JP2010263049A - ドライエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドライエッチング装置においては、真空処理チャンバ11内に設けられ、エッチング処理すべき基板12の装着される基板電極13に対向した真空処理チャンバ11の天板側位置に、プロセスガス導入系17,18,19からのプロセスガスを拡散させるシャワープレート15を設け、真空処理チャンバ11の天板11aとシャワープレート15との間の空間に有孔放電防止プレート16を設ける。
【選択図】図3
Description
から真空チャンバ内にプロセスガスを噴出させるようにしている。この場合、真
空チャンバの天板又は上部電極とシャワープレートとの間に空間があるため、プ
ロセス処理中にこの空間で放電が生じ、これがパワーロスや異常放電の原因とな
っている。そのため、結果としてエッチングレートが低下しまたプロセスが不安
定となるという問題が生じることになる。
図3及び図4には、本発明の一実施形態によるバッチ式ドライエッチング装置を示し、11は真空処理チャンバであり、この真空処理チャンバ11内には、エッチング処理すべき基板12を装着する基板ホルダー13が設けられ、また基板ホルダー13に対向した位置で真空処理チャンバ11の天板11aの内壁に沿って、上部電極組立体14が設けられている。上部電極組立体14はシャワープレート15及び天板11aとシャワープレート15との間に空間に配置した複数枚の放電防止プレート16が配置されている。上部電極組立体14は、真空処理チャンバ11の天板11a自体で構成することができる。図示実施形態では、天板11aにプロセスガス導入口17が設けられ、このプロセスガス導入口17は導管18を介してプロセスガス源19に接続されている。
12:エッチング処理すべき基板
13:基板電極
14:上部電極組立体
15:シャワープレート
16:放電防止プレート
Claims (11)
- 真空処理チャンバ内に設けられ、エッチング処理すべき基板の装着される基板電極に対向した真空処理チャンバの天板側位置に、プロセスガス導入系からのプロセスガスを拡散させるシャワープレートを設け、シャワープレートを介して供給されるプロセスガスにより基板電極に装着した基板をエッチング処理するドライエッチング装置において、真空処理チャンバの天板とシャワープレートとの間の空間に有孔放電防止プレートを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
- 真空処理チャンバの天板とシャワープレートとの間の空間に設けられる有孔放電防止プレートが、プロセスガスを通過させる多数の孔のあけられた単一のプレートから成ることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング装置。
- シャワープレートと放電防止プレートとの間の隙間が1mm以下であることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング装置。
- 真空処理チャンバの天板とシャワープレートとの間の空間に設けられる有孔放電防止プレートが、各々プロセスガスを通過させる多数の孔のあけられた複数のプレートから成ることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング装置。
- シャワープレートとそれに隣接した有孔放電防止プレートとの間の隙間並びに各隣接した有孔放電防止プレートの間の隙間がそれぞれ1mm以下であることを特徴とする請求項4記載のドライエッチング装置。
- それぞれの有孔放電防止プレートは、重ね合わせられた時に各有孔放電防止プレートにおける孔が重ならないに配列されることを特徴とする請求項4記載のドライエッチング装置。
- 各有孔放電防止プレートにおける各孔の径が1〜3mmであることを特徴とする請求項1〜6のずれか一項記載のドライエッチング装置。
- 各有孔放電防止プレートにおける各孔の縁部が面取りされていることを特徴とする請求項7記載のドライエッチング装置。
- 各有孔放電防止プレートが導電性材料から成ることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載のドライエッチング装置。
- 各有孔放電防止プレートがパンチングプレートで構成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載のドライエッチング装置。
- 有孔放電防止プレートの厚さが1mm以上20mm以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項記載のドライエッチング装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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- 2009-05-01 JP JP2009112264A patent/JP2010263049A/ja active Pending
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