JPS61104625A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS61104625A JPS61104625A JP22574684A JP22574684A JPS61104625A JP S61104625 A JPS61104625 A JP S61104625A JP 22574684 A JP22574684 A JP 22574684A JP 22574684 A JP22574684 A JP 22574684A JP S61104625 A JPS61104625 A JP S61104625A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプラズマ処理装置に係、す、特に試料にエツチ
ング並びにデポジッション処理を施すのに好適なプラズ
マ処理装置に関するものである。
ング並びにデポジッション処理を施すのに好適なプラズ
マ処理装置に関するものである。
半導体素子の製造工程、例えば、エツチングガスで歩留
を向上させる一つの技術として、試料内のエツチング速
度の均一化をはかることが一般ｌこ実施されている。こ
の均一化の向上に関しては、例えば特開昭５７−１２１
２３３号公報に示されるように、試料に向けて処理ガス
であるエツチングガスを噴出するだめの噴出孔の方向を
可変にするものが知られている。この技術では、電極内
に組み込まれた噴出孔のアダプタを試料に応じて調整し
最適位置を求める必要がある。また、噴出孔からの処理
ガスの流れも、アダプタの穴径が一定である限り変化の
幅は極く限られたものとなり、噴出孔からの処理ガス流
れを広範囲に変化させようとする点には配慮されていな
かった。
を向上させる一つの技術として、試料内のエツチング速
度の均一化をはかることが一般ｌこ実施されている。こ
の均一化の向上に関しては、例えば特開昭５７−１２１
２３３号公報に示されるように、試料に向けて処理ガス
であるエツチングガスを噴出するだめの噴出孔の方向を
可変にするものが知られている。この技術では、電極内
に組み込まれた噴出孔のアダプタを試料に応じて調整し
最適位置を求める必要がある。また、噴出孔からの処理
ガスの流れも、アダプタの穴径が一定である限り変化の
幅は極く限られたものとなり、噴出孔からの処理ガス流
れを広範囲に変化させようとする点には配慮されていな
かった。
本発明の目的は、処理ガスの流速調整や流れ分屈
布を簡単に、かつ、広範〆に制御することで、プラズマ
処理速度の試料内分布の均一性を保持できるプラズマ処
理装置を提供することにある。
処理速度の試料内分布の均一性を保持できるプラズマ処
理装置を提供することにある。
本発明は、試料台の試料載置面に向って処理ガスを噴出
する噴出孔にチャンファ−を施行したことを特徴とする
もので、チャンファ−施行により処理ガスの流速調整や
流れ分布を簡単に、かつ、広範囲に制御しようとしたも
のである。
する噴出孔にチャンファ−を施行したことを特徴とする
もので、チャンファ−施行により処理ガスの流速調整や
流れ分布を簡単に、かつ、広範囲に制御しようとしたも
のである。
真空Ｉ′１月こ噴出孔から処理ガスを供給する際、供給
ガス量と噴出孔の径や形状が、噴出孔から出た処理ガス
の流れに大きな影響を与えることが判明した。例えば、
穴径が３ｍｍ以上の場合は、噴出孔から出た直後から同
心円状に大き４拡がるのに対し、穴径が１ ｗ以下の場
合は噴出孔のまわりにまとわりつくような流れを示し、
同心円状から大きくずれた形になるなどの大きな変化を
示す。また、噴出孔の出口や入口の形状においてもチャ
ンファ−を施すことにより、カスの流れが変化すること
を把んだ。本発明は、これらの現象を利用して、処理カ
ス流れを効果的に制御しようとするものである。
ガス量と噴出孔の径や形状が、噴出孔から出た処理ガス
の流れに大きな影響を与えることが判明した。例えば、
穴径が３ｍｍ以上の場合は、噴出孔から出た直後から同
心円状に大き４拡がるのに対し、穴径が１ ｗ以下の場
合は噴出孔のまわりにまとわりつくような流れを示し、
同心円状から大きくずれた形になるなどの大きな変化を
示す。また、噴出孔の出口や入口の形状においてもチャ
ンファ−を施すことにより、カスの流れが変化すること
を把んだ。本発明は、これらの現象を利用して、処理カ
ス流れを効果的に制御しようとするものである。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図ｉこより説明
する。
する。
第１図は、処理室１の内部に試料台である試料電極２と
対向電極３とを有し、試料電極２側に高周波電源４によ
り高周波電力を印加し、対向？ｌ！極３側をアースした
、いわゆるカソードカップリングタイプのドライエツチ
ング装置である。処理ガスであるエツチングガスはガス
供給バイブ５を通じて、対向電極３内に供給され対向電
極３の最下部に取付けられたガス分散板６により試料載
ｔ？ｆｉ２の試料載置面に載置された試料７に向って噴
出される。噴出方法は、ガス分散板６に設けられた、１
個あるいは複数個のガス噴出孔８からガス流量やガス噴
出速度やガス流れなどを制御する方法を採っている。エ
ツチングガスに寄与したガスや反応生成物はガス排出口
９より処理室ｌの外へ排気される。
対向電極３とを有し、試料電極２側に高周波電源４によ
り高周波電力を印加し、対向？ｌ！極３側をアースした
、いわゆるカソードカップリングタイプのドライエツチ
ング装置である。処理ガスであるエツチングガスはガス
供給バイブ５を通じて、対向電極３内に供給され対向電
極３の最下部に取付けられたガス分散板６により試料載
ｔ？ｆｉ２の試料載置面に載置された試料７に向って噴
出される。噴出方法は、ガス分散板６に設けられた、１
個あるいは複数個のガス噴出孔８からガス流量やガス噴
出速度やガス流れなどを制御する方法を採っている。エ
ツチングガスに寄与したガスや反応生成物はガス排出口
９より処理室ｌの外へ排気される。
第２図で、ガス噴出孔８の入口および出口にチャンファ
−を施行し、円錐状のガス導入部や排出部を設けている
。第２図の左側はガス入口部］Ｏａを示し、右側はガス
出口部１０ ｂの一例を示すものである。この円錐状の
形状はエツチングガス■などにより最適な形状に選定さ
れる。また、噴出孔８の上下に円錐状のガス入口部１０
ａおよびガス出口部１０ｂを設けることもできる。こ
れによれば、錐にて簡単に加工できるため、調整も容易
となる。
−を施行し、円錐状のガス導入部や排出部を設けている
。第２図の左側はガス入口部］Ｏａを示し、右側はガス
出口部１０ ｂの一例を示すものである。この円錐状の
形状はエツチングガス■などにより最適な形状に選定さ
れる。また、噴出孔８の上下に円錐状のガス入口部１０
ａおよびガス出口部１０ｂを設けることもできる。こ
れによれば、錐にて簡単に加工できるため、調整も容易
となる。
第３図から第５図は、本発明の他の実施例な示すもので
、円錐状のガス入口部やガス出口部を脱着可能にしたも
のである。まず、第３図は、ピン１２にてノズル１１
ａを固定した例であり、第４図は弾塑性材料で製作した
ノズルＩｌｂをガス分散板６に設けた穴部に嵌め込んだ
例である。また、第５図は、ガス入口部側にノズル１１
ｃを置きエソチン口 〆部］Ｏｂとが一体となって脱着できる構造も本発明内
容番こ当然含まれる。
、円錐状のガス入口部やガス出口部を脱着可能にしたも
のである。まず、第３図は、ピン１２にてノズル１１
ａを固定した例であり、第４図は弾塑性材料で製作した
ノズルＩｌｂをガス分散板６に設けた穴部に嵌め込んだ
例である。また、第５図は、ガス入口部側にノズル１１
ｃを置きエソチン口 〆部］Ｏｂとが一体となって脱着できる構造も本発明内
容番こ当然含まれる。
以上の実施例によれば、ガス噴出孔の端部に錐などを用
いて、円錐状の要素を設けることにより、円筒状のガス
噴出孔では得られなかったエツチングガス流速の調整や
エツチングガス流れを簡単に、かつ広範囲に制御するこ
とができるようになり、エツチング速度の試料内分布の
均一性を保持することができる。
いて、円錐状の要素を設けることにより、円筒状のガス
噴出孔では得られなかったエツチングガス流速の調整や
エツチングガス流れを簡単に、かつ広範囲に制御するこ
とができるようになり、エツチング速度の試料内分布の
均一性を保持することができる。
本発明は、以上説明したように、処理ガスの流速調整や
流れ分布を簡単に、かつ、広範囲に制御できるので、プ
ラズマ処理速度の試料内分布の均一性を保持できるとい
う効果がある。
流れ分布を簡単に、かつ、広範囲に制御できるので、プ
ラズマ処理速度の試料内分布の均一性を保持できるとい
う効果がある。
第１図は、本発明によるプラズマ処理装置の一実施例を
示すもので、ドライエツチング装置の縦断面図、第２図
は、第１図のＡ部拡大断面図、第３図ないし第５図は、
本発明によるプラズマ処理装置の他の実施例を示すガス
噴出孔部の縦断面図である。 ｌ・・・・・処理室、２・・・・・・試料電極、８・・
・・・・ガス噴出孔、１０ ａ・・・・・・ガス入口部
、１０ｂ・・・・・・ガス出口部、中２図 才３図 ｓｒＺＪ
示すもので、ドライエツチング装置の縦断面図、第２図
は、第１図のＡ部拡大断面図、第３図ないし第５図は、
本発明によるプラズマ処理装置の他の実施例を示すガス
噴出孔部の縦断面図である。 ｌ・・・・・処理室、２・・・・・・試料電極、８・・
・・・・ガス噴出孔、１０ ａ・・・・・・ガス入口部
、１０ｂ・・・・・・ガス出口部、中２図 才３図 ｓｒＺＪ
Claims (1)
- １、処理室に内設された試料台に載置された試料をプラ
ズマを利用して処理する装置において、前記試料台の試
料載置面に向って処理ガスを噴出するガス噴出孔にチャ
ンファーを施行したことを特徴とするプラズマ処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22574684A JPS61104625A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22574684A JPS61104625A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104625A true JPS61104625A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16834185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22574684A Pending JPS61104625A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104625A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5022979A (en) * | 1987-10-26 | 1991-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
| WO1995013927A1 (en) * | 1993-11-17 | 1995-05-26 | Lam Research Corporation | Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement |
| US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| US10763084B2 (en) * | 2010-11-30 | 2020-09-01 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22574684A patent/JPS61104625A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5022979A (en) * | 1987-10-26 | 1991-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
| WO1995013927A1 (en) * | 1993-11-17 | 1995-05-26 | Lam Research Corporation | Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement |
| US5472565A (en) * | 1993-11-17 | 1995-12-05 | Lam Research Corporation | Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement |
| US5714031A (en) * | 1993-11-17 | 1998-02-03 | Lam Research Corporation | Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement |
| US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
| US10763084B2 (en) * | 2010-11-30 | 2020-09-01 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US11101111B2 (en) | 2010-11-30 | 2021-08-24 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US20210343507A1 (en) * | 2010-11-30 | 2021-11-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
| US11948778B2 (en) * | 2010-11-30 | 2024-04-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and baffle structure of the substrate processing apparatus |
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