添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の加工方法は、外周縁を面取りした面取り部を有するウェーハ(基板)の表面側に機能層が形成された被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、支持部材固定ステップ(図1(A)、図1(B)、及び図1(C)参照)、レジスト膜形成ステップ(図2参照)、外周縁切削ステップ(図3(A)及び図3(B)参照)、ドライエッチングステップ(図4及び図5参照)、薄化ステップ(図6(A)及び図6(B)参照)、及び凹部形成ステップ(図7(A)及び図7(B)参照)を含む。
支持部材固定ステップでは、被加工物の機能層を有する表面側に接着剤を介して支持部材を固定する。レジスト膜形成ステップでは、被加工物の裏面側をレジスト膜で被覆する。外周縁切削ステップでは、切削ブレードを被加工物の裏面側から外周縁に沿って機能層に至らない深さまで切り込ませ、面取り部の裏面側の一部を除去するとともに表面側に切り残し部を残存させる。
ドライエッチングステップでは、切り残し部をドライエッチングで除去して切り残し部に重なる機能層を裏面側に露出させる。薄化ステップでは、ウェーハの裏面側を研削して被加工物を薄化する。目印凹部形成ステップでは、ウェーハの裏面側の外周部分を局所的なドライエッチングで加工して結晶方位を示す目印となる凹部を形成する。以下、本実施形態に係る被加工物の加工方法について詳述する。
実施形態に係る被加工物の加工方法では、まず、被加工物に支持部材を固定する支持部材固定ステップを実施する。図1(A)は、支持部材固定ステップを模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、支持部材が固定された被加工物を模式的に示す斜視図であり、図1(C)は、支持部材が固定された被加工物を模式的に示す断面図である。
図1(A)、図1(B)、及び図1(C)に示すように、本実施形態で加工される被加工物11は、基材となるウェーハ(基板)13と、ウェーハ13の表面13a側全体に形成された機能層15とを備えている。ウェーハ13は、例えば、シリコン等の半導体材料で円盤状に形成されており、その外周縁は面取りされている。
一方、機能層15は、配線となる金属膜や、配線間を絶縁する絶縁膜、半導体膜等を含んでいる。本実施形態では、この機能層15の露出した面を被加工物11の表面11aと呼び、ウェーハ13の裏面13bを被加工物11の裏面11bと呼ぶ。また、面取りされたウェーハ13の外周縁を面取り部13cと呼ぶ。
被加工物11の表面11a側は、互いに交差する複数の分割予定ライン(ストリート)で複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス17が形成されている。各デバイス17は、上述した機能層15を構成要素として含んでいる。すなわち、機能層15はデバイスの一部となる。
支持部材固定ステップでは、上述した被加工物11の表面11a側に支持部材21を固定する。支持部材21は、例えば、被加工物11と概ね同形のフィルム(粘着テープ)、樹脂基板、ウェーハ13と同種又は異種のウェーハ等である。支持部材21の第1面21aには、樹脂等の接着剤でなる接着層(接着剤)23が設けられている。
よって、図1(A)に示すように、支持部材21に設けられた接着層23を被加工物11の表面11aに接触させることで、図1(B)及び図1(C)に示すように、被加工物11に支持部材21を貼り付けて固定することができる。支持部材21をウェーハ11の表面11a側に固定することで、例えば、後の薄化ステップにおいて薄く加工された被加工物11を容易にハンドリングできるようになる。
支持部材固定ステップの後には、被加工物11の裏面11b側をレジスト膜で被覆するレジスト膜形成ステップを実施する。図2は、レジスト膜形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。本実施形態に係るレジスト膜形成ステップは、例えば、図2に示すスピン塗布装置2で実施される。
スピン塗布装置2は、被加工物11を保持するためのチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。チャックテーブル4の上面は、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bを吸引、保持する保持面4aとなっている。
この保持面4aは、チャックテーブル4の内部に形成された吸引路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)に接続されている。吸引源の負圧を保持面4aに作用させることで、被加工物11をチャックテーブル4で保持できる。チャックテーブル4の上方には、後述するドライエッチング(代表的には、プラズマエッチング)に耐性のあるレジスト材31を滴下するためのノズル6が配置されている。
レジスト膜形成ステップでは、まず、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bをチャックテーブル4の保持面4aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。
次に、チャックテーブル4を回転させて、ノズル6からレジスト材31を滴下する。これにより、被加工物11の裏面11b側(ウェーハ13の裏面13b)にレジスト材31を塗布できる。その後、塗布されたレジスト材31を硬化させることで、被加工物11の裏面11b側を被覆するレジスト膜33が完成する。なお、このレジスト膜33は、水に対する耐性(耐水性)も備えている。
レジスト膜形成ステップの後には、切削ブレードを被加工物11の外周縁に沿って切り込ませて、面取り部13cの裏面13b側を除去するとともに、表面13a側に切り残し部を残存させる外周縁切削ステップを実施する。図3(A)は、外周縁切削ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、外周縁切削ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る外周縁切削ステップは、例えば、図2(A)に示す切削装置22で実施される。切削装置22は、被加工物11を保持するためのチャックテーブル24を備えている。チャックテーブル24は、モータ等を含む回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル24の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル24は、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル24の上面は、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bを吸引、保持する保持面24aとなっている。この保持面24aは、チャックテーブル24の内部に形成された吸引路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)に接続されている。吸引源の負圧を保持面24aに作用させることで、被加工物11をチャックテーブル24で保持できる。
チャックテーブル24の上方には、被加工物11を切削するための切削ユニット26が配置されている。切削ユニット26は、昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング(不図示)を備えている。スピンドルハウジングの内部には、モータ等を含む回転駆動源(不図示)に連結されたスピンドル28が収容されている。
スピンドル28は、回転駆動源から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジングと共に昇降する。スピンドルハウジングの外部に露出したスピンドル28の一端部には、円環状の切削ブレード30が装着されている。
外周縁切削ステップでは、まず、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bをチャックテーブル24の保持面24aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル24に保持される。
次に、チャックテーブル24と切削ユニット26とを相対的に移動させて、図3(A)に示すように、被加工物11の面取り部13cに切削ブレード30を合わせる。その後、回転させた切削ブレード30を所定の位置まで下降させて被加工物13に切り込ませるとともに、チャックテーブル24を回転させる。すなわち、被加工物11の裏面11b側から外周縁に沿って切削ブレード30を切り込ませる。このとき、被加工物11には切削屑の排出を促す切削液が供給されている。
切削ブレード30の下降量は、切削ブレード30が機能層15に切り込まない範囲で調整される。これにより、図3(B)に示すように、面取り部13の裏面13b側を外周縁に沿って除去し、表面13a側に切り残し部13dを残存させることができる。
なお、図3(B)に示すように、支持部材21に対して被加工物11が傾いていると、切り残し部13dの厚さは一定にならないが、この切り残し部13dは、次のドライエッチングステップで完全に除去できるので問題はない。また、この外周縁切削ステップによって、面取り部13に重なるレジスト膜33の一部も併せて除去される。
外周縁切削ステップの後には、切り残し部13dをドライエッチングで除去して、切り残し部13dに重なる機能層15を裏面11b側に露出させるドライエッチングステップを実施する。図4は、ドライエッチングステップを模式的に示す模式図であり、図5は、ドライエッチングステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。
本実施形態のドライエッチングステップは、例えば、図4に示すドライエッチング装置(プラズマエッチング装置)102で実施される。ドライエッチング装置102は、内部に処理空間104が形成された真空チャンバ106を備えている。真空チャンバ106の側壁106aには、被加工物11を搬出入するための開口108が形成されている。
開口108の外部には、開口108を開閉するゲート110が取り付けられている。ゲート110の下方には、開閉機構112が設けられており、ゲート110はこの開閉機構112で上下に移動する。開閉機構112でゲート110を下方に移動させ、開口108を開くことにより、開口108を通じて被加工物11を真空チャンバ106の処理空間104に搬入し、又は、被加工物11を真空チャンバ106の処理空間104から搬出できる。
真空チャンバ106の底壁106bには、排気口114が形成されている。この排気口114は、真空ポンプ等の排気装置116と接続されている。真空チャンバ106の処理空間104には、下部電極118と上部電極120とが対向するように配置されている。
下部電極118は、導電性の材料で形成されており、円盤状の保持部122と、保持部122の下面中央から下方に伸びる円柱状の支持部124とを含む。支持部124は、真空チャンバ106の底壁106bに形成された開口126に挿通されている。
開口126内において、底壁106bと支持部124との間には、絶縁性の軸受け128が配置されており、真空チャンバ106と下部電極118とは絶縁されている。下部電極118は、真空チャンバ106の外部において高周波電源130と接続されている。
保持部122の上面には、凹部が形成されており、この凹部には、被加工物11を載せるテーブル132が設置されている。テーブル132には、吸引路(不図示)が設けられており、この吸引路は、下部電極128の内部に形成された吸引路134等を通じて吸引源136に接続されている。
また、保持部122の内部には、冷却流路138が形成されている。冷却流路138の一端は、支持部124に形成された冷媒供給路140を通じて循環装置142に接続されており、冷却流路138の他端は、支持部124に形成された冷媒排出路144を通じて循環装置142に接続されている。この循環装置142を作動させると、冷媒は、冷媒供給路140、冷却流路138、冷媒排出路144の順に流れ、下部電極118を冷却する。
上部電極120は、導電性の材料で形成されており、円盤状のガス噴出部146と、ガス噴出部146の上面中央から上方に伸びる円柱状の支持部148とを含む。支持部148は、真空チャンバ106の上壁106cに形成された開口150に挿通されている。
開口150内において、上壁106cと支持部148との間には、絶縁性の軸受け152が配置されており、真空チャンバ106と上部電極120とは絶縁されている。上部電極120は、真空チャンバ106の外部において高周波電源130と接続されている。また、支持部148の上端部は、昇降機構156の支持アーム158に連結されており、上部電極120は、この昇降機構156で上下に移動する。
ガス噴出部146の下面には、複数のガス噴出口160が形成されている。このガス噴出口160は、流路162等を通じてガス供給源164に接続されている。これにより、エッチング用の原料ガスを真空チャンバ106内の処理空間104に供給できる。
ドライエッチングステップでは、まず、開閉機構112でゲート110を下降させる。次に、開口108を通じて被加工物11を真空チャンバ106の処理空間104に搬入し、下部電極118のテーブル132に載せる。具体的には、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bをテーブル132に接触させる。また、被加工物11の搬入時には、昇降機構156で上部電極120を上昇させて、被加工物11の搬入スペースを確保しておく。
その後、吸引源136の負圧を作用させて、被加工物11をテーブル132上に固定する。また、開閉機構112でゲート110を上昇させて、処理空間104を密閉する。さらに、下部電極118と上部電極120とがエッチングに適した所定の位置関係となるように、昇降機構156で上部電極120を下降させる。また、排気装置116を作動させて、処理空間104を真空(低圧)とする。
この状態で、ガス供給源164からエッチング用の原料ガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源130で下部電極118及び上部電極120に所定の高周波電力を供給すると、下部電極118及び上部電極120との間にラジカルやイオンを含むプラズマが発生する。
これにより、図5に示すように、レジスト膜33で覆われていないウェーハ13の切り残し部13dはドライエッチング(プラズマエッチング)で除去され、切り残し部13dに重なる機能層15が裏面11b側に露出する。なお、エッチング用の原料ガスは、被加工物11の材質等に応じて適切に選択される。具体的には、ウェーハ13のエッチングレートが高くなり、機能層15のエッチングレートが低くなるような原料ガスを選択することが望ましい。これにより、ドライエッチングの制御が容易になる。
ドライエッチングステップの後には、ウェーハ13の裏面13b側を研削して被加工物11を薄化する薄化ステップを実施する。図6(A)は、薄化ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図6(B)は、薄化ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。なお、この薄化ステップを実施する前には、アッシング等の方法でレジスト膜33を除去しておくことが望ましい。
本実施形態の薄化ステップは、例えば、図6(A)に示す研削装置42で実施される。研削装置42は、被加工物11を保持するためのチャックテーブル44を備えている。チャックテーブル44は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル44の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル44は、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル44の上面は、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bを吸引、保持する保持面44aとなっている。この保持面44aは、チャックテーブル44の内部に形成された吸引路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)に接続されている。吸引源の負圧を保持面44aに作用させることで、被加工物11をチャックテーブル44で保持できる。
チャックテーブル44の上方には、研削ユニット46が配置されている。研削ユニット46は、昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング48を備えている。スピンドルハウジング48には、スピンドル50が収容されており、スピンドル50の下端部には、円盤状のマウント52が固定されている。
マウント52の下面には、マウント52と概ね同径の研削ホイール54が装着されている。研削ホイール54は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台56を備えている。ホイール基台56の下面には、複数の研削砥石58が環状に配列されている。
スピンドル50の上端側(基端側)には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されている。研削ホイール54は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
薄化ステップでは、まず、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bをチャックテーブル44の保持面44aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル44に保持される。
次に、チャックテーブル44を研削ホイール54の下方に移動させる。そして、図6(A)に示すように、チャックテーブル44と研削ホイール54とをそれぞれ回転させて、純水等の研削液を供給しながらスピンドルハウジング48を下降させる。スピンドルハウジング48の下降量は、ウェーハ13の裏面13b(被加工物11の裏面11b)に研削砥石58の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、ウェーハ13の裏面13b側を研削して被加工物11を薄化できる。
この薄化ステップは、例えば、被加工物11の厚さを測定しながら行われる。図6(B)に示すように、被加工物11が仕上がり厚さまで薄くなると、薄化ステップは終了する。なお、被加工物11を透過し、接着層23で反射する波長の光を利用する分光干渉式の測定器等を用いれば、チャックテーブル44に保持された被加工物11の厚さ(厚さ分布等)のみを測定することもできる。そして、被加工物11の厚さ(厚さ分布)に応じてチャックテーブル44の傾き等を調整することで、接着層23の厚さが均一でない場合等にも被加工物11を均一な厚さに薄化できる。
薄化ステップの後には、ウェーハ13の裏面13b側の外周部分を局所的なドライエッチングで加工して結晶方位を示す目印となる凹部を形成する目印凹部形成ステップを実施する。図7(A)は、目印凹部形成ステップで形成されるレジスト膜の形状を模式的に示す平面図であり、図7(B)は、目印凹部形成ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。
この目印凹部形成ステップは、上述したレジスト膜形成ステップ及びドライエッチングステップと同様の手順で遂行される。具体的には、まず、図7(A)に示すように、被加工物11の裏面11b側をレジスト膜35で被覆する。ただし、ここでは、目印となる凹部を形成する外周縁近傍の領域(外周部分)でウェーハ13の裏面13bが露出するように、所定の切り欠きパターン35aを有するレジスト膜35を形成する。
その後、被加工物11をドライエッチングで加工すれば、切り欠きパターン35aに対応する形状の凹部13eをウェーハ13に形成できる。これにより、ウェーハ13の結晶方位を示すノッチ等が除去さている場合にも、凹部13eに基づいて結晶方位を認識できるようになる。なお、この目印凹部形成ステップを実施した後には、アッシング等の方法でレジスト膜35を除去することが望ましい。
以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、切削ブレード30を被加工物11の裏面11b側から外周縁に沿って機能層15に至らない深さまで切り込ませ、面取り部13cの一部を除去した後に、ウェーハ(基板)13の表面13a側に残存する切り残し部13dをドライエッチングで除去して、切り残し部13dに重なる機能層15を被加工物11の裏面11b側に露出させるので、切削ブレード30を接着層(接着剤)23に切り込ませることなく面取り部13cを除去できる。よって、切削ブレード30が接着剤で目詰まりすることはない。
また、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、切削ブレード30を切り込ませた後に残存する切り残し部13dをドライエッチングで除去するので、切削ブレード30を切り込ませる際に、被加工物11の表面11aと接着層23との界面に対して切削ブレード30の高さを正確に合わせる必要がない。つまり、煩雑な工程や特殊な機器等が不要になる。このように、本実施形態に係る被加工物の加工方法によれば、切削ブレード30に目詰まりを発生させることなく、面取り部13cを簡単に除去できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、レジスト膜形成ステップを実施した後に、ドライエッチングステップを実施しているが、ドライエッチングによるウェーハ13の厚さ減少が問題とならないような場合には、レジスト膜形成ステップを省略して良い。
また、上記実施形態では、目印凹部形成ステップにおいて、凹部13eに対応する切り欠きパターン35aを有するレジスト膜35を形成しているが、レジスト膜35を形成することなく凹部13eを形成することもできる。
図8は、変形例に係る目印凹部形成ステップで用いられるドライエッチング装置(プラズマエッチング装置)の構成例を模式的に示す図であり、図9は、変形例に係る目印凹部形成ステップで用いられるドライエッチング装置の構成例を模式的に示す分解斜視図である。なお、説明の便宜上、図9では構成要素の一部が省略されている。
図8及び図9に示すように、変形例に係るドライエッチング装置(プラズマエッチング装置)202は、処理空間を形成する真空チャンバ204を備えている。真空チャンバ204は、箱状の本体206と、本体206の上部を閉じる蓋208とで構成されている。本体206の側壁206aの一部には、被加工物11を搬出入するための開口部206bが形成されている。
側壁206aの外側には、開口部206bを閉じるゲート210が配置されている。ゲート210の下方には、エアシリンダ等でなる開閉ユニット212が設けられており、ゲート210は、この開閉ユニット212で上下に移動する。開閉ユニット212でゲート210を下方に移動させ、開口部206bを露出させれば、開口部206bを通じて被加工物11を処理空間に搬入し、又は、被加工物11を処理空間から搬出できる。
本体206の底壁206cには、配管214等を介して排気ポンプ216が接続されている。被加工物11を加工する際には、開閉ユニット212でゲート210を上方に移動させて開口部206bを閉じ、その後、排気ポンプ216で処理空間を排気、減圧する。
処理空間には、被加工物11を支持するためのテーブルベース218が配置されている。テーブルベース218は、円盤状の保持部220と、保持部220の下面中央から下方に伸びる柱状の軸部222とで構成されている。
底壁206cの中央部には、テーブルベース218の軸部222を回転可能に支持する支持ユニット224が設けられている。支持ユニット224は、底壁206cの中央部に固定された円筒状の固定部材226を含んでいる。固定部材226の内側には、軸部222に固定された円筒状の回転部材228が配置されている。
回転部材228は、ラジアルベアリング230を介して固定部材226に連結されている。ラジアルベアリング228の処理空間側には、リング状のリップシール232が設けられている。リップシール232としては、例えば、サンゴバン(Saint−Goban)社のオムニシール(登録商標)等を用いることができる。このリップシール232によって、処理空間の気密性を維持しながらテーブルベース218を回転させることができる。
保持部220の上面には、円盤状の静電チャックテーブル234が設けられている。静電チャックテーブル234は、絶縁材料によって形成された本体236と、本体236に埋め込まれた複数の電極238とを備え、電極238間に発生する静電気によって被加工物11を保持する。各電極238は、例えば、5kV程度の高電圧を発生可能なDC電源240に接続されている。
また、静電チャックテーブル234の本体236には、被加工物11を吸引するための吸引路236aが形成されている。この吸引路236aは、テーブルベース218の内部に形成された吸引路218a等を通じて吸引ポンプ242に接続されている。
静電チャックテーブル234で被加工物11を保持する際には、まず、被加工物11に固定された支持部材21の第2面21bを静電チャックテーブル234の上面に接触させて、吸引ポンプ242を作動させる。これにより、支持部材21は、吸引ポンプ242の吸引力によって静電チャックテーブル234の上面に密着する。この状態で、電極238間に電位差を生じさせれば、静電気によって支持部材21が吸着され、被加工物11を保持できる。
また、テーブルベース218の内部には、冷却流路218bが形成されている。冷却流路218bの両端は、冷媒を循環させる循環ユニット244に接続されている。循環ユニット244を作動させると、冷媒は、冷却流路218bの一端から他端に向かって流れ、テーブルベース218等が冷却される。
軸部222の下端には、モータ等の回転駆動ユニット246が連結されている。テーブルベース218及び静電チャックテーブル234は、この回転駆動ユニット246の回転力で回転する。回転駆動ユニット246には、制御ユニット248が接続されており、テーブルベース218及び静電チャックテーブル234の回転量(回転角度)は、この制御ユニット248で制御される。
静電チャックテーブル234の上方には、被加工物11に対してプラズマ(プラズマエッチングガス)を供給するノズルユニット250が配置されている。ノズルユニット250は、プラズマを噴射する円筒状の第1ノズル252を備えている。
第1ノズル252の上流端には、複数のガス供給源が並列に接続されている。具体的には、例えば、バルブ254a、流量コントローラー256a、バルブ258a等を介して、SF6を供給する第1ガス供給源260aが接続されており、バルブ254b、流量コントローラー256b、バルブ258b等を介して、O2を供給する第2ガス供給源260bが接続されており、バルブ254c、流量コントローラー256c、バルブ258c等を介して、不活性ガスを供給する第3ガス供給源260cが接続されている。
これにより、複数のガスが所望の流量比で混合された混合ガスを第1ノズル252に供給できる。第1ノズル252の中流部には、プラズマ生成用の電極262が配置されている。また、この電極262には、高周波電源264が接続されている。高周波電源264は、電極262に対して、例えば、0.5kV〜5kV、450kHz〜2.45GHz程度の高周波電圧を供給する。
プラズマの原料となる混合ガスを供給しながら、電極262に高周波電圧を供給すれば、混合ガスをラジカル化又はイオン化して、第1ノズル252の内部にプラズマを生成できる。生成されたプラズマは、第1ノズル252の下流端に形成された噴出口252aから噴出される。なお、ガス供給源の数やガスの種類は、被加工物11(ウェーハ13)の材質等に応じて任意に変更できる。また、各ガスの流量比は、プラズマを生成できる範囲で適切に設定される。
第1ノズル252の下流側を囲むように、第1ノズル252より径の大きい円筒状の第2ノズル266が配置されている。第2ノズル266の上流側は、内部に排気流路を備える排気ユニット268を介して排気ポンプ270に接続されている。一方、第2ノズル266の下流端は、第1ノズル252の噴出口252aよりも下方に位置しており、噴出口252aから噴出されたプラズマ等を外部に排出する排出口266aとなる。
蓋208には、第1ノズル252及び第2ノズル266を含むノズルユニット250を支持する支持ユニット272が設けられている。支持ユニット272は、蓋208に固定された円筒状の固定部材274を含んでいる。固定部材274の内側には、ノズルユニット250を固定する円柱状の回転部材276が配置されている。
回転部材276は、ラジアルベアリング278を介して固定部材274に連結されている。ラジアルベアリング278の処理空間側には、リップシール232と同様に構成されたリング状のリップシール280が設けられている。このリップシール280によって、処理空間の気密性を維持しながら回転部材276を回転させることができる。
回転部材276の上部には、円盤状の滑車部材282が固定されている。滑車部材282は、ベルト284を介してモータ等の回転駆動ユニット286に連結されている。回転部材276は、滑車部材282及びベルト284を介して伝達される回転駆動ユニット286の回転力で回転する。
回転駆動ユニット286には、制御ユニット288が接続されており、回転部材276の回転量(回転角度)は、制御ユニット288によって制御される。制御ユニット288によって回転部材276の回転量を制御することで、水平な円弧状の軌跡を描くようにノズルユニット250を揺動させることができる。
よって、上述した制御ユニット248で静電チャックテーブル234の回転量を制御し、制御ユニット288でノズルユニット250の位置を制御することで、被加工物11とノズルユニット250との位置関係を自在に調整できる。なお、ここでは、回転駆動ユニット246及び回転駆動ユニット286を異なる制御ユニット248及び制御ユニット288で制御しているが、回転駆動ユニット246及び回転駆動ユニット286を同じ制御ユニットで制御しても良い。
本体206の側壁206aの別の一部には、配管290が設けられている。この配管290は、バルブ(不図示)、流量コントローラー(不図示)等を介して、第3ガス供給源260cに接続されている。配管290を通じて第3ガス供給源260cから供給される不活性ガスは、真空チャンバ204の処理空間内を満たすインナーガスとなる。
このプラズマエッチング装置202を用いる目印凹部形成ステップは、次の手順で遂行される。まず、開閉ユニット212でゲート210を下降させる。次に、開口部206bを通じて被加工物11を真空チャンバ204の処理空間に搬入し、ドライエッチング(プラズマエッチング)によって加工されるウェーハ13の裏面13b側が上方に露出するように被加工物11(及び支持部材21)を静電チャックテーブル234の上面に載せる。
その後、吸引ポンプ242を作動させて、支持部材21の第2面21bを静電チャックテーブル234に密着させる。そして、電極238間に電位差を生じさせて、静電気で支持部材21を吸着する。これにより、被加工物11を静電チャックテーブル234で保持できる。また、開閉ユニット212でゲート210を上昇させて開口部206bを閉じ、排気ポンプ216で処理空間を排気、減圧する。
例えば、処理空間を200Pa程度まで減圧した後には、配管290を通じて第3ガス供給源260cから供給される不活性ガスで処理空間内を満たす。なお、処理空間内を満たすインナーガスとしては、Ar、He等の希ガスや、希ガスにN2、H2等を混合した混合ガス等を用いることができる。また、静電チャックテーブル234の回転量とノズルユニット250の位置とを制御して、被加工物11とノズルユニット250との位置関係を調整する。
図10は、ノズルユニット250から供給されるプラズマで被加工物11が加工される様子を模式的に示す一部断面側面図である。目印となる凹部を形成する外周縁近傍の領域(外周部分)にノズルユニット250を合せた後には、第1ガス供給源260a、第2ガス供給源260b、第3ガス供給源260cから、それぞれ、SF6、O2、不活性ガスを任意の流量で供給する。
また、電極262に高周波電圧を供給して、SF6、O2、不活性ガスの混合ガスをラジカル化又はイオン化する。これにより、第1ノズル252の噴出口252aからプラズマ(プラズマエッチングガス)Cを噴出させて、被加工物11を加工できる。噴出口252aから噴出されたプラズマCは、排出口266aを通じて排気ポンプ270に吸引され、処理空間の外部へと排出される。
図10に示すように、ノズルユニット250の下端に位置する排出口266aと、ウェーハ13の裏面13bとの距離は十分に小さくなっている。具体的には、例えば、0.1mm〜10mm、好ましくは、1mm〜2mmである。また、ノズルユニット250の外側の領域は、インナーガスD(不活性ガス)で満たされている。
そのため、噴出口252aから噴出されたプラズマCがノズルユニット250の外部に漏れ出して、ウェーハ13の意図しない部分を加工してしまうことはない。すなわち、ウェーハ13の任意の一部だけにプラズマCを供給して、選択的に加工できる。
また、このプラズマエッチング装置202では、静電チャックテーブル234とノズルユニット250との位置関係を、2種類の回転動作を組み合わせて制御している。そのため、例えば、静電チャックテーブル234とノズルユニット250との位置関係を直線動作によって制御する場合と比較して、処理空間の気密性の維持が容易になる。つまり、処理空間の気密性を適切に維持しながら、被加工物11とノズルユニット250との位置関係を調整できる。
図11(A)は、変形例に係る目印凹部形成ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す平面図であり、図11(B)は、変形例に係る目印凹部形成ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。このように形成される凹部13eに基づいて、ウェーハ13の結晶方位を認識できる。
なお、ウェーハ13の結晶方位を示す必要が無い場合には、上述した目印凹部形成ステップは省略されて良い。その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。