CN100394543C - 气体供给部件和等离子体处理装置 - Google Patents

气体供给部件和等离子体处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。

Description

气体供给部件和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及气体供给部件和等离子体处理装置。
背景技术
通常，对半导体晶片或平板显示面板等基板实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，具备容纳基板的容纳室(下面称为“腔室”)。此等离子体处理装置，从作为气体供给部件的气体导入喷淋头向腔室内导入处理气体，而且在腔室内施加高频功率，由此从处理气体产生等离子体，通过该等离子体对基板实施等离子体处理。
在气体导入喷淋头与腔室相对的部分，使用了穿设有多个排出处理气体的气体排出孔的平板，但当向此腔室内施加高频功率时，在气体导入喷淋头的气体孔的外缘部容易引起电场集中，有时会发生异常放电。这样的异常放电会对在基板或在腔室内配置的结构部件造成损害。具体地说，会使作为基板的半导体晶片的表面上产生开裂或缺口，或者烧坏结构部件。
对此，已知在现有的等离子体处理装置中，在气体孔的外缘部形成曲面，防止作为异常放电原因的在外缘部发生的电场集中(例如参照专利文献1)。
【专利文献1】日本专利特开昭59-4011号公报
发明内容
但是，由于现有的等离子体处理装置的气体导入喷淋头与腔室相对的部分，在各个气体孔之间存在有平面部，在该平面部存在的各个气体孔之间的中间位置上，从气体孔排出的处理气体的流动性会减弱而发生滞留。由于腔室内产生的颗粒与从气体孔排出的处理气体分子发生冲突产生的粘性力、与离子发生冲突产生的离子粘性力和涉及到颗粒的静电力相平衡部移动(图8)，使得处理气体的流动减缓，滞留在气体粘性力减小的各个气体孔之间的中间位置。由于作为前体(precursor)的游离基也与颗粒同样滞留在各个气体孔之间的中间位置(图9)，在该位置上就容易堆积沉积物，堆积的沉积物剥离成为颗粒附着在半导体晶片上。而且由于沉积物的堆积使得腔室内的反应过程会发生变动(记忆效应)。
本发明的目的是提供一种能够向腔室内供给气体而不会发生气体滞留的气体供给部件和等离子体处理装置。
为实现上述目的，按照发明方面1所述的气体供给部件，其配置在等离子体处理装置具有的腔室，具备与上述腔室的内部空间相对的平面和在上述平面上穿设的多个气体孔，从上述多个气体孔向上述内部空间供给气体，其特征在于：上述气体孔在上述平面上的外缘部具有与从上述气体孔排出的气流对应的斜面，上述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
发明方面2所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面1所述的气体供给部件中，上述斜面是包括锥面、球面和抛物面中任一种或其组合的面。
发明方面3所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面1或2所述的气体供给部件中，上述斜面与上述平面构成的角度大于等于从上述气体孔排出的气体分布与上述平面构成的角度。
发明方面4所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面1～3中任一项所述的气体供给部件中，上述斜面与上述平面构成的角度在20°以上。
发明方面5所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面1～4中任一项所述的气体供给部件中，上述斜面相对于上述气体孔的中心轴具有n次旋转对称性(n＝2～∞)。
发明方面6所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面1～5中任一项所述的气体供给部件中，邻接的上述气体孔之间的形状仅由上述斜面构成。
为实现上述目的，发明方面7所述的气体供给部件，其配置在等离子体处理装置具有的腔室，具备与上述腔室的内部空间相对的平面和在上述平面上穿设的多个气体孔，从上述多个气体孔向上述内部空间供给气体，其特征在于：在上述多个气体孔中，邻接的上述气体孔的上述平面的外缘部连接在一起形成狭缝，在上述狭缝的上述平面的外缘部，具有与从上述气体孔排出的气流相对应的斜面，同时上述狭缝在上述平面上形成同心圆状，上述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
发明方面8所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面7所述的气体供给部件中，上述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
为实现上述目的，发明方面9中所述的气体供给部件，配置在等离子体处理装置具有的腔室，其特征在于，具有：与上述腔室的内部空间相对的平面和在上述平面上开口且向上述内部空间供给气体的气体流道，上述气体流道在上述平面上的外缘部具有与从上述气体孔排出的气流对应的斜面，上述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
发明方面10所述的气体供给部件的特征在于，在发明方面9所述的气体供给部件中，上述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
为实现上述目的，发明方面11所述的等离子体处理装置，具备容纳被处理体的腔室和配置在上述腔室且向上述腔室的内部空间供给气体的气体供给部件，其特征在于：上述气体供给部件具有与上述内部空间相对的平面和在上述平面上穿设的多个气体孔，上述气体孔向上述内部空间供给上述气体，上述气体孔在上述平面上的外缘部具有与从上述气体孔排出的气流相对应的斜面，上述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
发明方面12所述的等离子体处理装置的特征在于，在发明方面11所述的等离子体处理装置中，上述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
按照发明方面1所述的气体供给部件和发明方面11所述的等离子体处理装置，由于与腔室内部空间相对的平面状地穿设的气体孔在平面上的外缘部具有与从气体孔排出的气流相对应的斜面，而此斜面又包括平面和曲面中的至少一种，所以不存在使排出的气流变弱的场所，由此能够向腔室内供给气体，且排出的气体不会滞留在邻接的气体孔之间。
按照发明方面2、8、10所述的气体供给部件和发明方面12所述的等离子体处理装置，由于该斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任何一种或其组合的面，所以更不存在使排出的气流变弱的场所。
按照发明方面3所述的气体供给部件，由于斜面与平面构成的角度大于等于从气体孔排出的气体分布与平面所构成的角度，所以确实不存在使排出的气流变弱的场所。
按照发明方面4所述的气体供给部件，由于斜面与平面所构成的角度在20°以上，所以更确实不存在使排出的气流变弱的场所。
按照发明方面5所述的气体供给部件，由于斜面具有相对应气体孔的中心轴呈n次旋转对称性，所以确实不存在使排出的气流在气体孔之间变弱的场所。
按照发明方面6所述的气体供给部件，由于邻接的气体孔之间的形状只由斜面构成，所以不存在使排出的气流在气体孔之间变弱的场所。
按照发明方面7所述的气体供给部件，由于在与腔室内部空间相对的平面上穿设的多个气体孔中，与邻接的气体孔在平面上的外缘部连接在一起形成狭缝，在狭缝的平面上的外缘部，具有与从气体孔排出的气流相对应的斜面，同时狭缝在平面上形成同心圆的形状，斜面包括平面和曲面中的至少一种，所以在能够向腔室内供给排出的气体而又不会滞留在相邻的气体孔之间的同时，能够很容易地制造气体供给部件，而且能够降低气体供给部件的成本。
按照发明方面9所述的气体供给部件，由于在与腔室内部空间相对的平面上开口而且向腔室内供给气体的气体流道在平面上的外缘部具有与从气体孔排出的气流相对应的斜面，而且该斜面包括平面和曲面中的至少一种，所以不存在使排出的气流变弱的场所，由此能够向腔室内供给排出的气体而不会滞留在相邻的气体孔之间。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的等离子体处理装置概略结构的截面图。
图2是表示图1中的导入气体喷淋头概略结构的放大截面图。
图3是从腔室相对一侧看图2的导入气体喷淋头的平面图。
图4是表示模拟从细管的管口喷出的气体分子分布的结果和实测结果的图表，(A)是以气体分子的平均自由行程除以管子直径得到的努森(Knudsen)数Kn为8.93×10-3时的情况，(B)是Kn为8.93×10-2时的情况，(C)是Kn为0.893时的情况，(D)是Kn为8.93时的情况。
图5是表示在图2中各种气体孔形成方法的工序图。
图6是表示导入气体喷淋头的变形例的大致结构的放大截面图。
图7是从腔室相对面一侧看导入气体喷淋头变形例的平面图，(A)表示以彼此5mm的间隔设置直径2mm的气体孔的情况；(B)和(C)表示以彼此4mm的间隔设置直径2mm的气体孔的情况；(D)和(E)表示以彼此3.5mm的间隔设置直径1.5mm的气体孔的情况；(F)和(G)表示以彼此3mm的间隔设置直径1mm的气体孔的情况。
图8是说明现有的等离子体处理装置中腔室内气流的示意图。
图9是说明现有的等离子体处理装置中腔室内产生的颗粒的示意图。
符号说明
10  等离子体处理装置
11  腔室
12  基座
32  导入气体喷淋头
35  气体孔
201 斜面
S   空间
W   晶片
具体实施方式
下面参照附图说明本发明实施方式的等离子体处理装置。
图1是表示本发明实施方式的等离子体处理装置概略结构的截面图。
在图1中，对半导体器件用晶片(下面简称为“晶片”)W实施所需的等离子体处理、即干法刻蚀(Reactive Ion Etching)(下面简称为RIE)的等离子体处理装置10，具有金属制造的，例如铝或不锈钢制造的圆筒形腔室11，在该腔室11中放置有例如直径为300mm的用来放置晶片W的作为载置台的圆柱状基座12。
在等离子体处理装置10中，由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成具有将基座12上方的气体分子排放到腔室11外面的用作流道的排气通道13。在此排气通道13的中间装有防止等离子体泄漏的环状挡板14。在排气通道13中挡板14以下的下游空间，折回到基座12的下方，与作为可变式蝶形阀的自动压力控制阀(Automatic Pressure ControlValve)(下面称为“APC”)15连通，此APC15连接着作为抽真空用排气泵的涡轮分子泵(Turbo Molecular Pump)(下面称为TMP)16，并隔着TMP16连接着作为排气泵的干式泵(下面称为“DP”)17。由APC15、TMP16和DP17构成的排气流道，在下面称为“主排气管线”，此主排气管线由APC15进行腔室11内的压力控制，通过TMP16和DP17将腔室11内减压到几乎真空的状态。
上述排气通道13的比挡板14更下游的空间，也连接着主排气管线以外的排气流道(下面称为“粗装管线”)。此粗装管线连接着上述空间和DP17，包括直径例如是25mm的排气管道18和安装在排气管道18中间的阀门19。此阀门19能够将上述控制与DP17隔断。由DP17经过粗装管线将腔室11内的气体排出。
基座12隔着给电棒21和匹配器(Matcher)22连接着下部电极用的高频电源20，该下部电极用高频电源20向基座12供给规定的高频功率。由此使基座12起着下部电极的功能。此外，匹配器22用来降低来自基座12的高频功率的反射，使得向基座12供给高频功率的效率最大化。
在基座12内部的上方配置有导电膜构成的圆板状电极板23。在电极板23上电连接有直流电源24。晶片W被施加在电极板24上的直流电压产生的库仑力或约翰逊-勒比克(Johnsen-Rahbek)力吸引保持在基座12上。此外，在基座12的上方，设置有围绕基座12上方被吸引保持的晶片W的圆环状的聚焦环25。此聚焦环25从后述的空间S露出，使在该空间S中形成的离子或游离基向着晶片W的表面上收敛，以提高RIE处理的效率。
此外，在基座12的内部设置有例如沿着圆周方向展开的环状冷媒室26。隔着冷媒管道27从制冷单元(未图示)向此冷媒室26中循环供给规定温度的冷媒，例如冷却水。通过该冷媒的温度来控制吸引保持在基座12上的晶片W的处理温度。
在基座12上用来吸引保持晶片W的部分(下面称为“吸引面”)上，穿设有多个供给传热气体的供给孔28和供给传热气体的供给槽(未图示)。这些供给传热气体的供给孔28等隔着配置在基座12内部的传热气体供给管线29连接传热气体供给部30，该传热气体供给部30向吸引面和晶片W底面之间的间隙中供给传热气体，例如He气。此外，传热气体供给部30是使得能够通过与排气管18相连接的DP17对吸引面和晶片W底面之间的间隙抽真空的结构。
在基座12的吸引面上，配置有从基座12的上面自由突出的作为升降销的多个推杆销31。这些推杆销31隔着圆头螺栓(未图示)与电机(未图示)相连接，由圆头螺栓将电机的旋转运动变换为直线运动，使其在图中的上下方向上移动。在为了对晶片W进行RIE处理而将晶片W吸引保持在吸引面上时，推杆销31被收入基座12中，当将进行了RIE处理之后的晶片W从腔室11中取出时，推杆销31从基座12的上面突出，使晶片W向上离开基座12且被保持住。
在腔室11的顶部，与基座12相对地配置有导入气体的喷淋头32。在导入气体的喷淋头32上隔着匹配器33连接着上部电极用的高频电源34，由于上部电极用的高频电源向导入气体喷淋头32供给规定的高频功率，所以导入气体喷淋头32起着上部电极的作用。其中，匹配器33的功能与如上所述匹配器22的功能是同样的。
导入气体喷淋头32包括具多个气体孔35的下面电极板36和可装卸地支承该电极板36的电极支承体37。此外，在该电极支承体37的内部设置有缓冲室38，此缓冲室38连接着来自处理气体供给部(未图示)的处理气体导入管39。此处理气体导入管39的中间配置有管道绝缘体40。此管道绝缘体40由绝缘体构成，防止供给到导入气体喷淋头32的高频功率由处理气体导入管39泄漏到处理气体供给部。导入气体喷淋头32经由气体孔35向腔室11内供给从处理气体导入管39供给到缓冲室38内的处理气体。
在腔室11的侧壁上与推杆销31从基座12向上方支承晶片W的高度相对应的位置上，设置有晶片W的送入取出口41，在送入取出口41上装置有能够使该送入取出口打开或关闭的闸阀42。
在此等离子体处理装置10的腔室11内，如上所述向基座12和导入气体喷淋头32上供给高频功率，通过在基座12和导入气体喷淋头32之间的空间S中施加高频功率，在该空间S中由导入气体喷淋头32供给的处理气体产生高密度的等离子体，由该等离子体对晶片W进行RIE处理。
更具体说，在此等离子体处理装置10中，在对晶片W实施RIE处理时，首先打开闸阀42，将加工对象晶片W送入腔室11内，通过在电极板23上施加直流电压，将送入的晶片W吸引保持在基座12的吸引面上。此外，在由导入气体喷淋头32以规定的流量和流量比向腔室11内供给处理气体(例如以规定流量比的由C4F8气、O2气和Ar气组成的混合气体)的同时，通过APC15等使腔室11内的压力成为规定值。通过基座12和导入气体喷淋头32对腔室11内的空间S施加高频功率。由此使通过导入气体喷淋头32导入的处理气体等离子体化，在空间S中形成离子或游离基，该生成的游离基或离子被聚焦环25收敛到晶片W的表面上，对晶片W的表面进行物理的或化学的刻蚀。
图2是表示图1中的导入气体喷淋头的概略结构的放大截面图。
图2的导入气体喷淋头32在各气体孔35与腔室相对侧的外缘部具有斜面201。此斜面201具有相对于气体孔35中心轴的n次旋转对称性，即当旋转(360/n)°时其形状不发生改变(此处n是2以上的自然数)。这就是说，符合构成为旋转前和旋转后形状一样的孔的斜面。在本实施方式中，n＝∞，即斜面201是相对于气体孔35的中心轴是轴对称的，但n可以是2以上的任何自然数。斜面201的倾斜角相对于图2中的横方向，即与平板状电极板36的空间S相对的面(下面称为“与电极板空间相对的面”)的角度是20°。从而，各个气体孔35向着空间S呈圆锥状开口。在此，处理气体202从各个气体孔35向图中的下方(空间S)排出，使得由该处理气体202与在空间中的颗粒相冲突产生的气体粘性力、该颗粒与空间S中的离子相冲突产生的离子粘性力和涉及颗粒的静电力在相平衡的部分产生颗粒云203。此外，气体孔35的直径是2mm，配置成其间隔为5mm的六角形(图3)。
下面说明在本实施方式的基板处理装置中，各个气体孔35的斜面201相对于电极板空间相对面的倾斜角设定为20°的根据。
图4是表示模拟从细管的管口喷出的气体分子分布的结果和实测结果的示意图，图4(A)是以气体分子的平均自由行程除以管口直径得到的努森(Knudsen)数Kn为8.93×10-3时的情况，图4(B)是Kn为8.93×10-2时的情况，图4(C)是Kn为0.893时的情况，图4(D)是Kn为8.93时的情况。平均自由行程是平均热速度、气体常数、压力、温度和气体粘性的函数，是气体分子从其运动被阻挡以后重新开始运动到其运动再次被阻挡时的移动距离。
在图4的图表中，横轴与平面相对应，该轴上的点“P”与喷出气体分子的管口P相对应。纵轴表示在该平面相对的空间中，即在从管口P喷出气体分子的空间中相对于该平面的距离。此外，“○”表示当从管口P喷出的气体分子是氮气分子时分布的实测结果，实线所示的大致呈椭圆的形状表示当从管口P喷出氮气分子时对分布进行模拟的结果。在各个图表的上方，喷出氮气分子的管口P与图2下方喷出处理气体的气体孔35与电极板空间面对的开口部相对应，横轴与导入气体喷淋头32与电极板空间面对地对应。
按照图4的图表，无论是模拟的结果还是实测的结果，也无论Kn取什么样的值，从管口P喷出的分子都分布在以管口P为中心相对于图4的图表中横向20°以上的范围内，在不到20°的范围内几乎没有气体分子分布。这就是说，在不到20°的范围内，气流小到可以忽略的程度。
因此，在图2的导入气体喷淋头32中，在气体孔35的外缘部的斜面201，其相对于电极板空间相对面的倾斜角设定为20°。由此，就没有使从气体孔35喷出的处理气体202的气流变弱的空间，能够使处理气体202在各个气体孔35之间的中间位置上(下面称为“中间位置”)不会滞留而供给到空间S内。从而就能够防止颗粒在中间位置滞留。同样，也能够防止作为前体的游离基在中间位置滞留。通过上面的叙述就能够防止在该中间位置堆积的沉积物剥离形成的颗粒附着在晶片W上。
然后在下面表示气体孔35的斜面201的形成方法。
图5是表示在图2中的各个气体孔形成方法的工序图。
首先，用直径2mm的钻头在电极板36上穿设多个气体孔35，使它们各自的间隔为5mm(图5(A))，然后使用在中心轴上设置有直径大约2mm的引导部并带有140°锥形刀刃的钻头500切削气体孔35对着腔室方向的外缘部。更具体说，将上述引导部插入穿设的气体孔35，使钻头500的中心轴与气体孔35的中心轴一致，再将钻头500向图中的上方上升，使其锥形刃进入电极36厚度的中间。由此就在气体孔35上形成了圆锥状的向着空间S开口的部分。此时，由于钻头500的锥形刀刃的锥形角度是140°，从而使得在气体孔35中开口部的斜面201相对于电极板空间相对面的倾角为20°(图5(B))。
然后，在与形成有圆锥状开口部的气体孔35邻接的气体孔35中，实施与图5(A)和(B)同样的工序。此时，在气体孔35之间已不存在电极板空间相对面，在该气体孔35上形成有开口部的斜面201(图5(C))。重复以上的操作就在全部气体孔35上形成了圆锥状的开口部，从而完成导入气体喷淋头32，结束本处理(图5(D))。
在如上所述的本实施方式中，形成的是圆锥状的气体孔35的开口部，但将倾角为20°的V字形槽排成格子状，在各个槽的交点上穿设气体孔35，这样制成导入气体喷淋头32也是可以的。
在本实施方式中，导入气体喷淋头32是在腔室相对部配置有多个圆锥状开口部的结构，但开口部的形状并不限于圆锥状，半球状(图6)、四棱锥状和抛物面状都是可以的，将其组合起来的形状也是可以的。
在本实施方式中，气体孔35的斜面201倾角是20°，但如在图4中所看到的并不限于20°，20°以上也是可以的。
在本实施方式中，在导入气体喷淋头32上配置有彼此间隔5mm的直径2mm的气体孔35，但并不限于此，也可以配置有直径2mm彼此间隔5mm的气体孔35(图7(A))，还可以配置有直径2mm彼此间隔4mm的气体孔35(图7(B)、(C))，还可以配置有直径1.5mm彼此间隔3.5mm的气体孔35(图7(D)、(E))，还可以配置有直径1mm彼此间隔3mm的气体孔35(图7(F)、(G))。其中，特别是在图7(B)到(G)的导入气体喷淋头中，可以使气体孔35的间隔很窄，这就能够可靠地防止颗粒滞留在各个气体孔35的中间位置上。
在本实施方式中，各个气体孔35分别具有开口部，但相邻的各气体孔的开口部相互连接形成狭缝也是可以的。此时该狭缝的断面形状呈例如V字形，与腔室相对的外缘部由相对于狭缝的中央左右对称的斜面构成。该斜面相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，能够形成多道狭缝，使之相对于电极板36的平面视中心呈同心的形状。由此就能够防止颗粒滞留在邻接狭缝之间。由于同心圆形状的狭缝是容易形成的，所以导入气体喷淋头32很容易制造，还能够降低导入气体喷淋头32的成本。
在本实施方式中，导入气体喷淋头32具备多个气体孔35，但并不限于气体孔35，在贯穿电极板36而形成的电极板空间相对面上开口的气体流道(未图示)也是可以的。该气体流道与腔室相对部分的外缘部具有与气体孔35同样地斜面，该斜面相对于电极板空间相对面的角度是20°。由此能够向空间S供给处理气体202而不会滞留，同时气体流道也容易形成，所以导入气体喷淋头32能够很容易地制造，能够降低导入气体喷淋头32的成本。
此外，由于按照本发明的导入气体喷淋头32在气体孔35的外缘部具有20°的倾斜，就能够使从气体孔35排出的处理气体202毫无遗漏地扩散到空间S内。

Claims (13)

1.一种气体供给部件，其配置在等离子体处理装置具有的腔室，具备与所述腔室的内部空间相对的平面和在所述平面上穿设的多个气体孔，从所述多个气体孔向所述内部空间供给气体，其特征在于：
所述气体孔在所述平面上的外缘部具有与从所述气体孔排出的气流对应的斜面，
所述斜面包括平面和曲面中的至少一种，
邻接的所述气体孔之间的形状仅由所述斜面构成。
2.如权利要求1所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面是包括锥面、球面和抛物面中任一种或其组合的面。
3.如权利要求1或2所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面与所述平面构成的角度大于等于从所述气体孔排出的气体分布与所述平面构成的角度。
4.如权利要求1或2所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面与所述平面构成的角度在20°以上。
5.如权利要求1或2所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面相对于所述气体孔的中心轴具有轴对称性。
6.如权利要求3所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面相对于所述气体孔的中心轴具有轴对称性。
7.如权利要求4所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面相对于所述气体孔的中心轴具有轴对称性。
8.一种气体供给部件，其配置在等离子体处理装置具有的腔室，具备与所述腔室的内部空间相对的平面和在所述平面上穿设的多个气体孔，从所述多个气体孔向所述内部空间供给气体，其特征在于：
在所述多个气体孔中，邻接的所述气体孔的所述平面的外缘部连接在一起形成狭缝，
在所述狭缝的所述平面的外缘部，具有与从所述气体孔排出的气流相对应的斜面，同时所述狭缝在所述平面上形成同心圆状，
所述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
9.如权利要求8所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
10.一种气体供给部件，配置在等离子体处理装置具有的腔室，其特征在于，具有：
与所述腔室的内部空间相对的平面和在所述平面上开口且向所述内部空间供给气体的气体流道，
所述气体流道在所述平面上的外缘部具有与从所述气体孔排出的气流对应的斜面，
所述斜面包括平面和曲面中的至少一种，
邻接的所述气体流道的形状仅由所述斜面构成。
11.如权利要求10所述的气体供给部件，其特征在于：
所述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
12.一种等离子体处理装置，具备容纳被处理体的腔室和配置在所述腔室且向所述腔室的内部空间供给气体的气体供给部件，其特征在于：
所述气体供给部件具有与所述内部空间相对的平面和在所述平面上穿设的多个气体孔，所述气体孔向所述内部空间供给所述气体，所述气体孔在所述平面上的外缘部具有与从所述气体孔排出的气流相对应的斜面，
所述斜面包括平面和曲面中的至少一种，
邻接的所述气体孔之间的形状仅由所述斜面构成。
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述斜面是包括锥面、球面和抛物面中的任一种或其组合的面。
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