JPH07273094A - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents

プラズマエッチング用電極板

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JPH07273094A
JPH07273094A JP6492694A JP6492694A JPH07273094A JP H07273094 A JPH07273094 A JP H07273094A JP 6492694 A JP6492694 A JP 6492694A JP 6492694 A JP6492694 A JP 6492694A JP H07273094 A JPH07273094 A JP H07273094A
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JP
Japan
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silicon
electrode plate
plasma etching
plasma
small
Prior art date
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Pending
Application number
JP6492694A
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English (en)
Inventor
Kojiro Ota
幸次郎 太田
Mitsuji Kamata
充志 鎌田
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング時にウエハ面に落下して付着する
粉末粒子の粒子数の少ないプラズマエッチング用電極板
を提供する。 【構成】 プラズマにより消耗する部位の表面平滑度が
Ｒｍａｘ１０μｍ以下であるシリコンからなるプラズマ
エッチング用電極板。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平行平板型プラズマエッ
チング用電極板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を得るためのプラズマエ
ッチング用電極板としては、アルミニウム、グラファイ
ト、ガラス状カーボン、石英、アルミナ焼結体等を用い
たものが一般的に知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラズマエッチング用
電極板に対する要求性能は一層高度になって来ており、
特にエッチング時にウエハ面に落下して付着する粒子数
が少ないものが要求されている。しかしながら上記の要
求を満足すべきものが得られないのが現状である。
【０００４】本発明は上記した要求を満足するプラズマ
エッチング用電極板を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマによ
り消耗する部位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下で
あるシリコンからなるプラズマエッチング用電極板に関
する。
【０００６】本発明において表面平滑度とはＪＩＳ−Ｂ
０６０１で定義する表面粗さのことである。またプラズ
マにより消耗する部位とは、ウエハと対向する面、その
反対側の面及び穿設された貫通小孔の内面である。この
部位の表面平滑度はＲｍａｘ×１０μｍ以下とされ、表
面平滑度がＲｍａｘ１０μｍを越えると、プラズマ化に
より発生したイオンの衝撃等によりその部位が消耗する
ときに、粗い表面の凸部が均一に消耗されないため、ウ
エハ面に付着する粉末粒子の数が多くなり好ましくな
い。
【０００７】表面平滑度はＲｍａｘが１０μｍ以下とさ
れるが、Ｒｚ（＋点平均粗さ）が９．１μｍ以下及びＲ
ａ（中心線表面粗さ）が１．０μｍ以下であればさらに
好ましい。上記の様な表面平滑度にするためには基材の
シリコンの表面をダイヤモンドラップ法、バフ研磨法等
により得られるが、本発明においてはこれらの方法に制
限されない。
【０００８】本発明のプラズマエッチング用電極板は次
の様にして得られる。即ち、高度に精製され、かつ所定
の表面平滑度に研磨したシリコンを用い、該シリコンを
所定形状に加工した後貫通小孔を加工して得られる。使
用するシリコンは単結晶及び多結晶のいずれでも良い。
また貫通小孔は超音波加工法で設けることが好ましいが
特に制限はない。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 実施例１〜５、比較例１〜３ ホウ素を含有した抵抗値が１０Ωcmで厚さが３mmのシリ
コン単結の平面に直径が０．８mmの貫通小孔を３mmのピ
ッチで多数穿設し、さらに表面を表１に示すような種々
の表面平滑度に研磨したプラズマエッチング用電極板を
製作した。
【００１０】次にこのプラズマエッチング用電極板をプ
ラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：トリフロ
ロメタン（ＣＨＦ3）、キャリアガス：アルゴン（Ａ
ｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周
波数：１３．５ＭＨｚの条件で径６インチのシリコンウ
エハの酸化膜エッチングを行った。このときシリコンウ
エハの表面に付着した０．３μｍ以上の粉末粒子数の個
数を数えた。この結果を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１からＲｍａｘが１０μｍを超える比較
例のプラズマエッチング用電極板を使用した場合は粒子
数が３２個以上と多いのに対し、Ｒｍａｘが１０μｍ以
下の本発明の実施例になるプラズマエッチング用電極板
を使用することにより粒子数は８個以下と小さくなり、
性能が顕著に改善されることが示される。
【００１３】
【発明の効果】本発明になるプラズマエッチング用電極
板は、エッチングの際に発生する有害な粉末粒子を大幅
に少なくすることができ、トラブルのない安定なエッチ
ング加工を行うことが可能なプラズマエッチング用電極
板である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマにより消耗する部位の表面平滑
    度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコンからなるプラ
    ズマエッチング用電極板。
JP6492694A 1994-04-01 1994-04-01 プラズマエッチング用電極板 Pending JPH07273094A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0817236A2 (en) * 1996-06-28 1998-01-07 Nisshinbo Industries, Inc. Plasma etching electrode and process for production thereof
JP2005303045A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Mitsubishi Materials Corp シリコン部材およびその製造方法

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