JPH1187319A - 傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 - Google Patents
傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板Info
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- JPH1187319A JPH1187319A JP24285397A JP24285397A JPH1187319A JP H1187319 A JPH1187319 A JP H1187319A JP 24285397 A JP24285397 A JP 24285397A JP 24285397 A JP24285397 A JP 24285397A JP H1187319 A JPH1187319 A JP H1187319A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも均一にエッチングを行うことがで
きるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板１
２の貫通細孔として、傾斜した傾斜貫通細孔５１を形成
する。
きるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板１
２の貫通細孔として、傾斜した傾斜貫通細孔５１を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、従来よりも均一
にエッチングを行うことができるプラズマエッチング用
シリコン電極板に関するものである。
にエッチングを行うことができるプラズマエッチング用
シリコン電極板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造する際
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするための装置として、近年、プラズマエ
ッチング装置が用いられている。このプラズマエッチン
グ装置は、例えば図３に示されるように、真空容器１内
に電極板２および架台３が間隔をおいて設けられてお
り、架台３の上にウエハ４を載置し、エッチングガス７
を電極板２に設けられた貫通細孔５を通してウエハ４に
向って流しながら高周波電源６により電極板２と架台３
の間に高周波電圧を印加することができるようになって
いる。
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするための装置として、近年、プラズマエ
ッチング装置が用いられている。このプラズマエッチン
グ装置は、例えば図３に示されるように、真空容器１内
に電極板２および架台３が間隔をおいて設けられてお
り、架台３の上にウエハ４を載置し、エッチングガス７
を電極板２に設けられた貫通細孔５を通してウエハ４に
向って流しながら高周波電源６により電極板２と架台３
の間に高周波電圧を印加することができるようになって
いる。
【０００３】この高周波電圧の印加により供給されたエ
ッチングガス７は電極板２と架台３の間の空間でプラズ
マ１０となり、このプラズマ１０がウエハ４に当ってウ
エハ４の表面がエッチングされる。このプラズマエッチ
ング装置で使用する電極板２として、図３に示されるよ
うな複数の貫通細孔５が電極板２の板厚方向に平行に並
んで形成されているシリコン電極板２が使用されてい
る。
ッチングガス７は電極板２と架台３の間の空間でプラズ
マ１０となり、このプラズマ１０がウエハ４に当ってウ
エハ４の表面がエッチングされる。このプラズマエッチ
ング装置で使用する電極板２として、図３に示されるよ
うな複数の貫通細孔５が電極板２の板厚方向に平行に並
んで形成されているシリコン電極板２が使用されてい
る。
【０００４】この貫通細孔５はシリコン電極板２の板厚
方向に平行に形成されており、この貫通細孔５は通常は
レーザ加工、放電加工、細い超硬ドリルまたはダイヤモ
ンドドリルなどにより成形される。このシリコン電極板
に形成される貫通細孔５は小径で数が多いほどエッチン
グガスの流れが定常流となって好ましいと言われてお
り、シリコン電極板に形成される貫通細孔５の直径は通
常０．０８〜０．９ｍｍの範囲内にあるとされている。
方向に平行に形成されており、この貫通細孔５は通常は
レーザ加工、放電加工、細い超硬ドリルまたはダイヤモ
ンドドリルなどにより成形される。このシリコン電極板
に形成される貫通細孔５は小径で数が多いほどエッチン
グガスの流れが定常流となって好ましいと言われてお
り、シリコン電極板に形成される貫通細孔５の直径は通
常０．０８〜０．９ｍｍの範囲内にあるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のシ
リコン電極板を用いてウエハをプラズマエッチングする
と、ウエハの場所によってエッチングの深さが異なり、
均一にウエハがエッチングされていないことが分かっ
た。
リコン電極板を用いてウエハをプラズマエッチングする
と、ウエハの場所によってエッチングの深さが異なり、
均一にウエハがエッチングされていないことが分かっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる観点から、従来よりも一層均一にプラズマエッチ
ングを行うことのできるシリコン電極板を開発すべく研
究を行った結果、（イ）円板状シリコン電極板の一方の
面から他方の面に向かって貫通するように設けられた貫
通細孔が、円板状シリコン電極板の一方の面から他方の
面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔であ
ると、エッチングの均一性が一層向上する、（ロ）前記
円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かっ
て半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔の傾斜角は５〜
６０°（好ましくは、３０〜４５°）の範囲内であるこ
とが好ましい、（ハ）前記円板状シリコン電極板の一方
の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾
斜貫通細孔は、傾斜角が中心部から外周部に行くにした
がって大きくなるように設けられており、最も外周に近
い貫通細孔の傾斜角が５〜６０°の範囲内にあることが
一層好ましい、という知見を得たのである。
かかる観点から、従来よりも一層均一にプラズマエッチ
ングを行うことのできるシリコン電極板を開発すべく研
究を行った結果、（イ）円板状シリコン電極板の一方の
面から他方の面に向かって貫通するように設けられた貫
通細孔が、円板状シリコン電極板の一方の面から他方の
面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔であ
ると、エッチングの均一性が一層向上する、（ロ）前記
円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かっ
て半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔の傾斜角は５〜
６０°（好ましくは、３０〜４５°）の範囲内であるこ
とが好ましい、（ハ）前記円板状シリコン電極板の一方
の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾
斜貫通細孔は、傾斜角が中心部から外周部に行くにした
がって大きくなるように設けられており、最も外周に近
い貫通細孔の傾斜角が５〜６０°の範囲内にあることが
一層好ましい、という知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）厚さのある円板状シリコン電極
板に一方の面から他方の面に向かって貫通する貫通細孔
が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板
において、中心の貫通細孔を除く前記貫通細孔は、いず
れも円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向
かって半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔を有するプ
ラズマエッチング用シリコン電極板、（２）前記円板状
シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かって半径
方向に傾斜している傾斜貫通細孔の傾斜角は５〜６０°
の範囲内の傾斜角を有する前記（１）記載の傾斜貫通細
孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板、
（３）前記傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部
に行くにしたがって大きくなるように設けられている前
記（１）記載の傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチン
グ用シリコン電極板、（４）前記円板状シリコン電極板
の一方の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜して
いる傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部に行く
にしたがって大きくなるように設けられており、かつ最
も外周に近い貫通細孔の傾斜角が５〜６０°の範囲内に
ある前記（３）記載の傾斜貫通細孔を有するプラズマエ
ッチング用シリコン電極板、に特徴を有するものであ
る。
たものであって、（１）厚さのある円板状シリコン電極
板に一方の面から他方の面に向かって貫通する貫通細孔
が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板
において、中心の貫通細孔を除く前記貫通細孔は、いず
れも円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向
かって半径方向に傾斜している傾斜貫通細孔を有するプ
ラズマエッチング用シリコン電極板、（２）前記円板状
シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かって半径
方向に傾斜している傾斜貫通細孔の傾斜角は５〜６０°
の範囲内の傾斜角を有する前記（１）記載の傾斜貫通細
孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板、
（３）前記傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部
に行くにしたがって大きくなるように設けられている前
記（１）記載の傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチン
グ用シリコン電極板、（４）前記円板状シリコン電極板
の一方の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜して
いる傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部に行く
にしたがって大きくなるように設けられており、かつ最
も外周に近い貫通細孔の傾斜角が５〜６０°の範囲内に
ある前記（３）記載の傾斜貫通細孔を有するプラズマエ
ッチング用シリコン電極板、に特徴を有するものであ
る。
【０００８】図１の断面図に示されるように、この発明
の円板状シリコン電極板２に一方の面から他方の面に向
かって貫通するように設けられた貫通細孔は、中心の貫
通細孔９を除いて、円板状シリコン電極板２の一方の面
から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫
通細孔５１であるとエッチングの均一性が向上する理由
として本発明者は次のように考えた。すなわち、従来の
プラズマエッチング用シリコン電極板には、図４の断面
図に示されるような複数の貫通細孔５が電極板２の板厚
方向に平行に並んで形成されており、このシリコン電極
板２にプラズマエッチングガス７を流すと、図４の断面
図に示されるように、隣の貫通細孔５´から流れでたプ
ラズマエッチングガス７´と激しくぶつかり、そこで大
きな乱流８が生じ、この大きなプラズマエッチングガス
の乱流がウエハのエッチングの均一性を損なうものであ
る。これに対し、この発明では図１の断面図に示される
ように、貫通細孔が円板状シリコン電極板２の一方の面
から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫
通細孔５１であるために、隣の傾斜貫通細孔５１´から
流れでたプラズマエッチングガス７´とのぶつかりが軽
減され、その分プラズマエッチングガスの乱流が少なく
なってエッチングの均一性が一層向上する。
の円板状シリコン電極板２に一方の面から他方の面に向
かって貫通するように設けられた貫通細孔は、中心の貫
通細孔９を除いて、円板状シリコン電極板２の一方の面
から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫
通細孔５１であるとエッチングの均一性が向上する理由
として本発明者は次のように考えた。すなわち、従来の
プラズマエッチング用シリコン電極板には、図４の断面
図に示されるような複数の貫通細孔５が電極板２の板厚
方向に平行に並んで形成されており、このシリコン電極
板２にプラズマエッチングガス７を流すと、図４の断面
図に示されるように、隣の貫通細孔５´から流れでたプ
ラズマエッチングガス７´と激しくぶつかり、そこで大
きな乱流８が生じ、この大きなプラズマエッチングガス
の乱流がウエハのエッチングの均一性を損なうものであ
る。これに対し、この発明では図１の断面図に示される
ように、貫通細孔が円板状シリコン電極板２の一方の面
から他方の面に向かって半径方向に傾斜している傾斜貫
通細孔５１であるために、隣の傾斜貫通細孔５１´から
流れでたプラズマエッチングガス７´とのぶつかりが軽
減され、その分プラズマエッチングガスの乱流が少なく
なってエッチングの均一性が一層向上する。
【０００９】さらに、この発明のプラズマエッチング用
シリコン電極板に設けられた傾斜貫通細孔５１は、図２
の断面図に示されるように、中心の貫通細孔９を除い
て、円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向
かって半径方向に傾斜しており、前記円板状シリコン電
極板の一方の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜
している傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部に
行くにしたがって大きくなるように設けられている（す
なわち、図２において傾斜角がθ4 ＞θ3 ＞θ2＞θ1
となるように設けられている）方が傾斜貫通細孔５１を
バランス良く形成することができ、エッチングの均一性
が一層向上する。
シリコン電極板に設けられた傾斜貫通細孔５１は、図２
の断面図に示されるように、中心の貫通細孔９を除い
て、円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向
かって半径方向に傾斜しており、前記円板状シリコン電
極板の一方の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜
している傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部に
行くにしたがって大きくなるように設けられている（す
なわち、図２において傾斜角がθ4 ＞θ3 ＞θ2＞θ1
となるように設けられている）方が傾斜貫通細孔５１を
バランス良く形成することができ、エッチングの均一性
が一層向上する。
【００１０】前記（１）および（２）の傾斜貫通細孔の
軸線の延長線は、中心の貫通細孔の軸線の延長線と交差
するように設けられていることが一層好ましく、さら
に、前記（３）および（４）の傾斜貫通細孔の軸線の延
長線は、中心の貫通細孔の軸線の延長線と１点で交差す
るように設けられていることが一層好ましい。
軸線の延長線は、中心の貫通細孔の軸線の延長線と交差
するように設けられていることが一層好ましく、さら
に、前記（３）および（４）の傾斜貫通細孔の軸線の延
長線は、中心の貫通細孔の軸線の延長線と１点で交差す
るように設けられていることが一層好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の貫通細孔の傾斜角を５
〜６０°の範囲内にすることが好ましいことは以下の実
施例から明らである。直胴部の直径：４００mm、全長：
１０００mmの無欠陥単結晶シリコンインゴットを用意
し、このインゴットをダイヤモンドハンドソーにより厚
さ：１０mmに輪切り切断し、輪切り切断した単結晶シリ
コン板を研削加工して、直径：３５０mm、板厚：８mmの
寸法を有するシリコン電極板を作製した。
〜６０°の範囲内にすることが好ましいことは以下の実
施例から明らである。直胴部の直径：４００mm、全長：
１０００mmの無欠陥単結晶シリコンインゴットを用意
し、このインゴットをダイヤモンドハンドソーにより厚
さ：１０mmに輪切り切断し、輪切り切断した単結晶シリ
コン板を研削加工して、直径：３５０mm、板厚：８mmの
寸法を有するシリコン電極板を作製した。
【００１２】実施例１ 前記シリコン電極板に直径：０．３ｍｍの貫通細孔を、
図１に示されるように、中心の貫通細孔９を除く貫通細
孔の傾斜角度が板厚方向に対して０°、５°、１０°、
１５°、２０°、２５°、３０°、３５°、４０°、４
５°、５０°、５５°、６０°、６５°または７０°の
貫通細孔を形成し、従来電極板１（傾斜角度：０°）、
本発明電極板１（傾斜角度：５°）、本発明電極板２
（傾斜角度：１０°）、本発明電極板３（傾斜角度：１
５°）、本発明電極板４（傾斜角度：２０°）、本発明
電極板５（傾斜角度：２５°）、本発明電極板６（傾斜
角度：３０°）、本発明電極板７（傾斜角度：３５
°）、本発明電極板８（傾斜角度：４０°）、本発明電
極板９（傾斜角度：４５°）、本発明電極板１０（傾斜
角度：５０°）、本発明電極板１１（傾斜角度：５５
°）、本発明電極板１２（傾斜角度：６０°）、比較電
極板１（傾斜角度：６５°）および比較電極板２（傾斜
角度：７０°）を作製した。なお、本発明電極板１〜１
２および比較電極板１〜２に設けられた全ての傾斜貫通
細孔の軸線の延長線は、本発明電極板１〜１２および比
較電極板１〜２の中心の貫通細孔の軸線の延長線と交差
するように設けられている。
図１に示されるように、中心の貫通細孔９を除く貫通細
孔の傾斜角度が板厚方向に対して０°、５°、１０°、
１５°、２０°、２５°、３０°、３５°、４０°、４
５°、５０°、５５°、６０°、６５°または７０°の
貫通細孔を形成し、従来電極板１（傾斜角度：０°）、
本発明電極板１（傾斜角度：５°）、本発明電極板２
（傾斜角度：１０°）、本発明電極板３（傾斜角度：１
５°）、本発明電極板４（傾斜角度：２０°）、本発明
電極板５（傾斜角度：２５°）、本発明電極板６（傾斜
角度：３０°）、本発明電極板７（傾斜角度：３５
°）、本発明電極板８（傾斜角度：４０°）、本発明電
極板９（傾斜角度：４５°）、本発明電極板１０（傾斜
角度：５０°）、本発明電極板１１（傾斜角度：５５
°）、本発明電極板１２（傾斜角度：６０°）、比較電
極板１（傾斜角度：６５°）および比較電極板２（傾斜
角度：７０°）を作製した。なお、本発明電極板１〜１
２および比較電極板１〜２に設けられた全ての傾斜貫通
細孔の軸線の延長線は、本発明電極板１〜１２および比
較電極板１〜２の中心の貫通細孔の軸線の延長線と交差
するように設けられている。
【００１３】これら本発明電極板１〜１２、比較電極板
１〜２および従来電極板１をプラズマエッチング装置に
セットし、 チャンバー内圧力：１０-1Torr、 ガス流量比：９０sccmＣＨＦ3 ＋４sccmＯ2 ＋１５０sc
cmＨｅ、 高周波電力：３００Ｗ、 エッチング時間：１．０min.、 の条件で、ＣＶＤによりＳｉＯ2 層を施した直径：１５
２mmのウエハをプラズマエッチングを行ない、ウエハの
エッチング均一性を測定し、その結果を表１に示した。
なお、ウエハのエッチング均一性は、ウエハの最も深く
エッチングされた所の深さ：Ａを測定し、さらに最も浅
くエッチングされた所の深さ：Ｂを測定し、このＡおよ
びＢの測定値を（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００（％）の式に代
入し求めた値である。
１〜２および従来電極板１をプラズマエッチング装置に
セットし、 チャンバー内圧力：１０-1Torr、 ガス流量比：９０sccmＣＨＦ3 ＋４sccmＯ2 ＋１５０sc
cmＨｅ、 高周波電力：３００Ｗ、 エッチング時間：１．０min.、 の条件で、ＣＶＤによりＳｉＯ2 層を施した直径：１５
２mmのウエハをプラズマエッチングを行ない、ウエハの
エッチング均一性を測定し、その結果を表１に示した。
なお、ウエハのエッチング均一性は、ウエハの最も深く
エッチングされた所の深さ：Ａを測定し、さらに最も浅
くエッチングされた所の深さ：Ｂを測定し、このＡおよ
びＢの測定値を（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００（％）の式に代
入し求めた値である。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例２ このシリコン電極板に直径：０．３ｍｍの貫通細孔を、
図２に示されるように、中心の貫通細孔９がシリコン電
極板の板厚方向に平行になるようにかつ外周に最も近い
傾斜貫通細孔５１の傾斜角度がシリコン電極板の板厚方
向に対して５°、１０°、１５°、２０°、２５°、３
０°、３５°、４０°、４５°、５０°、５５°、６０
°、６５°または７０°となるように形成し、さらに外
周部から中心部に向かって傾斜貫通細孔５１の傾斜角度
が順次減少するように形成することにより、本発明電極
板１３（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：５°）、
本発明電極板１４（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：１０°）、本発明電極板１５（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：１５°）、本発明電極板１６（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：２０°）、本発明電極板
１７（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：２５°）、
本発明電極板１８（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：３０°）、本発明電極板１９（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：３５°）、本発明電極板２０（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：４０°）、本発明電極板
２１（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：４５°）、
本発明電極板２２（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：５０°）、本発明電極板２３（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：５５°）、本発明電極板２４（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：６０°）、比較電極板３
（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：６５°）、比較
電極板４（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：７０
°）、を作製した。なお、本発明電極板１３〜２４およ
び比較電極板３〜４の全ての傾斜貫通細孔の軸線の延長
線は、本発明電極板１３〜２４および比較電極板３〜４
の中心の貫通細孔の軸線の延長線と１点でと交差するよ
うに設けられている。
図２に示されるように、中心の貫通細孔９がシリコン電
極板の板厚方向に平行になるようにかつ外周に最も近い
傾斜貫通細孔５１の傾斜角度がシリコン電極板の板厚方
向に対して５°、１０°、１５°、２０°、２５°、３
０°、３５°、４０°、４５°、５０°、５５°、６０
°、６５°または７０°となるように形成し、さらに外
周部から中心部に向かって傾斜貫通細孔５１の傾斜角度
が順次減少するように形成することにより、本発明電極
板１３（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：５°）、
本発明電極板１４（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：１０°）、本発明電極板１５（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：１５°）、本発明電極板１６（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：２０°）、本発明電極板
１７（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：２５°）、
本発明電極板１８（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：３０°）、本発明電極板１９（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：３５°）、本発明電極板２０（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：４０°）、本発明電極板
２１（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：４５°）、
本発明電極板２２（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角
度：５０°）、本発明電極板２３（最も外周に近い貫通
細孔の傾斜角度：５５°）、本発明電極板２４（最も外
周に近い貫通細孔の傾斜角度：６０°）、比較電極板３
（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：６５°）、比較
電極板４（最も外周に近い貫通細孔の傾斜角度：７０
°）、を作製した。なお、本発明電極板１３〜２４およ
び比較電極板３〜４の全ての傾斜貫通細孔の軸線の延長
線は、本発明電極板１３〜２４および比較電極板３〜４
の中心の貫通細孔の軸線の延長線と１点でと交差するよ
うに設けられている。
【００１６】これら本発明電極板１３〜２４および比較
電極板３〜４をプラズマエッチング装置にセットし、実
施例１と同じ条件でＣＶＤによりＳｉＯ2 層を施した直
径：１５２mmのウエハをプラズマエッチングを行ない、
実施例１と同様にしてウエハのエッチング均一性を測定
し、その結果を表２に示した。
電極板３〜４をプラズマエッチング装置にセットし、実
施例１と同じ条件でＣＶＤによりＳｉＯ2 層を施した直
径：１５２mmのウエハをプラズマエッチングを行ない、
実施例１と同様にしてウエハのエッチング均一性を測定
し、その結果を表２に示した。
【００１７】
【表２】
【００１８】表１および表２に示される結果から、傾斜
貫通孔を有する本発明電極板１〜２４を使用してウエハ
をプラズマエッチングすると、板厚方向に平行な貫通細
孔を有する従来電極板１を使用してウエハをプラズマエ
ッチングするよりも、ウエハのエッチングが均一になる
ことが分かる。しかし、傾斜貫通孔の傾斜角度が６０°
を越える比較電極板１〜４はかえってウエハのエッチン
グが不均一になることが分かる。なお、この実施例では
シリコン電極板を単結晶シリコンインゴットから作製し
たが、多結晶シリコンインゴットから作製したシリコン
電極板についても同じ結果が得られた。
貫通孔を有する本発明電極板１〜２４を使用してウエハ
をプラズマエッチングすると、板厚方向に平行な貫通細
孔を有する従来電極板１を使用してウエハをプラズマエ
ッチングするよりも、ウエハのエッチングが均一になる
ことが分かる。しかし、傾斜貫通孔の傾斜角度が６０°
を越える比較電極板１〜４はかえってウエハのエッチン
グが不均一になることが分かる。なお、この実施例では
シリコン電極板を単結晶シリコンインゴットから作製し
たが、多結晶シリコンインゴットから作製したシリコン
電極板についても同じ結果が得られた。
【００１９】
【発明の効果】上述のように、この発明の方法による
と、傾斜貫通孔を有するシリコン電極板を使用して従来
よりもウエハを均一にむらなくエッチングできるところ
から、プラズマエッチングによる半導体集積回路の不良
品発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発
展に大いに貢献しうるものである。
と、傾斜貫通孔を有するシリコン電極板を使用して従来
よりもウエハを均一にむらなくエッチングできるところ
から、プラズマエッチングによる半導体集積回路の不良
品発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発
展に大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明のシリコン電極板の傾斜貫通細孔を説
明するための断面説明図である。
明するための断面説明図である。
【図２】この発明のシリコン電極板の傾斜貫通細孔を説
明するための断面説明図である。
明するための断面説明図である。
【図３】プラズマエッチング装置の断面説明図である。
【図４】従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の
断面説明図である。
断面説明図である。
１ 真空容器 ２ 電極板 ３ 架台 ４ ウエハ ５ 貫通細孔 ５´ 貫通細孔 ６ 高周波電源 ７ プラズマエッチングガス ８ 乱流 ９ 中心の貫通細孔 １０ ブラズマ ５１ 傾斜貫通細孔 ５１´ 傾斜貫通細孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 納田 文男 東京都千代田区丸の内１−５−１ 三菱マ テリアル株式会社先端事業本部内 (72)発明者 三島 昭史 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内 (72)発明者 臂 利玄 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 厚さのある円板状シリコン電極板に一方
の面から他方の面に向かって貫通する貫通細孔が設けら
れているプラズマエッチング用シリコン電極板におい
て、 電極板中心の貫通細孔を除く前記貫通細孔は、いずれも
円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かっ
て半径方向に傾斜している貫通細孔であることを特徴と
する傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコ
ン電極板。 - 【請求項２】 前記円板状シリコン電極板の一方の面か
ら他方の面に向かって半径方向に傾斜している貫通細孔
の傾斜角は５〜６０°の範囲内の傾斜角を有することを
特徴とする請求項１記載の傾斜貫通細孔を有するプラズ
マエッチング用シリコン電極板。 - 【請求項３】 厚さのある円板状シリコン電極板に一方
の面から他方の面に向かって貫通する貫通細孔が設けら
れているプラズマエッチング用シリコン電極板におい
て、 電極板中心の貫通細孔を除く前記貫通細孔は、いずれも
円板状シリコン電極板の一方の面から他方の面に向かっ
て半径方向に傾斜しており、前記円板状シリコン電極板
の一方の面から他方の面に向かって半径方向に傾斜して
いる傾斜貫通細孔の傾斜角は、中心部から外周部に行く
にしたがって大きくなっていることを特徴とする傾斜貫
通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 【請求項４】 前記円板状シリコン電極板の一方の面か
ら他方の面に向かって半径方向に傾斜している貫通細孔
の傾斜角は、最も外周に近い貫通細孔の傾斜角が５〜６
０°の範囲内にあることを特徴とする請求項３記載の傾
斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24285397A JPH1187319A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24285397A JPH1187319A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187319A true JPH1187319A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17095255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24285397A Pending JPH1187319A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 傾斜貫通細孔を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187319A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005285846A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | プラズマエッチング装置のガス吹き出し板 |
| WO2010023925A1 (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法 |
| CN102420089A (zh) * | 2010-09-27 | 2012-04-18 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置 |
| JP2012256895A (ja) * | 2007-03-16 | 2012-12-27 | Sosul Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR101362814B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2014-02-21 | 참엔지니어링(주) | 플라즈마 처리 방법 |
| WO2014184055A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung einer falschlichtunterdrückenden struktur und vorrichtung mit derselben |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP24285397A patent/JPH1187319A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5100840B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2012-12-19 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法 |
| EP2333821A4 (en) * | 2008-09-01 | 2014-07-30 | Japan Science & Tech Agency | PLASMA METHOD, PLASMA COUNTER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A PHOTONIC CRYSTAL |
| US8986558B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-03-24 | Japan Science And Technology Agency | Plasma etching method, plasma etching device, and method for producing photonic crystal |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020618 |