JP2001077031A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2001077031A JP2001077031A JP24768399A JP24768399A JP2001077031A JP 2001077031 A JP2001077031 A JP 2001077031A JP 24768399 A JP24768399 A JP 24768399A JP 24768399 A JP24768399 A JP 24768399A JP 2001077031 A JP2001077031 A JP 2001077031A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ処理装置において、上部電極内部で
発生する異常放電を抑止することによって、中間板表面
への反応生成物の異常成長を防止する。 【解決手段】 上部電極内に導入する反応ガスを均等に
分散させるための中間板4aの材質に、絶縁性の高いセ
ラミック材を使用し、上部電極内部での異常放電の発生
を抑止する。そして、中間板4aの外周部をネジ止めす
る際のセラミック材の割れを防ぐために、中間板4aの
セラミック部10の外周にアルミニウム製外周リング1
1を設ける。このアルミニウム製外周リング11は幅を
狭くし、シャワープレート5との間で形成される上部電
極の内部空間13に、導電性部分が露出しないようにし
ている。
発生する異常放電を抑止することによって、中間板表面
への反応生成物の異常成長を防止する。 【解決手段】 上部電極内に導入する反応ガスを均等に
分散させるための中間板4aの材質に、絶縁性の高いセ
ラミック材を使用し、上部電極内部での異常放電の発生
を抑止する。そして、中間板4aの外周部をネジ止めす
る際のセラミック材の割れを防ぐために、中間板4aの
セラミック部10の外周にアルミニウム製外周リング1
1を設ける。このアルミニウム製外周リング11は幅を
狭くし、シャワープレート5との間で形成される上部電
極の内部空間13に、導電性部分が露出しないようにし
ている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の製造
に使用するプラズマCVD装置あるいはプラズマエッチ
ング装置などのプラズマ処理装置に関するもので、特に
その電極構造に改良を加えたプラズマエッチング装置に
関する。
に使用するプラズマCVD装置あるいはプラズマエッチ
ング装置などのプラズマ処理装置に関するもので、特に
その電極構造に改良を加えたプラズマエッチング装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体基板の製造工程において
は、プラズマを利用して半導体基板表面の薄膜形成や微
細加工処理を行なう装置が各種用いられている。その基
本的な概略構造を図5の縦断面図を用いて説明すると、
まず、チャンバー3内には上部電極1と下部電極2が対
向して設置されている。そして、下部電極2に半導体基
板6を載置し、高真空系によりチャンバー3内を所定の
圧力に減圧した後反応ガスを導入し、次いで、高周波電
源より高周波電力を上部電極1に印加して上部電極1と
下部電極2の間にプラズマを発生させ、このプラズマに
より半導体基板6の薄膜形成や微細加工処理を行なうよ
うになっている。
は、プラズマを利用して半導体基板表面の薄膜形成や微
細加工処理を行なう装置が各種用いられている。その基
本的な概略構造を図5の縦断面図を用いて説明すると、
まず、チャンバー3内には上部電極1と下部電極2が対
向して設置されている。そして、下部電極2に半導体基
板6を載置し、高真空系によりチャンバー3内を所定の
圧力に減圧した後反応ガスを導入し、次いで、高周波電
源より高周波電力を上部電極1に印加して上部電極1と
下部電極2の間にプラズマを発生させ、このプラズマに
より半導体基板6の薄膜形成や微細加工処理を行なうよ
うになっている。
【0003】また、上部電極1は、導入された反応ガス
を均等に分散させるためのガス吹き出し穴7aおよび円
弧状スリット7bを備えたアルミニウム製中間板4と、
このアルミニウム製中間板4を通った反応ガスをさらに
整流して吹き出すための多数の吹き出し穴7を有するア
ルミニウム製のシャワープレート5から構成されてい
る。
を均等に分散させるためのガス吹き出し穴7aおよび円
弧状スリット7bを備えたアルミニウム製中間板4と、
このアルミニウム製中間板4を通った反応ガスをさらに
整流して吹き出すための多数の吹き出し穴7を有するア
ルミニウム製のシャワープレート5から構成されてい
る。
【0004】ここで、上部電極に中間板を設ける理由に
ついて説明すると、例えば、半導体基板面に膜厚が均等
になるように薄膜形成しようとすると、シャワープレー
トに開けられたガス吹き出し穴だけでは、整流効果はあ
るもののどうしてもシャワープレートの中央部分から噴
き出すガス量が多くなり、半導体基板中央部の膜厚が厚
くなる傾向にある。そこで、反応ガスを中央部と周縁部
とに分散させるための中間板をシャワープレートの上方
に設けることが必要となる。そのため、中間板には中央
部に吹き出し穴7aで示す複数の小穴と、周縁部には円
弧状スリット7bで示す複数の長穴を設け、反応ガスを
分散させている。
ついて説明すると、例えば、半導体基板面に膜厚が均等
になるように薄膜形成しようとすると、シャワープレー
トに開けられたガス吹き出し穴だけでは、整流効果はあ
るもののどうしてもシャワープレートの中央部分から噴
き出すガス量が多くなり、半導体基板中央部の膜厚が厚
くなる傾向にある。そこで、反応ガスを中央部と周縁部
とに分散させるための中間板をシャワープレートの上方
に設けることが必要となる。そのため、中間板には中央
部に吹き出し穴7aで示す複数の小穴と、周縁部には円
弧状スリット7bで示す複数の長穴を設け、反応ガスを
分散させている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
プラズマ処理装置は、上部電極の一部である中間板がア
ルミニウムで形成されているため、この中間板とシャワ
ープレートで形成される上部電極の内部空間に、高周波
電力印加時に異常放電が発生する。この異常放電は、図
4の部分断面図に示すように、内部空間13において、
アルミニウム製中間板4の表面とシャワープレート5に
開けられたガス吹き出し穴7の角部8との間に多く発生
する。
プラズマ処理装置は、上部電極の一部である中間板がア
ルミニウムで形成されているため、この中間板とシャワ
ープレートで形成される上部電極の内部空間に、高周波
電力印加時に異常放電が発生する。この異常放電は、図
4の部分断面図に示すように、内部空間13において、
アルミニウム製中間板4の表面とシャワープレート5に
開けられたガス吹き出し穴7の角部8との間に多く発生
する。
【0006】この異常放電を防ぐ手段として、例えば、
特開平10−287987号公報にあるように、上部電
極とチャンバー内壁との間をセラミックなどの絶縁部材
で被覆する手段が用いられているが、この場合、上部電
極内部はセラミック部材を使用していないので、プラズ
マの回り込みによる上部電極の内部空間に発生する異常
放電を抑止することはできない。
特開平10−287987号公報にあるように、上部電
極とチャンバー内壁との間をセラミックなどの絶縁部材
で被覆する手段が用いられているが、この場合、上部電
極内部はセラミック部材を使用していないので、プラズ
マの回り込みによる上部電極の内部空間に発生する異常
放電を抑止することはできない。
【0007】そして、この異常放電によって、図4に示
すようにアルミニウム製中間板4の表面にはSiOなど
の反応生成物9が異常成長し、この反応生成物9がデポ
・クリーニングサイクルの熱履歴により剥離してガス吹
き出し穴7から半導体基板上に落下し、突発的かつ局所
的に大きなゴミとなって半導体製造の大きな障害となっ
ていた。
すようにアルミニウム製中間板4の表面にはSiOなど
の反応生成物9が異常成長し、この反応生成物9がデポ
・クリーニングサイクルの熱履歴により剥離してガス吹
き出し穴7から半導体基板上に落下し、突発的かつ局所
的に大きなゴミとなって半導体製造の大きな障害となっ
ていた。
【0008】本発明の目的は、上部電極の内部空間に発
生する異常放電を抑制することによって、中間板の表面
への反応生成物の付着を防止することのできるプラズマ
処理装置を提供することにある。
生する異常放電を抑制することによって、中間板の表面
への反応生成物の付着を防止することのできるプラズマ
処理装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、チャンバー内に上部電極と下部電極とを対向させ
て設置し、上部電極の内部空間を構成する中間板とシャ
ワープレートを通して反応ガスを導入し、下部電極上に
載置した半導体基板を前記上下電極間に発生させたプラ
ズマによって加工処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記中間板の材質を高絶縁性のセラミック材とした
ことを特徴とする。
置は、チャンバー内に上部電極と下部電極とを対向させ
て設置し、上部電極の内部空間を構成する中間板とシャ
ワープレートを通して反応ガスを導入し、下部電極上に
載置した半導体基板を前記上下電極間に発生させたプラ
ズマによって加工処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記中間板の材質を高絶縁性のセラミック材とした
ことを特徴とする。
【0010】また、前記中間板は、セラミック部とこの
セラミック部が嵌まる大きさのアルミニウム製外周リン
グとに2分割されて構成されていることを特徴とする。
セラミック部が嵌まる大きさのアルミニウム製外周リン
グとに2分割されて構成されていることを特徴とする。
【0011】また、前記中間板をシャワープレートに取
り付ける際は、アルミニウム製外周リングのみをネジ止
めし、セラミック部には外力が加わらないようにして取
り付けたことを特徴とする。
り付ける際は、アルミニウム製外周リングのみをネジ止
めし、セラミック部には外力が加わらないようにして取
り付けたことを特徴とする。
【0012】また、前記中間板のアルミニウム製外周リ
ングは、セラミック部とシャワープレートが対向して形
成される前記上部電極の内部空間に露出しない幅に形成
されていることを特徴とする。
ングは、セラミック部とシャワープレートが対向して形
成される前記上部電極の内部空間に露出しない幅に形成
されていることを特徴とする。
【0013】また、前記中間板のセラミック部は、前記
上部電極の内部空間を塞ぐように載置されていることを
特徴とする。
上部電極の内部空間を塞ぐように載置されていることを
特徴とする。
【0014】また、前記中間板のアルミニウム製外周リ
ングは、セラミック部の位置決め部材を兼ねていること
を特徴とする。
ングは、セラミック部の位置決め部材を兼ねていること
を特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、プラズマ処理装置
としての全体構成は、図5に示した従来構造と同じであ
るので、共通部分は同じ符号で説明する。
いて図面を参照して説明する。なお、プラズマ処理装置
としての全体構成は、図5に示した従来構造と同じであ
るので、共通部分は同じ符号で説明する。
【0016】図1は、本発明におけるプラズマ処理装置
の一実施の形態に用いる上部電極の断面図である。例え
ば、プラズマCVD装置に用いる上部電極1の構造は、
シャワープレート5と、シャワープレート5の上部に対
向配置したセラミック製中間板4aとを有し、上部電極
1内に導入された反応ガスをまずセラミック製中間板4
aで均等に分散し、次いでシャワープレート5で整流
し、チャンバー3(図5に示す)内に供給するようにな
っている。
の一実施の形態に用いる上部電極の断面図である。例え
ば、プラズマCVD装置に用いる上部電極1の構造は、
シャワープレート5と、シャワープレート5の上部に対
向配置したセラミック製中間板4aとを有し、上部電極
1内に導入された反応ガスをまずセラミック製中間板4
aで均等に分散し、次いでシャワープレート5で整流
し、チャンバー3(図5に示す)内に供給するようにな
っている。
【0017】このチャンバー3は、半導体基板上に薄膜
を形成するための処理室であり、例えば、反応ガスであ
るTEOSガスを、上部電極1を通してチャンバー3内
に導入し、チャンバー3内を高密度プラズマ化して薄膜
形成を行なう。そして、チャンバー3には、チャンバー
3内を高密度プラズマ化するための高真空系が接続さ
れ、また、プラズマを発生させるための高周波電源が上
部電極1に接続されている。
を形成するための処理室であり、例えば、反応ガスであ
るTEOSガスを、上部電極1を通してチャンバー3内
に導入し、チャンバー3内を高密度プラズマ化して薄膜
形成を行なう。そして、チャンバー3には、チャンバー
3内を高密度プラズマ化するための高真空系が接続さ
れ、また、プラズマを発生させるための高周波電源が上
部電極1に接続されている。
【0018】ここで、本発明に使用するセラミック製中
間板4aの構造について、図2を参照して説明する。セ
ラミック製中間板4aは、図2の平面図に示すように円
板状に形成され、中央部はセラミック部10で形成さ
れ、外周部はアルミニウム製外周リング11で形成され
ている。セラミック部10には、従来のアルミニウム製
中間板と同様、中心部に均等に配置して開けられたガス
吹き出し穴7aと周辺に沿って開けられた円弧状スリッ
ト7bを有する。また、アルミニウム製外周リング11
には、取り付け用のネジ止め穴12が均等に開けられて
いる。
間板4aの構造について、図2を参照して説明する。セ
ラミック製中間板4aは、図2の平面図に示すように円
板状に形成され、中央部はセラミック部10で形成さ
れ、外周部はアルミニウム製外周リング11で形成され
ている。セラミック部10には、従来のアルミニウム製
中間板と同様、中心部に均等に配置して開けられたガス
吹き出し穴7aと周辺に沿って開けられた円弧状スリッ
ト7bを有する。また、アルミニウム製外周リング11
には、取り付け用のネジ止め穴12が均等に開けられて
いる。
【0019】このように、セラミック製中間板4aは、
中央部と外周部が分離可能に2分割されている。そし
て、セラミック部10の外径とアルミニウム製外周リン
グ11の内径とは、着脱可能にちょうど嵌まり合う大き
さに形成されている。
中央部と外周部が分離可能に2分割されている。そし
て、セラミック部10の外径とアルミニウム製外周リン
グ11の内径とは、着脱可能にちょうど嵌まり合う大き
さに形成されている。
【0020】ここで、セラミック製中間板4a全体をセ
ラミック材にしない理由は、セラミック製中間板4aを
シャワープレートに取り付ける際に、取り付け部分のネ
ジ締めによってセラミック材に割れが生じるのを防ぐた
めである。また、セラミック製中間板4aをシャワープ
レートに取り付ける際、アルミニウム製外周リング11
の一部が上部電極内部に露出すると、露出した部分(導
電性部分)で局所的に異常放電が発生するため、図3の
上部電極の部分断面図に示すように、アルミニウム製外
周リング11の幅を狭くすることによって、上部電極の
内部空間13に導電性部分が露出しない構造となってい
る。
ラミック材にしない理由は、セラミック製中間板4aを
シャワープレートに取り付ける際に、取り付け部分のネ
ジ締めによってセラミック材に割れが生じるのを防ぐた
めである。また、セラミック製中間板4aをシャワープ
レートに取り付ける際、アルミニウム製外周リング11
の一部が上部電極内部に露出すると、露出した部分(導
電性部分)で局所的に異常放電が発生するため、図3の
上部電極の部分断面図に示すように、アルミニウム製外
周リング11の幅を狭くすることによって、上部電極の
内部空間13に導電性部分が露出しない構造となってい
る。
【0021】その結果、セラミック部10は内部空間1
3を塞ぐ形でシャワープレート5に載置され、この状態
で上部電極を構成している。また、アルミニウム製外周
リング11がシャワープレート5に固定されるためセラ
ミック部10は横方向にずれることがなく、アルミニウ
ム製外周リング11はセラミック部10の位置決め部材
としての役目を果たしている。
3を塞ぐ形でシャワープレート5に載置され、この状態
で上部電極を構成している。また、アルミニウム製外周
リング11がシャワープレート5に固定されるためセラ
ミック部10は横方向にずれることがなく、アルミニウ
ム製外周リング11はセラミック部10の位置決め部材
としての役目を果たしている。
【0022】以上述べてきたように、本発明は、上部電
極内部に設けた反応ガス分散板である中間板の材質を、
アルミナなどの絶縁性の高いセラミック材にしたことに
よって、上部電極内部での異常放電の発生を抑止するこ
とができる。
極内部に設けた反応ガス分散板である中間板の材質を、
アルミナなどの絶縁性の高いセラミック材にしたことに
よって、上部電極内部での異常放電の発生を抑止するこ
とができる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、上部電極を構成する中
間板の材質に絶縁性の高いセラミック材を使用し、かつ
セラミック材の外周を形成するアルミニウム製外周リン
グの幅を狭くして上部電極の内部空間に露出しないよう
にすることによって、中間板表面とシャワープレートの
ガス吹き出し穴の角部との間で発生していた異常放電を
抑止することができる。
間板の材質に絶縁性の高いセラミック材を使用し、かつ
セラミック材の外周を形成するアルミニウム製外周リン
グの幅を狭くして上部電極の内部空間に露出しないよう
にすることによって、中間板表面とシャワープレートの
ガス吹き出し穴の角部との間で発生していた異常放電を
抑止することができる。
【0024】その結果、従来、上部電極内部に発生する
異常放電によって中間板表面に異常成長していた反応生
成物の剥離落下がなくなり、半導体基板の製造歩留まり
を向上させることができる。
異常放電によって中間板表面に異常成長していた反応生
成物の剥離落下がなくなり、半導体基板の製造歩留まり
を向上させることができる。
【図1】本発明に係る上部電極の断面図である。
【図2】本発明に係る中間板の平面図である。
【図3】本発明に係る上部電極の部分断面図である。
【図4】従来の上部電極の部分断面図である。
【図5】従来のプラズマ処理装置の概略構造を示す断面
図である。
図である。
1 上部電極 2 下部電極 3 チャンバー 4 アルミニウム製中間板 4a セラミック製中間板 5 シャワープレート 6 半導体基板 7,7a ガス吹き出し穴 7b 円弧状スリット 8 角部 9 反応生成物 10 セラミック部 11 アルミニウム製外周リング 12 ネジ止め穴 13 内部空間
Claims (6)
- 【請求項1】 チャンバー内に上部電極と下部電極とを
対向させて設置し、上部電極の内部空間を構成する中間
板とシャワープレートを通して反応ガスを導入し、下部
電極上に載置した半導体基板を前記上下電極間に発生さ
せたプラズマによって加工処理を行なうプラズマ処理装
置において、前記中間板の材質を高絶縁性のセラミック
材としたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】 前記中間板は、セラミック部とこのセラ
ミック部が嵌まる大きさのアルミニウム製外周リングと
に2分割されて構成されていることを特徴とする請求項
1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】 前記中間板をシャワープレートに取り付
ける際は、アルミニウム製外周リングのみをネジ止め
し、セラミック部には外力が加わらないようにして取り
付けたことを特徴とする請求項1または2記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項4】 前記中間板のアルミニウム製外周リング
は、セラミック部とシャワープレートが対向して形成さ
れる前記上部電極の内部空間に露出しない幅に形成され
ていることを特徴とする請求項1または2記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項5】前記中間板のセラミック部は、前記上部電
極の内部空間を塞ぐように載置されていることを特徴と
する請求項1または2記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項6】前記中間板のアルミニウム製外周リング
は、セラミック部の位置決め部材を兼ねていることを特
徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24768399A JP3317935B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24768399A JP3317935B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077031A true JP2001077031A (ja) | 2001-03-23 |
JP3317935B2 JP3317935B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17167106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24768399A Expired - Fee Related JP3317935B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3317935B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059567A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2007059103A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
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-
1999
- 1999-09-01 JP JP24768399A patent/JP3317935B2/ja not_active Expired - Fee Related
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