JP5648189B2 - 高周波スパッタリング装置 - Google Patents

Description

本発明は，ＲＦ（無線周波数）といった高周波数（ＨＦ）によるスパッタリング装置に関する。

高周波スパッタリング装置は，その間でプラズマが形成できる少なくとも２つの電極を有し，一般的に真空チャンバーあるいはプラズマ反応器と呼ばれる排気可能なチャンバーを含んでもよい。電極の少なくとも１つの電極は，スパッタリングされるべき物質を提供し，少なくとも他の１つの電極は対向電極となる。高周波スパッタリングにおいては，高周波電圧が２つの電極間に印加され，連続的に極性を交互にする。

小さい電極面を備えた電極は，優先的なスパッタリング効果を発揮する。そのため，小さい電極はスパッタリングされるべき物質を備えた電極として典型的に使用され，大きい電極は典型的に地面に接地されている対向電極として使用される。

しかし，スパッタリングーオフ効果は，小さい電極の面積に完全に限定されるものではなく，大きい電極が，スパッタリングによって影響される程度はプラズマポテンシャルと大きい電極のポテンシャルの差に依存する。この差がスパッタリング閾値を超える場合，大きい電極もスパッタリングされる。このことは，大きい電極が，その大きい電極からスパッタリングされるべきでなく，基板に蒸着される１つもしくはそれ以上の構成要素を備えている場合においては，望ましくない。

大きい電極からのスパッタリングのこの効果を避けるために，スパッタリング装置の筐体（例えば真空チャンバー）は，より大きい対向電極として使用することも可能である。小さい電極の面積と大きい電極の面積との比率は，１：１０もしくはそれ以上であり，大きい電極からのスパッタリングを減少させる。

しかし，この１：１０の設計ルールはいくつかの限定がある。ある複数の応用，例えば直径３０ｃｍを備えたウエハーの処理は，４０ｃｍのスパッタリングターゲットを通常要求する。１：１０ルールでは，１ｍ^２以上の対向電極を生ずることとなり，真空スパッタリングチャンバー内において配置することが困難である。

特許文献１には，対向電極の効果を発揮すると共にこの対向電極のスパッタリングを減少するように磁場が対向電極において印加される装置を開示する。ターゲット電極の面積に対するこの対向電極の面積の比率は，磁場の使用によって減少できる。このことは，対向電極からの望ましくないスパッタリングをなお避けつつ，使用されるべきより少ない面積の対向電極を使用可能にする。

しかし，このアプローチは，スパッタリング装置の設計及び製造を複雑化する付加的な複数の磁石を要求する。そのため，対向電極のスパッタリングの可能性も減らし，さらなる高周波スパッタリング装置が望まれている。

英国特許公報２１９１７８７号公報

スパッタリング装置は，少なくとも１つの側壁と，基板と，覆部とによって形成された真空チャンバーと，真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と，真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と，高周波発生器とを備える。高周波発生器は，少なくとも第１の電極と対向電極間でプラズマを点火するように第１の電極と対向電極へ高周波電場を印加するよう構成されている。対向電極は，真空チャンバーの側壁及び／または基板の一部及び付加的な導電部材を備える。この付加的な導電部材は互いに一般的に平行に配置されると共に互いにある距離離隔した少なくとも２つの面を有している。

付加的な導電部材及び，特に互いに一般的に平行に配置される２つの面は，これらの２つの面を備えていない対向電極に比較して，対向電極は広い表面積を有する。これらの面及び付加的な導電部材は，２つの平面が互いに平行に配置されているようにコンパクトな配置を備えることができる。そのため，付加的な導電部材は，各面が互いに平行に配置されていない場合の配置よりも，真空チャンバー内により少ない容積を占める。対向電極の広い表面積は，対向電極の物質のスパッタリングを減少させ，蒸着された層の汚損を避けるために使用される。

ある実施の態様において，導電部材の各面は，プラズマが隣接した表面の間で形成可能であるような距離にある。このことは，真空チャンバー内で，均一で均質なプラズマを形成させることを可能にする。真空チャンバーは，物質を基板の上に蒸着させることを可能にし，物質を，均一に基板からスパッタリングさせることが可能にする。

装置が物質を基板の上に蒸着させるために使用されるようである場合，第１の電極は蒸着すべき物質のターゲットによって提供される。いくつかのターゲットは，装置が対応する数の第１の電極を備えるよう提供されてもよい。

付加的な導電部材は，付加的な導電部材，側壁及び／又は基板が共に対向電極となるように，側壁及び／又は基板に電気的に接続されてもよい。

付加的な導電部材は，その位置を固着するよう側壁及び／又は基板に機械的に接続されてもよい。この機械的接続は，側壁及び／又は基板への電気的な接続を提供してもよい。

この付加的な導電部材の各面は，この各面の１つもしくはそれ以上の面と第１の電極との間でプラズマを点火し，持続可能にするよう配置されてもよい。この付加的な導電部材の各面は，側壁に一般的に直交し，及び／又は基板に平行に延在する。

この付加的な導電部材は，真空チャンバーの各周辺領域に配置されている。導電部材は，この実施の態様においては，スパッタリングされるべき基板への第１の電極の通視線から，はずれて配置されている。それは，基板を覆い隠さないように，第１の電極から基板の各領域への物質の蒸着を阻止又は減少させないよう，もしくは基板の各領域からの物質の除去を阻止又は減少させないようにするためである。

この付加的な導電部材は，異なった形態で提供されてきた。ある実施の態様においては，この付加的な導電部材の各面は真空チャンバーの側壁と一体的であり，さらに側壁と一体的であり，そして側壁から垂直に延在する。これらの面は真空チャンバーを形成する側壁からの突出物によって提供されてもよく，この突出物は真空チャンバーに位置している。

これらの面は異なった形態を有することもできる。ある実施の態様においては，導電部材の各面は２つ又はそれ以上の環状体によって提供される。これらの環状体は，円形，四角形，矩形であってもよく，そして真空チャンバーの側面形状に相当する形状であってもよい。

ある実施の態様において，各環状体は，真空チャンバーの側壁に隣接し，及び側壁から離隔して真空チャンバー内に配置されている。各環状体は，分離した部材として提供される。このことは真空チャンバーから各環状体を除去することを可能にし，もし望めば，同一又は異なった寸法の複数の環状体によって置き換えが可能である。そのため，対向電極の表面積と第１の電極の表面積の比率は，変化可能である。

環状体は，各々金属もしくは合金を含むプレート及び金属箔を備えていてもよい。

環状体によって提供される各面は互いに一般的に平行に配置されており，そして各面の積層体を形成するよう一方が他方の上に位置されてもよい。

実施の態様において，環状体は１つ，もしくはそれ以上の軸受筒によって互いに離隔している。

更なる実施の態様において，環状体は，これらの環状体の周囲で互いに色々な距離で離隔した複数のスルーホールを備えている。ロッドは複数のスルーホールが２つもしくはそれ以上の垂直方向に一列に配置づけられた環状体のスルーホール内に位置づけられ，環状体の積層体を提供する。軸受筒はロッドの上に提供されてもよい。環状体の周囲に円周に沿って複数の離隔距離で配置される複数のロッドが提供されてもよい。ロッドの数は，環状体の積層体が適切な安定性を有するように選択されてもよい。

単一のロッドもしくは複数のロッドは，真空チャンバー内で積層体を位置づけるように真空チャンバーの基板に取り付けられてもよい。このロッドは，環状体，複数の面，及び基板や側壁といった対向電極の更なる構成要素との間に，電気的接続を提供するようにしてもよい。

環状体は，一定の幅を有する。ある実施の態様において，付加的な導電部材の環状体は，同じ幅を有する。環状体の内径は，第１の電極及び蒸着されるべき基板が，環状体によって全体的に被覆されるよう選択されてもよい。環状体は，第１の電極及び基板に隣接して配置される。

更なる実施の態様において，導電部材の環状体は異なった幅を有している。この配置は，真空チャンバー内の使用可能な空間をより完全に利用することを可能にする。

ある実施の態様において，環状体の幅は真空チャンバーの基板に向けて増加する。この配置では，蒸着されるべき基板が基板の上に位置するとともに，蒸着されるべき物質を含む第１の電極が真空チャンバーの頂部に向けて基板の上方に配置される。ターゲットは基板の上に均一な厚さの蒸着された層を作るために，基板以上のより大きな面の面積を一般的に有している。そのため，より大きい空間が，ターゲットに隣接するよりも基板に隣接している方が得られる。この空間は，各環状体の幅が真空チャンバーの基板に向けて増加する場合，より利用可能となる。

対向電極は真空チャンバー内で全体の表面積Ａｃを有すると共に，第１の電極が真空チャンバー内の表面積Ａｅを有し，ここでＡｃ＞＝１０．Ａｅ．である。真空チャンバー内の対向電極の表面積は，真空チャンバー内の第１の電極内での第１の電極の表面積に比べて少なくとも１０倍である。これは，対向電極から，受容可能もしくは望ましいレベルへの物質のスッパタリングを避けるため，又は減少させるためである。

更なる実施の態様において，２つの側壁が提供される。これら側壁が互いに少なくとも一部が平行であり，そして互いにある距離で離隔している。真空チャンバー内のガスを汲みだすと共に及び／又は真空チャンバーへガスを供給するためのチャンネルが各側壁の間で延在する。チャンネルは，このチャンネルへの高周波エネルギーの消費を減少させるよう約１ｍｍのある幅を有し，そしてスパッタリング比率を減少させてもよい。

図１は，比較例に係る（左）及び本発明の第１の実施の態様に係る（右）対向電極部を備えた高周波スパッタリング装置を例示する。 図２は，第２の実施の態様に係る対向電極部を備えた高周波スパッタリング装置を例示する。 図３は，第３の実施の態様に係る対向電極部を備えた高周波スパッタリング装置を例示する。 図４は，真空チャンバーのポンピングチャンネルの詳細を例示する。

図１は側壁素子４，５と，基板１９と，図示されない覆いによって形成される真空チャンバー２０内で一体化される円形状スパッタリングデバイスの側断面図として高周波スパッタリング装置を例示する。しかし，本発明は，以下に記載されているような円形状スパッタリングデバイスに限定されない。

スパッタリング装置は，スパッタリングされるターゲット２と，例えば半導体ウエハーのための基板支持体３を備えている。側壁は第１の側壁素子４と，この第１の側壁素子４の外側で同心円状に配置される第２の側壁素子５とを備え，第１の側壁素子４と第２の側壁素子５との間に導管８を形成し，ポンプ（図示せず）を経由して排気を可能とする。作動ガスはターゲット２に近接した真空チャンバー内に供給され，チャンネル８を経由して除去される。この側壁は２つの部分から必ずしもなるものではないが，一部分であってもよく，もしくは３つもしくはより多くの部分を有してもよい。各電気的接続は，省略した。

ターゲット２は第１の電極１８を備えている。第１及び第２の側壁素子４，５は，地面に接地され，対向電極１７として協同的に作用する。対向電極１７は高周波電場が印加され，前記第１の電極１８と対向電極１７との間の高周波プラズマを点火する。高周波スパッタリング装置は，更に第１の電極１８と対向電極１７との間に高周波数プラズマを発生するための高周波発生器２１と，ターゲット２の面と隣接して磁場を発生させるための付随的な磁場発生手段（図示せず）を含む。

シールド６は，ターゲット２からの物質の層が蒸着されることとなる基板１５を，高周波スパッタリング装置の動作の間，基板支持体３に固定する。このシールド６は基板１５と同じポテンシャルを有するか，もしくはフローティングポテンシャルを有してもよい。

図１の左側に例示されている比較例の高周波スパッタリング装置において，更なる導電素子７が，側壁素子４，５の対向電極１７及び基板１９の活性面積を増加するために導入される。導電素子７は例えば環状の金属環状体等の金属の開口部のような片とすることができ，側壁に例えば第１の側壁素子４に電気的に接続される。このことは，有効な対向電極１７の面積の主たる部分がターゲット２に隣接して配置され，良好なプラズマ条件が素子７とターゲット２との間の空間で達成可能である点において有効である。

しかし，導電素子７はプラズマから第２の側壁素子５を遮蔽して，この第２の側壁素子５及び対向電極１７の有効性を著しく減少する。また，導電素子７は，ターゲット２のリムと基板１５のリムとの間の通視線９を阻止することができる。このことで，基板１５の各端部のコーティング能力が減少する可能性がある。更に，素子７は，またガスフローの障害になり得る可能性がある。

導電素子７の各寸法が，通視線を阻止するこの導電素子７を避けるように選択される場合には，対向電極１７の面積は減少する。しかし，対向電極１７の望ましくないスパッタリングは，上述した他の種々の効果の１つまたは１つ以上の効果に起因して生ずる可能がある。

本発明の一つの実施の態様では，互いに離隔して，少なくとも２つ導電的に接続された面１０，１１，１２の積層体を備える付加的な導電部材１６が提供される。図１の右側において例示された第１の実施の態様において，電気的に接続された面１０，１１，１２はスペーサー１４，１５によって基本的に平行に平面に配置されると共に，互いに離隔されてもよい。導電部材１６は基板１９及び側壁素子４，５に電気的に接続されると共に対向電極１７の一部を形成する。

図１の右側は，導電部材１６が平行な面を積層した一組の導電的環状体１０，１１，１２を備え，３つの導電的に接続された面を提供する。各スペーサー１３，１４が各環状体の面に垂直に配置され，環状体１０と１１，１１と１２との間の距離を制御する。下方の環状体１３は，真空チャンバー２０の基板１９に直接位置づけされる。各環状体１０，１１，１２は，スペーサー１４，１５を経由して，例えば電気的接続を行うことによって互いに電気的に接続される。

環状体１０，１１，１２の間の距離及び，スペーサー１４，１５の距離は，高周波スパッタリング装置の動作中，意図される最も低い圧力となるように選択され，環状体１０，１１，１２の間の空間でプラズマが点火する。

このシステムは各プロセス圧力に関して極めて柔軟に構成されてもよい。隣接環状体の間の距離が５ｍｍから１５ｍｍとなるよう選択される場合，プロセス圧力は１Ｐａと０．１Ｐａとの間で変化してプラズマを点火することによって，この間隔内の関係性が一次的となる。このプラズマ領域内の圧力が「プロセス圧力」と一致する。高周波スパッタリング装置は１５ｍｍのスペーサーを備えており，この高周波スパッタリング装置は１Ｐａと０．１Ｐａの全体の圧力領域に亘って動作可能となる。

対向電極１７の付加的な導電部材１６の他の実施の態様は，図２及び図３に例示されている。

第２の実施の態様の付加的な導電部材１６’は，３つの環状体１０’，１１’，１２’を含んでいる。環状体１０’，１１’，１２’は互いに平行に配置され，スペーサー１４’，１５’によって互いある距離離隔している。図１の実施の態様とは反対に，環状体１０’，１１’，１２’はスペーサー１４’，１５’に対して傾いている。

第２の実施の態様において，環状体１０’，１１’，１２’は，真空チャンバー２０の基板１９に向けて下方へ傾き，そして真空チャンバー２０の中心に向けられている。この配置は，環状体１０’，１１’，１２’の表面積を，増加することを可能にする。この配置では，真空チャンバー２０内でそれらの有効幅を増加させることなく，即ち真空チャンバー２０内の環状体１０’，１１’，１２’によって占められる横方向空間を増加させることはない。下方の環状体１２’は，基板１９の上に直接配置されていないが，ロッド１３の形状で付加的スペーサーによって，基板１９の上においてある距離だけ離隔している。これらの環状体１０’，１１’，１２’は，複数の間隔で環状体の周囲に離隔した複数のスルーホールを含む。これらのスルーホールは，ロッド１３がこれらのスルーホール内に位置するよう垂直方向に一列に配置され，環状体の積層体を生成する。これらの環状体１０’，１１’，１２’は，軸受筒によってロッドの高さに沿って間隔をあけて，互いに上方に離隔している。

第１の実施の態様の距離―圧力関係は，これらの環状体１０’，１１’，１２’間の距離に適用されるが，第２の実施の態様の傾斜面の場合，距離―圧力関係はスペーサーの長さにとっては有効でない。

ターゲット２のリムと基板のリム間の通視線は，ライン９として図２において例示されている。図２では，付加的な導電部材１６’が通視線に交差せず，より多くの均一の被覆が蒸着できるように，基板１５の周囲領域を遮蔽していない。

図３は，第３の実施の態様に係る導電部材１６’’を例示する。第３の実施の態様においては，導電部材は２つのスペーサー１４”，１５”によって互いに離隔した３つの環状体１０”，１１”，１２”をも含む。第３の実施の態様においては，３つの環状体は異なった幅を有する。上方の環状体１０”の幅は中間の環状体１１”の幅より小さく，そして中間の環状体１１”の幅は下方の環状体１２”の幅より小さい。環状体の幅は積層体の頂部から積層体底部へ増加する。

この実施の態様においては，３つの環状体１０”，１１”，１２”の各々の外側面は垂直的に一列に配置され，さらに３つの環状体１０”，１１”，１２”の内側面は増加する幅に起因して真空チャンバー２０の中心に向けて増加するように位置している。３つの環状体１０”，１１”，１２”は，それらが一般的に側壁５に垂直に，かつ，基板１９に平行に延在するよう互いに一般的に平行に位置している。しかし，各環状体は第２の実施の態様におけるように傾けられていても良い。下方の環状体１２”は，第２の実施の態様におけるように，ロッド１３によって基板１９の上方において，ある距離で離隔してもよい。

増加する幅の配置は，可能な限り通視線９，側壁５，基板１９との間のデッドスペースを占有するよう選択されてもよい。この配置は，環状体の面を増加することにより対向電極１７の表面積を増加するために，各側壁５と通視線９との間の実効的で有効なスペースを使用している。

これら３つの実施の態様において，環状体の厚さがそれらの機械的及び熱的に安定性を許容するよう選択される。各環状体は金属と合金とを備え，望ましい物質のシート状の板から形成されてもよい。

付加的な導電部材１６，１６’，１６”は，各実施の態様に例示される対向電極１７と側壁４，５の更なる構成要素に電気的に接続される。付加的な導電部材１６，１６’，１６”は，一つ以上の点で真空チャンバー２０の基板１９及び／各側壁４，５に機械的及び電気的に接続されてもよい。

付加的導電部材１６，１６’，１６”は，真空チャンバー２０の側壁４，５の基板と一体であってもよい。例えば，２つ以上の環状体状の突出部は，一方が他方の上に離隔した２つの環状体が提供されるように各側壁に設けられてもよい。この場合，側壁の複数の領域がスペーサーを提供するので，付加的なスペーサーは必要とされない。

しかし，積層体は，環状体が各側壁から突出するよう各側壁自体の一部を形成してもよい。実施の態様の環状体は，同一の形状及び／又は物質を有し，代替部品のメインテナンス及び供給を簡素化してもよい。しかし，環状体の幅は異なってもよい。

スペーサー１４，１５は軸受筒として実現可能であり，そして全体の積層体が軸受筒を経由して環状体１０，１１，１２を結合するスクリュー，又は複数のロッド１３によって組み立てることができる。スペーサー１４，１５は円周状の閉鎖環状体によって実現できるが，個別の単一円柱のような素子によっても可能である。

互いに一般に平行に配置された各面を提供する環状体の数は３に限定されない。有効な空間に依存して，少数のもしくは３つの以上の環状体が提供される。しかし，他の構造的手段も，環状体が上記に開示された各関係性が追従する限り，可能である。

互いに一般に平行に配置された少なくとも２つの面を含む付加素子１６を配置することは，ガスフローに対する障害を減少すると共に，対向電極１７の表面積を増加するという目標を達成する。２つの面は，積層された配置を有する対向電極１７の面を互いに平行に配置したものである。環状体の間の距離を適切に選択することによって，プラズマと対向電極１７の間の電気的接触が最適化できる。

上述した各実施の態様の一つに係る高周波スパッタリング装置は，圧電応用例としてＰＺＴターゲット（チタン酸ジルコ二ウム酸鉛）をスパッタリングするために採用されている。ここでは，３０ｍｍの幅並びに５ｍｍの厚さを有するアルミニウムから作製される３つの環状体の一組を用いて，０．２７Ｐａ（２ｍＴｏｒｒ）と１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）との間の圧力領域にとって，動作が可能である。スペーサーは各々１５ｍｍの幅を有している。高周波は１３．５６ＭＨｚである。

更なる実施の態様において，真空チャンバー内のガスを汲みだすチャンネル８は，図４において例示される形式を有する。多くの場合，各真空チャンバー内への各ポンピングラインへの障害の無いアクセスを許容することが望ましい。言い換えれば，制約及び狭い輪郭とすることが避けられる。しかし，高周波数エネルギーは，ダークスペース距離を越えて各開口部内に拡散する傾向がある。そのため，各導電性グリッドまたはメッシュを設けて高周波エネルギーの拡散を阻止することができる。しかし，これらグリッドはメインテナンス及び（再）設置には，さらなる労力が必要とされる。

図４において例示されるように，チャンネル８は，第２の側壁５の頂部を増加させることによって，高周波エネルギーの実質的な損失を，安全に避けるような程度まで狭められる。このようにして，円周ポンピングチャンネル，または断面積が生成される。ポンピングチャンネル断面積の損失の補償として，第２の側壁素子５の底部の複数の孔が提供される。本発明の実施の態様では，０．１Ｐａから１Ｐａの全体圧力に渡って安全に作動することを可能にし，本発明の実施の態様では，２つの側壁素子４，５間の２ｍｍのギャップが使用される。

Claims (20)

1. 少なくとも１つの側壁と，底部と，覆部とによって形成された真空チャンバーと；
   前記真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と；
   前記真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と；
   少なくとも１つの前記第１の電極と前記対向電極間でプラズマを点火するように，前記第１の電極と前記対向電極間へ高周波電場を印加するよう構成された高周波（ＲＦ）発生器とを備えたスパッタリング装置において，
   前記対向電極は，前記真空チャンバーの前記側壁及び／又は前記底部の一部，及び付加的な導電部材を備え，
   前記付加的な導電部材は，互いに平行に配置されると共に，互いに距離が離隔している少なくとも２つの平面を有し，
   蒸着される基板を保持する基板ホルダーは，前記底部上に配置され，
   前記第１の電極は，スパッタリングされる物質のターゲットを含み，
   前記第１の電極は，前記真空チャンバーの頂部を向いた前記基板ホルダーの上方に配置され，
   前記付加的な導電部材は，前記ターゲットの縁と前記基板の縁を繋ぐ通視線の外側に配置されている
   スパッタリング装置。
2. 前記導電部材の前記平面は，プラズマが隣接した面の間で形成され得るように距離が離隔している，
   請求項１に記載のスパッタリング装置。
3. 前記付加的な導電部材は，前記側壁及び／又は前記底部に電気的に接続されている，
   請求項１又は請求項２項に記載のスパッタリング装置。
4. 前記付加的な導電部材は，前記側壁及び／又は前記底部に機械的に接続されている，
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
5. 前記付加的な導電部材の前記平面は，前記側壁に垂直に延在する，
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
6. 前記付加的な導電部材の前記平面は，前記底部に平行に延在する，
   請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
7. 前記導電部材は，前記真空チャンバーの周囲領域内に配置されている，
   請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
8. 前記導電部材の前記平面は，前記真空チャンバーの前記側壁と一体であると共に，前記側壁から垂直に延在している，
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
9. 前記導電部材の前記平面は，２つもしくは２つ以上の環状体によって提供される，
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
10. 前記環状体は，前記真空チャンバーの前記側壁に隣接すると共に離隔して，前記真空チャンバー内に配置されている，
    請求項９に記載のスパッタリング装置。
11. 前記環状体は，金属もしくは合金を含む板，もしくは金属箔を備えている，
    請求項９又は請求項１０に記載のスパッタリング装置。
12. 前記環状体は，１つもしくは１つ以上の軸受筒によって互いに離隔している，
    請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
13. 前記環状体は，互いに複数の距離で離隔した複数のスルーホールを備え，
    ロッドが，前記環状体の積層体を提供すために，２つもしくは２つ以上の垂直に一列に配置された環状体内に挿入される，
    請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
14. 前記ロッドは，前記真空チャンバーの前記底部に取り付けられている，
    請求項１３に記載のスパッタリング装置。
15. 前記環状体は，幅を有し，前記付加的な導電部材の前記環状体は同じ幅を有する，
    請求項９から請求項１４のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
16. 前記環状体は，幅を有し，前記付加的な導電部材の前記環状体は異なった幅を有する，
    請求項９から請求項１４のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
17. 前記環状体の幅は，前記真空チャンバーの底部に向かって増加する，
    請求項１６に記載のスパッタリング装置。
18. 前記対向電極は，前記真空チャンバー内に表面積Ａｃを有し，
    前記第１の電極は前記真空チャンバー内に表面積Ａｔを有し，
    Ａｃ≧Ａｔである，
    請求項１から請求項１７に記載のいずれか１項のスパッタリング装置。
19. 前記スパッタリング装置には２つの側壁が設けられ，
    前記２つの側壁は，互いに少なくとも部分的に平行に延在すると共に，互いに距離が離隔している，
    請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
20. 前記スパッタリング装置において，
    前記真空チャンバー内のガスを汲み出すため，及び／又は，前記真空チャンバーへガスを供給するためのチャンネルが前記側壁の間に延在する，
    請求項１９に記載のスパッタリング装置。

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