JP2022158492A - 異物落下防止部材及び基板処理装置 - Google Patents

異物落下防止部材及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022158492A
JP2022158492A JP2021063438A JP2021063438A JP2022158492A JP 2022158492 A JP2022158492 A JP 2022158492A JP 2021063438 A JP2021063438 A JP 2021063438A JP 2021063438 A JP2021063438 A JP 2021063438A JP 2022158492 A JP2022158492 A JP 2022158492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
foreign matter
prevention member
exhaust port
connecting rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021063438A
Other languages
English (en)
Inventor
良大 川鈴木
Yoshihiro Kawasuzuki
利也 塚原
Toshiya Tsukahara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021063438A priority Critical patent/JP2022158492A/ja
Priority to CN202210288487.2A priority patent/CN115206758A/zh
Publication of JP2022158492A publication Critical patent/JP2022158492A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】真空ポンプ又は圧力制御弁の上流側に設けられる保護網が異物で塞がれることを防止する技術を提供する。【解決手段】保護網が設けられた処理容器の排気口に配置される異物落下防止部材であって、第1の板と、前記第1の板に対して第1の間隙を有して前記排気口側に配置される第2の板と、前記第1の板と前記第2の板とを連結する第1の連結棒と、を有し、前記第1の板は、前記第1の板の端に沿って、前記排気口と反対側に延びて設けられる第1の壁を有する異物落下防止部材。【選択図】図2

Description

本開示は、異物落下防止部材及び基板処理装置に関する。
半導体製造装置に用いられる真空ポンプには、ポンプへの異物の侵入を防止するために保護ネットが設けられている(例えば、特許文献1)。また、真空ポンプの上流側に、圧力制御弁が設けられている場合、圧力制御弁の上流側に保護ネットが設けられている。
特開平11-247790号公報
本開示では、真空ポンプの上流側に設けられる保護網が異物で塞がれることを防止する技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、保護網が設けられた処理容器の排気口に配置される異物落下防止部材であって、第1の板と、前記第1の板に対して第1の間隙を有して前記排気口側に配置される第2の板と、前記第1の板と前記第2の板とを連結する第1の連結棒と、を有し、前記第1の板は、前記第1の板の端に沿って、前記排気口と反対側に延びて設けられる第1の壁を有する異物落下防止部材が提供される。
本開示では、真空ポンプの上流側に設けられる保護網が異物で塞がれることを防止する技術を提供する。
一実施形態に係る基板処理装置の全体構成図である。 一実施形態に係る基板処理装置の排気口近傍を拡大した図である。 第1の実施形態に係る異物落下防止部材の斜視図である。 第1の実施形態に係る異物落下防止部材の上面図である。 第2の実施形態に係る異物落下防止部材が設置された排気口近傍を拡大した図である。 第2の実施形態に係る異物落下防止部材の斜視図である。 第2の実施形態に係る異物落下防止部材の上面図である。 第3の実施形態に係る異物落下防止部材の斜視図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材が設置された排気口近傍を拡大した図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材の斜視図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材の上面図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材が設置された領域の上面図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材の取り付け方法について説明する図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材の取り付け方法について説明する図である。 第4の実施形態に係る異物落下防止部材の取り付け方法について説明する図である。
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
[基板処理装置1の全体構成]
まず、本開示の一実施形態に係る異物落下防止部材200が配置される基板処理装置1の全体構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。
図1は、一実施形態に係る基板処理装置1の全体構成を示している。図2は、一実施形態に係る基板処理装置1の排気口20A近傍を拡大した部分を示している。なお、図2に関する説明では、図中上方を「上側」と称し、図中下方を「下側」と称する。
図1に示した基板処理装置1は、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)型の基板処理装置1として構成されている。基板処理装置1は、例えば、アルミニウム又はステンレス等の金属製の円筒型チャンバ(処理容器10)を有しており、処理容器10は接地されている。処理容器10内では、被処理体にエッチング処理等のプラズマ処理が施される。処理容器10は、外側に外形を画定する円筒状の壁13を有する。壁13は、下側が広がって形成される。
処理容器10内には、基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハWと称呼する)を載置する載置台12が設けられている。載置台12は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部14を介して処理容器10の底から垂直上方に延びる筒状支持部16に支持されている。筒状保持部14の上面には、載置台12の上面を環状に囲む、例えば、シリコンまたは石英からなるフォーカスリング18が配置されている。
処理容器10の壁13の内側面と筒状支持部16の外側面との間には排気路20が形成されている。排気路20には環状のバッフル板22が取り付けられている。排気路20の底部に設けられた排気口20Aには、排気装置28が接続されている。
排気口20Aには、図2に示すように、フランジ部26が接続される。また、フランジ部26は、内径Aの開口部29を有する。このフランジ部26と排気装置28との間には、例えば、自動圧力制御(APC:Auto Pressure Controller)バルブ等の圧力調整バルブ27が設けられている。圧力調整バルブ27は、開口部29に連通して設けられ、排気装置28による実行排気速度を制御する。なお、図2においては、圧力調整バルブ27の詳細の構成については省略する。
また、フランジ部26の開口部29を覆うように、フランジ部26の上面に保護網204が配置されている。保護網204はフランジ部26の下面に配置されていてもよい。保護網204は、メンテナンス等に用いられるネジ等の異物が排気装置28内に進入(落下)するのを防止する。保護網204の直径は、フランジ部26の開口部29の内径Aよりも大きく設定される。
排気口20Aには、後述する本実施形態に係る異物落下防止部材200が配置されている。異物落下防止部材200は、例えば、保護網204上またはフランジ部26上に配置されている。
排気装置28は、例えば、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo-Molecular Pump)等の排気ポンプを用いることができる。
ターボ分子ポンプを用いた場合では、回転翼28bを、回転軸28aを中心に高速回転させることにより、ターボ分子ポンプ上側のガスをターボ分子ポンプの下側に高速排気する。
処理容器10の側壁には、ウエハWの搬入時又は搬出時に開閉するゲートバルブ30が取り付けられている。
載置台12には、給電棒36及び整合器34を介してプラズマ生成用の高周波電源32が接続されている。高周波電源32は、例えば、60MHzの高周波電力を載置台12に供給する。このようにして載置台12は、下部電極としても機能する。
処理容器10の天井部には、シャワーヘッド38が接地電位の上部電極として設けられている。高周波電源32からのプラズマ生成用の高周波電力は、載置台12とシャワーヘッド38との間に容量的に供給される。
載置台12の上面には、ウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック40が設けられている。
天井部のシャワーヘッド38は、多数のガス通気孔56aを有する電極板56と、電極板56を着脱可能に支持する電極支持体58とを有する。電極支持体58の内部には、バッファ室60が設けられている。バッファ室60のガス導入口60aには、ガス供給配管64を介してガス供給源62が連結されている。係る構成により、シャワーヘッド38から処理容器10内に所望のガスが供給される。
処理容器10内において、シャワーヘッド38と載置台12との間のプラズマ生成空間には、高周波電源32により鉛直方向のRF電界が形成され、高周波の放電により、載置台12の表面近傍に高密度のプラズマが生成される。
制御装置100は、基板処理装置1に取り付けられた各部、例えば、ガス供給源62、整合器34、高周波電源32等を制御する。また、制御装置100は、図示しないホストコンピュータ等とも接続されている。
制御装置100は、図示しないCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)を有する。CPUは、ROM、RAM等の記憶領域に格納された各種のレシピに従ってプラズマ処理を実行する。
レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、処理容器10内温度(上部電極温度、処理容器10の側壁温度、静電チャック温度等)、圧力(ガスの排気)、高周波電力や電圧、各種プロセスガス流量等が記載されている。
[第1の実施形態]
エッチング装置又は成膜装置において、成膜性のガスを使用することにより、チャンバ壁面に堆積物(デポ)が形成されることがある。チャンバ壁面に形成された堆積物(デポ)が成長すると、チャンバ壁面から剥離し、自重により異物として落下する場合がある。保護網を設けることにより、チャンバ壁面から剥離した堆積物(デポ)が真空ポンプ又は圧力制御弁に侵入することを防ぐことができる。しかしながら、剥離した堆積物(デポ)は保護網の網目よりも大きいため、保護網の一部を閉塞することになる。このため、コンダクタンスが低下する。
本開示の異物落下防止部材は、剥離した堆積物(デポ)が保護網に落下することを防止することにより、コンダクタンスの低下を防止する。
次に、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aについて図2、図3及び図4を参照しながら説明する。なお、異物落下防止部材200aは、排気路20の下部の広がっている部分に設けられる。
図3及び図4は、それぞれ、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aの斜視図及び平面図を示す。
図3及び図4に示すように、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aは、第1の板201と、開口部202hを有し、第1の板201に対して第1の間隙L1を有して排気装置28側に配置される第2の板202(図2参照)と、を有する。
第1の板201は、第1の板201の端に沿って、排気装置28に対して反対側に延びて設けられる壁201wを有する。壁201wは、第1の板201に落下して堆積した堆積物(デポ)が、排気装置28側に落下することを防止する。
また、図4に示すように、第2の板202の開口部202hは、平面視で第1の板201により覆われている。
なお、「平面視」とは、第1の板201の処理容器10側の面に対して垂直な方向(図2の上側)から異物落下防止部材200aを視ることを指す。
第1の板201及び第2の板202は、耐熱性を有し、かつプラズマや酸に対する耐腐食性を有している材料で形成されることが好ましい。また、第1の板201及び第2の板202は、薄板で用いても十分な剛性がある、溶接が容易に行える、アーキングが発生しにくい等の特性を有している材料で形成されることが好ましい。
第1の板201及び第2の板202の具体的な材料としては、例えば、ステンレス、アルミニウム等の金属又はセラミックス等が挙げられる。
また、上述の材料にニッケルとフッ素を含有するコーティング剤でコーティングすることが好ましい。これにより、耐熱性、プラズマや酸に対する耐腐食性及び剛性が更に向上する。
なお、第1の板201と第2の板202とは、同じ材料で形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよい。
第1の板201としては、例えば、平面視で円形状である円板部材を用いることができるが、平面視で円形状である円板部材に限定されない。例えば、異物落下防止部材200aが配置される場所の形状等に応じて選択することができ、第1の板201として平面視で矩形状又は楕円形状である板部材等を用いてもよい。
第2の板202としては、例えば、平面視で円形状の開口部202hを有する環部材を用いることができるが、これに限定されない。第2の板202としては、異物落下防止部材200aが配置される場所の形状に応じて選択することができ、例えば、平面視で矩形状である板部材等を用いることができる。
また、第2の板202は、1つの開口部202hが形成される構成であってもよいし、複数の開口部202hが形成される構成であってもよい。複数の開口部202hが形成される場合には、全ての開口部202hが、平面視で第1の板201で覆われる。
さらに、第2の板202の開口部202hの形状は、図3及び図4においては円形状のものを例示したが、円形状のものに限定されず、矩形状又は楕円形状であってもよい。
前述したように、第2の板202の開口部202hは、平面視で第1の板201により覆われている。すなわち、第2の板202の開口部202hの直径dは、第1の板201の直径Dよりも小さくなるように設定される。また、第1の板201の直径Dは、フランジ部26の開口部29の内径Aよりも大きく設定される。
また、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aは、例えば、第1の板201と第2の板202とは平行に設けられている。そして、異物落下防止部材200aは、例えば第1の板201の第2の板202と対向する面から、第2の板202の第1の板201と対向する面へと、第1の板201に対して垂直に延在する第1の連結棒203を有する。第1の連結棒203は、第1の板201と第2の板202とを接続し、第2の板202がフランジ部26上に載置された場合に、第1の板201を支持する役割を果たす。
第1の連結棒203は、所定の長さを有する構成であってもよいし、伸長可能な構成であってもよい。異物落下防止部材200aの設置による、排気効率の変化の程度は、第1の連結棒203の長さ(第1の間隙L1)、基板処理装置1の排気路20の形状等にも依存する。しかしながら、第1の連結棒203が、伸長可能な構成とすることにより、種々の基板処理装置1に対応させることができる。
また、第1の板201と第2の板202とは、1つの第1の連結棒203で接続されていてもよく、複数の第1の連結棒203で接続されていてもよい。すなわち、第1の連結棒203は、複数設けられていてもよい。複数の第1の連結棒203で接続されている場合、異物落下防止部材200aの剛性を向上させることができる。
第1の連結棒203は、第1の板201及び第2の板202と同様に、耐熱性、プラズマや酸に対する耐腐食性を有しているものが好ましい。また、第1の連結棒203は、薄板で用いても十分な剛性がある、溶接が容易に行える、アーキングが発生しにくい等の特性を有している材料で形成されることが好ましい。
第1の連結棒203の具体的な材料としては、例えば、ステンレス、アルミニウム等の金属又はセラミックス等が挙げられる。また、上述の部材にニッケルとフッ素を含有するコーティング剤でコーティングしたものを用いても良い。これにより、耐熱性、プラズマや酸に対する耐腐食性及び剛性が更に向上する。
第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aを基板処理装置1に適用する場合、図2に示すように、保護網204上に配置される。この際、第2の板202の第1の板201と対向する面とは逆側の面が、保護網204に接するように配置される。すなわち、第2の板202は、第1の板201に対して第1の間隙L1を有して排気装置28側に配置される。
次に、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aの効果について説明する。第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aは、フランジ部26の開口部29を、上から見て覆うように設けられる。したがって、排気路20の上部から落ちてきた堆積物(デポ)は、第1の板201上に落下する。堆積物(デポ)が第1の板201上に落下することによって、保護網204上に落下して、保護網204が落下してきた堆積物(デポ)により塞がれることを防止する。
第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aは、第1の板201及び第2の板202が第1の間隙L1離れて設けられていることから、排気装置28の排気を妨げることなく、堆積物(デポ)が保護網204をふさぐことを防止できる。
なお、壁201wは、第1の壁の一例である。
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bについて図5、図6及び図7を参照しながら説明する。第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bは、第1の実施形態に係る異物落下防止部材200aの構成を含み、さらに、第2の板202に対して排気装置28側に配置され、第2の板202を支持する支持部材250を備える点で異なる。なお、異物落下防止部材200bは、排気路20の下部の広がっている部分に設けられる。
図5は、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bが図1に示す基板処理装置1に配置されたときの、基板処理装置1の排気口20A近傍を拡大した図を示している。図6及び図7は、それぞれ、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bの斜視図及び平面図を示している。なお、図5に関する説明では、図中上方を「上側」と称し、図中下方を「下側」と称する。
図5及び図6に示すように、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bは、上段部材210、中段部材220、下段部材230を有し、この順で処理容器10側(図5の上側)から配置される。
上段部材210は、第1の板211と、第2の板212と、第1の連結棒213と、を有する。第1の板211及び第1の連結棒213は、それぞれ、第1の実施形態における異物落下防止部材200aの第1の板201及び第1の連結棒203と同様の構成を有している。
第2の板212は、第2の板212の内側の端に沿って、壁212w1を有する。また、第2の板212は、第2の板212の外側の端に沿って、壁212w2を有する。壁201w及び壁201w2は、第2の板212に落下して堆積した堆積物(デポ)が、排気装置28側に落下することを防止する。
中段部材220及び下段部材230は、上段部材210を支持する支持部材250である。
中段部材220は、開口部を有する第3の板221と、開口部を有し、第3の板221に対して所定の間隙を有して排気装置28側に配置される第4の板222とを有する。また、中段部材220は、第3の板221と第4の板222とを接続する第2の連結棒223を有する。
第3の板221、第4の板222及び第2の連結棒223としては、上段部材210を構成する部材と同様の材料を用いることができる。なお、これらの部材は、同じ材料で形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよい。
第3の板221としては、例えば、平面視で円形状の開口部を有する環部材を用いることができるが、これに限定されない。第3の板221としては、異物落下防止部材200bが配置される場所の形状に応じて選択することができ、例えば、平面視で矩形状である板部材等を用いることができる。
第4の板222としては、例えば、平面視で円形状の開口部を有する環部材を用いることができるが、これに限定されない。第4の板222としては、異物落下防止部材200bが配置される場所の形状に応じて選択することができ、例えば、平面視で矩形状である板部材等を用いることができる。
また、第3の板221及び第4の板222の開口部の直径は、開口部212hよりも大きいことが好ましい。
第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bは、例えば、第3の板221の第4の板222と対向する面から、第4の板222の第3の板221と対向する面へと、第3の板221に対して垂直に延在する第2の連結棒223を有する。第2の連結棒223は、第3の板221と第4の板222とを接続するように設けられる。
下段部材230は、開口部を有する第5の板231と、開口部を有し、第5の板231に対して所定の間隙を有して排気装置28側に配置される第6の板232とを有する。また、下段部材230は、第5の板231と第6の板232とを接続する第3の連結棒233を有する。
下段部材230の構成としては、中段部材220と同様の構成を用いることができるが、これに限定されず、中段部材を構成する板部材と下段部材を構成する板部材とは、異なる形状、部材で構成されていてもよい。
第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bを基板処理装置1に適用する場合、図5に示すように、異物落下防止部材200bは保護網204上に配置される。この際、第6の板232の第5の板231と対向する面とは逆側の面が、保護網204に接するように配置される。
次に、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bの効果について説明する。第1の実施形態に係る異物落下防止部材200bは、フランジ部26の開口部29を、上から見て覆うように設けられる。したがって、排気路20の上部から落ちてきた堆積物(デポ)は、第1の板211上又は第2の板212上に落下する。堆積物(デポ)が第1の板211上又は第2の板212上に落下することによって、保護網204上に落下して、保護網204が落下してきた堆積物(デポ)により塞がれることを防止する。
第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bは、第1の板211及び第2の板212が第1の間隙L1離れて設けられていることから、排気装置28の排気を妨げることなく、堆積物(デポ)が保護網204を塞ぐことを防止できる。
また、異物落下防止部材200bにおいて、第1の板211と第2の板212とは、第1の間隙L1を有して配置されている。これにより、異物落下防止部材200bによる、排気装置28による排気効率はほとんど低下しない。そのため、異物落下防止部材200bの設置による、基板処理プロセスへの影響はほとんどないという利点も有する。
さらに、異物落下防止部材200bは、中段部材220及び下段部材230からなる支持部材250によって、第2の板212の下面と保護網204の上面との間に第2の間隙L2が形成されている。これにより、排気装置28による排気効率の低下を更に抑制することができる。
また、異物落下防止部材200bは、上段部材210、中段部材220、下段部材230を含み、異物落下防止部材200bの設置場所で各々を積み重ねて設置することができるため、設置場所に通じる空間が狭い場合であっても、容易に設置することができる。その結果、異物落下防止部材200bの設置及び取り外し等に伴うメンテナンス時間を短縮することができる。
なお、第2の実施形態では、各々1つの上段部材210、中段部材220、下段部材230からなる異物落下防止部材200bの形態を説明したが、これに限定されない。例えば、異物落下防止部材200bは、1つの上段部材210を含んでいればよく、複数の中段部材220及び複数の下段部材230を有していてもよい。
なお、壁211wは、第1の壁の一例である。壁212w1及び壁212w2は、第2の壁の一例である。
[第3の実施形態]
次に、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cについて図8を参照しながら説明する。第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cは、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bの下段部材230とは異なり、下段部材が第1の下段部材240及び第2の下段部材246により構成される。また、中段部材220、第1の下段部材240及び第2の下段部材246により、支持部材255を構成する。なお、異物落下防止部材200cは、排気路20の下部の広がっている部分に設けられる。
図8は、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cの斜視図を示している。
図8に示すように、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cは、上段部材210、中段部材220、第1の下段部材240及び第2の下段部材246を有する。異物落下防止部材200cは、上段部材210、中段部材220がこの順で処理容器10側(図5の上側)から配置され、中段部材220の処理容器10の反対側に、第1の下段部材240及び第2の下段部材246が配置される。
上段部材210及び中段部材220は、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bと同様の構成であることから、説明を省略する。
第1の下段部材240は、円弧状の形状を有する第7の板241と、第7の板241に対して所定の間隙を有して排気装置28側に配置される円弧状の形状を有する第8の板242とを有する。また、第1の下段部材240は、第7の板241と第8の板242とを接続する第4の連結棒243を有する。
第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cを基板処理装置1に適用する場合、保護網204上に配置される。この際、第8の板242の第7の板241と対向する面とは逆側の面が、保護網204に接するように配置される。
第2の下段部材246は、円弧状の形状を有する第9の板247と、第9の板247に対して所定の間隙を有して排気装置28側に配置される円弧状の形状を有する第10の板248とを有する。また、第2の下段部材246は、第9の板247と第10の板248とを接続する第5の連結棒249を有する。
次に、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cの効果について説明する。第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cは、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bとは異なり、下段部材が第1の下段部材240及び第2の下段部材246に分割されている。このため、異物落下防止部材200cの設置場所に通じる空間が狭い場合であっても、容易に設置することができる。その結果、異物落下防止部材200cの設置及び取り外し等に伴うメンテナンス時間を短縮することができる。
なお、第3の板221は第1の円環部材の一例、第4の板222は第2の円環部材の一例である。第7の板241は第1の円弧部材の一例、第8の板242は第2の円弧部材の一例、第9の板247は第3の円弧部材の一例、第10の板248は第4の円弧部材の一例である。
[第4の実施形態]
次に、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dについて図9、図10及び図11を参照しながら説明する。第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dは、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cの上段部材210とは異なる上段部材216を備える。なお、異物落下防止部材200dは、排気路20の下部の広がっている途中の部分から設けられる。
図9は、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dが図1に示す基板処理装置1に配置されたときの、異物落下防止部材200dの近傍を拡大した図を示している。図10及び図11は、それぞれ、第2の実施形態に係る異物落下防止部材200bの斜視図及び平面図を示している。なお、図9に関する説明では、図中上方を「上側」と称し、図中下方を「下側」と称する。また、図12は、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dが設置された領域の上面図である。
図9及び図10に示すように、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dは、上段部材216、中段部材220、第1の下段部材240及び第2の下段部材246を有する。異物落下防止部材200dは、上段部材216、中段部材220がこの順で処理容器10側(図9の上側)から配置され、中段部材220の処理容器10の反対側に、第1の下段部材240及び第2の下段部材246が配置される。
上段部材216は、第1の板217と、第2の板218と、第1の連結棒219と、を有する。第1の板217は、上面視で半円状の形状を有する。また、第2の板218は、上面視で円環状の形状を有する。
上面視で見たときに、第1の板217と第2の板218は、上側の開放部H2の下にあるように設けられる。具体的には、第1の板217と第2の板218は、排気路20を形成する処理容器10の内側壁の線Lより外側に設けられる。開放部H2は、開口部29(図12のA)の平面視で、プラズマ処理空間(基板処理空間)に露出されている部分を示す。
堆積物(デポ)は、開放部H2の部分から落下する。したがって、堆積物(デポ)が落下する部分のフランジ部26の開口部29の上部に第1の板217と第2の板218を設ける。すなわち、開口部29(図12のA)の平面視で、プラズマ処理空間(基板処理空間)に露出されている部分は、第1の板217及び第2の板218のいずれかによって覆われる。
第1の板217は、第1の板217の端に沿って、排気装置28に対して反対側に延びて設けられる壁217wを有する。壁217wは、第1の板217に落下して堆積した堆積物(デポ)が、排気装置28側に落下することを防止する。
第2の板218は、第2の板218の端に沿って、壁218wを有する。壁218wは、第2の板218に落下して堆積した堆積物(デポ)が、排気装置28側に落下することを防止する。
中段部材220、第1の下段部材240及び第2の下段部材246は、第3の実施形態と同様の構成であることから、説明を省略する。
次に、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dの効果について説明する。第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dは、第3の実施形態に係る異物落下防止部材200cの効果に加えて、上段部材216を小さくすることによって、コンダクタンスを大きくすることができる。さらに、より設置場所に通じる空間が狭い場合であっても、容易に設置することができる。その結果、異物落下防止部材200dの設置及び取り外し等に伴うメンテナンス時間を短縮することができる。
なお、壁217wは第1の壁の一例、217w2は第2の壁の一例である。
[異物落下防止部材の取り付け方法]
異物落下防止部材200の取り付け方法について説明する。ここでは、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dを用いて説明する。図13、図14及び図15は、第4の実施形態に係る異物落下防止部材200dの取り付け方法について説明する図である。
異物落下防止部材200dを取り付ける際には、第1の下段部材240及び第2の下段部材246を取り付けて、その後に、中段部材220と、上段部材216を順に取り付ける。
図13は、第1の下段部材240及び第2の下段部材246の取り付けを説明する図である。第1の下段部材240を矢印A1に沿って、フランジ部26に設置された保護網204と、処理容器10の下面10Sの下端との間に挿入する。また、第2の下段部材246を矢印A2に沿って、フランジ部26に設置された保護網204と、処理容器10の下面10S70との間に挿入する。
次に、図14に示すように、設置した第1の下段部材240及び第2の下段部材246の上に、中段部材220を載置する。次に、図15に示すように、第1の下段部材240及び第2の下段部材246の上に載置した中段部材220の上に、上段部材216を載置する。上述のように、異物落下防止部材200dを基板処理装置1に取り付ける。
以上、異物落下防止部材200及び異物落下防止部材200が配置された基板処理装置1を実施形態及び実施例により説明したが、本開示は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本開示の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
上述した実施形態では、基板処理装置1は、半導体デバイス製造装置としてのエッチング処理装置である場合について説明したが、これに限定されない。基板処理装置1としては、他の半導体デバイス製造装置、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)やPVD(Physical Vapor Deposition)等を用いる成膜処理装置であってもよい。
また、上述した実施形態では、基板として半導体ウエハWを用いたが、これに限定されず、例えば、FPD用のガラス基板や太陽電池用の基板等であっても良い。
1 基板処理装置
20A 排気口
26 フランジ部
27 圧力調整バルブ
28 排気装置
29 開口部
33 壁
200、200a、200b、200c、200d 異物落下防止部材
201、211、217 第1の板
201w、211w、217w 壁
202、212、218 第2の板
212w1、212w2、218w 壁
203、213、219 第1の連結棒
204 保護網
210、216 上段部材
220 中段部材
221 第3の板
222 第4の板
223 第2の連結棒
230 下段部材
231 第5の板
232 第6の板
233 第3の連結棒
240 第1の下段部材
241 第7の板
242 第8の板
243 第4の連結棒
246 第2の下段部材
247 第9の板
248 第10の板
249 第5の連結棒
250、255 支持部材

Claims (13)

  1. 保護網が設けられた処理容器の排気口に配置される異物落下防止部材であって、
    第1の板と、
    前記第1の板に対して第1の間隙を有して前記排気口側に配置される第2の板と、
    前記第1の板と前記第2の板とを連結する第1の連結棒と、
    を有し、
    前記第1の板は、前記第1の板の端に沿って、前記排気口と反対側に延びて設けられる第1の壁を有する、
    異物落下防止部材。
  2. 前記第1の板と前記第2の板とは平行に設けられ、
    前記第1の連結棒は、前記第1の板の前記第2の板と対向する面から、前記第2の板の前記第1の板と対向する面へと、前記第1の板に対して垂直に延在する、
    請求項1に記載の異物落下防止部材。
  3. 前記第1の連結棒は、複数設けられる、
    請求項1又は請求項2のいずれかに記載の異物落下防止部材。
  4. 前記異物落下防止部材は、前記第2の板から前記排気口側に伸び、前記第2の板を支持する支持部材を有する、
    請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の異物落下防止部材。
  5. 前記第1の板は、円板であり、
    前記第2の板は、平面視で円形状の開口部を有する円環である、
    請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の異物落下防止部材。
  6. 前記第2の板は、前記第2の板の端に沿って、前記排気口と反対側に延びて設けられる第2の壁を有する、
    請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の異物落下防止部材。
  7. 前記第2の板を支持する第1の円環部材と、第2の円環部材と、前記第1の円環部材と前記第2の円環部材とを連結する第2の連結棒と、
    前記第2の円環部材を支持する第1の円弧部材と、第2の円弧部材と、前記第1の円弧部材と前記第2の円弧部材とを連結する第3の連結棒と、
    前記第2の円環部材を支持する第3の円弧部材と、第4の円弧部材と、前記第3の円弧部材と前記第4の円弧部材とを連結する第4の連結棒と、
    を有する、
    請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の異物落下防止部材。
  8. 前記第2の板は、平面視で、前記第1の円環部材の一部を覆う円弧状の形状を有し、
    前記第1の板は、前記第1の円環部材の開口部の一部を覆う、
    請求項7に記載の異物落下防止部材。
  9. 排気ポンプと、前記排気ポンプと連通する排気口を有する処理容器と、前記排気口に設けられた保護網と、前記排気口に配置された異物落下防止部材と、を有する基板処理装置であって、
    前記異物落下防止部材は、
    第1の板と、
    前記第1の板に対して第1の間隙を有して前記排気口側に配置される第2の板と、
    前記第1の板と前記第2の板とを連結する第1の連結棒と、
    を有し、
    前記第1の板は、前記第1の板の端に沿って、前記排気口と反対側に延びて設けられる第1の壁を有する、
    基板処理装置。
  10. 前記第2の板を支持する第1の円環部材と、第2の円環部材と、前記第1の円環部材と前記第2の円環部材とを連結する第2の連結棒と、
    前記第2の円環部材を支持する第1の円弧部材と、第2の円弧部材と、前記第1の円弧部材と前記第2の円弧部材とを連結する第3の連結棒と、
    前記第2の円環部材を支持する第3の円弧部材と、第4の円弧部材と、前記第3の円弧部材と前記第4の円弧部材とを連結する第4の連結棒と、
    を有する、
    請求項9に記載の基板処理装置。
  11. 前記第2の円弧部材及び前記第4の円弧部材は、前記排気口と、前記排気口に接続するフランジとの間に設けられる、
    請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 前記排気口の一部は、平面視で前記第1の板及び前記第2の板のいずれかに覆われ、一部は、上面視で前記第1の板及び前記第2の板から露出する、
    請求項9から請求項10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記排気口の平面視で基板処理空間に露出されている部分は、前記第1の板及び前記第2の板のいずれかに覆われる、
    請求項9から請求項11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
JP2021063438A 2021-04-02 2021-04-02 異物落下防止部材及び基板処理装置 Pending JP2022158492A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021063438A JP2022158492A (ja) 2021-04-02 2021-04-02 異物落下防止部材及び基板処理装置
CN202210288487.2A CN115206758A (zh) 2021-04-02 2022-03-23 异物降落防止部件和基片处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021063438A JP2022158492A (ja) 2021-04-02 2021-04-02 異物落下防止部材及び基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022158492A true JP2022158492A (ja) 2022-10-17

Family

ID=83574612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021063438A Pending JP2022158492A (ja) 2021-04-02 2021-04-02 異物落下防止部材及び基板処理装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2022158492A (ja)
CN (1) CN115206758A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115206758A (zh) 2022-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5944883B2 (ja) 粒子逆流防止部材及び基板処理装置
JP5371785B2 (ja) Rfシャッター
CN107923033B (zh) 用于共同溅射多个靶的方法和设备
JP4233618B2 (ja) プラズマ反応装置における電気的に浮遊したシールド
US10347475B2 (en) Holding assembly for substrate processing chamber
US11049755B2 (en) Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
JP5427171B2 (ja) 洗浄チャンバ及び前記洗浄チャンバのための天井電極
TWI471917B (zh) 用於基板處理腔室的冷卻遮蔽件
US6217730B1 (en) Sputtering device
JPH07166362A (ja) プラズマプロセス装置
US11961723B2 (en) Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
US11339466B2 (en) Heated shield for physical vapor deposition chamber
US11935732B2 (en) Process kit geometry for particle reduction in PVD processes
CN109961999A (zh) 一种气体喷淋头及防止聚合物积聚的方法
JP2022158492A (ja) 異物落下防止部材及び基板処理装置
JP2019102521A (ja) 半導体製造装置用の部品及び半導体製造装置
EP1401013B1 (en) Plasma processing device
JP5302813B2 (ja) 堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置
JP7480127B2 (ja) プロセスチャンバ内の流れの均一性を高めるための装置
CN109477219B (zh) 单一氧化物金属沉积腔室
US11581167B2 (en) Process kit having tall deposition ring and smaller diameter electrostatic chuck (ESC) for PVD chamber
CN116564782A (zh) 等离子体导流板、衬底处理装置以及衬底处理方法
JP2001085417A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2008147829A1 (en) Apparatus and method to prevent contamination in semiconductor wafer metal film processing
KR20080083956A (ko) 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231106