り口12aか
らだんご状に凝集した極微粒子2が吸い込まれ、送出管
12内で圧縮空気と混合されてノズル20から噴射され
る。このとき噴射される極微粒子2は突沸状態となっ
て、この噴射が断続的に繰り返される。このように極微
粒子2が突沸状態でノズル20から同時に多量に噴射さ
れると、微粒子によるマスク現象が発生するため被加工
物4は加工されにくくなる。この結果、被加工物4が均
一に加工されにくくなるおそれがあった。
【0011】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、圧縮空気中に分散された極微粒子をノズルから
安定して噴射させることができ、加工の均一性を向上す
ることができる微粒子噴射加工装置を提供することを目
的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の微粒子
噴射加工装置は、極微粒子2が充填された混合室3と、
混合室3に圧縮空気を供給する空気供給管7と、混合室
3に送出管12を介して接続され、極微粒子2を圧縮空
気とともに被加工物4に対して噴射する噴射室5と、混
合室3内の極微粒子2を攪拌する攪拌部材33とを備え
た微粒子噴射加工装置であって、空気供給管7を混合室
3の底部に接続し、送出管12の一端を混合室3の上部
に接続するとともに、送出管12が接続された部位の混
合室3の上部に、所定の大きさの空間31を設けたこと
を特徴とする。
【0013】請求項2に記載の微粒子噴射加工装置は、
攪拌部材を複数個設けたことを特徴とする。
【0014】
【作用】請求項1に記載の微粒子噴射加工装置において
は、混合室3と送出管12との接続部に所定の大きさの
空間31を設けることにより、圧縮空気でまき上げら
れ、この圧縮空気中に分散した極微粒子2のみが空間3
1を通って送出管12に送られる。そして送出管12内
で圧縮空気と混合され、加速されてノズル20から噴射
される。この結果極微粒子2の突沸現象の発生を防止す
ることができ、加工面の均一性が著しく向上する。
【0015】請求項2に記載の微粒子噴射加工装置にお
いては、混合室3内の極微粒子2を攪拌する攪拌部材3
3を複数個設けることにより、攪拌部材33の回転周期
による極微粒子2の送出管12への供給量の変動を少な
くすることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の微粒子噴射加工装置の一実施
例を図面を参照して説明する。
【0017】図1に本発明の一実施例の概略構成を示
す。図1において、図6に示す従来例の部分と対応する
部分には同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略
する。本実施例の特徴は図6に示す従来例における集粉
器11、振動部材13、導出管14、電磁弁15を省略
し、第1の空気供給管7を混合室3の底部に接続し、混
合室3の上部に所定の大きさの空間31を介して送出管
12の一端を接続した点にある。また混合室3の上部に
はモータ32が設けられており、混合室3内にはモータ
32によって回転駆動される攪拌部材33が装着されて
いる。さらに極微粒子供給部16の蓋部17には供給部
16の下端の開口部を開閉する円錐状の供給弁34が昇
降可能に取り付けられており、供給弁34はコイルバネ
35によって供給部16の開口部を閉塞する方向に付勢
されている。
【0018】なお符号36,37,38はそれぞれ空気
供給管7,8に設けられた調整弁、電磁弁、調整弁であ
り、符号39は送出管12に設けられた加振器である。
さらに符号40,41はそれぞれ供給部16及び混合室
3を加熱するヒータである。
【0019】次に本実施例の作用を説明する。平均粒径
0.01μm乃至3μmの極微粒子2が送出管12内に
おいて圧縮空気と混合され、ノズル20から噴射され、
被加工物4の被加工面に吹き付けられて加工が行なわれ
ることは、基本的には従来例と同様である。本実施例で
は第1の空気供給管7から供給される圧縮空気が、混合
室3の底部に設けられた空気吹き出し口10から吹き出
され、フィルタ9を通して極微粒子2の中を通過してい
る。なお空気吹出し口10は例えば径2mmのものが同
心円上に8個並んで配設されたものでもよく、中心にさ
らに径2mmの孔を設けてもよい。またフィルタ9は例
えばメッシュ30μm乃至100μmのSUSサーメッ
トフィルタまたはブロンズサーメットフィルタである。
【0020】上記の状態では極微粒子2は圧縮空気によ
り一時的に巻き上げられるだけである。この状態を持続
するために攪拌部材33を一定の周期で回転させる。そ
して巻き上げられた極微粒子2は空間31を通り、送出
管12を通って第2の空気供給管8の出口8aに至り圧
縮空気と混合される。このとき空間31がない場合は図
2に示すように混合室3と送出管12との接続部に極微
粒子2が寄せられて吸い込まれ、凝集した固まり状の極
微粒子2となり突沸状態となる。しかし本実施例に示す
ように、例えば内径30mm、高さ30mmの空間を上
記接続部に設けることにより、圧縮空気で巻き上げられ
圧縮空気中に分散した極微粒子2のみが送出管12内に
吸い込まれるので、図3に示すように突沸状態にはなら
ない。従ってノズル20からの極微粒子2の突沸的な噴
射は発生せず、加工面の均一性が著しく向上する。特に
極微粒子2が混合室3内に満杯状態で充填されていると
きに有効である。
【0021】また混合室3の下部に第1の空気供給管7
を介して供給する圧縮空気の供給圧力をゼロから増加し
ていくと、図4に示すように極微粒子2の供給量もほぼ
比例して増加する。従って供給圧力を調整することによ
り極微粒子2の供給量を任意に制御することができる。
【0022】本実施例によれば、混合室3と送出管12
との接続部に空間31を設けたので、ノズル20から噴
射される極微粒子2の突沸状態の発生を防止することが
でき、圧縮空気中に分散された極微粒子2が安定してノ
ズル20から噴射される。この結果被加工物4の加工の
均一性を向上させることができる。また突沸噴射と正常
噴射との繰り返しによる送出管12やノズル20の偏摩
耗の発生を防止することができる。
【0023】上記実施例では室間31及び攪拌部材33
がそれぞれ1個の場合について説明したが、室間31を
混合室3の上部に均等に複数個設けてもよく、攪拌部材
33を同心上に複数個設けてもよい。ここで攪拌部材3
3が空間31の下にきたときに極微粒子2が最も多く送
出管12へ送られるが、攪拌部材33を複数個設けるこ
とによりこの変動を防止することができる。図5に攪拌
部材33を4個、空間31を3個設けたときの攪拌部材
33の回転周期と極微粒子2の供給量との関係を曲線A
で示す。曲線Bは攪拌部材33及び空間31がそれぞれ
1個の場合を示す。図5から明らかなように曲線Aに示
す場合は極微粒子2の供給量の変動を大幅に改善するこ
とができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
微粒子噴射加工装置によれば、混合室と送出管との接続
部に空間を設けたので、ノズルから噴出される極微粒子
の突沸状態の発生を防止することができ、圧縮空気中に
分散された極微粒子が安定してノズルから噴射される。
この結果被加工物の加工の均一性を向上させることがで
きる。また突沸噴射と正常噴射との繰り返しによる送出
管やノズルの偏摩耗の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の微粒子噴射加工装置の一実施例の概略
構成を示す断面図である。
【図2】極微粒子の突沸状態の一例を示す説明図であ
る。
【図3】本実施例による突沸解消状態を示す説明図であ
る。
【図4】圧縮空気供給圧力と極微粒子供給量との関係を
示す線図である。
【図5】攪拌部材回転周期と極微粒子供給量との関係を
示す線図である。
【図6】従来の微粒子噴射加工装置の一例の概略構成を
示す断面図である。
【符号の説明】
2 極微粒子 3 混合室 4 被加工物 5 噴射室 7,8 空気供給管 12 送出管 31 空間 33 攪拌部材

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 極微粒子が充填された混合室と、 前記混合室に圧縮空気を供給する空気供給管と、 前記混合室に送出管を介して接続され、前記極微粒子を
    前記圧縮空気とともに被加工物に対して噴射する噴射室
    と、 前記混合室内の前記極微粒子を攪拌する攪拌部材とを備
    えた微粒子噴射加工装置であって、 前記空気供給管を前記混合室の底部に接続し、前記送出
    管の一端を前記混合室の上部に接続するとともに、前記
    送出管が接続された部位の前記混合室の上部に、所定の
    大きさの空間を設けたことを特徴とする微粒子噴射加工
    装置、
  2. 【請求項2】 攪拌部材を複数個設けたことを特徴とす
    る請求項1記載の微粒子噴射加工装置。
JP04105354A 1992-03-31 1992-03-31 微粒子噴射加工装置 Expired - Fee Related JP3104721B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04105354A JP3104721B2 (ja) 1992-03-31 1992-03-31 微粒子噴射加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04105354A JP3104721B2 (ja) 1992-03-31 1992-03-31 微粒子噴射加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05277948A JPH05277948A (ja) 1993-10-26
JP3104721B2 true JP3104721B2 (ja) 2000-10-30

Family

ID=14405397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04105354A Expired - Fee Related JP3104721B2 (ja) 1992-03-31 1992-03-31 微粒子噴射加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3104721B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05277948A (ja) 1993-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100276620B1 (ko) 세정용 2류체제트노즐 및 이것을 이용한 세정장치와 세정방법
US5928719A (en) Surface processing method by blowing submicron particles
TWI632001B (zh) 二相流霧化噴射清洗裝置
KR100483343B1 (ko) 회전 및 이동가능한 스프레이 노즐
TWI443722B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20040089328A1 (en) Substrate cleaning apparatus
US20030089799A1 (en) Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same
WO2018220756A1 (ja) ミスト塗布成膜装置の塗布ヘッドおよびそのメンテナンス方法
JP3104721B2 (ja) 微粒子噴射加工装置
EP0540082A1 (en) LPCVD reactor for high efficiency, high uniformity deposition and a method of such deposition
JPH04176352A (ja) スプレーノズル
JP3254663B2 (ja) 微粒子噴射加工装置
JP3015869B2 (ja) 微細造形方法及び装置
JP2579821Y2 (ja) 半導体製造装置
JP2682082B2 (ja) サンドブラスト装置
JP3111264B2 (ja) 半導体デバイス製造用の処理液供給ノズル及び処理液供給方法
JP2882031B2 (ja) 微粒子撹拌混合装置
JP2580745B2 (ja) サンドブラスト装置
JP4424807B2 (ja) 粉体噴射装置および粉体噴射ノズル
JPH05117724A (ja) 金属粉末製造方法
JPH05285838A (ja) 加工装置における粉体噴射量制御システム
US20020146967A1 (en) Method and apparatus for ice blasting
JP2526171Y2 (ja) 微粉体噴射装置における微粉体回収部
JPH081345B2 (ja) 超微細凍結粒子の生成装置
JPH04341335A (ja) 固気2相混合噴射流生成方法及び固気2相混合噴射流噴射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000802

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees