KR102331286B1 - 입자 역류 방지 부재 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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아키토시 하라다
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Abstract

본 발명은, 배기 효율을 유지하면서, 파티클이 처리 용기 내에 진입하는 것을 방지할 수 있는 입자 역류 방지 부재를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리 용기와 배기 장치를 연통시키는 배기관의 내부에 배치되는 입자 역류 방지 부재로서, 제1 판형 부재와, 개구부를 가지며, 제1 판형 부재에 대하여 제1 간극을 두고 배기 장치측에 배치되는 제2 판형 부재를 가지며, 개구부는, 평면에서 볼 때 제1 판형 부재에 의해 덮여 있는 입자 역류 방지 부재가 제공된다.

Description

입자 역류 방지 부재 및 기판 처리 장치{PARTICLE BACKFLOW PREVENTION MEMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 입자 역류 방지 부재 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
배기 장치가 접속된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 파티클(입자)이 배기 장치로부터 처리 용기 내에 역류(바운딩)하는 경우가 있다.
그 때문에, 예컨대 특허문헌 1에는, 처리 용기와 배기 장치 사이에 차폐 장치를 설치함으로써, 파티클이 처리 용기 내에 진입하는 것을 방지하는 기술이 알려져 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-240701호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 파티클의 처리 용기 내에 대한 진입 방지와 배기 효율의 유지를 양립시키는 것이 어렵다.
따라서, 본 발명의 하나의 안에서는, 배기 효율을 유지하면서, 파티클이 처리 용기 내에 진입하는 것을 방지할 수 있는 입자 역류 방지 부재를 제공하는 것을 과제로 한다.
하나의 안에서는, 처리 용기와 배기 장치를 연통시키는 배기관의 내부에 배치되는 입자 역류 방지 부재로서,
제1 판형 부재와,
개구부를 가지며, 상기 제1 판형 부재에 대하여 제1 간극을 두고 상기 배기 장치측에 배치되는 제2 판형 부재
를 가지며,
상기 개구부는, 평면에서 볼 때 상기 제1 판형 부재에 의해 덮여 있는
입자 역류 방지 부재가 제공된다.
일양태에 의하면, 배기 효율을 유지하면서, 파티클이 처리 용기 내에 진입하는 것을 방지할 수 있는 입자 역류 방지 부재를 제공할 수 있다.
도 1은 일실시형태에 따른 기판 처리 장치의 전체 구성도이다.
도 2는 일실시형태에 따른 기판 처리 장치의 배기관 근방을 확대한 도면이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재의 개략도이다.
도 4는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 배기관 근방을 확대한 도면이다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재의 개략도이다.
도 6은 웨이퍼 상에 퇴적된 파티클의 갯수와 입경의 관계의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 비교예 1에 따른 웨이퍼 상에 퇴적된 파티클과 배기로의 위치 관계를 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해 첨부 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
[기판 처리 장치(1)의 전체 구성]
우선, 본 발명의 일실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200)가 배치되는 기판 처리 장치(1)의 전체 구성에 관해, 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 1은, 일실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 전체 구성을 나타내고 있다. 도 2는, 일실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 배기관(26) 근방을 확대한 부분을 나타내고 있다. 또, 도 2에 관한 설명에서는, 도면 중 상방을 「상측」이라고 칭하고, 도면 중 하방을 「하측」이라고 칭한다.
도 1에 나타낸 기판 처리 장치(1)는, 반응성 이온 에칭(RIE : Reactive Ion Etching)형의 기판 처리 장치(1)로서 구성되어 있다. 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 알루미늄 또는 스테인레스 등의 금속제 원통형 챔버(처리 용기(10))를 갖고 있고, 처리 용기(10)는 접지되어 있다. 처리 용기(10) 내에서는, 피처리체에 에칭 처리 등의 플라즈마 처리가 실시된다.
처리 용기(10) 내에는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼(W)라고 칭함)를 재치(載置)하는 재치대(12)가 설치되어 있다. 재치대(12)는, 예컨대 알루미늄으로 이루어지며, 절연성의 통형상 유지부(14)를 통해 처리 용기(10)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장되는 통형상 지지부(16)에 지지되어 있다. 통형상 유지부(14)의 상면에는, 재치대(12)의 상면을 고리형으로 둘러싸는, 예컨대 석영으로 이루어진 포커스링(18)이 배치되어 있다.
처리 용기(10)의 내측벽과 통형상 지지부(16)의 외측벽 사이에는 배기로(20)가 형성되어 있다. 배기로(20)에는 고리형의 배플판(22)이 부착되어 있다. 배기로(20)는, 배기관(26)을 통해 배기 장치(28)에 접속되어 있다. 즉, 배기관(26)은, 처리 용기(10)와 배기 장치(28)를 연통한다.
배기관(26)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 플랜지부(26a)를 갖는다. 또한, 플랜지부(26a)는 내경 A의 개구부(29)를 갖는다. 이 플랜지부(26a)와 배기 장치(28) 사이에는, 예컨대 자동 압력 제어(APC : Auto Pressure Controller) 밸브 등의 압력 조정 밸브(27)가 설치되어 있다. 압력 조정 밸브(27)는, 개구부(29)에 연통하여 설치되고, 배기 장치(28)에 의한 실행 배기 속도를 제어한다.
플랜지부(26a)의 내경은, 압력 조정 밸브(27)와의 접합부(개구부(29)의 형성 영역)에 있어서, 다른 부분과 비교하여 작아져 있고, 개구부(29)가 형성되어 있다.
또한, 플랜지부(26a)의 개구부(29)를 형성하는 저면 상에는 보호망(204)이 배치되어 있어도 좋다. 보호망(204)은, 메인터넌스 등에 이용되는 나사 등이 배기 장치(28) 내에 진입(낙하)하는 것을 방지한다. 보호망(204)의 직경은, 플랜지부(26a)의 개구부(29)의 내경 A보다 크게 설정된다.
플랜지부(26a)의 내측에는, 후술하는 본 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200)가 배치되어 있다. 입자 역류 방지 부재(200)는, 예컨대 보호망(204) 상에 배치되어 있다. 또, 보호망(204)이 배치되어 있지 않은 경우에는, 입자 역류 방지 부재(200)는, 플랜지부(26a)의 내측에 보호망(204)을 통하지 않고 배치되어 있어도 좋다.
배기 장치(28)는, 예컨대 터보 분자 펌프(TMP : Turbo-Molecular Pump) 등의 고속 회전하는 회전 날개(28c)를 갖는 배기 펌프를 이용할 수 있다.
이하, 배기 장치(28)로서 TMP를 이용한 경우의 구성에 관해 설명한다.
TMP는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 회전축(28a), 본체(28b), 회전 날개(28c) 및 정지 날개(28d)를 구비한다.
회전축(28a)은, 도 2의 상하 방향을 따라서 배치되며, 회전 날개(28c)의 회전에 관한 중심축이다.
본체(28b)는, 원통형의 케이스이며, 회전축(28a), 회전 날개(28c) 및 정지 날개(28d)를 수용한다.
회전 날개(28c)는, 회전축(28a)으로부터 직각으로 돌출된 복수의 블레이드형 날개이다. 복수의 회전 날개(28c)는, 회전축(28a)의 외주면의 동일 원주상에 있어서 등간격으로 배치되고, 또한 회전축(28a)으로부터 방사형으로 돌출되어 회전 날개군을 형성한다.
정지 날개(28d)는, 본체(28b)의 내주면으로부터 회전축(28a)을 향해서 돌출된 복수의 블레이드형 날개이다. 복수의 정지 날개(28d)는, 본체(28b)의 내주면의 동일 원주상에 있어서 등간격으로 배치되고, 또한 회전축(28a)을 향해서 돌출되어 정지 날개군을 형성한다. 회전 날개(28c)군과 정지 날개(28d)군은 교대로 배치된다. 즉, 각 정지 날개(28d)군은 인접하는 2개의 회전 날개(28c)군의 사이에 배치된다.
또한, 최상의 회전 날개군이 최상의 정지 날개군보다 상측에 배치된다. 즉, 최상의 회전 날개군이 최상의 정지 날개군보다 처리 용기(10)측에 배치된다.
전술한 바와 같은 TMP를 이용한 경우에서는, 회전 날개(28c)를 회전축(28a)을 중심으로 고속 회전시킴으로써, TMP 상측의 가스를 TMP의 하측으로 고속 배기시킨다.
처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입시 또는 반출시에 개폐하는 게이트 밸브(30)가 부착되어 있다.
재치대(12)에는, 급전 막대(36) 및 정합기(34)를 통해 플라즈마 생성용의 고주파 전원(32)이 접속되어 있다. 고주파 전원(32)은, 예컨대 60 MHz의 고주파 전력을 재치대(12)에 공급한다. 이와 같이 하여 재치대(12)는 하부 전극으로서도 기능한다.
처리 용기(10)의 천장부에는, 샤워 헤드(38)가 접지 전위의 상부 전극으로서 설치되어 있다. 고주파 전원(32)으로부터의 플라즈마 생성용의 고주파 전력은, 재치대(12)와 샤워 헤드(38) 사이에 용량적으로 공급된다.
재치대(12)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위한 정전척(40)이 설치되어 있다. 정전척(40)은, 도전막으로 이루어진 시트형의 척전극(40a)을 한쌍의 유전 부재인 유전층부(40b, 40c) 사이에 끼워 넣은 것이다.
직류 전압원(42)은, 스위치(43)를 통해 척전극(40a)에 접속되어 있다. 정전척(40)은, 직류 전압원(42)으로부터 전압이 온으로 됨으로써, 쿨롱력으로 웨이퍼(W)를 척 위에 흡착 유지한다.
또한, 척전극(40a)에 대한 전압을 오프하는 경우에는 스위치(43)에 의해 접지부(44)에 접속된 상태로 되어 있다. 이하, 척전극(40a)에 대한 전압의 오프는 척전극(40a)이 접지된 상태를 의미한다.
전열 가스 공급원(52)은, He 가스나 Ar 가스 등의 전열 가스를 가스 공급 라인(54)에 통과시켜 정전척(40) 상의 웨이퍼(W)의 이면에 공급한다.
천장부의 샤워 헤드(38)는, 다수의 가스 통기 구멍(56a)을 갖는 전극판(56)과, 전극판(56)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(58)를 갖는다. 전극 지지체(58)의 내부에는 버퍼실(60)이 설치되어 있다. 버퍼실(60)의 가스 도입구(60a)에는, 가스 공급 배관(64)을 통해 가스 공급원(62)이 연결되어 있다. 이러한 구성에 의해, 샤워 헤드(38)로부터 처리 용기(10) 내에 원하는 가스가 공급된다.
재치대(12)의 내부에는, 외부의 도시하지 않은 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해 웨이퍼(W)를 승강시키는 지지핀(81)이 복수(예컨대 3개) 설치되어 있다. 복수의 지지핀(81)은, 연결 부재(82)를 통해 전해지는 모터(84)의 동력에 의해 상하 이동한다. 처리 용기(10)의 외부를 향해서 관통하는 지지핀(81)의 관통 구멍에는 저부 벨로우즈(83)가 설치되고, 처리 용기(10) 내의 진공측과 대기측 사이의 기체 밀폐 상태를 유지한다.
처리 용기(10)의 주위에는, 고리형 또는 동심형으로 연장되는 자석(66)이 상하 2단으로 배치되어 있다. 처리 용기(10) 내에 있어서, 샤워 헤드(38)와 재치대(12) 사이의 플라즈마 생성 공간에는, 고주파 전원(32)에 의해 수직 방향의 RF 전계가 형성되고, 고주파의 방전에 의해, 재치대(12)의 표면 근방에 고밀도의 플라즈마가 생성된다.
재치대(12)의 내부에는 냉매관(70)이 설치되어 있다. 냉매관(70)에는, 배관(72, 73)을 통해 칠러(chiller) 유닛(71)으로부터 미리 정해진 온도의 냉매가 순환 공급된다. 또한, 정전척(40)의 내부에는 히터(75)가 매설되어 있다. 또한, 칠러 유닛(71)에 의한 냉각과 히터(75)에 의한 가열에 의해 정전척(40) 상의 웨이퍼(W)의 처리 온도는 원하는 온도로 조정된다.
제어 장치(100)는, 기판 처리 장치(1)에 부착된 각 부, 예컨대 가스 공급원(62), 히터(75), 직류 전압원(42), 스위치(43), 정합기(34), 고주파 전원(32), 전열 가스 공급원(52), 모터(84), 칠러 유닛(71)을 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 도시하지 않은 호스트 컴퓨터 등과도 접속되어 있다.
제어 장치(100)는, 도시하지 않은 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory)를 갖는다. CPU는, ROM, RAM 등의 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라서 플라즈마 처리를 실행한다.
레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 처리 용기(10) 내부 온도(상부 전극 온도, 처리 용기(10)의 측벽 온도, ESC 온도 등), 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 프로세스 가스 유량, 전열 가스 유량 등이 기재되어 있다.
이러한 구성의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 에칭 등의 기판 처리를 행하기 위해서는, 우선, 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 아암 상에 유지된 웨이퍼(W)를 처리 용기(10) 내에 반입한다. 다음으로, 정전척(40)의 표면으로부터 돌출된 지지핀(81)에 의해 반송 아암으로부터 웨이퍼(W)가 들어 올려지고, 지지핀(81) 상에 웨이퍼(W)가 유지된다.
이어서, 반송 아암이 처리 용기(10) 밖으로 나온 후에, 지지핀(81)이 정전척(40) 내에 내려짐으로써 웨이퍼(W)가 정전척(40) 상에 재치된다.
웨이퍼(W) 반입후 게이트 밸브(30)가 폐쇄되고, 가스 공급원(62)으로부터 에칭 가스를 미리 정해진 유량으로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 압력 조정 밸브(27) 및 배기 장치(28)에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 설정치로 감압한다. 또한, 고주파 전원(32)으로부터 미리 정해진 파워의 고주파 전력을 재치대(12)에 공급한다.
또한, 직류 전압원(42)으로부터 전압을 정전척(40)의 척전극(40a)에 온하여, 웨이퍼(W)를 정전척(40) 상에 고정한다. 또한, 정전 흡착된 웨이퍼(W)의 이면에 전열 가스를 공급한다.
샤워 헤드(38)로부터 샤워형으로 도입된 에칭 가스는, 고주파 전원(32)으로부터의 고주파 전력에 의해 플라즈마화되고, 이에 따라, 상부 전극(샤워 헤드(38))과 하부 전극(재치대(12)) 사이의 플라즈마 생성 공간에서 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마 중의 라디칼이나 이온에 의해 웨이퍼(W)의 주면(主面)이 에칭된다.
플라즈마 에칭 종료후, 정전척(40)으로부터 웨이퍼(W)를 이탈시킬 때에는, 전열 가스의 공급을 오프하고, 불활성 가스를 처리 용기(10) 내에 도입하여 처리 용기(10) 내를 미리 정해진 압력으로 유지한다. 이 상태로, 플라즈마 처리 중에 척전극(40a)에 온하고 있었던 전압과는 정부(正負)가 역인 전압을, 척전극(40a)에 온한 후에 전압을 오프한다. 이 처리에 의해 정전척(40) 및 웨이퍼(W)에 존재하는 전하를 제전하는 제전 처리가 행해진다.
그 상태로, 지지핀(81)을 상승시켜 웨이퍼(W)를 정전척(40)으로부터 들어올리고, 웨이퍼(W)를 정전척(40)으로부터 이탈시킨다. 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 아암이 처리 용기(10) 내에 반입된 후, 지지핀(81)이 내려지고 웨이퍼(W)가 반송 아암 상에 유지된다. 이어서, 그 반송 아암이 처리 용기(10) 밖으로 나오고, 다음 웨이퍼(W)가 반송 아암에 의해 처리 용기(10) 내에 반입된다. 이 처리를 반복함으로써 연속하여 웨이퍼(W)가 처리된다.
[제1 실시형태]
다음으로, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)에 관해 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다.
도 3의 (A) 및 (B)은, 각각 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)의 사시도 및 평면도를 나타내고 있다.
도 3의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)는, 제1 판형 부재(201)와, 개구부(202h)를 가지며, 제1 판형 부재(201)에 대하여 제1 간극(L1)을 두고 배기 장치(28)측에 배치되는(도 2 참조) 제2 판형 부재(202)를 갖는다.
또한, 도 3의 (B)에 나타낸 바와 같이, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)는, 평면에서 볼 때 제1 판형 부재(201)에 의해 덮여 있다.
또, 「평면에서 볼 때」란, 제1 판형 부재(201)의 처리 용기(10)측의 면에 대하여 수직인 방향(도 2의 상측)으로부터 입자 역류 방지 부재(200a)를 보는 것을 가리킨다.
제1 판형 부재(201) 및 제2 판형 부재(202)는, 내열성을 가지며, 또한 플라즈마나 산에 대한 내부식성을 갖고 있는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제1 판형 부재(201) 및 제2 판형 부재(202)는, 박판으로 이용하더라도 충분한 강성이 있고, 용접을 용이하게 행할 수 있고, 아킹이 발생하기 어려운 등의 특성을 갖고 있는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
제1 판형 부재(201) 및 제2 판형 부재(202)의 구체적인 재료로는, 예컨대 스테인레스, 알루미늄 등의 금속 또는 세라믹스 등을 들 수 있다.
또한, 전술한 재료에 니켈과 불소를 함유하는 코팅제로 코팅하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 내열성, 플라즈마나 산에 대한 내부식성 및 강성이 더욱 향상되고, 처리 용기(10) 내에서 발생하는 부생성물의 부착이나 퇴적을 방지할 수 있다.
또, 제1 판형 부재(201)와 제2 판형 부재(202)는, 동일한 재료로 형성되어 있어도 좋고, 상이한 재료로 형성되어 있어도 좋다.
제1 판형 부재(201)로는, 예컨대 평면에서 볼 때 원형인 원판형 부재를 이용할 수 있지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않고, 입자 역류 방지 부재(200a)가 배치되는 장소의 형상 등에 따라서 선택할 수 있으며, 예컨대 평면에서 볼 때 직사각형 또는 타원형인 판형 부재 등을 이용해도 좋다.
제2 판형 부재(202)로는, 예컨대 평면에서 볼 때 원형의 개구부(202h)를 갖는 고리형 부재를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 제2 판형 부재(202)로는, 입자 역류 방지 부재(200a)가 배치되는 장소의 형상에 따라서 선택할 수 있으며, 예컨대 평면에서 볼 때 직사각형인 판형 부재 등을 이용할 수 있다.
또한, 제2 판형 부재(202)는, 하나의 개구부(202h)가 형성되는 구성이어도 좋고, 복수의 개구부(202h)가 형성되는 구성이어도 좋다. 복수의 개구부(202h)가 형성되는 경우에는, 모든 개구부(202h)가 평면에서 볼 때 제1 판형 부재(201)로 덮인다.
또한, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)의 형상은, 도 3의 (A) 및 (B)에 있어서는 원형인 것을 예시했지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않고, 직사각형 또는 타원형이어도 좋다.
전술한 바와 같이, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)는, 평면에서 볼 때 제1 판형 부재(201)에 의해 덮여 있다. 즉, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)의 직경 d는, 제1 판형 부재(201)의 직경 D보다 작아지도록 설정된다.
또한, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)의 직경 d와 제1 판형 부재(201)의 직경 D는, 이하의 관계식(1)을 만족하는 범위내로 설정되는 것이 바람직하다.
1≤D/d≤1.38…식(1)
또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)의 직경 d와 제1 간극(L1)은, 이하의 관계식(2)를 만족하는 범위내로 설정되는 것이 바람직하다.
0.49≤L1/d≤0.74…식(2)
식(1) 및/또는 식(2)의 관계를 만족하는 입자 역류 방지 부재(200a)를 사용함으로써, 배기 장치(28)에 의한 기판 처리 장치(1)의 배기 효율을 저하시키지 않고, 파티클이 처리 용기(10) 내에 진입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)는, 예컨대 제1 판형 부재(201)의 제2 판형 부재(202)와는 평행하게 설치되어 있다. 그리고, 입자 역류 방지 부재(200a)는, 예컨대 제1 판형 부재(201)의 제2 판형 부재(202)와 대향하는 면으로부터, 제2 판형 부재(202)의 제1 판형 부재(201)와 대향하는 면으로, 제1 판형 부재(201)에 대하여 수직으로 연장되는 막대형 부재(203)를 갖는다. 막대형 부재(203)는, 제1 판형 부재(201)와 제2 판형 부재(202)를 접속하고, 제2 판형 부재(202)가 플랜지부(26a) 상에 재치된 경우에 제1 판형 부재(201)를 지지하는 역할을 한다.
막대형 부재(203)는, 미리 정해진 길이를 갖는 구성이어도 좋고, 신장 가능한 구성이어도 좋다. 입자 역류 방지 부재(200a)의 설치에 의한, 배기 효율의 변화의 정도, 및 파티클의 처리 용기(10) 내에 대한 진입 억제 효과는, 막대형 부재(203)의 길이(제1 간극(L1)), 기판 처리 장치(1)의 배기관(26)의 직경이나 길이 등에 따라서도 달라진다. 그러나, 막대형 부재(203)를 신장 가능한 구성으로 함으로써, 여러가지 기판 처리 장치(1)에 대응시킬 수 있다.
또한, 제1 판형 부재(201)와 제2 판형 부재(202)는, 하나의 막대형 부재(203)로 접속되어 있어도 좋고, 복수의 막대형 부재(203)로 접속되어 있어도 좋다. 복수의 막대형 부재(203)로 접속되어 있는 경우, 입자 역류 방지 부재(200a)의 강성을 향상시킬 수 있다.
막대형 부재(203)는, 제1 판형 부재(201) 및 제2 판형 부재(202)와 마찬가지로, 내열성, 플라즈마나 산에 대한 내부식성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 막대형 부재(203)는, 박판으로 이용하더라도 충분한 강성이 있고, 용접을 용이하게 행할 수 있고, 아킹이 발생하기 어려운 등의 특성을 갖고 있는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
막대형 부재(203)의 구체적인 재료로는, 예컨대 스테인레스, 알루미늄 등의 금속 또는 세라믹스 등을 들 수 있다. 또한, 전술한 부재에 니켈과 불소를 함유하는 코팅제로 코팅한 것을 이용해도 좋다. 이에 따라, 내열성, 플라즈마나 산에 대한 내부식성 및 강성이 더욱 향상되고, 처리 용기(10) 내에서 발생하는 부생성물의 부착이나 퇴적을 방지할 수 있다.
제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)를 기판 처리 장치(1)에 적용하는 경우, 도 2에 나타낸 바와 같이 보호망(204) 상(또는 보호망(204)이 설치되지 않은 경우에는, 플랜지부(26a)의 저면 상)에 배치된다. 이 때, 제2 판형 부재(202)의 제1 판형 부재(201)와 대향하는 면과는 반대측의 면이 보호망(204)에 접하도록 배치된다. 즉, 제2 판형 부재(202)는, 제1 판형 부재(201)에 대하여 제1 간극(L1)을 두고 배기 장치(28)측에 배치된다.
다음으로, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)의 효과에 관해 도 2를 참조하면서 설명한다. 또, 도 2에 있어서, 파티클(P)의 궤적의 일례를 파선의 화살표로 나타내고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 용기(10)로부터 배출된 파티클(P)의 일부는, 배기 장치(28)에 도달하면, 고속 회전하는 회전 날개(28c)에 충돌하여, 처리 용기(10)측을 향해서 바운딩되는 경우가 있다. 그 결과, 바운딩된 파티클(P)은, 배기관(26)을 통해 처리 용기(10) 내에 진입한다.
그러나, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)가 배치된 기판 처리 장치(1)는, 제2 판형 부재(202)의 개구부(202h)가, 평면에서 볼 때 제1 판형 부재(201)에 의해 덮여 있다. 그 때문에, 바운딩되어 배기관(26)으로 진입한 파티클(P)은, 제1 판형 부재(201)(의 하면)에 접촉하여 재바운딩되어, 배기 장치(28)측(도 2 중 하향)으로 하강한다. 즉, 입자 역류 방지 부재(200a)는, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)에 의해 바운딩된 파티클(P)을 배기 장치(28)를 향해서 바운딩시킬 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)에 의하면, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)에 의해 바운딩된 파티클(P)이 처리 용기(10)에 진입하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치(1) 내에 있어서 RIE 처리가 실시되는 웨이퍼(W)의 표면에 파티클(P)이 부착되는 것을 방지할 수 있고, 배선 단락 등을 방지할 수 있기 때문에, 기판 처리의 수율이 향상된다. 또한, 배기관(26)의 내벽에 파티클(P)이 부착되는 빈도를 저하시킬 수 있으므로, 배기관(26)의 청소 빈도를 적게 할 수 있다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200a)는, 바운딩된 파티클(P)뿐만 아니라, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)로부터 박리되어 처리 용기(10) 방향으로 비산된 부착물도, 처리 용기(10)에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200a)에 있어서, 제1 판형 부재(201)와 제2 판형 부재(202)는, 제1 간극(L1)을 두고 배치되어 있다. 이에 따라, 입자 역류 방지 부재(200a)에 의한, 배기 장치(28)에 의한 배기 효율은 거의 저하되지 않는다. 그 때문에, 입자 역류 방지 부재(200a)의 설치에 의해 기판 처리 프로세스에 미치는 영향은 거의 없다고 하는 이점도 갖는다.
[제2 실시형태]
다음으로, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)에 관해 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)는, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)의 구성을 포함하고, 또한 제2 판형 부재(202)에 대하여 배기 장치(28)측에 배치되며 제2 판형 부재(202)를 지지하는 지지 부재(250)를 갖는 점에서 상이하다.
도 4는, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)가 도 1에 나타내는 기판 처리 장치(1)에 배치되었을 때의 기판 처리 장치(1)의 배기관(26) 근방을 확대한 도면을 나타내고 있다. 도 5의 (A) 및 (B)는, 각각 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)의 사시도 및 평면도를 나타내고 있다. 또, 도 4에 관한 설명에서는, 도면 중 상방을 「상측」이라고 칭하고, 도면 중 하방을 「하측」이라고 칭한다.
도 4 및 도 5의 (A)에 나타낸 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)는, 상단 부재(210), 중단 부재(220), 하단 부재(230)를 가지며, 이 순으로 처리 용기(10)측(도 4의 상측)으로부터 배치된다.
상단 부재(210)는, 제1 실시형태에서의 입자 역류 방지 부재(200a)와 동일한 구성을 갖고 있다.
중단 부재(220) 및 하단 부재(230)는, 상단 부재(210)를 지지하는 지지 부재(250)이다.
이하, 각각의 부재에 관해 설명한다.
상단 부재(210)는, 제1 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200a)와 동일한 구성이므로 설명을 생략한다. 또, 제2 실시형태에서의 제1 판형 부재(211), 개구부(212h)를 갖는 제2 판형 부재(212), 제1 막대형 부재(213)는, 각각 제1 실시형태에서의 제1 판형 부재(201), 개구부(202h)를 갖는 제2 판형 부재(202), 막대형 부재(203)에 대응한다. 또한, 제2 실시형태에서의 개구부(212h)의 직경 d1, 제1 판형 부재(211)의 직경 D1은, 각각 제1 실시형태에서의 개구부(202h)의 직경 d, 제1 판형 부재(201)의 직경 D에 대응한다.
중단 부재(220)는, 개구부를 갖는 제3 판형 부재(221)와, 개구부를 가지며, 제3 판형 부재(221)에 대하여 미리 정해진 간극을 두고 배기 장치(28)측에 배치되는 제4 판형 부재(222)를 갖는다. 또한, 중단 부재(220)는, 제3 판형 부재(221)와 제4 판형 부재(222)를 접속하는 제2 막대형 부재(223)를 갖는다.
제3 판형 부재(221), 제4 판형 부재(222) 및 제2 막대형 부재(223)로는, 상단 부재(210)를 구성하는 부재와 동일한 재료를 이용할 수 있다. 또, 이들 부재는, 동일한 재료로 형성되어 있어도 좋고, 상이한 재료로 형성되어 있어도 좋다.
제3 판형 부재(221)로는, 예컨대 평면에서 볼 때 원형의 개구부를 갖는 고리형 부재를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 제3 판형 부재(221)로는, 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치되는 장소의 형상에 따라서 선택할 수 있으며, 예컨대 평면에서 볼 때 직사각형인 판형 부재 등을 이용할 수 있다.
제4 판형 부재(222)로는, 예컨대 평면에서 볼 때 원형의 개구부를 갖는 고리형 부재를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 제4 판형 부재(222)로는, 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치되는 장소의 형상에 따라서 선택할 수 있으며, 예컨대 평면에서 볼 때 직사각형인 판형 부재 등을 이용할 수 있다.
또한, 제3 판형 부재(221) 및 제4 판형 부재(222)의 개구부의 직경은, 개구부(212h)보다 큰 것이 바람직하다.
제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)는, 예컨대 제3 판형 부재(221)의 제4 판형 부재(222)와 대향하는 면으로부터, 제4 판형 부재(222)의 제3 판형 부재(221)와 대향하는 면으로, 제3 판형 부재(221)에 대하여 수직으로 연장되는 제2 막대형 부재(223)를 갖는다. 제2 막대형 부재(223)는, 제3 판형 부재(221)와 제4 판형 부재(222)를 접속하도록 설치된다.
하단 부재(230)는, 개구부를 갖는 제5 판형 부재(231)와, 개구부를 가지며, 제5 판형 부재(231)에 대하여 미리 정해진 간극을 두고 배기 장치(28)측에 배치되는 제6 판형 부재(232)를 갖는다. 또한, 하단 부재(230)는, 제5 판형 부재(231)와 제6 판형 부재(232)를 접속하는 제3 막대형 부재(233)를 갖는다.
하단 부재(230)의 구성으로는, 중단 부재(220)와 동일한 구성을 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않고, 중단 부재를 구성하는 판형 부재와 하단 부재를 구성하는 판형 부재는, 상이한 형상, 부재로 구성되어 있어도 좋다.
제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)와 기판 처리 장치(1)에 적용하는 경우, 도 4에 나타낸 바와 같이, 보호망(204) 상(또는 보호망(204)이 설치되지 않은 경우에는, 플랜지부(26a)의 저면 상)에 배치된다. 이 때, 제6 판형 부재(232)의 제5 판형 부재(231)와 대향하는 면과는 반대측의 면이 보호망(204)에 접하도록 배치된다.
다음으로, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)의 효과에 관해 도 4를 참조하면서 설명한다. 또, 도 4에 있어서, 파티클(P)의 궤적의 일례를 파선의 화살표로 나타내고 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 처리 용기(10)로부터 배출된 파티클(P)의 일부는, 배기 장치(28)에 도달하면, 고속 회전하는 회전 날개(28c)에 충돌하여, 처리 용기(10)측을 향해서 바운딩되는 경우가 있다. 그 결과, 바운딩된 파티클(P)은, 배기관(26)을 통해 처리 용기(10) 내에 진입한다.
그러나, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치된 기판 처리 장치(1)는, 제2 판형 부재(212)의 개구부(212h)가, 평면에서 볼 때 제1 판형 부재(211)에 의해 덮여 있다. 그 때문에, 바운딩되어 배기관(26)으로 진입한 파티클(P)은, 제1 판형 부재(211)(의 하면)에 접촉하여 재바운딩되어, 배기 장치(28)측(도 2 중 하향)으로 하강한다. 즉, 입자 역류 방지 부재(200b)는, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)에 의해 바운딩된 파티클(P)을 배기 장치(28)를 향해서 바운딩시킬 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)에 의하면, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)에 의해 바운딩된 파티클(P)이 처리 용기(10)에 진입하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 장치(1) 내에 있어서 RIE 처리가 실시되는 웨이퍼(W)의 표면에 파티클(P)이 부착되는 것을 방지할 수 있고, 배선 단락 등을 방지할 수 있기 때문에, 기판 처리의 수율이 향상된다.
또한, 배기관(26)의 내벽에 파티클(P)이 부착되는 속도를 저하시킬 수 있으므로, 배기관(26)의 청소 빈도를 적게 할 수 있다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200b)는, 바운딩된 파티클(P)뿐만 아니라, 배기 장치(28)의 회전 날개(28c)로부터 박리되어 처리 용기(10) 방향으로 비산된 부착물도, 처리 용기(10)에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200b)에 있어서, 제1 판형 부재(211)와 제2 판형 부재(212)는, 제1 간극(L1)을 두고 배치되어 있다. 이에 따라, 입자 역류 방지 부재(200b)에 의한, 배기 장치(28)에 의한 배기 효율은 거의 저하되지 않는다. 그 때문에, 입자 역류 방지 부재(200b)의 설치에 의해 기판 처리 프로세스에 미치는 영향은 거의 없다고 하는 이점도 갖는다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200b)는, 중단 부재(220) 및 하단 부재(230)로 이루어진 지지 부재(250)에 의해, 제2 판형 부재(212)의 하면과 보호망(204)의 상면 사이에 제2 간극(L2)이 형성되어 있다. 이에 따라, 배기 장치(28)에 의한 배기 효율의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
또한, 입자 역류 방지 부재(200b)는, 상단 부재(210), 중단 부재(220), 하단 부재(230)를 포함하며, 입자 역류 방지 부재(200b)의 설치 장소에서 각각을 중첩하여 설치할 수 있으므로, 설치 장소에 통하는 공간이 좁은 경우라 하더라도, 용이하게 설치할 수 있다. 그 결과, 입자 역류 방지 부재(200b)의 설치 및 제거 등에 따르는 메인터넌스 시간을 단축할 수 있다.
또, 제2 실시형태에서는, 각각 하나의 상단 부재(210), 중단 부재(220), 하단 부재(230)로 이루어진 입자 역류 방지 부재(200b)의 형태를 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 입자 역류 방지 부재(200b)는, 하나의 상단 부재(210)를 포함하고 있으면 되며, 복수의 중단 부재(220) 및 복수의 하단 부재(230)를 갖고 있어도 좋다.
다음으로, 제2 실시형태에 따른 입자 역류 방지 부재(200b)가 기판 처리 장치(1)에 배치되었을 때에, 웨이퍼(W) 상에 퇴적되는 파티클(P)에 관해 실시예에서 설명한다. 또한, 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치되지 않은 기판 처리 장치(1)를 이용한 경우에 관해서도, 실시예의 비교로서, 비교예에서 설명한다.
[실시예]
우선, 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 아암 상에 유지된 웨이퍼(W)를 처리 용기(10) 내에 반입한다. 다음으로, 정전척(40)의 표면으로부터 돌출된 지지핀(81)에 의해 반송 아암으로부터 웨이퍼(W)가 들어올려지고, 지지핀(81) 상에 웨이퍼(W)가 유지된다. 이어서, 그 반송 아암이 처리 용기(10) 밖으로 나온 후에, 지지핀(81)이 정전척(40) 내에 내려짐으로써 웨이퍼(W)가 정전척(40) 상에 재치된다.
웨이퍼(W) 반입후 게이트 밸브(30)가 폐쇄되고, 직류 전압원(42)으로부터 전압을 정전척(40)의 척전극(40a)에 온하여, 웨이퍼(W)를 정전척(40) 상에 고정한다. 또한, 정전 흡착된 웨이퍼(W)의 이면에 전열 가스를 공급한다.
다음으로, 가스 공급원(62)으로부터 질소(N2) 가스를 미리 정해진 유량으로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 배기 장치(28)에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 감압하고, 압력 조정 밸브(27)를 조정함으로써 처리 용기(10) 내를 미리 정해진 압력으로 조정한다.
또한, 배기관(26)에 설치된 포트(도시하지 않음)로부터 처리 용기(10) 내에 입경이 0.1 ㎛∼1.0 ㎛인 파티클(P)을 도입한다. 이에 따라, 의사적으로 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리를 실시한 경우에 발생하는 파티클(P)과 동일한 파티클(P)을 발생시킨다.
미리 정해진 시간 경과후, 정전척(40)으로부터 웨이퍼(W)를 이탈시킬 때에는, 전열 가스의 공급을 오프하고, 불활성 가스를 처리 용기(10) 내에 도입하여 처리 용기(10) 내를 미리 정해진 압력으로 유지한다. 이 상태로, 척전극(40a)에 온하고 있었던 전압과는 정부가 반대인 전압을, 척전극(40a)에 온한 후에 전압을 오프한다. 이 처리에 의해 정전척(40) 및 웨이퍼(W)에 존재하는 전하를 제전하는 제전 처리가 행해진다.
그 상태로, 지지핀(81)을 상승시켜 웨이퍼(W)를 정전척(40)으로부터 들어올리고, 웨이퍼(W)를 정전척(40)으로부터 이탈시킨다. 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 아암이 처리 용기(10) 내에 반입된 후, 지지핀(81)이 내려지고 웨이퍼(W)가 반송 아암 상에 유지된다. 이어서, 그 반송 아암이 처리 용기(10) 밖으로 나와 웨이퍼(W)가 반출된다.
다음으로, 처리 용기(10)로부터 반출되는 웨이퍼(W) 상의 파티클(P)의 갯수를 계측한다.
도 6의 (A)에, 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치된 기판 처리 장치(1)에 있어서, 전술한 처리를 실시한 후의 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 파티클(P)의 갯수와 입경의 관계를 나타낸다. 또, 도 6의 (A)에 있어서, 횡축은 파티클(P)의 입경을 나타내고, 종축은 파티클(P)의 갯수를 나타낸다.
도 6의 (A)에 나타낸 바와 같이, 입경이 1 ㎛ 미만인 파티클(P)이 확인되고, 입경이 0.06 ㎛ 이상인 파티클(P)의 갯수는 61개였다. 또한, 파티클(P)은, 웨이퍼(W)의 면내에 치우침없이 균등하게 퇴적되어 있는 것이 확인되었다(도시하지 않음).
[비교예]
다음으로, 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치되어 있지 않은 기판 처리 장치(1)에 있어서, 실시예와 동일한 방법에 의해, 웨이퍼(W) 상의 퇴적된 파티클(P)의 갯수를 계측했다. 또, 비교예에서는, 입자 역류 방지 부재(200b)를 갖지 않는 점 외에는 실시예와 동일하기 때문에, 중복되는 내용의 설명은 생략한다.
도 6의 (B)에, 입자 역류 방지 부재(200b)를 갖지 않는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 실시예와 동일한 처리를 실시한 후의 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 파티클(P)의 갯수와 입경의 관계를 나타낸다. 또, 도 6의 (B)에 있어서, 횡축은 파티클(P)의 입경을 나타내고, 종축은 파티클(P)의 갯수를 나타낸다. 또한, 비교예에 있어서는, 실시예와 비교하여, 계측된 파티클(P)의 갯수가 3자릿수 이상 많기 때문에, 도 6의 (B)에서의 종축의 좌표는, 도 6의 (A)에서의 종축의 좌표와 상이하다.
도 6의 (B)에 나타낸 바와 같이, 입경이 0.15 ㎛∼0.2 ㎛인 파티클(P)을 중심으로 실시예와 비교하여 다수의 파티클(P)이 퇴적되어 있는 것이 확인되고, 입경이 0.06 ㎛ 이상인 파티클(P)의 갯수는 16824개였다.
도 7에, 입자 역류 방지 부재(200b)를 갖지 않는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 파티클(P)과 배기로(20)의 위치 관계를 나타낸다. 도 7에 있어서는, 편의상 재치대(12), 웨이퍼(W) 및 배기로(20)를 제외한 구성, 예컨대 도 1에 나타내는 샤워 헤드(38), 전극판(56) 등의 도시는 생략되어 있다.
비교예 1에 있어서, 파티클(P)은, 도 7에 나타내는 영역 Z에 편재하여 퇴적되어 있는 것이 확인되었다. 즉, 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 파티클(P)은, 배기로(20)로부터 처리 용기(10) 내에 배기류를 역류하여 발생한 것으로 생각된다.
또한, 처리 용기(10) 내를 미리 정해진 압력으로 조정할 때의 압력 조정 밸브(27)의 개방도는, 실시예와 비교예에서 동등했다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)에 입자 역류 방지 부재(200b)가 배치되는 것에 의한 배기 효율의 저하는 없다고 생각된다.
이상과 같이, 입자 역류 방지 부재(200b)를 기판 처리 장치(1)에 설치함으로써, 웨이퍼(W) 상에 퇴적되는 파티클(P)(입경이 0.06 ㎛ 이상)은 99.6% 저감되었다. 즉, 기판 처리 장치(1)의 배기 효율을 저하시키지 않고, 바운딩에 의해 웨이퍼(W) 상에 퇴적되는 파티클(P)의 수를 대폭 저감할 수 있었다.
이상, 입자 역류 방지 부재(200) 및 입자 역류 방지 부재(200)가 배치된 기판 처리 장치(1)를 실시형태 및 실시예에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위내에서 여러가지 변형 및 개량이 가능하다.
전술한 실시형태에서는, 기판 처리 장치(1)는, 반도체 디바이스 제조 장치로서의 에칭 처리 장치인 경우에 관해 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(1)로는, 다른 플라즈마를 이용하는 반도체 디바이스 제조 장치, 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition)나 PVD(Physical Vapor Deposition) 등을 이용하는 성막 처리 장치이어도 좋다.
나아가, 이온 주입 처리 장치, 진공 반송 장치, 열처리 장치, 분석 장치, 전자성 가속기, FPD(Flat Panel Display) 제조 장치, 태양 전지 제조 장치 또는 물리량 분석 장치로서의 에칭 처리 장치, 성막 처리 장치 등의 회전 날개(28c)를 갖는 배기 장치(28)를 이용하는 감압 처리 장치라면 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼(W)를 이용했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 FPD용의 유리 기판이나 태양 전지용의 기판 등이어도 좋다.
1 : 기판 처리 장치 10 : 처리 용기
26 : 배기관 28 : 배기 장치
28c : 회전 날개 200, 200a, 200b : 입자 역류 방지 부재
201, 211 : 제1 판형 부재 202, 212 : 제2 판형 부재
202h, 212h : 개구부 203 : 막대형 부재
204 : 보호망 250 : 지지 부재
P : 파티클 W : 웨이퍼

Claims (12)

  1. 처리 용기와 배기 장치를 연통시키는 배기관의 내부에 배치되는 입자 역류 방지 부재에 있어서,
    제1 판형 부재;
    개구부를 갖고, 상기 제1 판형 부재에 대하여 제1 간극을 두고 상기 배기 장치측에 배치되는 제2 판형 부재; 및
    상기 제1 판형 부재와 상기 제2 판형 부재를 접속하는 막대형 부재
    를 포함하며, 상기 개구부는 평면에서 볼 때 상기 제1 판형 부재에 의해 덮여 있고, 상기 제2 판형 부재는 평면에서 볼 때 상기 제1 판형 부재에 의해 덮이지 않는 외주부를 포함하는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 판형 부재와 상기 제2 판형 부재는 평행하게 설치되고,
    상기 막대형 부재는 상기 제1 판형 부재의 상기 제2 판형 부재와 대향하는 면으로부터 상기 제2 판형 부재의 상기 제1 판형 부재와 대향하는 면까지, 상기 제1 판형 부재에 대하여 수직으로 연장되는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 막대형 부재는 복수 설치되어 있는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 입자 역류 방지 부재는, 상기 제2 판형 부재로부터 상기 배기 장치측으로 연장되어 상기 제2 판형 부재를 지지하는 지지 부재를 갖는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 막대형 부재 및 상기 지지 부재 중 적어도 하나는 신장 가능하게 구성되는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 판형 부재 및 상기 제2 판형 부재 중 적어도 하나는 니켈 및 불소를 함유하는 코팅제로 코팅되어 있는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 판형 부재는 원판형 부재이며,
    상기 제2 판형 부재는 평면에서 볼 때 원형의 개구부를 갖는 고리형 부재인 것인, 입자 역류 방지 부재.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 개구부의 직경을 d, 상기 제1 간극을 L1로 한 경우에,
    0.49≤L1/d≤0.74
    의 관계를 만족하는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 판형 부재의 직경을 D, 상기 개구부의 직경을 d로 했을 때에,
    1≤D/d≤1.38
    의 관계를 만족하는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  11. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 배기 장치는, 고속 회전하는 회전 날개를 갖는 배기 펌프를 포함하는 것인, 입자 역류 방지 부재.
  12. 처리 용기와, 배기 장치와, 상기 처리 용기와 상기 배기 장치를 연통시키는 배기관을 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배기관의 내부에 배치되는 제1 판형 부재;
    개구부를 가지며, 상기 제1 판형 부재에 대하여 제1 간극을 두고 상기 배기 장치측에 배치되는 제2 판형 부재; 및
    상기 제1 판형 부재와 상기 제2 판형 부재를 접속하는 막대형 부재
    를 포함하고, 상기 개구부는, 평면에서 볼 때 상기 제1 판형 부재에 의해 덮여 있고, 상기 제2 판형 부재는 평면에서 볼 때 상기 제1 판형 부재에 의해 덮이지 않는 외주부를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
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