TWI381439B - Gas supply structure and plasma processing device - Google Patents

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TWI381439B
TWI381439B TW095106836A TW95106836A TWI381439B TW I381439 B TWI381439 B TW I381439B TW 095106836 A TW095106836 A TW 095106836A TW 95106836 A TW95106836 A TW 95106836A TW I381439 B TWI381439 B TW I381439B
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Tsuyoshi Moriya
Takahiro Murakami
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Tokyo Electron Ltd
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Description

氣體供給構材及電漿處理裝置
本發明係關於氣體供給構材及電漿處理裝置。
通常在半導體晶圓或平面顯示器面板等基板施行所定電漿處理之電漿處理裝置，係具備用於收容基板的收容室(以下，稱為「處理室」)。該電漿處理裝置係將處理氣體從作為氣體供給構材之氣體導入噴浴頭導入至處理室內，且於處理室內施加高頻電力，藉此從處理氣體產生電漿，且藉由該電漿在基板施行電漿處理。
在氣體導入噴浴頭的處理室對向部，用於噴出處理氣體的氣體孔係利用多數開口的平板，但於該處理室內施加高頻電力時，容易在氣體導入噴浴頭之氣體孔外緣部造成電場集中，而有產生異常放電之情形。該異常放電對配置在基板或處理室內的構成零件造成損傷。具體而言，使作為基板的半導體晶圓表面產生龜裂或缺口等、或燒損構成零件。
因此，先前在電漿處理裝置中，公知有於氣體噴出孔外緣部形成彎曲面，以防止成為異常放電原因之外緣部電場集中的情形(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開昭59-4011號公報
但是，在先前的電漿處理裝置之氣體導入噴浴頭之處理室對向部，由於各氣體孔間存在平面部，因此在該平面部存在的各氣體孔間的中間位置，從氣體孔噴出的處理氣體流變弱而滯留。由於處理室內產生的微粒子，會移動至與從氣體孔噴出的處理氣體分子之衝突所致之氣體黏性力、與離子之衝突所造成的離子黏性力、及施加在微粒子上的静電力相均衡之部分(第8圖)，因此滯留在處理氣體流較弱、氣體黏性力較小的各氣體孔間之中間位置。且，身為前驅物之自由基亦與微粒子同樣地滯留在各氣體孔間之中間位置(第9圖)，因此沈積物容易堆積在該位置，堆積的沈積物剝落變成微粒子而附著在半導體晶圓。再者，處理室內的反應製程因沈積物堆積而變動(記憶效果)。
本發明之目的在於提供可使氣體不滯留地供給到處理室內的氣體供給構材及電漿處理裝置。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項之氣體供給構材係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及多數穿孔在前述平面上的氣體孔，並將氣體自前述多數氣體孔供給到前述內部空間之氣體供給構材，其特徵為：前述氣體孔之前述平面的外緣部具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面包含平面及彎曲面之至少任一種。
申請專利範圍第2項之氣體供給構材係如申請專利範圍第1項之氣體供給構材，其特徵為前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
申請專利範圍第3項之氣體供給構材係如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其特徵為前述斜面與前述平面所形成的角度，大於自前述氣體孔噴出的氣體之分布與前述平面所形成的角度。
申請專利範圍第4項之氣體供給構材係如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其特徵為前述斜面與前述平面所形成的角度為20°以上。
申請專利範圍第5項之氣體供給構材係如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其特徵為前述斜面對前述氣體孔的中心軸具有n次旋轉對稱性(n=2~∞)。
申請專利範圍第6項之氣體供給構材係如申請專利範圍第或2項之氣體供給構材，其特徵為鄰接的前述氣體孔間之形狀係僅由前述斜面所構成。
為了達成上述目的，申請專利範圍第7項之氣體供給構材係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及多數穿孔在前述平面上的氣體孔，並將氣體自前述多數氣體孔供給到前述內部空間之氣體供給構材，其特徵為：連結前述多數氣體孔中鄰接的前述氣體孔之前述平面的外緣部，以形成縫隙；前述縫隙之前述平面的外緣部，係具有對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面之同時，前述縫隙在前述平面上形成同心圓狀；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種。
申請專利範圍第8項之氣體供給構材係如申請專利範 圍第7項之氣體供給構材，其特徵為：前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
為了達成上述目的，申請專利範圍第9項之氣體供給構材係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，其特徵為：具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及開口在前述平面且將氣體供給到前述內部空間的氣體流路；前述氣體流路之前述平面的外緣部，係具有對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面包含平面及彎曲面之至少任一種。
申請專利範圍第10項之氣體供給構材係如申請專利範圍第9項之氣體供給構材，其特徵為前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
為了達成上述目的，申請專利範圍第11項之電漿處理裝置係具備：用於收容被處理體之處理室、及配置在前述處理室且將氣體供給到前述處理室的內部空間之氣體供給構材者，其特徵為：前述氣體供給構材係具備：與前述內部空間對向之平面、及多數穿孔在前述平面上的氣體孔，該氣體孔係將前述氣體供給到前述內部空間，且前述氣體孔之前述平面的外緣部，係具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種。
申請專利範圍第12項之電漿處理裝置係如申請專利範圍第11項之電漿處理裝置，其特徵為：前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等之組合之面。
根據申請專利範圍第1項之氣體供給構材及申請專利範圍第11項之電漿處理裝置，在與處理室的內部空間對向之穿孔成平面狀的氣體孔之平面的外緣部，係具有與氣體孔噴出的氣體流對應之斜面，由於斜面包含平面及彎曲面之至少任一種，因此可消除噴出的氣體流變弱之部位，藉此可使噴出的氣體不滯留在鄰接的氣體孔間地供給到處理室內。
根據申請專利範圍第2、8、10項之氣體供給構材及申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種或包含該等組合之面，因此更可消除噴出的氣體流變弱之部位。
根據申請專利範圍第3項之氣體供給構材，斜面與平面所形成的角度大於自氣體孔噴出的氣體之分布與平面所形成的角度，因此可確實地消除噴出的氣體流變弱之部位。
根據申請專利範圍第4項之氣體供給構材，斜面與平面所形成的角度為20°以上，因此可更確實地消除噴出的氣體流變弱之部位。
根據申請專利範圍第5項之氣體供給構材，斜面對氣體孔的中心軸具有n次旋轉對稱性，因此可確實地消除氣體孔間之噴出的氣體流變弱之部位。
根據申請專利範圍第6項之氣體供給構材，鄰接的氣孔間之形狀係由斜面所構成，因此可消除氣體孔間之噴出的氣體流變弱之部位。
根據申請專利範圍第7項之氣體供給構材，連結穿孔在與處理室的內部空間對向之平面上的多數氣體孔中之鄰接的氣體孔之平面的外緣部來形成縫隙，縫隙之平面的外緣部，係具有對應氣體孔噴出的氣體流之斜面之同時，縫隙係於平面狀中形成同心圓狀，由於斜面包含平面及彎曲面之至少任一種，因此可使噴出的氣體不滯留在鄰接的氣體孔間地供給到處理室內，並可容易地製造氣體供給構材，藉此可減少氣體供給構材之成本。
根據申請專利範圍第9項之氣體供給構材，開口在與處理室的內部空間對向之平面且將氣體供給到處理室內的氣體流路之平面的外緣部，係具有對應氣體孔噴出的氣體流之斜面，由於斜面包含平面及彎曲面之至少任一種，因此可消除噴出的氣體流變弱之部位，藉此可使噴出的氣體不滯留在鄰接的氣體孔間地供給到處理室內。
以下，一面參照圖式一面說明關於本發明的實施形態。
第1圖係揭示本發明之實施形態相關之電漿處理裝置之概略構成的剖面圖。
第1圖中，將作為所要的電漿處理之乾蝕刻(Reactive Ion Etching)(以下稱為「RIE」)處理施行在半導體元件用之晶圓(以下僅稱為「晶圓」)W之電漿處理裝置10，係具有金屬製例如鋁或不銹鋼製的圓筒形處理室11，該處理室 11內，例如配置有圓柱狀的基座12，作為載置直徑300 mm的晶圓W之載置台(Stage)。
在電漿處理裝置10，藉由處理室11的內側壁和基座12的側面形成作為將基座12上方的氣體分子排出至處理室11外的流路之排氣路徑13而作用。該排氣路徑13中途配置有防止電漿洩漏的環狀緩衝板14。且，較排氣路徑13的緩衝板14位於下流的空間係轉入基座12下方，連通在身為可變式蝴蝶閥之自動壓力控制閥(Automatic Pressure Control Valve)(以下稱為「APC」)15。APC15係連接在屬於真空抽取用排氣泵之渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump)(以下稱為「TMP」)16，再者，藉由TMP16連接在身為排氣泵之乾式泵(以下稱為「DP」)17。以下將藉由APC15、TMP16及DP17所構成的排氣流路稱為「主要排氣線」，而該主要排氣線係藉由APCI5進行處理室11內的壓力控制，再藉由TMP16及DP17將處理室11內減壓至大致真空狀態。
且，較上述排氣路徑13的緩衝板14位於下游之空間，亦連接在與主要排氣線不同的排氣流路(以下稱為「粗略抽取線」)。該粗略抽取線具備連通上述空間和DP17之直徑例如為25 mm之排氣管18、及配置在排氣管18中途的閥19。該閥19可隔斷上述空間和DP17。粗略抽取線係藉由DP17排出處理室11內的氣體。
在基座12藉由給電棒21及整合器(Matcher)2連接下部電極用的高頻電源20，該下部電極用的高頻電源20 係將預定的高頻電力供給到基座12。藉此，基座12係作為下部電極而作用。且，整合器22降低來自基座12的高頻電力之反射而將高頻電力對基座12的供給效率發揮到最大。
基座12內部上方配置有由導電膜構成的圓板狀電極板23。在電極板23以電性連接有直流電源24。晶圓W係利用藉由從直流電源24施加在電極板23的直流電壓所產生的庫倫力或強生拉比克(Johnson-Rahbek)力而吸附保持在基座12上面。且，在基座12上方配設圓環狀的聚焦環25，環繞吸附保持在基座12上面的晶圓W周圍。該聚焦環25露出在後述之空間S，將產生在該空間S的離子或自由基朝向晶圓W表面會聚，以提高RIE處理之效率。
且，基座12內部例如設有延伸存在於圓周方向之環狀冷煤室26。從冷卻單元(不圖示)經由冷媒用配管27將所定溫度的冷媒，例如冷卻水，循環供給到該冷煤室26，藉由該冷媒的温度來控制吸附保持在基座12上面的晶圓W之處理温度。
在基座12上面中吸附保持晶圓W的部分(以下稱為「吸附面」)，配置有多數傳熱氣體供給孔28及傳熱氣體供給槽(不圖示)。該等傳熱氣體供給孔28等係經由配置在基座12內部的傳熱氣體供給線29而連接在傳熱氣體供給部30，該傳熱氣體供給部30係將傳熱氣體，例如He氣體，供給到吸附面和晶圓W背面之間隙。且，將傳熱氣體供 給部30連接在排氣管18，構成可藉由DP17將吸附面和晶圓W背面之間隙抽取成真空。
基座12的吸附面配置有多數推進銷31，作為可從基座12上面自由突出的升降銷。該等推進銷31係藉由電動機(不圖示)和滾珠螺絲(不圖示)而連接，且起因於藉由滾珠螺絲而變換成直線運動之電動機的旋轉運動，而在圖式中的上下方向移動。為了在晶圓W施行RIE處理而將晶圓W吸附保持在吸附面時，推進銷31係收容在基座12，將施行RIE處理後的晶圓W從處理室11搬出時，推進銷31係從基座12上面突出，使晶圓W從基座12離開且抬起到上方。
在處理室11的頂部以和基座12對向的方式配置有氣體導入噴浴頭32。在氣體導入噴浴頭32係經由整合器33連接有上部電極用的高頻電源34，由於上部電極用的高頻電源34係將預定的高頻電力供給到氣體導入噴浴頭32，因此氣體導入噴浴頭32係作為上部電極而作用。此外，整合器33的功能和上述整合器22的功能相同。
氣體導入噴浴頭32具有：下面之電極板36，係具有多數氣體孔35；及電極支持體37，以可裝卸方式支持該電極板36。且，該電極支持體37內部設有緩衝室38，該緩衝室38連接有來自處理氣體供給部(不圖示)的處理氣體導入管39。該處理氣體導入管39中途配置有配管絕緣件40。該配管絕緣件40係由絶緣體所構成，用以防止供給到氣體導入噴浴頭32的高頻電力藉由處理氣體導入管39 洩漏到處理氣體供給部。氣體導入噴浴頭32係將從處理氣體導入管39供給到緩衝室38的處理氣體，經由氣體孔35供給到處理室11內。
且，在處理室11的側壁，於對應晶圓W藉由推進銷31從基座12被抬起到上方之高度位置，設有晶圓W的搬出入口41，在搬出入口41安裝有開閉該搬出入口41的閘閥42。
在該電漿處理裝置10的處理室11內，如上述地，將高頻電力供給到基座12及氣體導入噴浴頭32，將高頻電力施加到基座12及氣體導入噴浴頭32之間的空間S，藉此在該空間S利用從氣體導入噴浴頭32供給的處理氣體產生高密度電漿，利用該電漿對晶圓W施行RIE處理。
具體而言，在該電漿處理裝置10對晶圓W施行RIE處理時，首先將閘閥42開閥，且將加工對象之晶圓W搬入處理室11內，進而將直流電壓施加在電極板23，藉此將被搬入的晶圓W吸附保持在基座12之吸附面。且，從氣體導入噴浴頭32以預定的流量及流量比將處理氣體(例如，所定流量比率之C4 F8 氣體、O2 氣體及Ar氣體所形成之混合氣體)供給到處理室11內，並藉由APC15等使處理室11內的壓力達到所定值。再者，藉由基座12及氣體導入噴浴頭32將高頻電力施加在處理室11內的空間S。藉此，使從氣體導入噴浴頭32導入的處理氣體電漿化，在空間S產生離子或自由基，藉由聚焦環25將該產生之自由基或離子會聚在晶圓W表面，以物理方式或化學方 式將晶圓W表面蝕刻。
第2圖係揭示第1圖中之氣體導入噴浴頭之概略構成的放大剖視圖。
第2圖之氣體導入噴浴頭32係於各氣體孔35的處理室對向部側之外緣部具有斜面201。斜面201具有對氣體孔35的中心軸，在旋轉(360/n)°時不改變其形狀之n次旋轉對稱性(但n為2以上之自然數)，即符合構成旋轉前和旋轉後的形狀一致之孔的斜面。本實施形態中，n=∞，即斜面201對氣體孔35的中心軸為軸對稱，但n只要是2以上之自然數即可。斜面201的傾斜角對第2圖中的横方向，即平板狀電極板36之與空間S對向之面(以下，稱為「電極板空間對向面」)為20°。因而，各氣體孔35係朝向空間S開口成圓錐狀。此處，處理氣體202係從各氣體孔35朝向圖式中下方(空間S)噴出，在該處理氣體202和空間中的微粒子之衝突所形成的氣體黏性力、該微粒子和空間S中的離子之衝突所形成的離子黏性力、及施加在微粒子之静電力相均衡的部分，產生微粒子雲203。且，氣體孔35之直徑為2 mm，配設成各間隔為5 mm之六角形狀(第3圖)。
以下，就本實施形態相關之基板處理裝置，說明關於將各氣體孔35的斜面201的傾斜角對電極板空間對向面設定成20°之依據。
第4圖係揭示模擬從細管之筒口噴出的氣體分子之分布結果及實測結果的曲線圖，第4(A)圖係將氣體分子的平 均自由行程除以筒口直徑之努特生數(Knudsen number)Kn為8.93×10-3 時者，第4(B)圖係Kn為8.93×10-2 時者，第4(C)圖係Kn為0.893時者，第4圖(D)係Kn為8.93時者。平均自由行程係平均熱速度、氣體常數、壓力、温度、及氣體黏性之函數，且係運動被阻礙後再開始運動的氣體分子到達再度被妨礙運動的移動距離。
第4圖之曲線圖中，横軸係對應於平面，該横軸上之點「P」係對應於噴出氣體分子的筒口P。縱軸係顯示該平面所對向之空間，即距離從筒口P噴出氣體分子之空間中的平面之距離。且，「○」係顯示從筒口P噴出當作氣體分子之氮氣分子時的分布之實測結果，以實線顯示之大致橢圓係顯示從筒口P噴出氮氣時的分布之模擬結果。在各曲線圖上方噴出氮氣分子的筒口P，係對應於第2圖下方用於噴出處理氣體的氣體孔35之電極板空間對向面側之開口部，横軸係對應於氣體導入噴浴頭32的電極板空間對向面。
根據第4圖之曲線圖，不論模擬結果、實測結果如何、Kn為任何值，從筒口P噴出的氣體分子皆以筒口P為中心，對第4圖之曲線圖中的横方向分布在20°以上的範圍，而在未達20°的範圍，幾乎未分布有氣體分子。即，未達20°的範圍小至可無視氣體流的程度。
因此，在第2圖之氣體導入噴浴頭32，氣體孔35之於外緣部中的斜面201之傾斜角，對電極板空間對向面係設定成形成20°。藉此，可消除從氣體孔35噴出的處理氣 體202之流動變弱的空間，而可使處理氣體202不滯留在各氣體孔35間的中間位置地(以下，僅稱為「中間位置」)供給到空間S內。因而，可防止微粒子滯留在中間位置。同樣地，亦可防止身為前驅物之自由基滯留在中間位置。根據以上，可防止沈積物堆積在該中間位置，而可防止起因於沈積物之微粒子附著在晶圓W的情形。
接著，於以下顯示氣體35之斜面201的形成方法。
第5圖係揭示第2圖中的各氣體孔形成方法之步驟圖。
首先，藉由2 mm直徑的鑽頭以各自間隔5 mm的方式在電極板36穿孔多數氣體孔35(第5(A)圖)，接著，將直徑約2 mm的導件延伸設置在中心軸上，利用錐角為140°的附有錐刃之鑽頭500削取氣體孔35的處理室對向部側外緣部。具體而言，插入於穿孔在上述導件的氣體孔35，使鑽頭500的中心軸和氣體孔35的中心軸一致，再者，將鑽頭500上昇到圖式中上方，使其錐刃進入電極36的厚度中途。藉此，對氣體孔35之對空間S之開口部成形為圓錐狀。此時，由於鑽頭500的錐刃之錐角為140°，因此氣體孔35之對電極板空間對向面的開口部之斜面201的傾斜角係形成20°(第5(B)圖)。
接著，在鄰接於形成有圓錐狀開口部的氣體孔35之氣體孔35，施行與第5圖(A)及(B)相同的步驟。此時，形成該氣體孔35中的開口部之斜面201，使氣體孔35間不存在電極板空間對向面(第5(C)圖)。反覆以上步驟，在全 部氣體孔35形成圓錐狀開口部，且完成氣體導入噴浴頭32，結束本處理(第5(D)圖)。
上述之本實施形態中，將氣體孔35的開口部形成為圓錐狀，但亦可藉由將傾斜角為20°的V字型槽掘成格子狀，將氣體孔35穿孔在各槽的交點之方式，作成氣體導入噴浴頭32。
本實施形態中，氣體導入噴浴頭32係於處理室對向部配設多數圓錐狀開口部之構造，但開口部的形狀不限於圓錐狀，設為半球狀(第6圖)、四角錐狀、及拋物面狀亦可，且組合該等之形狀亦可。
本實施形態中，氣體孔35的斜面201之傾斜角亦為20°，但從第4圖之曲線圖可得知不限於20°，只要在20°以上即可。
本實施形態中，又將直徑為2 mm的氣體孔35各以5 mm間隔配設在氣體導入噴浴頭32，但不限於此，將直徑為2 mm的氣體孔35各以5 mm間隔配設亦可(第7(A)圖)，且將直徑為2 mm的氣體孔35各以4 mm間隔(第7(B)、(C)圖)、將直徑為1.5 mm的氣體孔35各以3.5 mm間隔(第7(D)、(E)圖)配設亦可。再者，將直徑為1 mm的氣體孔35各以3 mm間隔(第7(F)、(G)圖)配設亦可。該等中，尤其可在第7(B)至(G)圖的氣體導入噴浴頭，將氣體孔35的間隔變窄，因此可確實地防止微粒子滯留在各氣體孔35間的中間位置。
本實施形態中，各氣體孔35係個別地具有開口部， 但亦可連結鄰接的各氣體孔之開口部而形成縫隙。此時，該縫隙剖面形狀例如呈V字狀，處理室對向部側外緣部係由對縫隙中央形成左右對稱之斜面所構成。該斜面之傾斜角對電極板空間對向面為20°。且，縫隙係以對電極板36之從平面觀看的中心形成同心之方式形成多數條。藉此，可防止鄰接的縫隙間滯留微粒子。由於可容易地形成同心圓狀之縫隙、可容易地製造氣體導入噴浴頭32，因此可減少氣體導入噴浴頭32的成本。
本實施形態中，氣體導入噴浴頭32具備多數的氣體孔35，但不限於氣體孔35，只要是形成貫穿電極板36而開口在電極板空間對向面之氣體流路(不圖示)即可。該氣體流路之處理室對向部側外緣部係與氣體孔35同樣地具有斜面，該斜面之傾斜角對電極板空間對向面為20°。藉此，可將處理氣體202不滯留地供給到空間S，且因為可容易地形成氣體流路、可容易地製造氣體導入噴浴頭32，藉此可減少氣體導入噴浴頭32的成本。
且，根據本發明之氣體導入噴浴頭32，由於在氣體孔35的外緣部具有20°傾斜，因此可使從氣體孔35噴出的處理氣體202均等地遍佈在空間S內。
10‧‧‧電漿處理裝置
11‧‧‧處理室
12‧‧‧基座
32‧‧‧氣體導入噴浴頭
35‧‧‧氣體孔
201‧‧‧斜面
S‧‧‧空間
W‧‧‧晶圓
第1圖係揭示本發明的實施形態相關之電漿處理裝置概略構成的剖面圖。
第2圖係揭示第1圖中氣體導入噴浴頭之概略構成的 放大剖視圖。
第3圖係從處理室對向部側所見之第2圖氣體導入噴浴頭的俯視圖。
第4圖係揭示從細管之筒口所噴出的氣體分子之分布的模擬結果、及實測結果之曲線圖，(A)係以氣體分子之平均自由行程除以筒口徑之的努特生數Kn(Knudsen number)為8.93×10-3 時者，(B)係Kn為8.93×10-2 時者，(C)係Kn為0.893時者，(D)為8.93時者。
第5圖係揭示第2圖中各氣體孔形成方法的步驟圖。
第6圖係揭示氣體導入噴浴頭變形例之概略構成的放大剖視圖。
第7圖係從氣體導入噴浴頭變形例之處理室對向面側所視之俯視圖，(A)係揭示直徑為2 mm之氣體孔各以5 mm間隔配設的情形，(B)、(C)係揭示直徑為2 mm之氣體孔各以4 mm間隔配設的情形，(D)、(E)係揭示直徑為1.5 mm之氣體孔各以3.5 mm間隔配設的情形，(F)、(G)係揭示直徑為1 mm的氣體孔各以3 mm間隔配設的情形。
第8圖係先前的電漿處理裝置之處理室內之氣體流的說明圖。
第9圖係先前的電漿處理裝置之處理室內產生的微粒子之說明圖。
32‧‧‧氣體導入噴浴頭
35‧‧‧氣體孔
201‧‧‧斜面
202‧‧‧處理氣體
203‧‧‧微粒子雲

Claims (14)

  1. 一種氣體供給構材，係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及以與前述平面正交之方式穿孔的複數氣體孔，並將氣體自前述多數氣體孔供給到前述內部空間之氣體供給構材，其特徵為：前述氣體孔之前述平面的外緣部，係具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述氣體孔之間的形狀，係於前述氣體孔之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體供給構材，其中，前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其中，前述斜面與前述平面所形成的角度，大於自前述氣體孔噴出的氣體之分布與前述平面所形成的角度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其中，前述斜面與前述平面所形成的角度為20°以上。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其中，前述斜面對前述氣體孔的中心軸，具有n次旋轉對稱性(n=2~∞)。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給構材，其中，鄰接的前述氣體孔間之形狀係僅由前述斜面所構成。
  7. 一種氣體供給構材，係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及以與前述平面正交之方式穿孔的複數氣體孔，並將氣體自前述多數氣體孔供給到前述內部空間之氣體供給構材，其特徵為：連結前述多數氣體孔中鄰接的前述氣體孔之前述平面的外緣部，以形成縫隙；前述縫隙之前述平面的外緣部，係具有對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面之同時，前述縫隙在前述平面上形成同心圓狀；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述縫隙之間的形狀，係於前述縫隙之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
  8. 如申請專利範圍第7項之氣體供給構材，其中，前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
  9. 一種氣體供給構材，係配置在電漿處理裝置所具備之處理室者，其特徵為：具備：與前述處理室的內部空間對向之平面、及開口在前述平面且將氣體供給到前述內部空間的氣體流路；前述氣體流路之前述平面的外緣部，係具有對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面； 前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述氣體流路之間的形狀，係於前述氣體流路之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
  10. 如申請專利範圍第9項之氣體供給構材，其中，前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等組合之面。
  11. 一種電漿處理裝置，係具備：用於收容被處理體之處理室、及配置在前述處理室且將氣體供給到前述處理室的內部空間之氣體供給構材，其特徵為：前述氣體供給構材具備：與前述內部空間對向之平面、及以與前述平面正交之方式穿孔的複數氣體孔，該氣體孔係將前述氣體供給到前述內部空間，且前述氣體孔之前述平面的外緣部，係具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述氣體孔之間的形狀，係於前述氣體孔之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
  12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理裝置，其中，前述斜面係錐面、球面、及拋物面之任一種、或包含該等之組合之面。
  13. 一種電漿處理裝置，係具備：用於收容被處理體之處理室、及配置在前述處理室且將氣體供給到前述處理室的內部空間之氣體供給構材，其特徵為：前述氣體供給構材具備：與前述內部空間對向之平面 、及以與前述平面正交之方式穿孔的複數氣體孔，該氣體孔係將前述氣體供給到前述內部空間，且前述氣體孔之前述平面的外緣部，係具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述縫隙之間的形狀，係於前述縫隙之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
  14. 一種電漿處理裝置，係具備：用於收容被處理體之處理室、及配置在前述處理室且將氣體供給到前述處理室的內部空間之氣體供給構材，其特徵為：前述氣體供給構材具備：與前述內部空間對向之平面、及以與前述平面正交之方式穿孔的複數氣體孔，該氣體孔係將前述氣體供給到前述內部空間，且前述氣體孔之前述平面的外緣部，係具備對應自前述氣體孔噴出的氣體流之斜面；前述斜面，係包含平面及彎曲面之至少任一種；鄰接之前述氣體流路之間的形狀，係於前述氣體流路之間不存在有前述平面之方式僅由前述斜面所構成。
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