JP2019009271A - プラズマ処理装置用電極板およびプラズマ処理装置用電極板の製造方法 - Google Patents
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この場合、拡張部が基材の表面からテーパ状に先細った形状とされているので、プラズマによって緻密炭化珪素層の第2貫通孔が消耗しても基材の第1貫通孔は確実に露出しにくくなる。よって、プラズマ処理装置の電極として長時間にわたって使用してもパーティクルがより発生しにくくなる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板は、例えば、半導体デバイス製造プロセスに使用されるプラズマエッチング装置やプラズマCVD装置等のプラズマ処理装置の真空チャンバー内に備えられる一対の電極のうちの上側電極として用いられるものである。
最大幅xが0.5mm未満であると、拡張部13の上に形成された緻密炭化珪素層14がプラズマの照射によって消耗して基材11が露出するまでの時間が短くなるおそれがある。一方、最大幅xが2.0mmを超えると、拡張部13が広くなりすぎて、拡張部13に緻密炭化珪素層14を均一に形成するのが難しくなり、緻密炭化珪素層14の厚みが不均一となるおそれがある。
最大幅x=(拡張部13の直径−第1貫通孔12の直径A)/2
深さyが0.5mm未満であると、拡張部13の上に形成された緻密炭化珪素層14がプラズマの照射によって消耗して基材11が露出するまでの時間が短くなるおそれがある。一方、深さyが2.0mmを超えると、拡張部13が深くなりすぎて、拡張部13に緻密炭化珪素層14を形成するのが難しくなり、拡張部13が露出しやすくなるおそれがある。
緻密炭化珪素層14の厚み(図2のt)は、0.1mm以上2.0mm以下の範囲にあることが好ましい。緻密炭化珪素層14の厚みがこの範囲にあると、プラズマの照射によって緻密炭化珪素層14が消耗して、拡張部13が露出するまでの時間を長くすることができ、プラズマ処理装置の電極としての使用時間を長くすることができる。
プラズマエッチング装置100は、図3に示すように、真空チャンバー30内の上側に本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板10(上側電極)が設けられるとともに、下側に上下動可能な架台(下側電極)20がプラズマ処理装置用電極板10と相互間隔をおいて平行に設けられる。この場合、上側のプラズマ処理装置用電極板10は絶縁体17により真空チャンバー30の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台20の上に、静電チャック21と、その周りを囲むシリコン製の支持リング22とが設けられており、静電チャック21上に支持リング22により周縁部を支持した状態でウェハ(被処理基板)40が載置されるようになっている。また、真空チャンバー30の上側には、エッチングガス供給管31が設けられ、このエッチングガス供給管31から送られてきたエッチングガスは、拡散部材32を経由した後、プラズマ処理装置用電極板10に設けられた通気孔16を通してウェハ40に向かって流され、真空チャンバー30の側部の排出口33から外部に排出される構成とされる。一方、プラズマ処理装置用電極板10と架台20との間には、高周波電源50により高周波電圧が印加されるようになっている。
本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板は、基材11を用意する基材用意工程と、基材11に緻密炭化珪素層を形成する緻密炭化珪素層形成工程と、緻密炭化珪素層に第2貫通孔を形成する第2貫通孔形成工程とを備えている。
まず、図4(a)に示すように、基材11の原料となる板状の炭化珪素焼結体11aを準備する。
板状の炭化珪素焼結体11aは、例えば、ホットプレスを用いて作製することができる。具体的には、SiC粉末もしくはSiC粉末と焼結助剤とを含む混合物を、成形型に充填し、ホットプレスを用いて加圧焼結することによって作製することができる。
すなわち、炭化珪素焼結体11aに対して、厚さ方向に貫通する第1貫通孔12と、第1貫通孔12の一方の端部(図4(b)では上側端部)に直径が第1貫通孔12よりも大きい拡張部13とを形成する。第1貫通孔12および拡張部13を形成する加工方法としては、レーザ加工を用いることができる。
緻密炭化珪素層形成工程では、図4(c)に示すように、基材11の拡張部13が形成されている側の表面に緻密炭化珪素層14を形成する。緻密炭化珪素層14は、拡張部13を含む基材11の表面全体に形成されている。緻密炭化珪素層14を形成方法としては、化学気相成長法(CVD法)を用いることができる。
第2貫通孔形成工程では、図4(d)に示すように、上記緻密炭化珪素層形成工程にて形成した緻密炭化珪素層14に、第1貫通孔12に接続する第2貫通孔15を形成する。これによって、プラズマ生成用ガスの通気孔16を有するプラズマ処理装置用電極板10が製造される。第2貫通孔15を形成する加工方法としては、レーザ加工を用いることができる。
例えば、本実施形態では、プラズマ処理装置用電極板10を円板状としたが、プラズマ処理装置用電極板10の形状には特には制限はなく、角板状としてもよい。
また、本実施形態では、基材11の拡張部13が基材11の表面からテーパ状に先細った形状としたが、拡張部13の形状は直径が前記第1貫通孔12よりも大きくされていれば特には制限はない。例えば、拡張部13は、基材11の表面から丸み帯びて先細った形状であってもよいし、基材11の表面から階段状に先細った形状であってもよい。
Y2O3粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:0.5μm)とSiC粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:0.6μm)とを用意した。用意したY2O3粉末とSiC粉末とを、質量比で1:99(Y2O3粉末:SiC粉末)の割合でボールミルを用いて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物を成形型に充填し、ホットプレスを用いて2000℃、40MPaの条件で加圧焼結した。得られた焼結体を研磨加工して、直径390mm、厚さ11mmの円板状のY2O3含有SiC焼結体を作製した。
第1貫通孔の直径、拡張部の最大幅xと深さy、およびCVD−SiC層の厚みを表1に記載の値としたこと以外は、本発明例1と同様にしてプラズマ処理装置用電極を製造した。
基材に拡張部を形成しなかったこと、第1貫通孔の直径とCVD−SiC層の厚みを表1に記載の値としたこと以外は、本発明例1と同様にしてプラズマ処理装置用電極を製造した。
本発明例1〜10および比較例1〜2で製造したプラズマ処理装置用電極板について、耐プラズマ性を、以下のようにして評価した。
本発明例1〜10および比較例1〜2で製造したプラズマ処理装置用電極板と、被処理対象物としてウェハ(直径:200mm)とを、図3に示したプラズマエッチング装置に装着して、以下の条件でプラズマエッチング処理を実施した。
チャンバー内圧力:10−1Torr
エッチングガス組成:90sccmCHF3+4sccmO2+150sccmHe
高周波電力:2kW
周波数:20kHz
11 基材
11a 炭化珪素焼結体
12 第1貫通孔
13 拡張部
14 緻密炭化珪素層
15 第2貫通孔
16 プラズマ生成用ガスの通気孔
17 絶縁体
18 冷却板
19 貫通孔
20 架台(下側電極)
21 静電チャック
22 支持リング
30 真空チャンバー
31 エッチングガス供給管
32 拡散部材
33 排出口
40 ウェハ(被処理基板)
50 高周波電源
100 プラズマエッチング装置
Claims (3)
- 板状の炭化珪素焼結体からなり、前記炭化珪素焼結体を厚さ方向に貫通する第1貫通孔と、前記第1貫通孔の少なくとも一方の端部に形成されている直径が前記第1貫通孔よりも大きい拡張部を有する基材と、
前記基材の前記拡張部が形成されている側の表面に形成されている緻密炭化珪素層と、
前記緻密炭化珪素層を厚さ方向に貫通し、前記第1貫通孔に接続する第2貫通孔と、
を有することを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。 - 前記拡張部は、前記基材の表面からテーパ状に先細った形状であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置用電極板。
- 板状の炭化珪素焼結体からなり、厚さ方向に貫通する第1貫通孔と、前記第1貫通孔の少なくとも一方の端部に形成されている直径が前記第1貫通孔よりも大きい拡張部とを有する基材を用意する工程と、
前記基材の前記拡張部が形成されている側の表面に化学気相成長法により、緻密炭化珪素層を形成する工程と、
前記緻密炭化珪素層に、前記第1貫通孔に接続する第2貫通孔を形成する工程と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板の製造方法。
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---|---|---|---|---|
WO2024024803A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 製造方法、および部品 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058510A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング電極板 |
JP2003051485A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 |
JP2003529926A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
JP2005285845A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | プラズマエッチング装置のガス吹き出し板 |
JP2010153531A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
US20130284373A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
JP2017503925A (ja) * | 2014-01-10 | 2017-02-02 | アイクストロン、エスイー | 重量の削減されたガス排出プレートを備えたcvd反応炉のガス注入素子 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058510A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング電極板 |
JP2003529926A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
JP2003051485A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 |
JP2005285845A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | プラズマエッチング装置のガス吹き出し板 |
JP2010153531A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
US20130284373A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
JP2017503925A (ja) * | 2014-01-10 | 2017-02-02 | アイクストロン、エスイー | 重量の削減されたガス排出プレートを備えたcvd反応炉のガス注入素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024024803A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 製造方法、および部品 |
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