CN115206758A - 异物降落防止部件和基片处理装置 - Google Patents
异物降落防止部件和基片处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115206758A CN115206758A CN202210288487.2A CN202210288487A CN115206758A CN 115206758 A CN115206758 A CN 115206758A CN 202210288487 A CN202210288487 A CN 202210288487A CN 115206758 A CN115206758 A CN 115206758A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- foreign matter
- exhaust port
- substrate processing
- prevention member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供异物降落防止部件和基片处理装置，其能够防止设置于真空泵或压力控制阀的上游侧的保护网被异物堵塞。异物降落防止部件配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于上述第一板具有第一间隙的方式配置在上述排气口侧；和将上述第一板与上述第二板连结的第一连结杆，上述第一板具有沿着上述第一板的端部向上述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。
Description
技术领域
本发明涉及异物降落防止部件和基片处理装置。
背景技术
在半导体制造装置所使用的真空泵中，为了防止异物侵入泵而设置有保护网(例如，专利文献1)。此外，在真空泵的上游侧设置有压力控制阀的情况下，在压力控制阀的上游侧设置有保护网。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-247790号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在本发明中，提供一种防止设置于真空泵的上游侧的保护网被异物堵塞的技术。
用于解决技术问题的技术方案
依照本发明的一个方式，提供一种异物降落防止部件，其配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于上述第一板具有第一间隙的方式配置在上述排气口侧；和将上述第一板与上述第二板连结的第一连结杆，上述第一板具有沿着上述第一板的端部向上述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。
发明效果
在本发明中，提供一种防止设置于真空泵的上游侧的保护网被异物堵塞的技术。
附图说明
图1是一个实施方式的基片处理装置的整体结构图。
图2是将一个实施方式的基片处理装置的排气口附近放大的图。
图3是第一实施方式的异物降落防止部件的立体图。
图4是第一实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
图5是将设置有第二实施方式的异物降落防止部件的排气口附近放大的图。
图6是第二实施方式的异物降落防止部件的立体图。
图7是第二实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
图8是第三实施方式的异物降落防止部件的立体图。
图9是将设置有第四实施方式的异物降落防止部件的排气口附近放大的图。
图10是第四实施方式的异物降落防止部件的立体图。
图11是第四实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
图12是设置有第四实施方式的异物降落防止部件的区域的俯视图。
图13是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
图14是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
图15是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
附图标记说明
1 基片处理装置
20A 排气口
26 凸缘部
27 压力调节阀
28 排气装置
29 开口部
33 壁
200、200a、200b、200c、200d 异物降落防止部件
201、211、217 第一板
201w、211w、217w 壁
202、212、218 第二板
212w1、212w2、218w 壁
203、213、219 第一连结杆
204 保护网
210、216 上层部件
220 中层部件
221 第三板
222 第四板
223 第二连结杆
230 下层部件
231 第五板
232 第六板
233 第三连结杆
240 第一下层部件
241 第七板
242 第八板
243 第四连结杆
246 第二下层部件
247 第九板
248 第十板
249 第五连结杆
250、255 支承部件。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的构成要素标注相同的附图标记表示，从而省略对这些构成要素的重复说明。
[基片处理装置1的整体结构]
首先，参照图1和图2，对本发明的一个实施方式的配置有异物降落防止部件200的基片处理装置1的整体结构进行说明。
图1表示一个实施方式的基片处理装置1的整体结构。图2表示将一个实施方式的基片处理装置1的排气口20A附近放大的部分。另外，在关于图2的说明中，将图中上方称为“上侧”，将图中下方称为“下侧”。
图1所示的基片处理装置1构成为反应性离子蚀刻(RIE：Reactive Ion Etching)型的基片处理装置1。基片处理装置1例如具有铝或不锈钢等金属制的圆筒型腔体(处理容器10)，处理容器10接地。在处理容器10内，对被处理体实施蚀刻处理等等离子体处理。处理容器10在外侧具有划定外形的圆筒状的壁13。壁13以下侧扩展的方式形成。
在处理容器10内设置有载置作为基片的半导体晶片(以下，称为晶片W)的载置台12。载置台12例如由铝构成，经由绝缘性的筒状保持部14被从处理容器10的底部向垂直上方延伸的筒状支承部16支承。在筒状保持部14的上表面配置有环状地包围载置台12的上表面的、例如由硅或石英构成的聚焦环18。
在处理容器10的壁13的内侧面与筒状支承部16的外侧面之间形成有排气通路20。在排气通路20安装有环状的挡板22。设置于排气通路20的底部的排气口20A与排气装置28连接。
如图2所示，在排气口20A连接有凸缘部26。此外，凸缘部26具有内径A的开口部29。在该凸缘部26与排气装置28之间例如设置有自动压力控制(APC：Auto PressureController)阀等压力调节阀27。压力调节阀27与开口部29连通地设置，控制排气装置28的执行排气速度。此外，在图2中，省略压力调节阀27的详细结构。
另外，以覆盖凸缘部26的开口部29的方式在凸缘部26的上表面配置有保护网204。保护网204也可以配置于凸缘部26的下表面。保护网204防止用于维护等的螺纹件等异物进入(降落到)排气装置28内。保护网204的直径被设定成比凸缘部26的开口部29的内径A大。
在排气口20A配置有后述的本实施方式的异物降落防止部件200。异物降落防止部件200例如配置于保护网204上或凸缘部26上。
排气装置28例如能够使用涡轮分子泵(TMP：Turbo-Molecular Pump)等排气泵。
在使用涡轮分子泵的情况下，通过使旋转叶片28b以旋转轴28a为中心高速旋转，将涡轮分子泵上侧的气体高度排出到涡轮分子泵的下侧。
在处理容器10的侧壁安装有在送入晶片W时或送出晶片W时进行开闭的闸门30。
载置台12经由供电杆36和匹配器34与等离子体生成用的高频电源32连接。高频电源32例如对载置台12供给60MHz的高频电功率。这样，载置台12也作为下部电极发挥功能。
在处理容器10的顶部设置有喷头38作为接地电位的上部电极。来自高频电源32的等离子体生成用的高频电功率容性地被供给到载置台12与喷头38之间。
在载置台12的上表面设置有用于利用静电吸附力保持晶片W的静电吸盘40。
顶部的喷头38包括：具有多个气体通气孔56a的电极板56；和以电极板56可拆装的方式支承电极板56的电极支承体58。在电极支承体58的内部设置有缓冲室60。缓冲室60的气体导入口60a经由气体供给配管64与气体供给源62连结。利用该结构，能够从喷头38对处理容器10内供给所希望的气体。
在处理容器10内，在喷头38与载置台12之间的等离子体生成空间，利用高频电源32形成铅垂方向的RF电场，通过高频的放电，在载置台12的表面附近生成高密度的等离子体。
控制装置100对安装于基片处理装置1的各部、例如气体供给源62、匹配器34、高频电源32等进行控制。此外，控制装置100还与未图示的主控计算机等连接。
控制装置100具有未图示的CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU按照保存在ROM、RAM等存储区域中的各种方案来执行等离子体处理。
在方案中记载有与处理条件对应的装置的控制信息，即处理时间、处理容器10内温度(上部电极温度、处理容器10的侧壁温度、静电吸盘温度等)、压力(气体的排气)、高频电功率和/或电压、各种处理气体流量等。
[第一实施方式]
在蚀刻装置或成膜装置中，通过使用成膜性的气体，有时会在腔室壁面形成堆积物(沉积物)。当形成于腔室壁面的堆积物(沉积物)生长时，有时从腔室壁面剥离，因自重而作为异物降落。通过设置保护网，能够防止从腔室壁面剥离的堆积物(沉积物)侵入真空泵或压力控制阀。然而，由于剥离的堆积物(沉积物)比保护网的网眼大，所以会堵塞保护网的一部分。因此，流动性(conductance)会降低。
本发明的异物降落防止部件通过防止剥离的堆积物(沉积物)降落到保护网，而防止流动性的降低。
接着，参照图2、图3和图4，对第一实施方式的异物降落防止部件200a进行说明。此外，异物降落防止部件200a设置于排气通路20的下部的扩展的部分。
图3和图4分别表示第一实施方式的异物降落防止部件200a的立体图和俯视图。
如图3和图4所示，第一实施方式的异物降落防止部件200a具有第一板201和第二板202(参照图2)，该第二板202具有开口部202h，以相对于第一板201具有第一间隙L1的方式配置在排气装置28侧。
第一板201具有沿着第一板201的端部相对于排气装置28向相反侧延伸地设置的壁201w。壁201w防止降落并堆积于第一板201的堆积物(沉积物)向排气装置28侧降落。
另外，如图4所示，第二板202的开口部202h在俯视时被第一板201覆盖。
其中，“俯视”是指从与第一板201的处理容器10侧的面垂直的方向(图2的上侧)观察异物降落防止部件200a。
第一板201和第二板202优选由具有耐热性且具有对等离子体和酸的耐腐蚀性的材料形成。此外，第一板201和第二板202优选由具有即使以薄板使用也具有足够的刚性、能够容易地进行焊接、不易产生电弧等特性的材料形成。
作为第一板201和第二板202的具体材料，例如可例举出不锈钢、铝等金属或陶瓷等。
另外，优选用含有镍和氟的涂敷剂对上述材料进行涂敷。由此，耐热性、对等离子体和酸的耐腐蚀性以及刚性进一步提高。
另外，第一板201和第二板202可以由相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。
作为第一板201，例如能够使用俯视时呈圆形的圆板部件，但并不限定于俯视时呈圆形的圆板部件。例如，能够根据配置异物降落防止部件200a的部位的形状等来选择，作为第一板201，也可以使用俯视时呈矩形或椭圆形的板部件等。
作为第二板202，例如能够使用具有俯视时呈圆形的开口部202h的环部件，但并不限定于此。作为第二板202，能够根据配置异物降落防止部件200a的部位的形状来选择，例如，能够使用俯视时呈矩形的板部件等。
另外，第二板202可以是形成有一个开口部202h的结构，也可以是形成有多个开口部202h的结构。在形成有多个开口部202h的情况下，所有的开口部202h在俯视时被第一板201覆盖。
而且，第二板202的开口部202h的形状在图3和图4中例示了圆形，但并不限定于圆形，也可以为矩形或椭圆形。
如上所述，第二板202的开口部202h在俯视时被第一板201覆盖。即，第二板202的开口部202h的直径d被设定成比第一板201的直径D小。另外，第一板201的直径D被设定成比凸缘部26的开口部29的内径A大。
另外，第一实施方式的异物降落防止部件200a例如将第一板201和第二板202平行地设置。并且，异物降落防止部件200a具有例如与第一板201垂直地从第一板201的与第二板202相对的面向第二板202的与第一板201相对的面延伸的第一连结杆203。第一连结杆203将第一板201与第二板202连接，在第二板202载置于凸缘部26上的情况下，起到支承第一板201的作用。
第一连结杆203可以是具有规定的长度的结构，也可以是能够伸长的结构。因异物降落防止部件200a的设置而引起的排气效率的变化的程度，也取决于第一连结杆203的长度(第一间隙L1)、基片处理装置1的排气通路20的形状等。但是，通过使第一连结杆203采用能够伸长的结构，能够应对各种基片处理装置1。
另外，第一板201和第二板202可以由一个第一连结杆203连接，也可以由多个第一连结杆203连接。即，第一连结杆203也可以设置有多个。在由多个第一连结杆203连接的情况下，能够提高异物降落防止部件200a的刚性。
第一连结杆203与第一板201和第二板202同样，优选具有耐热性、对等离子体和酸的耐腐蚀性。此外，第一连结杆203优选由具有即使以薄板使用也具有足够的刚性、能够容易地进行焊接、不易产生电弧等特性的材料形成。
作为第一连结杆203的具体材料，例如可例举出不锈钢、铝等金属或陶瓷等。此外，也可以使用用含有镍和氟的涂敷剂对上述部件进行涂敷而得到的材料。由此，耐热性、对等离子体和酸的耐腐蚀性以及刚性进一步提高。
在将第一实施方式的异物降落防止部件200a应用于基片处理装置1的情况下，如图2所示，将其配置在保护网204上。此时，第二板202的与第一板201相对的面的相反侧的面以与保护网204接触的方式配置。即，第二板202以相对于第一板201具有第一间隙L1的方式配置在排气装置28侧。
接着，对第一实施方式的异物降落防止部件200a的效果进行说明。第一实施方式的异物降落防止部件200a以从上方观察时覆盖凸缘部26的开口部29的方式设置。因此，从排气通路20的上部落下的堆积物(沉积物)降落到第一板201上。通过堆积物(沉积物)降落到第一板201上，防止降落到保护网204上而保护网204被降落的堆积物(沉积物)堵塞。
第一实施方式的异物降落防止部件200a由于第一板201和第二板202隔开第一间隙L1地设置，所以不会妨碍排气装置28的排气，能够防止堆积物(沉积物)堵塞保护网204。
壁201w是第一壁的一个例子。
[第二实施方式]
接着，参照图5、图6和图7，对第二实施方式的异物降落防止部件200b进行说明。第二实施方式的异物降落防止部件200b包括第一实施方式的异物降落防止部件200a的结构，并且在包括相对于第二板202配置在排气装置28侧且支承第二板202的支承部件250这一点上不同。此外，异物降落防止部件200b设置于排气通路20的下部的扩展的部分。
图5表示将第二实施方式的异物降落防止部件200b配置于图1所示的基片处理装置1时的、基片处理装置1的排气口20A附近放大的图。图6和图7分别表示第二实施方式的异物降落防止部件200b的立体图和俯视图。此外，在关于图5的说明中，将图中上方称为“上侧”，将图中下方称为“下侧”。
如图5和图6所示，第二实施方式的异物降落防止部件200b具有上层部件210、中层部件220、下层部件230，按照该顺序从处理容器10侧(图5的上侧)配置。
上层部件210具有第一板211、第二板212和第一连结杆213。第一板211和第一连结杆213分别具有与第一实施方式中的异物降落防止部件200a的第一板201和第一连结杆203相同的结构。
第二板212沿着第二板212的内侧的端部具有壁212w1。此外，第二板212沿着第二板212的外侧的端部具有壁212w2。壁201w和壁201w2防止降落并堆积于第二板212的堆积物(沉积物)向排气装置28侧降落。
中层部件220和下层部件230是支承上层部件210的支承部件250。
中层部件220包括：具有开口部的第三板221；和第四板222，其具有开口部，且以相对于第三板221具有规定的间隙的方式配置在排气装置28侧。此外，中层部件220具有将第三板221与第四板222连接的第二连结杆223。
作为第三板221、第四板222和第二连结杆223，能够使用与构成上层部件210的部件相同的材料。此外，这些部件可以由相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。
作为第三板221，例如能够使用具有俯视时呈圆形的开口部的环部件，但并不限定于此。作为第三板221，能够根据配置异物降落防止部件200b的部位的形状来选择，例如，能够使用俯视时呈矩形的板部件等。
作为第四板222，例如能够使用具有俯视时呈圆形的开口部的环部件，但并不限定于此。作为第四板222，能够根据配置异物降落防止部件200b的部位的形状来选择，例如，能够使用俯视时呈矩形的板部件等。
另外，优选第三板221和第四板222的开口部的直径比开口部212h大。
第二实施方式的异物降落防止部件200b例如具有与第三板221垂直地从第三板221的与第四板222相对的面向第四板222的与第三板221相对的面延伸的第二连结杆223。第二连结杆223以将第三板221和第四板222连接的方式设置。
下层部件230包括：具有开口部的第五板231；和第六板232，其具有开口部，且以相对于第五板231具有规定的间隙的方式配置在排气装置28侧。此外，下层部件230具有将第五板231与第六板232连接的第三连结杆233。
作为下层部件230的结构，能够使用与中层部件220相同的结构，但并不限定于此，构成中层部件的板部件和构成下层部件的板部件也可以由不同的形状、部件构成。
在将第二实施方式的异物降落防止部件200b应用于基片处理装置1的情况下，如图5所示，将异物降落防止部件200b配置在保护网204上。此时，第六板232的与第五板231相对的面的相反侧的面以与保护网204接触的方式配置。
接着，对第二实施方式的异物降落防止部件200b的效果进行说明。第一实施方式的异物降落防止部件200b以从上方观察时覆盖凸缘部26的开口部29的方式设置。因此，从排气通路20的上部落下的堆积物(沉积物)降落到第一板211上或第二板212上。通过堆积物(沉积物)降落到第一板211上或第二板212上，防止降落到保护网204上而保护网204被降落的堆积物(沉积物)堵塞。
第二实施方式的异物降落防止部件200b由于第一板211和第二板212隔开第一间隙L1地设置，所以不会妨碍排气装置28的排气，能够防止堆积物(沉积物)堵塞保护网204。
另外，在异物降落防止部件200b中，第一板211与第二板212以具有第一间隙L1的方式配置。由此，利用异物降落防止部件200b，排气装置28的排气效率几乎不降低。因此，还具有异物降落防止部件200b的设置几乎不会对基片处理工艺造成影响的优点。
而且，异物降落防止部件200b利用由中层部件220和下层部件230构成的支承部件250，在第二板212的下表面与保护网204的上表面之间形成有第二间隙L2。由此，能够进一步抑制排气装置28的排气效率的降低。
另外，异物降落防止部件200b包括上层部件210、中层部件220、下层部件230，能够在异物降落防止部件200b的设置部位将它们分别层叠设置，所以即使在与设置部位相通的空间狭窄的情况下，也能够容易地设置。其结果是，能够缩短由异物降落防止部件200b的设置和拆卸等带来的维护时间。
另外，在第二实施方式中，对由上层部件210、中层部件220、下层部件230各一个构成的异物降落防止部件200b的形态进行了说明，但并不限定于此。例如，异物降落防止部件200b只要包含一个上层部件210即可，也可以具有多个中层部件220和多个下层部件230。
壁211w是第一壁的一个例子。壁212w1和壁212w2是第二壁的一个例子。
[第三实施方式]
接着，参照图8，对第三实施方式的异物降落防止部件200c进行说明。第三实施方式的异物降落防止部件200c与第二实施方式的异物降落防止部件200b的下层部件230不同，下层部件由第一下层部件240和第二下层部件246构成。此外，由中层部件220、第一下层部件240和第二下层部件246构成支承部件255。此外，异物降落防止部件200c设置在排气通路20的下部的扩展的部分。
图8表示第三实施方式的异物降落防止部件200c的立体图。
如图8所示，第三实施方式的异物降落防止部件200c具有上层部件210、中层部件220、第一下层部件240和第二下层部件246。异物降落防止部件200c从处理容器10侧(图5的上侧)依次配置上层部件210、中层部件220，在中层部件220的处理容器10的相反侧配置第一下层部件240和第二下层部件246。
上层部件210和中层部件220为与第二实施方式的异物降落防止部件200b相同的结构，因此省略说明。
第一下层部件240包括：具有圆弧状的形状的第七板241；和具有圆弧状的形状的第八板242，其以相对于第七板241具有规定的间隙的方式配置在排气装置28侧。此外，第一下层部件240具有将第七板241与第八板242连接的第四连结杆243。
在将第三实施方式的异物降落防止部件200c应用于基片处理装置1的情况下，将其配置在保护网204上。此时，第八板242的与第七板241相对的面的相反侧的面以与保护网204接触的方式配置。
第二下层部件246包括：具有圆弧状的形状的第九板247；和具有圆弧状的形状的第十板248，其以相对于第九板247具有规定的间隙的方式配置在排气装置28侧。此外，第二下层部件246具有将第九板247与第十板248连接的第五连结杆249。
接着，对第三实施方式的异物降落防止部件200c的效果进行说明。第三实施方式的异物降落防止部件200c与第二实施方式的异物降落防止部件200b不同，下层部件被分割为第一下层部件240和第二下层部件246。因此，即使在与异物降落防止部件200c的设置部位相通的空间狭窄的情况下，也能够容易地设置。其结果是，能够缩短由异物降落防止部件200c的设置和拆卸等带来的维护时间。
另外，第三板221是第一圆环部件的一个例子，第四板222是第二圆环部件的一个例子。第七板241是第一圆弧部件的一个例子，第八板242是第二圆弧部件的一个例子，第九板247是第三圆弧部件的一个例子，第十板248是第四圆弧部件的一个例子。
[第四实施方式]
接着，参照图9、图10和图11，对第四实施方式的异物降落防止部件200d进行说明。第四实施方式的异物降落防止部件200d包括与第三实施方式的异物降落防止部件200c的上层部件210不同的上层部件216。此外，异物降落防止部件200d从排气通路20的下部的扩展中途的部分起设置。
图9表示将第四实施方式的异物降落防止部件200d配置于图1所示的基片处理装置1时的、异物降落防止部件200d的附近放大的图。图10和图11分别表示第二实施方式的异物降落防止部件200b的立体图和俯视图。此外，在关于图9的说明中，将图中上方称为“上侧”，将图中下方称为“下侧”。此外，图12是设置有第四实施方式的异物降落防止部件200d的区域的俯视图。
如图9和图10所示，第四实施方式的异物降落防止部件200d具有上层部件216、中层部件220、第一下层部件240和第二下层部件246。异物降落防止部件200d从处理容器10侧(图9的上侧)依次配置上层部件216、中层部件220，在中层部件220的处理容器10的相反侧配置第一下层部件240和第二下层部件246。
上层部件216具有第一板217、第二板218和第一连结杆219。第一板217具有俯视时呈半圆状的形状。此外，第二板218具有俯视时呈圆环状的形状。
在俯视时，第一板217和第二板218以处于上侧的开放部H2之下的方式设置。具体而言，第一板217和第二板218设置在比形成排气通路20的处理容器10的内侧壁的线L靠外侧的位置。开放部H2表示在俯视开口部29(图12的A)时露出于等离子体处理空间(基片处理空间)的部分。
堆积物(沉积物)从开放部H2的部分降落。因此，在堆积物(沉积物)降落的部分的凸缘部26的开口部29的上部，设置第一板217和第二板218。即，在俯视开口部29(图12的A)时，露出于等离子体处理空间(基片处理空间)的部分被第一板217和第二板218中的任意者覆盖。
第一板217具有沿着第一板217的端部相对于排气装置28向相反侧延伸地设置的壁217w。壁217w防止降落并堆积于第一板217的堆积物(沉积物)向排气装置28侧降落。
第二板218沿着第二板218的端部具有壁218w。壁218w防止降落并堆积于第二板218的堆积物(沉积物)向排气装置28侧降落。
中层部件220、第一下层部件240和第二下层部件246是与第三实施方式相同的结构，因此省略说明。
接着，对第四实施方式的异物降落防止部件200d的效果进行说明。第四实施方式的异物降落防止部件200d在第三实施方式的异物降落防止部件200c的效果的基础上，通过减小上层部件216，能够提高流动性。而且，即使在与设置部位相通的空间更狭窄的情况下，也能够容易地进行设置。其结果是，能够缩短由异物降落防止部件200d的设置和拆卸等带来的维护时间。
另外外，壁217w是第一壁的一个例子，217w2是第二壁的一个例子。
[异物降落防止部件的安装方法]
对异物降落防止部件200的安装方法进行说明。在此，使用第四实施方式的异物降落防止部件200d进行说明。图13、图14和图15是对第四实施方式的异物降落防止部件200d的安装方法进行说明的图。
在安装异物降落防止部件200d时，安装第一下层部件240和第二下层部件246，之后，依次安装中层部件220和上层部件216。
图13是说明第一下层部件240和第二下层部件246的安装的图。将第一下层部件240沿着箭头A1插入到设置于凸缘部26的保护网204与处理容器10的下表面10S的下端之间。而且，将第二下层部件246沿着箭头A2插入设置于凸缘部26的保护网204与处理容器10的下表面10S70之间。
接着，如图14所示，在所设置的第一下层部件240和第二下层部件246上载置中层部件220。接着，如图15所示，在载置于第一下层部件240和第二下层部件246上的中层部件220上，载置上层部件216。如上所述，将异物降落防止部件200d安装到基片处理装置1。
以上，通过实施方式和实施例对异物降落防止部件200和配置有异物降落防止部件200的基片处理装置1进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式和实施例，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。
在上述的实施方式中，对基片处理装置1是作为半导体器件制造装置的蚀刻处理装置的情况进行了说明，但并不限定于此。作为基片处理装置1，也可以是其他半导体器件制造装置，例如使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)、PVD(PhysicalVapor Deposition：物理气相沉积)等的成膜处理装置。
另外，在上述的实施方式中，作为基片使用半导体晶片W，但并不限定于此，例如也可以是FPD用的玻璃基片、太阳能电池用的基片等。
Claims (13)
1.一种异物降落防止部件，其特征在于：
所述异物降落防止部件配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：
第一板；
第二板，其以相对于所述第一板具有第一间隙的方式配置在所述排气口侧；和
将所述第一板与所述第二板连结的第一连结杆，
所述第一板具有沿着所述第一板的端部向所述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。
2.如权利要求1所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述第一板与所述第二板平行地设置，
所述第一连结杆与所述第一板垂直地从所述第一板的与所述第二板相对的面向所述第二板的与所述第一板相对的面延伸。
3.如权利要求1或2所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述第一连结杆设置有多个。
4.如权利要求1～3中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述异物降落防止部件具有从所述第二板向所述排气口侧延伸并支承所述第二板的支承部件。
5.如权利要求1～4中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述第一板是圆板，
所述第二板是具有俯视时呈圆形的开口部的圆环。
6.如权利要求1～5中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述第二板具有沿着所述第二板的端部向所述排气口的相反侧延伸地设置的第二壁。
7.如权利要求1～6中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于，包括：
支承所述第二板的第一圆环部件；第二圆环部件；将所述第一圆环部件与所述第二圆环部件连结的第二连结杆；
支承所述第二圆环部件的第一圆弧部件；第二圆弧部件；将所述第一圆弧部件与所述第二圆弧部件连结的第三连结杆；
支承所述第二圆环部件的第三圆弧部件；第四圆弧部件；和将所述第三圆弧部件与所述第四圆弧部件连结的第四连结杆。
8.如权利要求7所述的异物降落防止部件，其特征在于：
所述第二板具有俯视时覆盖所述第一圆环部件的一部分的圆弧状的形状，
所述第一板覆盖所述第一圆环部件的开口部的一部分。
9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
排气泵；
处理容器，其具有与所述排气泵连通的排气口；
设置于所述排气口的保护网；和
配置于所述排气口的异物降落防止部件，
所述异物降落防止部件包括：
第一板；
第二板，其以相对于所述第一板具有第一间隙的方式配置在所述排气口侧；和
将所述第一板与所述第二板连结的第一连结杆，
所述第一板具有沿着所述第一板的端部向所述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述异物降落防止部件包括：
支承所述第二板的第一圆环部件；第二圆环部件；将所述第一圆环部件与所述第二圆环部件连结的第二连结杆；
支承所述第二圆环部件的第一圆弧部件；第二圆弧部件；将所述第一圆弧部件与所述第二圆弧部件连结的第三连结杆；
支承所述第二圆环部件的第三圆弧部件；第四圆弧部件；将所述第三圆弧部件与所述第四圆弧部件连结的第四连结杆。
11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二圆弧部件和所述第四圆弧部件设置在所述排气口与连接于所述排气口的凸缘之间。
12.如权利要求9或10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口的一部分在俯视时被所述第一板和所述第二板中的任意者覆盖，一部分在俯视时从所述第一板和所述第二板露出。
13.如权利要求9～11中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口的俯视时露出于基片处理空间的部分被所述第一板和所述第二板中的任意者覆盖。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021063438A JP7568367B2 (ja) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 異物落下防止部材及び基板処理装置 |
| JP2021-063438 | 2021-04-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115206758A true CN115206758A (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=83574612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210288487.2A Pending CN115206758A (zh) | 2021-04-02 | 2022-03-23 | 异物降落防止部件和基片处理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7568367B2 (zh) |
| CN (1) | CN115206758A (zh) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5133463B2 (ja) | 2005-03-02 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気ポンプ |
| JP2013048287A (ja) | 2012-11-05 | 2013-03-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP5944883B2 (ja) | 2013-12-18 | 2016-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 粒子逆流防止部材及び基板処理装置 |
-
2021
- 2021-04-02 JP JP2021063438A patent/JP7568367B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-23 CN CN202210288487.2A patent/CN115206758A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7568367B2 (ja) | 2024-10-16 |
| JP2022158492A (ja) | 2022-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI781932B (zh) | 用於改良式半導體蝕刻及部件保護之系統與方法 | |
| KR100284571B1 (ko) | 세라믹 라이닝을 이용하여 cvd챔버 내의 잔류물 축적을 감소시키는 장치 및 방법 | |
| TWI434334B (zh) | 電漿ｃｖｄ裝置 | |
| US11049755B2 (en) | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield | |
| US7718004B2 (en) | Gas-introducing system and plasma CVD apparatus | |
| CN201025611Y (zh) | 用于衬底处理室的带状屏蔽 | |
| JP5944883B2 (ja) | 粒子逆流防止部材及び基板処理装置 | |
| CN102017077B (zh) | 用于射频物理气相沉积的处理套组 | |
| US20040118519A1 (en) | Blocker plate bypass design to improve clean rate at the edge of the chamber | |
| US8187416B2 (en) | Interior antenna for substrate processing chamber | |
| US20060137610A1 (en) | Plasma processing apparatus with insulated gas inlet pore | |
| KR20100017278A (ko) | 기판 처리 챔버용 냉각 차폐부 | |
| KR20100128285A (ko) | 유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버 | |
| US12009178B2 (en) | Ceramic coated quartz lid for processing chamber | |
| JP2009065121A (ja) | 拡散装置支持体 | |
| CN1213848A (zh) | 用于大直径晶片的空间均匀的气体供给源和泵结构 | |
| KR20170103689A (ko) | 플라즈마 프로세싱 시스템들을 위한 고순도 sp3 결합들을 가진 화학적 기상 증착 (cvd) 다이아몬드 코팅을 포함한 에지 링들과 같은 컴포넌트들 | |
| US5893962A (en) | Electrode unit for in-situ cleaning in thermal CVD apparatus | |
| US20090314435A1 (en) | Plasma processing unit | |
| US6070552A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR101125885B1 (ko) | 감소된 플라즈마 침투 및 아킹을 갖는 정전척을 제공하는 방법 및 장치 | |
| CN115206758A (zh) | 异物降落防止部件和基片处理装置 | |
| WO2021158450A1 (en) | Optimization of radiofrequency signal ground return in plasma processing system | |
| US20070022953A1 (en) | Source gas-supplying unit and chemical vapor deposition apparatus having the same | |
| JP2004047500A (ja) | プラズマ処理装置およびその初期化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |