JP4863082B2 - プラズマエッチング用シリコン電極板 - Google Patents

Description

この発明は、長時間プラズマエッチングを行ってもパーティクル発生が少なくかつ均一なエッチングを行うことの出来るプラズマエッチング用シリコン電極板に関するものである。

一般に、半導体集積回路を製造する際に、シリコンウエハ上に形成された層間絶縁膜をエッチングする必要があるが、この層間絶縁膜付きシリコンウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）をエッチングするためにプラズマエッチング用シリコン電極板が使用されている。そのプラズマエッチング用シリコン電極板９は、図８の一部断面概略説明図に示されるように、単結晶シリコン、多結晶シリコン、または一方向凝固組織を有する柱状晶シリコンからなるシリコン電極基板１１の厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられた構造を有している。このプラズマエッチング用シリコン電極板９は真空容器（図示せず）内のほぼ中央に固定し、一方、架台６の上にウエハ４を載置し、エッチングガス７を貫通細孔５を通してウエハ４に向って流しながら高周波電圧を印加することによりシリコン電極基板１とウエハ４の間にプラズマ８を発生させ、このプラズマ８がウエハ４に作用させてウエハ４の表面をエッチングするようになっている。

かかるウエハ４のプラズマエッチング操作を長時間行うと、プラズマエッチング用シリコン電極板９も同時にエッチングされ、特にシリコン電極基板１１の厚さ方向に平行に設けられている貫通細孔５は、その一部断面説明図である図９に示されるように、プラズマに接する面の貫通細孔５が下広がりになるように拡大消耗し、さらに、その消耗の程度もプラズマの濃度差によって差が生じ、プラズマ濃度の最も高い中心部に位置する貫通細孔は周辺部に位置する貫通細孔に比べて消耗が激しく、そのためにウエハ４の表面のエッチングレートが中心部と周辺部とで不均一になる。この現象は、長時間プラズマエッチングを行うほどエッチングレートの不均一性が顕著になり、特に、プラズマ８の密度を均一に保持しウエハ４のエッチングレートを均一に保つことが要求されるような場合には、一枚のプラズマエッチング用シリコン電極板９を使用する時間が極めて短く限定されており、プラズマエッチング用シリコン電極板９の消耗量が少ないにもかかわらず早期に交換しなければならない。そして交換したプラズマエッチング用シリコン電極板９はスクラップとなるために無駄な使い方がなされている。

これを解決するために、図５の断面図に示されるように、ガス穴パーツ挿入開口２を有するシリコン電極基板１を作製し、このガス穴パーツ挿入開口２にシリコンに比べて消耗の少ない炭化珪素（ＳｉＣ）からなる貫通細孔５を有するガス穴パーツ３をはめ込んで作製した図４の断面図に示されるプラズマエッチング用シリコン電極板１０が提供されている。このプラズマエッチング用シリコン電極板１０は、これを用いてウエハをエッチングすると、シリコンに比べて格段に消耗の少ない炭化珪素からなるガス穴パーツ３の貫通細孔５は拡大消耗することが極めて少なく、そのために長時間プラズマエッチングしてもエッチングレートの均一性が確保されるとされている。このシリコン電極基板１に設けられているガス穴パーツ挿入開口２は図５に示されるように大径穴部２１と小径穴部２２を有し、一方、ガス穴パーツ３は大径部３１、小径部３２および貫通細孔５を有しており、この貫通細孔５を有するガス穴パーツ３をガス穴パーツ挿入開口２にはめ込むと、ガス穴パーツ３の大径部３１はガス穴パーツ挿入開口２の大径穴部２１に嵌合し、ガス穴パーツ３の小径部３２はガス穴パーツ挿入開口２の小径穴部２２に嵌合するようになっており、プラズマエッチング用シリコン電極板をプラズマエッチング装置に装着した場合に、ガス穴パーツ３が脱落しないようになっている。

また、図６に示されるように、シリコン電極基板１に設けられたガス穴パーツ挿入開口２は上広がりテーパを有しており、このテーパを有するガス穴パーツ挿入開口２に、ガス穴パーツ挿入開口２とは逆のテーパを有する炭化珪素からなるガス穴パーツを嵌合させたものも知られている（特許文献１参照）。
特開２００４−７９９５９号公報

確かに貫通細孔５を有する炭化珪素からなるガス穴パーツ３をシリコン電極基板１に嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板１０は、これを用いてウエハをプラズマエッチングすると、炭化珪素からなるガス穴パーツの貫通細孔５は拡大消耗することが極めて少ないために長時間プラズマエッチングしてもエッチングの均一性が確保される。しかし、図７の一部断面図に示されるように、長時間スパッタリングすると、炭化珪素からなるガス穴パーツ３をシリコン電極基板１に嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板１０は、シリコン電極基板１の消耗が大きく、一方、炭化珪素からなるガス穴パーツの消耗が少ないところから、ガス穴パーツ３の先端１２がシリコン電極基板１の下面から突出するようにシリコン電極基板１が消耗する。かかるガス穴パーツ３の先端１２がシリコン電極基板１の下面から突出するように消耗すると、先端１２とシリコン電極基板１との間に段差が形成され、この段差から異常放電が発生し、これが原因でパーティクルが多く発生し、従来の炭化珪素からなるガス穴パーツ３をシリコン電極基板１に嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板１０は、長時間使用するとパーティクルが多く発生するようになることから、あまり長時間使用することができない。

そこで、本発明者らは長時間プラズマエッチングを行ってもパーティクルの発生が少なくかつ均一なエッチングを行うことの出来るプラズマエッチング用シリコン電極板を得るべく研究を行った。その結果、
（イ）従来の炭化珪素からなるガス穴パーツに換えて、図１の断面図に示されるように、シリコン電極基板１の比抵抗よりも大きなシリコンからなるガス穴パーツ３３を嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板１０は、シリコン電極基板１の比抵抗よりも大きなシリコンからなるガス穴パーツ３３の消耗速度がシリコン電極基板１の消耗速度に比べて格段に大きな差がなく、したがって、従来の炭化珪素からなるガス穴パーツ３をシリコン電極基板１に嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板１０に比べてガス穴パーツ３とシリコン電極基板１との間に生じる段差が小さく、したがって、長時間プラズマエッチングしてもパーティクルの発生が少なくなり、またシリコン電極基板１の比抵抗よりも大きなシリコンからなるガス穴パーツ３３の貫通細孔５の下広がりに拡大消耗することが少なくなって、エッチングの均一性が改善される、
（ロ）シリコン電極基板１の比抵抗をρとすると、ガス穴パーツの比抵抗ρ´は１．１ρ≦ρ´≦１．５ρの範囲内にあることが一層好ましい、などの研究結果が得られたのである。

この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、
（１）ガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板のガス穴パーツ挿入開口に、前記シリコン電極基板よりも高比抵抗を有するシリコンからなる貫通細孔を有するガス穴パーツをはめ込んでなるプラズマエッチング用シリコン電極板、
（２）前記ガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板の比抵抗値をρ、前記貫通細孔を有するガス穴パーツの比抵抗値をρ´とすると、１．１ρ≦ρ´≦１．５ρの関係を有する前記（１）記載のプラズマエッチング用シリコン電極板、に特徴を有するものである。

前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツは主に単結晶シリコンから作られるが、単結晶シリコンのほかに多結晶シリコンまたは一方向凝固組織を有する柱状晶シリコンからなることがある。したがって、この発明は、
（３）前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも単結晶シリコンからなる前記（１）または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板、
（４）前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも多結晶シリコンからなる前記（１）または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板、
（５）前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも一方向凝固組織を有する柱状晶シリコンからなる前記（１）または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板、に特徴を有するものである。

この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板は、貫通細孔を有するガス穴パーツの比抵抗値がガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板の比抵抗値よりも大であればよいが、ガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板の比抵抗値をρとし、前記貫通細孔を有するガス穴パーツの比抵抗値をρ´とした場合、１．１ρ≦ρ´≦１．５ρの関係を有することが一層好ましい。その理由は、ρ´が１．１ρよりも小さいと貫通細孔周辺の消耗を抑制する効果が十分でなく、従来の通常のシリコンで極板と同様にウエハのエッチングレートの不均一化が短期間で発生するようになるからであり、一方、ρ´が１．５ρよりも大きくなると、ガス穴パーツとシリコン電極基板の消耗速度が大きくなって炭化珪素製ガス穴パーツと同様に大きな段差が生じ、パーティクルの発生が多くなるので好ましくないからである。

図１の断面図に示されるこの発明のプラズマエッチング用シリコン電極板は、図３の断面図に示されるように、まず、大径穴部２１と小径穴部２２を有するガス穴パーツ挿入開口２を形成したシリコン電極基板１を作製し、さらにシリコン電極基板１よりも比抵抗値が大きくかつ大径部３１、小径部３２および貫通細孔５を有するガス穴パーツ３を作製し、この貫通細孔５を有するガス穴パーツ３をガス穴パーツ挿入開口２にはめ込むと、ガス穴パーツ３の大径部３１はガス穴パーツ挿入開口２の大径穴部２１に嵌合し、ガス穴パーツ３の小径部３２はガス穴パーツ挿入開口２の小径穴部２２に嵌合させて作製する。
また、この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板は、図２の断面図に示されるように、シリコン電極基板１に設けられたガス穴パーツ挿入開口２は上広がりテーパを有しており、このテーパを有するガス穴パーツ挿入開口２に、ガス穴パーツ挿入開口２とは逆のテーパを有するシリコン電極基板１の比抵抗よりも大きな比抵抗を有するシリコンからなるガス穴パーツ３４からなるガス穴パーツを嵌合させたものも含まれる。

この発明のス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板のガス穴パーツ挿入開口に前記シリコン電極基板よりも高比抵抗を有するシリコンからなる貫通細孔を有するガス穴パーツをはめ込んでなるプラズマエッチング用シリコン電極板は、長期間使用しても従来の通常のシリコンで極板のように短期間でウエハのエッチングレートの不均一化が発生することはなく、さらに炭化珪素からなるガス穴パーツをシリコン電極基板に嵌め込んで作製したプラズマエッチング用シリコン電極板に比べてパーティクルの発生が多くなることはないなど優れた作用効果を奏するものである。

実施例１
比抵抗：７５Ω・ｃｍの直径：３００ｍｍの単結晶シリコンインゴットを用意し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚さ：６ｍｍに輪切り切断し、直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍを有する寸法の単結晶シリコン電極基板を作製した。この単結晶シリコン電極基板に、図３に示されるように、直径：４ｍｍの大径穴部２１と直径：２ｍｍの小径穴部２２のからなるガス穴パーツ挿入開口２を形成した。

さらに、先の単結晶シリコン電極基板よりも大きな比抵抗：９０Ω・ｃｍを有する単結晶シリコンインゴットから直径：４ｍｍの大径部３１と直径：２ｍｍの小径部３２を有するガス穴パーツを切り出し、このガス穴パーツに直径：０．５ｍｍの貫通細孔５を形成して単結晶シリコンからなるガス穴パーツ３３を作製した。このガス穴パーツ３３をガス穴パーツ挿入開口２にはめ込むことにより本発明プラズマエッチング用シリコン電極板（以下、本発明電極板という）１を作製した。

さらに、平均粒径：５μｍを有する炭化ケイ素粉末を燒結することにより直径：４ｍｍの大径部３１と直径：２ｍｍの小径部３２を有する焼結体を作製し、この焼結体に直径：０．５ｍｍの貫通細孔ガス穴５を形成して炭化ケイ素からなるガス穴パーツ３を作製し、このガス穴パーツ３をガス穴部開口部２にはめ込むことにより従来プラズマエッチング用シリコン電極板（以下、従来電極板という）１を作製した。
さらに、先に作製した直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する単結晶シリコン電極基板に直径：０．５ｍｍの貫通細孔ガス穴を８ｍｍ間隔で形成することにより従来電極板２を作製した。
さらに、予めＣＶＤ法によりＳｉＯ₂ 層を表面に形成した直径：２００ｍｍのウエハを用意した。

この本発明電極板１および従来電極板１〜２をそれぞれプラズマエッチング装置にセットし、さらにＳｉＯ₂ 層を形成したウエハをプラズマエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力：１０^-1Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ₃ ＋４sccmＯ₂ ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、ウエハ表面のＳｉＯ₂ 層のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始直後、エッチング開始から５００時間経過後および７００時間経過後のそれぞれの時点で発生したパーティクルの数を数え、その結果を表１に示した。さらに、ウエハを縦横２０ｍｍ間隔で区切り、各エリアのエッチング量を測定し、最も深くエッチングされた中心部の深さ：Ａおよび最も浅くエッチングされた周辺部の深さ：Ｂを選択し、このＡおよびＢの測定値を（Ａ−Ｂ）／Ｂ×１００（％）の式に代入し求めた値（以下、エッチングレート差という）を表１に示し、ウエハのプラズマエッチングの均一性を評価した。

表１に示される本発明電極板１を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果と従来電極板１〜２を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果を比較すると、
（ａ）本発明電極板１を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングは従来電極板１を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差に比べてその値が小さいところから、本発明電極板１および従来電極板１は共に長期間エッチングレート差を均一に保つことができるが、本発明電極板１は従来電極板１に比べて長時間スパッタリングしてもパーティクルの発生数が少ないことがわかる、
（ｂ）また、本発明電極板１は従来電極板２と同様にパーティクルの発生が少ないが、本発明電極板１は従来電極板２に比べて５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差が小さいところから、本発明電極板１は従来電極板１に比べて長期間エッチングレート差を均一に保つことができることがわかる。

実施例２
溶融・凝固法により直径：３００ｍｍを有する比抵抗：２Ω・ｃｍの多結晶シリコンインゴットを作製し、このシリコンインゴットをダイヤモンドバンドソーにより切断したのち、研削加工およびポリッシング加工を施して直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍを有する寸法の多結晶シリコン電極基板を作製し、この多結晶シリコン電極基板に、図３に示される直径：４ｍｍの大径穴部２１と直径：２ｍｍの小径穴部２２のからなるガス穴パーツ挿入開口２を形成した。

さらに、先の多結晶シリコン電極基板よりも大きな比抵抗：３Ω・ｃｍを有する多結晶シリコンインゴットから直径：４ｍｍの大径部３１と直径：２ｍｍの小径部３２を有するガス穴パーツを切り出し、このガス穴パーツに直径：０．５ｍｍの貫通細孔５を形成して多結晶シリコンからなるガス穴パーツ３３を作製した。このガス穴パーツ３をガス穴パーツ挿入開口２にはめ込むことにより本発明電極板２を作製した。

さらに、実施例１で作製した炭化ケイ素からなるガス穴パーツ３を直径：４ｍｍの大径穴部２１と直径：２ｍｍの小径穴部２２からなるガス穴パーツ挿入開口２を形成した多結晶シリコン電極基板のガス穴パーツ挿入開口２に挿入することにより従来電極板３を作製した。
さらに、先に作製した直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する多結晶シリコン電極基板に直径：０．５ｍｍの貫通細孔を１０ｍｍ間隔で形成することにより従来電極板４を作製した。
さらに、予めＣＶＤ法によりＳｉＯ₂ 層を表面に形成した直径：２００ｍｍのウエハを用意した。

この本発明電極板２および従来電極板３〜４をそれぞれプラズマエッチング装置にセットし、さらにＳｉＯ₂ 層を形成したウエハをプラズマエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力：１０^-1Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ₃ ＋４sccmＯ₂ ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、ウエハ表面のＳｉＯ₂ 層のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始直後、エッチング開始からエッチング開始から５００時間経過後および７００時間経過後のそれぞれの時点で発生したパーティクルの数を数え、その結果を表２に示した。
さらに実施例１と同様にしてエッチングレート差を求め、その結果を表２に示し、ウエハのプラズマエッチングの均一性を評価した。

表２に示される本発明電極板２を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果と従来電極板３〜４を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果を比較すると、
（ｃ）本発明電極板２を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差は従来電極板３を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差に比べてその値が小さいところから、本発明電極板２および従来電極板３は共に長期間エッチングレート差を均一に保つことができるが、本発明電極板２は従来電極板３に比べて長時間スパッタリングしてもパーティクルの発生数が少ないことがわかる、
（ｄ）また、本発明電極板２は従来電極板４と同様にパーティクルの発生が少ないが、本発明電極板２は従来電極板４に比べて５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差が小さいところから、本発明電極板２は従来電極板４に比べて長期間エッチングレート差を均一に保つことができることがわかる。

実施例３
比抵抗：２Ω・ｃｍを有する直径：３００ｍｍの柱状晶シリコンインゴットを用意し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚さ：６ｍｍに輪切り切断し、直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍを有する寸法の柱状晶シリコン電極基板を作製し、この柱状晶シリコン電極基板に、図３に示される直径：４ｍｍの大径穴部２１と直径：２ｍｍの小径穴部２２のからなるガス穴パーツ挿入開口２を形成した。
さらに、先の柱状晶シリコン電極基板よりも大きな比抵抗：３Ω・ｃｍを有する柱状晶シリコンインゴットから直径：４ｍｍの大径部３１と直径：２ｍｍの小径部３２を有するガス穴パーツを切り出し、このガス穴パーツに直径：０．５ｍｍの貫通細孔５を形成して柱状晶シリコンからなるガス穴パーツ３３を作製した。このガス穴パーツ３をガス穴パーツ挿入開口２にはめ込むことにより本発明電極板３を作製した。

さらに、実施例１で作製した炭化ケイ素からなるガス穴パーツ３を直径：４ｍｍの大径穴部２１と直径：２ｍｍの小径穴部２２からなるガス穴パーツ挿入開口２を形成した柱状晶シリコン電極基板のガス穴パーツ挿入開口２に挿入することにより従来電極板５を作製した。

さらに、先に作製した直径：２８０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する柱状晶シリコン電極基板に直径：０．５ｍｍの貫通細孔を１０ｍｍ間隔で形成することにより従来電極板６を作製した。
さらに、予めＣＶＤ法によりＳｉＯ₂ 層を表面に形成した直径：２００ｍｍのウエハを用意した。

この本発明電極板３および従来電極板５〜６をそれぞれプラズマエッチング装置にセットし、さらにＳｉＯ₂ 層を形成したウエハをプラズマエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力：１０^-1Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ₃ ＋４sccmＯ₂ ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、ウエハ表面のＳｉＯ₂ 層のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始直後、エッチング開始から５００時間経過後、７００時間経過後のそれぞれの時点で発生したパーティクルの数を数え、その結果を表３に示した。
さらに実施例１と同様にしてエッチングレート差を求め、その結果を表３に示し、ウエハのエッチングの均一性を評価した。

表３に示される本発明電極板３を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果と従来電極板５〜６を使用してウエハ表面のＳｉＯ₂ 層をプラズマエッチングした結果を比較すると、
（ｅ）本発明電極板３を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差は従来電極板５を使用して５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差に比べてその値が小さいところから、本発明電極板３および従来電極板５は共に長期間エッチングレート差を均一に保つことができるが、本発明電極板３は従来電極板５に比べて長時間スパッタリングしてもパーティクルの発生数が少ないことがわかる、
（ｆ）また、本発明電極板３は従来電極板６と同様にパーティクルの発生が少ないが、本発明電極板３は従来電極板６に比べて５００時間および７００時間プラズマエッチングした場合のエッチングレート差が小さいところから、本発明電極板３は従来電極板６に比べて長期間エッチングレート差を均一に保つことができることがわかる。

この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板を説明するための断面説明図である。 この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板を説明するための断面説明図である。 図１のこの発明のプラズマエッチング用シリコン電極板の製造方法を説明するための断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用シリコン電極板を説明するための断面説明図である。 図４の従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の製造方法を説明するための断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用シリコン電極板を説明するための断面説明図である。 図４の従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の貫通細孔における消耗状態を説明するための断面説明図である。 従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の使用状態を説明するための一部断面概略説明図である。 従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の貫通細孔ガス穴における消耗状態を説明するための断面説明図である。

符号の説明

１：シリコン電極基板、２：ガス穴パーツ挿入開口、２１：大径穴部、２２：小径穴部、３：ガス穴パーツ、３０：ガス穴パーツ、３３：ガス穴パーツ、３４：ガス穴パーツ、４：ウエハ、５：貫通細孔、６：架台、７：エッチングガス、８：プラズマ、９：従来のプラズマエッチング用シリコン電極板、１０：従来のプラズマエッチング用シリコン電極板、１１：シリコン電極基板、１２：先端、

Claims (5)

1. ガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板のガス穴パーツ挿入開口に、前記シリコン電極基板よりも高比抵抗を有するシリコンからなる貫通細孔を有するガス穴パーツをはめ込んでなることを特徴とするプラズマエッチング用シリコン電極板。
2. 前記ガス穴パーツ挿入開口を設けたシリコン電極基板の比抵抗値をρ、前記貫通細孔を有するガス穴パーツの比抵抗値をρ´とすると、１．１ρ≦ρ´≦１．５ρの関係を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング用シリコン電極板。
3. 前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板。
4. 前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板。
5. 前記ガス穴パーツ挿入開口を有するシリコン電極基板および貫通細孔を有するガス穴パーツはいずれも一方向凝固組織を有する柱状晶シリコンからなることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマエッチング用シリコン電極板。

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