JPH08134667A - プラズマエッチング用陽極電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用陽極電極板Info
- Publication number
- JPH08134667A JPH08134667A JP34066694A JP34066694A JPH08134667A JP H08134667 A JPH08134667 A JP H08134667A JP 34066694 A JP34066694 A JP 34066694A JP 34066694 A JP34066694 A JP 34066694A JP H08134667 A JPH08134667 A JP H08134667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- plasma etching
- anode electrode
- chamfer
- chamfers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルが発生することのないプラズマ
エッチング用陽極電極板を提供する。 【構成】 厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられてい
るプラズマエッチング用陽極電極板２において、上記貫
通細孔５の開口端部に面取り８が形成されていることを
特徴とする。
エッチング用陽極電極板を提供する。 【構成】 厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられてい
るプラズマエッチング用陽極電極板２において、上記貫
通細孔５の開口端部に面取り８が形成されていることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマエッチング
装置の電極板、特に陽極電極板に関するものである。
装置の電極板、特に陽極電極板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造する際
に、Ｓｉウェハをエッチングする必要があるが、このＳ
ｉウェハをエッチングするための装置として、近年、プ
ラズマエッチング装置が用いられている。このプラズマ
エッチング装置は、図６に示されるように、真空容器１
内に陽極電極板２および陰極電極板３が間隔をおいて設
けられており、陰極電極板３の上にＳｉウェハ４を載置
し、エッチングガス７を陽極電極板２に設けられた貫通
細孔５を通してＳｉウェハ４に向って流しながら高周波
電源６により陽極電極板２と陰極電極板３の間に高周波
電圧を印加することができるようになっている。
に、Ｓｉウェハをエッチングする必要があるが、このＳ
ｉウェハをエッチングするための装置として、近年、プ
ラズマエッチング装置が用いられている。このプラズマ
エッチング装置は、図６に示されるように、真空容器１
内に陽極電極板２および陰極電極板３が間隔をおいて設
けられており、陰極電極板３の上にＳｉウェハ４を載置
し、エッチングガス７を陽極電極板２に設けられた貫通
細孔５を通してＳｉウェハ４に向って流しながら高周波
電源６により陽極電極板２と陰極電極板３の間に高周波
電圧を印加することができるようになっている。
【０００３】この高周波電圧の印加により、供給された
エッチングガス７は陽極電極板２と陰極電極板３の間の
空間でプラズマ１０となり、このプラズマ１０がＳｉウ
ェハに当ってＳｉウェハ４の表面がエッチングされる。
エッチングガス７は陽極電極板２と陰極電極板３の間の
空間でプラズマ１０となり、このプラズマ１０がＳｉウ
ェハに当ってＳｉウェハ４の表面がエッチングされる。
【０００４】陽極電極板２は、通常、カーボン、アモル
ファスカーボン、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコ
ンで作製されるが、近年、単結晶シリコンで構成された
上部電極板も提案されている（例えば、特開平５−２６
７２３５号公報参照）。この単結晶シリコンで構成され
た陽極電極板は、単結晶シリコン自体が熱伝導率が良好
であるために、電極板の各部を均一に冷却することがで
き、それによって被処理物のＳｉウェハを均一にエッチ
ングすることができるとされている。
ファスカーボン、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコ
ンで作製されるが、近年、単結晶シリコンで構成された
上部電極板も提案されている（例えば、特開平５−２６
７２３５号公報参照）。この単結晶シリコンで構成され
た陽極電極板は、単結晶シリコン自体が熱伝導率が良好
であるために、電極板の各部を均一に冷却することがで
き、それによって被処理物のＳｉウェハを均一にエッチ
ングすることができるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
各種材料で作製した陽極電極板を用いてＳｉウェハをプ
ラズマエッチングする場合、プラズマエッチング初期の
段階または陽極電極板交換直後にプラズマエッチングし
たＳｉウェハ表面には粒径：０．５μｍ以上のパーティ
クルが多数付着し、かかるパーティクルが多数付着した
Ｓｉウェハは不良品となり、この不良品となったＳｉウ
ェハは廃棄されるので歩留りが低下するなどの課題があ
った。
各種材料で作製した陽極電極板を用いてＳｉウェハをプ
ラズマエッチングする場合、プラズマエッチング初期の
段階または陽極電極板交換直後にプラズマエッチングし
たＳｉウェハ表面には粒径：０．５μｍ以上のパーティ
クルが多数付着し、かかるパーティクルが多数付着した
Ｓｉウェハは不良品となり、この不良品となったＳｉウ
ェハは廃棄されるので歩留りが低下するなどの課題があ
った。
【０００６】上記従来の陽極電極板を用いてプラズマエ
ッチングする場合、プラズマエッチング初期の段階また
は陽極電極板交換直後のプラズマエッチング時にパーテ
ィクルが発生する理由は下記の如く考えられる。
ッチングする場合、プラズマエッチング初期の段階また
は陽極電極板交換直後のプラズマエッチング時にパーテ
ィクルが発生する理由は下記の如く考えられる。
【０００７】すなわち、従来の陽極電極板は貫通細孔５
をドリル等で穴明けしてそのまま使用するところから、
図５（ａ）に示されるように、貫通細孔５の開口端部に
直角のエッヂ部１１が形成されており、この直角のエッ
ヂ部１１にはプラズマエッチング中に局所的に集電部分
１２が生成し、エッヂ部１１が図５（ｂ）に示されるよ
うに脱落してパーティクル１３となり、このパーティク
ル１３がＳｉウェハに付着してＳｉウェハの不良品が発
生するものと考えられる。
をドリル等で穴明けしてそのまま使用するところから、
図５（ａ）に示されるように、貫通細孔５の開口端部に
直角のエッヂ部１１が形成されており、この直角のエッ
ヂ部１１にはプラズマエッチング中に局所的に集電部分
１２が生成し、エッヂ部１１が図５（ｂ）に示されるよ
うに脱落してパーティクル１３となり、このパーティク
ル１３がＳｉウェハに付着してＳｉウェハの不良品が発
生するものと考えられる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
プラズマエッチング初期の段階または陽極電極板交換直
後のプラズマエッチング時のパーティクル発生によるＳ
ｉウェハ不良品発生を防止すべく研究を行った結果、 （ａ） 貫通細孔５の開口端部に平面で構成された面取
り（以下、この平面で構成された面取りを平面面取りと
いい、図面において符号８で示す）を形成した構造の陽
極電極板２を使用すると、プラズマエッチング初期の段
階または陽極電極板交換直後のプラズマエッチング時の
パーティクル発生を防止することができる。
プラズマエッチング初期の段階または陽極電極板交換直
後のプラズマエッチング時のパーティクル発生によるＳ
ｉウェハ不良品発生を防止すべく研究を行った結果、 （ａ） 貫通細孔５の開口端部に平面で構成された面取
り（以下、この平面で構成された面取りを平面面取りと
いい、図面において符号８で示す）を形成した構造の陽
極電極板２を使用すると、プラズマエッチング初期の段
階または陽極電極板交換直後のプラズマエッチング時の
パーティクル発生を防止することができる。
【０００９】（ｂ） 上記面取りは、図３に示されるよ
うな貫通細孔５の内面と陽極電極板２の表面が連続した
曲面で結ばれるように面取りされている方がパーティク
ルの発生防止には一層好ましい（以下、上記曲面で結ば
れるように面取りされた面取りを「曲面面取り」と言
い、図面において符号９で示す）。
うな貫通細孔５の内面と陽極電極板２の表面が連続した
曲面で結ばれるように面取りされている方がパーティク
ルの発生防止には一層好ましい（以下、上記曲面で結ば
れるように面取りされた面取りを「曲面面取り」と言
い、図面において符号９で示す）。
【００１０】（ｃ） 上記曲面面取り９の曲率半径は
０．１〜５mmの範囲内にあることが一層好ましい。
０．１〜５mmの範囲内にあることが一層好ましい。
【００１１】（ｄ） 上記平面面取り８または曲面面取
り９は、貫通細孔の両開口端部に形成してもよい、など
の知見を得たのである。
り９は、貫通細孔の両開口端部に形成してもよい、など
の知見を得たのである。
【００１２】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１） 厚さ方向に平行に貫通細孔が
設けられているプラズマエッチング用陽極電極板におい
て、上記貫通細孔の開口端部に面取りが形成されている
プラズマエッチング用陽極電極板、（２） 厚さ方向に
平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッチング用
陽極電極板において、上記貫通細孔の開口端部に平面面
取りまたは曲面面取りが形成されており、曲面面取りの
曲面の曲率半径は０．１〜５mmの範囲内にあるプラズマ
エッチング用陽極電極板、などに特徴を有するものであ
る。
たものであって、（１） 厚さ方向に平行に貫通細孔が
設けられているプラズマエッチング用陽極電極板におい
て、上記貫通細孔の開口端部に面取りが形成されている
プラズマエッチング用陽極電極板、（２） 厚さ方向に
平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッチング用
陽極電極板において、上記貫通細孔の開口端部に平面面
取りまたは曲面面取りが形成されており、曲面面取りの
曲面の曲率半径は０．１〜５mmの範囲内にあるプラズマ
エッチング用陽極電極板、などに特徴を有するものであ
る。
【００１３】この発明のプラズマエッチング用陽極電極
板の平面面取り８は図１のように陽極電極板２の貫通細
孔５の一端の開口端部に面取り８を形成するが、図２に
示されるように、貫通細孔５の両開口端部に形成しても
よい。
板の平面面取り８は図１のように陽極電極板２の貫通細
孔５の一端の開口端部に面取り８を形成するが、図２に
示されるように、貫通細孔５の両開口端部に形成しても
よい。
【００１４】また、この発明のプラズマエッチング用陽
極電極板の曲面面取りは図３に示すように陽極電極板２
の貫通細孔５の一端の開口端部に曲面面取り９を形成す
るが、図４に示されるように、貫通細孔５の両開口端部
に形成してもよい。
極電極板の曲面面取りは図３に示すように陽極電極板２
の貫通細孔５の一端の開口端部に曲面面取り９を形成す
るが、図４に示されるように、貫通細孔５の両開口端部
に形成してもよい。
【００１５】貫通細孔５の両開口端部に平面面取り８ま
たは曲面面取り９を形成した陽極電極板２は、プラズマ
エッチング装置にセットする時に表と裏を誤ってセット
することはない。したがって、この発明は、（３） 厚
さ方向に平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッ
チング用陽極電極板において、上記貫通細孔の両開口端
部に平面面取りが形成されているプラズマエッチング用
陽極電極板、（４） 厚さ方向に平行に貫通細孔が設け
られているプラズマエッチング用陽極電極板において、
上記貫通細孔の両開口端部に曲面面取りが形成されてい
るプラズマエッチング用陽極電極板、にも特徴を有する
ものである。
たは曲面面取り９を形成した陽極電極板２は、プラズマ
エッチング装置にセットする時に表と裏を誤ってセット
することはない。したがって、この発明は、（３） 厚
さ方向に平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッ
チング用陽極電極板において、上記貫通細孔の両開口端
部に平面面取りが形成されているプラズマエッチング用
陽極電極板、（４） 厚さ方向に平行に貫通細孔が設け
られているプラズマエッチング用陽極電極板において、
上記貫通細孔の両開口端部に曲面面取りが形成されてい
るプラズマエッチング用陽極電極板、にも特徴を有する
ものである。
【００１６】
実施例１ 直胴部の寸法が直径：３００mm、長さ：３００mmで全長
寸法が６００mmの無欠陥Ｓｉ単結晶インゴットを用意
し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚
さ：７mmに切断し、さらに研削加工して直径：２８０m
m、厚さ：５．５mmのＳｉ単結晶円板を作製した。
寸法が６００mmの無欠陥Ｓｉ単結晶インゴットを用意
し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚
さ：７mmに切断し、さらに研削加工して直径：２８０m
m、厚さ：５．５mmのＳｉ単結晶円板を作製した。
【００１７】次に、上記Ｓｉ単結晶円板に超音波加工に
より直径：０．４５mmの貫通細孔を５mm間隔で中心から
直径：１５０mmの円内に４５０個明け、さらにこの４５
０個の貫通細孔開口端部をダイヤモンド砥石によって研
削して平面面取りを形成し、さらにこの平面面取りを有
するＳｉ単結晶円板を沸酸、酢酸および硝酸の混合液に
所定時間浸漬して表面の加工変質層を除去し、本発明プ
ラズマエッチング用陽極電極板（以下、本発明電極板と
いう）１を作製した。
より直径：０．４５mmの貫通細孔を５mm間隔で中心から
直径：１５０mmの円内に４５０個明け、さらにこの４５
０個の貫通細孔開口端部をダイヤモンド砥石によって研
削して平面面取りを形成し、さらにこの平面面取りを有
するＳｉ単結晶円板を沸酸、酢酸および硝酸の混合液に
所定時間浸漬して表面の加工変質層を除去し、本発明プ
ラズマエッチング用陽極電極板（以下、本発明電極板と
いう）１を作製した。
【００１８】実施例２ 実施例１でＳｉ単結晶円板に穴明けした４５０個の貫通
細孔の開口端部にダイヤモンド砥石により表１に示され
る曲率半径（以下、Ｒという）の曲面面取りを形成し、
実施例１と同様にして表面の加工変質層を除去し、Ｒを
有する本発明電極板２〜１０を作製した。
細孔の開口端部にダイヤモンド砥石により表１に示され
る曲率半径（以下、Ｒという）の曲面面取りを形成し、
実施例１と同様にして表面の加工変質層を除去し、Ｒを
有する本発明電極板２〜１０を作製した。
【００１９】従来例１ 一方、比較のために、貫通細孔の開口端部を面取りしな
い従来プラズマエッチング用陽極電極板（以下、従来電
極板という）１を用意した。
い従来プラズマエッチング用陽極電極板（以下、従来電
極板という）１を用意した。
【００２０】上記本発明電極板１〜１０および従来電極
板１をそれぞれ図６に示されるようにプラズマエッチン
グ装置の陽極電極板２としてセットし、さらに陰極電極
板３の上に、Ｓｉ層を施した直径：２００mmのＳｉウェ
ハ４として載置し、真空容器１の真空度を１０-1Torrに
保持したのち、Ａｒ、ＣＨＦ3 およびＯ2 からなる通常
のエッチングガスを供給し、高周波電源により７００Ｗ
の高周波電力を印加してプラズマ１０を発生させ、本発
明電極板１〜１０および従来電極板１を用いたＳｉウェ
ハのプラズマエッチングを、それぞれの電極板について
１回づつ行ない、Ｓｉウェハ表面に付着した直径：０．
５μｍ以上のパーティクル数を測定し、その結果を表１
に示した。
板１をそれぞれ図６に示されるようにプラズマエッチン
グ装置の陽極電極板２としてセットし、さらに陰極電極
板３の上に、Ｓｉ層を施した直径：２００mmのＳｉウェ
ハ４として載置し、真空容器１の真空度を１０-1Torrに
保持したのち、Ａｒ、ＣＨＦ3 およびＯ2 からなる通常
のエッチングガスを供給し、高周波電源により７００Ｗ
の高周波電力を印加してプラズマ１０を発生させ、本発
明電極板１〜１０および従来電極板１を用いたＳｉウェ
ハのプラズマエッチングを、それぞれの電極板について
１回づつ行ない、Ｓｉウェハ表面に付着した直径：０．
５μｍ以上のパーティクル数を測定し、その結果を表１
に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示される結果から、貫通細孔の開口
端部に面取りを形成しない従来電極板１を用いてＳｉウ
ェハを初回のプラズマエッチングするとパーティクルが
４５０個付着していたのに対し、本発明電極板１〜１０
を用いてＳｉウェハを初回のプラズマエッチングしても
パーティクルの付着はないことがわかる。
端部に面取りを形成しない従来電極板１を用いてＳｉウ
ェハを初回のプラズマエッチングするとパーティクルが
４５０個付着していたのに対し、本発明電極板１〜１０
を用いてＳｉウェハを初回のプラズマエッチングしても
パーティクルの付着はないことがわかる。
【００２３】
【発明の効果】上述のように、この発明のプラズマエッ
チング用陽極電極板を用いてプラズマエッチングする
と、プラズマエッチング初期の段階または陽極電極板交
換直後であってもパーティクルの発生がなく、したがっ
てＳｉウェハのプラズマエッチングによる不良品発生も
なく、半導体装置産業の歩留りを大幅に改善することが
でき、産業の発展に大いに貢献しうるものである。
チング用陽極電極板を用いてプラズマエッチングする
と、プラズマエッチング初期の段階または陽極電極板交
換直後であってもパーティクルの発生がなく、したがっ
てＳｉウェハのプラズマエッチングによる不良品発生も
なく、半導体装置産業の歩留りを大幅に改善することが
でき、産業の発展に大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明のプラズマエッチング用陽極電極板の
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明のプラズマエッチング用陽極電極板の
断面図である。
断面図である。
【図３】この発明のプラズマエッチング用陽極電極板の
断面図である。
断面図である。
【図４】この発明のプラズマエッチング用陽極電極板の
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のプラズマエッチング用陽極電極板の課題
を説明するための断面説明図である。
を説明するための断面説明図である。
【図６】従来のプラズマエッチング装置の断面説明図で
ある。
ある。
１ 真空容器 ２ 陽極電極 ３ 陰極電極 ４ Ｓｉウェハ ５ 貫通細孔 ６ 高周波電源 ７ プラズマエッチングガス ８ 平面面取り ９ 曲面面取り １０ プラズマ １１ エッヂ部 １２ 集電部分 １３ パーティクル
Claims (5)
- 【請求項１】 厚さ方向に平行に貫通細孔が設けられて
いるプラズマエッチング用陽極電極板において、 上記貫通細孔の開口端部に面取りが形成されていること
を特徴とするプラズマエッチング用陽極電極板。 - 【請求項２】 上記面取りは、平面で構成された面取り
であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチ
ング用陽極電極板。 - 【請求項３】 上記面取りは、曲面で構成された面取り
であることを特徴とするプラズマエッチング用陽極電極
板。 - 【請求項４】 上記曲面で構成された面取りの曲面の曲
率半径は０．１〜５mmの範囲内にあることを特徴とする
請求項３記載のプラズマエッチング用陽極電極板。 - 【請求項５】 上記面取りは、貫通細孔の両開口端部に
形成されていることを特徴とする請求項１，２，３また
は４記載のプラズマエッチング用陽極電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34066694A JPH08134667A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | プラズマエッチング用陽極電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34066694A JPH08134667A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | プラズマエッチング用陽極電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08134667A true JPH08134667A (ja) | 1996-05-28 |
Family
ID=18339163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34066694A Pending JPH08134667A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | プラズマエッチング用陽極電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08134667A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236505A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sumitomo Sitix Corp | プラズマエッチング装置用シリコン電極 |
| JP2006245214A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
| JP2010045407A (ja) * | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
| JP2012060101A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2013084997A (ja) * | 2010-08-12 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2014150252A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP34066694A patent/JPH08134667A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236505A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sumitomo Sitix Corp | プラズマエッチング装置用シリコン電極 |
| JP2006245214A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
| TWI381439B (zh) * | 2005-03-02 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas supply structure and plasma processing device |
| JP2010045407A (ja) * | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
| JP2012060101A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2013084997A (ja) * | 2010-08-12 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2014150252A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200524833A (en) | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods | |
| JPH09213777A (ja) | 静電チャック | |
| JP4236292B2 (ja) | ウエハー吸着装置およびその製造方法 | |
| EP0803897B1 (en) | Electrode for plasma etching; apparatus and process using such electrode | |
| JP2004296912A (ja) | ウェハ支持基板 | |
| JP2001007053A (ja) | ダイシングブレード及び電子部品の製造方法 | |
| JPH08134667A (ja) | プラズマエッチング用陽極電極板 | |
| JP4045592B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JPH09129605A (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板 | |
| JP6398827B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 | |
| JP2001007090A (ja) | プラズマエッチング装置用フォーカスリング | |
| JPH11281307A (ja) | 電極板、電極板の製造方法およびその小径孔内壁表面粗さの測定方法 | |
| JPH11256370A (ja) | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JP2001102357A (ja) | プラズマエッチング用電極板およびその製造方法 | |
| JP2002170871A (ja) | 静電チャック | |
| JP4045591B2 (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
| JPH10223613A (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板の貫通細孔形成方法 | |
| JPH09245994A (ja) | プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法 | |
| JP4883368B2 (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 | |
| JPH10275802A (ja) | プラズマエッチング電極の製造方法 | |
| JP4117438B2 (ja) | パーティクル発生の少ないプラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JPH09321027A (ja) | プラズマエッチング用複合シリコン電極板 | |
| JPH10265976A (ja) | プラズマエッチング電極の製造法 | |
| JPH07273094A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
| JP2002170872A (ja) | 静電チャック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991109 |