JPH06318569A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH06318569A JPH06318569A JP10785893A JP10785893A JPH06318569A JP H06318569 A JPH06318569 A JP H06318569A JP 10785893 A JP10785893 A JP 10785893A JP 10785893 A JP10785893 A JP 10785893A JP H06318569 A JPH06318569 A JP H06318569A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- holes
- dry etching
- plate
- Prior art date
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上の素子をドライをエッチングする場合に
材料ガスを均一に供給して局所的なエッチング速度のば
らつきを防ぎ均一にエッチングする。 【構成】ガスの噴き出し口の貫通穴１１上に交換が可能
なガス制御板９を設ける。これにより、基板１の大きさ
や、素子部の位置等が変った時はガス制御板９の貫通穴
１１の位置や数を変更できるようになるため、基板１上
のガス流れを均一にでき、局所的なエッチング速度のば
らつきを防止できる。
材料ガスを均一に供給して局所的なエッチング速度のば
らつきを防ぎ均一にエッチングする。 【構成】ガスの噴き出し口の貫通穴１１上に交換が可能
なガス制御板９を設ける。これにより、基板１の大きさ
や、素子部の位置等が変った時はガス制御板９の貫通穴
１１の位置や数を変更できるようになるため、基板１上
のガス流れを均一にでき、局所的なエッチング速度のば
らつきを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し、特に高周波プラズマによるガスプラズマドライエ
ッチング装置に関する。
関し、特に高周波プラズマによるガスプラズマドライエ
ッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置は、図４に
示す様に、下電極板２と下電極３と、材料ガスが通過す
る複数の貫通穴１１を有する上電極板４と上電極５と、
下電極板２と下電極３と、上電極板４と上電極５を収納
する真空室６と材料ガスを供給するガス導入管７を有し
ている。ガス導入管７より供給される各種の材料ガス
は、上電極５及び上電極板４に複数箇所開けられた貫通
穴１１を通って真空室６の中に噴き出す。この材料ガス
が下電極板２の上に置かれた基板１の上にシャワー状に
広がった後で、下電極３と上電極５の間に高周波を印加
して基板１上の膜をエチングするようになっている。
示す様に、下電極板２と下電極３と、材料ガスが通過す
る複数の貫通穴１１を有する上電極板４と上電極５と、
下電極板２と下電極３と、上電極板４と上電極５を収納
する真空室６と材料ガスを供給するガス導入管７を有し
ている。ガス導入管７より供給される各種の材料ガス
は、上電極５及び上電極板４に複数箇所開けられた貫通
穴１１を通って真空室６の中に噴き出す。この材料ガス
が下電極板２の上に置かれた基板１の上にシャワー状に
広がった後で、下電極３と上電極５の間に高周波を印加
して基板１上の膜をエチングするようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、材料ガスの噴き出し口の貫通穴の数が
一定になっているため、材料ガスの流れを制御すること
が困難であった。また、ガスの流れの制御ができないた
めに基板のサイズや内部のパターンが変った時は、局所
的にガス濃淡が生じてエッチング速度の差が起こり均一
なエッチングができないという問題点があった。
チング装置では、材料ガスの噴き出し口の貫通穴の数が
一定になっているため、材料ガスの流れを制御すること
が困難であった。また、ガスの流れの制御ができないた
めに基板のサイズや内部のパターンが変った時は、局所
的にガス濃淡が生じてエッチング速度の差が起こり均一
なエッチングができないという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、材料ガスの流れを制御し
てエッチング速度の差をなくし、均一にエッチングでき
るドライエッチング装置を提供することにある。
てエッチング速度の差をなくし、均一にエッチングでき
るドライエッチング装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空室内に配
置された基板を載置する平行平板型の下電極板と、材料
ガスを均一に噴出する複数の貫通穴を有する平行平板型
の上電極板と、この上電極板の前記複数の貫通穴に前記
材料ガスを供給するガス導入管とを有するドライエッチ
ング装置において、前記上電極板の前記複数の貫通穴の
数を可変できるガス制御板を設け前記材料ガスの量を制
御する機構を備えている。
置された基板を載置する平行平板型の下電極板と、材料
ガスを均一に噴出する複数の貫通穴を有する平行平板型
の上電極板と、この上電極板の前記複数の貫通穴に前記
材料ガスを供給するガス導入管とを有するドライエッチ
ング装置において、前記上電極板の前記複数の貫通穴の
数を可変できるガス制御板を設け前記材料ガスの量を制
御する機構を備えている。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１は、本発明の一実施例の要部断面図で
ある。図１に示す様に、ガス導入管７から入った材料ガ
スは、ガス制御板９によって部分的に遮断され遮断穴１
０となる。このガス制御板９の貫通穴１１を通過した材
料ガスのみが、上電極５と上電極板４に開けられた貫通
穴１１から出て下電極板２に置かれた基板１の上に集中
して供給される。
ある。図１に示す様に、ガス導入管７から入った材料ガ
スは、ガス制御板９によって部分的に遮断され遮断穴１
０となる。このガス制御板９の貫通穴１１を通過した材
料ガスのみが、上電極５と上電極板４に開けられた貫通
穴１１から出て下電極板２に置かれた基板１の上に集中
して供給される。
【０００８】図２（ａ），（ｂ）は図１のガス制御板に
開けられた貫通穴と基板の関係を示す平面図である。図
２（ａ）に示す様に、比較的小さな基板１の場合には基
板１に合せるために基板１の周辺の不要な貫通穴１１は
遮断し遮断穴１０とする様になっている。
開けられた貫通穴と基板の関係を示す平面図である。図
２（ａ）に示す様に、比較的小さな基板１の場合には基
板１に合せるために基板１の周辺の不要な貫通穴１１は
遮断し遮断穴１０とする様になっている。
【０００９】図２（ｂ）に示す様に、大きな基板で材料
ガスを遮断する必要性が無い場合にはガス制御板９を全
開して全ての貫通穴１１から材料ガスを噴出させる。
ガスを遮断する必要性が無い場合にはガス制御板９を全
開して全ての貫通穴１１から材料ガスを噴出させる。
【００１０】図３は基板の中に２つの素子部がある場合
のガス制御板に開けられた貫通穴と基板の関係を示す平
面図である。図３に示す様に、この場合には素子部Ａ１
２と素子部Ｂ１３との間の不要な部分は遮断穴１０とし
材料ガスを供給しない様になっている。
のガス制御板に開けられた貫通穴と基板の関係を示す平
面図である。図３に示す様に、この場合には素子部Ａ１
２と素子部Ｂ１３との間の不要な部分は遮断穴１０とし
材料ガスを供給しない様になっている。
【００１１】本実施例において、図３の形状のガス制御
板を使用した場合、材料ガスの遮断穴１０が無いものと
比較すると素子部Ａ，Ｂ１２，１３のエッチング速度の
ばらつきが４割改善される結果が得られた。
板を使用した場合、材料ガスの遮断穴１０が無いものと
比較すると素子部Ａ，Ｂ１２，１３のエッチング速度の
ばらつきが４割改善される結果が得られた。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板の大
きさや、素子の配置に応じて材料ガスの流れを変化させ
るガス制御板を有しているので、基板上に供給される材
料ガスの流れの制御が可能になり、エッチング速度の差
を抑え基板全面を均一にエッチングすることができる効
果を有する。
きさや、素子の配置に応じて材料ガスの流れを変化させ
るガス制御板を有しているので、基板上に供給される材
料ガスの流れの制御が可能になり、エッチング速度の差
を抑え基板全面を均一にエッチングすることができる効
果を有する。
【図１】本発明の一実施例の要部断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は図１のガス制御板に開けられ
た貫通穴と基板の関係を示す平面図である。
た貫通穴と基板の関係を示す平面図である。
【図３】基板の中に２つの素子部がある場合のガス制御
板に開けられた貫通穴と基板の関係を示す平面図であ
る。
板に開けられた貫通穴と基板の関係を示す平面図であ
る。
【図４】従来のドライエッチング装置の一例の要部断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ 下電極板 ３ 下電極 ４ 上電極板 ５ 上電極 ６ 真空室 ７ ガス導入管 ８ 上電極上下調整部 ９ ガス制御板 １０ 遮断穴 １１ 貫通穴 １２ 素子部Ａ １３ 素子部Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空室内に配置された基板を載置する平
行平板型の下電極板と、材料ガスを均一に噴出する複数
の貫通穴を有する平行平板型の上電極板と、この上電極
板の前記複数の貫通穴に前記材料ガスを供給するガス導
入管とを有するドライエッチング装置において、前記上
電極板の前記複数の貫通穴の数を可変できるガス制御板
を設け前記材料ガスの量を制御する機構を備えたことを
特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10785893A JPH06318569A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10785893A JPH06318569A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318569A true JPH06318569A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14469857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10785893A Pending JPH06318569A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318569A (ja) |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP10785893A patent/JPH06318569A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |