JPH09289195A - プラズマエッチング電極 - Google Patents
プラズマエッチング電極Info
- Publication number
- JPH09289195A JPH09289195A JP12407296A JP12407296A JPH09289195A JP H09289195 A JPH09289195 A JP H09289195A JP 12407296 A JP12407296 A JP 12407296A JP 12407296 A JP12407296 A JP 12407296A JP H09289195 A JPH09289195 A JP H09289195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma etching
- plasma
- holes
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダストの発生を抑制したプラズマエッチング
電極を得る。 【解決手段】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔
（２）を形成してなるプラズマエッチング電極（１）の
上記貫通孔（２）の内面の表面粗さをＲａ８〜０．００
１μｍとする。
電極を得る。 【解決手段】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔
（２）を形成してなるプラズマエッチング電極（１）の
上記貫通孔（２）の内面の表面粗さをＲａ８〜０．００
１μｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩやＩＣなど
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチングに用いられる電極に関す
る。
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチングに用いられる電極に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近に
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度化技術の
進展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成
することのできるプラズマエッチング技術の重要性が高
まっている。
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度化技術の
進展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成
することのできるプラズマエッチング技術の重要性が高
まっている。
【０００３】この場合、このプラズマエッチングで用い
る電極は、アルミニウム、グラファイト、ガラス状カー
ボン、金属シリコン、石英などにより形成されている
が、エッチング時に電極がプラズマによって侵食、消耗
せしめられ、この際ウエハ表面上に電極からのダストが
多数付着するという問題があった。
る電極は、アルミニウム、グラファイト、ガラス状カー
ボン、金属シリコン、石英などにより形成されている
が、エッチング時に電極がプラズマによって侵食、消耗
せしめられ、この際ウエハ表面上に電極からのダストが
多数付着するという問題があった。
【０００４】このような問題を解決するため、特開平７
−２７３０９４号公報には、プラズマにより消耗する部
位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコン
からなるプラズマエッチング用電極板が提案されてい
る。しかしながら、本発明者の検討によれば、ウエハ上
に微細なパターンを高精度に形成するには、なお十分で
はなく、更に電極からのダストをより確実に減少するこ
とが望まれる。
−２７３０９４号公報には、プラズマにより消耗する部
位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコン
からなるプラズマエッチング用電極板が提案されてい
る。しかしながら、本発明者の検討によれば、ウエハ上
に微細なパターンを高精度に形成するには、なお十分で
はなく、更に電極からのダストをより確実に減少するこ
とが望まれる。
【０００５】本発明は上記要望に応えたもので、ダスト
の発生を顕著に減少させることができるプラズマエッチ
ング電極を提供することを目的とする。
の発生を顕著に減少させることができるプラズマエッチ
ング電極を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、プラズマエッチング電極に多数形成される反応ガス
通過用の微小径貫通孔の内面における表面粗さをＲａ８
〜０．００１μｍとすることにより、電極が均一に消耗
され、電極からのダストの発生が顕著に抑制されて、ウ
エハ上には殆ど微小粒子の付着が生じないことを知見し
た。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、プラズマエッチング電極に多数形成される反応ガス
通過用の微小径貫通孔の内面における表面粗さをＲａ８
〜０．００１μｍとすることにより、電極が均一に消耗
され、電極からのダストの発生が顕著に抑制されて、ウ
エハ上には殆ど微小粒子の付着が生じないことを知見し
た。
【０００７】即ち、上述したように、特開平７−２７３
０９４号公報には、エッチング時にウエハ面に落下して
付着する粉末粒子の粒子数を少なくするために、電極表
面の平滑度をＲｍａｘ１０μｍ以下とすることが提案さ
れているが、このように電極表面を形成してもダストの
抑制はなお十分でない。そこで、本発明者は、エッチン
グ電極から発生するダスト、粒子の発生原因について更
に検討した結果、ダストの多くは微小径貫通孔内部から
発生していることをつきとめると共に、微小径貫通孔内
面の表面粗さをＲａ８〜０．００１μｍに制御すること
により、ダストの発生が顕著に抑制され、均一で高精度
なエッチングが行われて、ウエハ上に微細なパターンを
高精度に形成し得ることを見出した。
０９４号公報には、エッチング時にウエハ面に落下して
付着する粉末粒子の粒子数を少なくするために、電極表
面の平滑度をＲｍａｘ１０μｍ以下とすることが提案さ
れているが、このように電極表面を形成してもダストの
抑制はなお十分でない。そこで、本発明者は、エッチン
グ電極から発生するダスト、粒子の発生原因について更
に検討した結果、ダストの多くは微小径貫通孔内部から
発生していることをつきとめると共に、微小径貫通孔内
面の表面粗さをＲａ８〜０．００１μｍに制御すること
により、ダストの発生が顕著に抑制され、均一で高精度
なエッチングが行われて、ウエハ上に微細なパターンを
高精度に形成し得ることを見出した。
【０００８】更に、上記電極材料としては、その少なく
ともプラズマにより消耗する部分をガラス状カーボン又
は金属シリコンで形成することが上記目的を達成する上
で有効であることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
ともプラズマにより消耗する部分をガラス状カーボン又
は金属シリコンで形成することが上記目的を達成する上
で有効であることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
【０００９】従って、本発明は、反応ガス通過用の多数
の微小径貫通孔を形成してなるプラズマエッチング電極
において、上記貫通孔内面の表面粗さがＲａ８〜０．０
０１μｍであることを特徴とするプラズマエッチング電
極、及び、電極の少なくともプラズマで消耗する部分が
ガラス状カーボン又は金属シリコンにて形成された上記
プラズマエッチング電極を提供する。
の微小径貫通孔を形成してなるプラズマエッチング電極
において、上記貫通孔内面の表面粗さがＲａ８〜０．０
０１μｍであることを特徴とするプラズマエッチング電
極、及び、電極の少なくともプラズマで消耗する部分が
ガラス状カーボン又は金属シリコンにて形成された上記
プラズマエッチング電極を提供する。
【００１０】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
【００１１】本発明のプラズマエッチング電極は、図
１，２に示したように、電極１に反応ガス通過用の多数
の微小径貫通孔２（通常、直径０．１〜０．５ｍｍ）が
形成されたものであるが、この場合、貫通孔２の内面の
表面粗さをＲａで８〜０．００１μｍ、好ましくは８〜
０．００１５μｍ、更に好ましくは２〜０．００２μｍ
としたものである。なお、本発明において、表面粗さと
はＪＩＳ−Ｂ０６０１で定義する表面粗さである。表面
粗さがＲａ８μｍを超えると、微小径貫通孔内面で異常
放電が発生し、均一に消耗されないため、処理するウエ
ハ上にダストが発生し、本発明の目的を達成し得ない。
一方、Ｒａが０．００１μｍより小さいと、コスト高に
なるばかりで、それ以上の性能向上もなく、好ましくな
い。
１，２に示したように、電極１に反応ガス通過用の多数
の微小径貫通孔２（通常、直径０．１〜０．５ｍｍ）が
形成されたものであるが、この場合、貫通孔２の内面の
表面粗さをＲａで８〜０．００１μｍ、好ましくは８〜
０．００１５μｍ、更に好ましくは２〜０．００２μｍ
としたものである。なお、本発明において、表面粗さと
はＪＩＳ−Ｂ０６０１で定義する表面粗さである。表面
粗さがＲａ８μｍを超えると、微小径貫通孔内面で異常
放電が発生し、均一に消耗されないため、処理するウエ
ハ上にダストが発生し、本発明の目的を達成し得ない。
一方、Ｒａが０．００１μｍより小さいと、コスト高に
なるばかりで、それ以上の性能向上もなく、好ましくな
い。
【００１２】上記貫通孔を形成するためには、ドリル加
工、超音波加工、放電加工、レーザー加工、ウォーター
ジェット加工などの加工方法を採用し得るが、この際工
具、加工条件などを選定し、あるいは内面を研磨するこ
とにより、上述した表面粗さに調節することができる。
工、超音波加工、放電加工、レーザー加工、ウォーター
ジェット加工などの加工方法を採用し得るが、この際工
具、加工条件などを選定し、あるいは内面を研磨するこ
とにより、上述した表面粗さに調節することができる。
【００１３】なお、プラズマエッチング電極の表面、特
に少なくともプラズマによって消耗する部分の表面も、
通常の加工方法、例えば砥粒によるラップポリッシュ、
バフによるポリッシュ、電解研磨などにより表面加工
し、表面の平滑化をはかることが推奨される。この場
合、その表面粗さは特に限定されないが、Ｒｍａｘ０．
０１〜０．１５μｍ、Ｒａ０．００１〜０．０１５μｍ
とすることが好ましく、これにより電極表面におけるダ
スト発生を顕著にかつ確実に抑制することができる。こ
の表面粗さが大きすぎると、電極表面の凹凸で異常放電
が発生し、処理するウエハ上にダストが発生するおそれ
がある。
に少なくともプラズマによって消耗する部分の表面も、
通常の加工方法、例えば砥粒によるラップポリッシュ、
バフによるポリッシュ、電解研磨などにより表面加工
し、表面の平滑化をはかることが推奨される。この場
合、その表面粗さは特に限定されないが、Ｒｍａｘ０．
０１〜０．１５μｍ、Ｒａ０．００１〜０．０１５μｍ
とすることが好ましく、これにより電極表面におけるダ
スト発生を顕著にかつ確実に抑制することができる。こ
の表面粗さが大きすぎると、電極表面の凹凸で異常放電
が発生し、処理するウエハ上にダストが発生するおそれ
がある。
【００１４】上記電極の材料は、公知の電極材料でよい
が、特に本発明の目的の上からはガラス状カーボン及び
金属シリコンが好ましい。ガラス状カーボンとしては、
セルロース、フルフリルアルコール、フェノール樹脂、
アセトン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン樹脂、フル
フラール樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるいはそれらの
混合樹脂を原料として得られるものを使用することがで
きる。また、金属シリコンとしては、単結晶シリコン、
多結晶シリコンのいずれでもよい。
が、特に本発明の目的の上からはガラス状カーボン及び
金属シリコンが好ましい。ガラス状カーボンとしては、
セルロース、フルフリルアルコール、フェノール樹脂、
アセトン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン樹脂、フル
フラール樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるいはそれらの
混合樹脂を原料として得られるものを使用することがで
きる。また、金属シリコンとしては、単結晶シリコン、
多結晶シリコンのいずれでもよい。
【００１５】この場合、ガラス状カーボン又は金属シリ
コンで形成される部分は、電極全体をかかる材質として
もよいが、少なくともプラズマにより消耗する部分であ
ればよい。なお、後者の場合、ガラス状カーボン又は金
属シリコン形成部分以外の他の部分は、アルミニウム、
グラファイトなどにて形成することができるが、炭素材
料がガラス状カーボンで被覆された状態のものであるこ
とが好ましく、これによって電極コストを低減できる。
コンで形成される部分は、電極全体をかかる材質として
もよいが、少なくともプラズマにより消耗する部分であ
ればよい。なお、後者の場合、ガラス状カーボン又は金
属シリコン形成部分以外の他の部分は、アルミニウム、
グラファイトなどにて形成することができるが、炭素材
料がガラス状カーボンで被覆された状態のものであるこ
とが好ましく、これによって電極コストを低減できる。
【００１６】本発明のプラズマエッチング電極は、平行
平板型プラズマエッチングに適したものであるが、これ
は通常のプラズマエッチング法に従った方法によって使
用し得、かかる電極を用いたプラズマエッチングは通常
の条件で実施し得る。
平板型プラズマエッチングに適したものであるが、これ
は通常のプラズマエッチング法に従った方法によって使
用し得、かかる電極を用いたプラズマエッチングは通常
の条件で実施し得る。
【００１７】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング電極を用い
ることにより、粒子の脱落が極端に抑えられ、高精度で
汚染のないエッチング物を形成できる。
ることにより、粒子の脱落が極端に抑えられ、高精度で
汚染のないエッチング物を形成できる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１９】〔実施例，比較例〕Ｐ型，ボロンをドーピ
ングしたシリコン単結晶を５ｍｍ厚にスライスし、７ｍ
ｍのピッチで０．５ｍｍ径の穴をドリル加工により開
け、これをラップ、ポリッシュマシンを使用して表面加
工し、表１に示す穴の内面における表面粗さを有する電
極を作製した。
ングしたシリコン単結晶を５ｍｍ厚にスライスし、７ｍ
ｍのピッチで０．５ｍｍ径の穴をドリル加工により開
け、これをラップ、ポリッシュマシンを使用して表面加
工し、表１に示す穴の内面における表面粗さを有する電
極を作製した。
【００２０】また、不純物濃度２ｐｐｍの４ｍｍ厚のガ
ラス状カーボン板を上記と同様にして穴を開け、表面加
工し、表１に示す穴の内面における表面粗さを有する電
極を作製した。
ラス状カーボン板を上記と同様にして穴を開け、表面加
工し、表１に示す穴の内面における表面粗さを有する電
極を作製した。
【００２１】次に、上記した電極をプラズマエッチング
装置にセットし、反応ガスであるトリフロロメタン、ア
ルゴン及び酸素の混合ガスを流し、プラズマを発生させ
た。８インチのシリコンウエハの酸化膜をエッチング
し、その時のウエハ表面に付着した０．３μｍ以上の粉
末粒子の個数をカウントした。結果を表１に示す。
装置にセットし、反応ガスであるトリフロロメタン、ア
ルゴン及び酸素の混合ガスを流し、プラズマを発生させ
た。８インチのシリコンウエハの酸化膜をエッチング
し、その時のウエハ表面に付着した０．３μｍ以上の粉
末粒子の個数をカウントした。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果から明らかなように、本発明の
プラズマエッチング電極によれば、エッチング工程での
粒子を極端に減少させることができ、歩留まりよく、高
精度なプラズマエッチングが可能である。
プラズマエッチング電極によれば、エッチング工程での
粒子を極端に減少させることができ、歩留まりよく、高
精度なプラズマエッチングが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】同例の断面図である。
１ 電極 ２ 微小径貫通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を
形成してなるプラズマエッチング電極において、上記貫
通孔内面の表面粗さがＲａ８〜０．００１μｍであるこ
とを特徴とするプラズマエッチング電極。 - 【請求項２】 電極の少なくともプラズマで消耗する部
分がガラス状カーボン又は金属シリコンにて形成された
請求項１記載のプラズマエッチング電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12407296A JPH09289195A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマエッチング電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12407296A JPH09289195A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマエッチング電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289195A true JPH09289195A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14876251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12407296A Pending JPH09289195A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマエッチング電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289195A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017435A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Ibiden Co Ltd | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
| JP2011103456A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-05-26 | Mitsubishi Materials Corp | 電極板の通気孔形成方法 |
| JP2020109804A (ja) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 |
| EP3635776A4 (en) * | 2017-06-05 | 2021-02-17 | Applied Materials, Inc. | DEVICE AND METHOD FOR SUPPLYING GAS IN SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBERS |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP12407296A patent/JPH09289195A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017435A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Ibiden Co Ltd | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
| JP2011103456A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-05-26 | Mitsubishi Materials Corp | 電極板の通気孔形成方法 |
| US8709328B2 (en) | 2009-10-13 | 2014-04-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for forming ventilation holes in an electrode plate |
| TWI492808B (zh) * | 2009-10-13 | 2015-07-21 | Mitsubishi Materials Corp | 電極板之通氣孔形成方法 |
| EP3635776A4 (en) * | 2017-06-05 | 2021-02-17 | Applied Materials, Inc. | DEVICE AND METHOD FOR SUPPLYING GAS IN SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBERS |
| US11380557B2 (en) | 2017-06-05 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for gas delivery in semiconductor process chambers |
| JP2020109804A (ja) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2843688B1 (en) | Dicing blade | |
| TWI241673B (en) | Quartz glass jig for processing apparatus using plasma | |
| JPH09260314A (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
| JP2008084976A (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
| US5951814A (en) | Electrode for plasma etching | |
| KR20110046269A (ko) | 반도체 웨이퍼 제조 방법 | |
| JP2010519763A (ja) | プラズマ処理装置用シリコン素材の製造方法 | |
| CN1784510A (zh) | 反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法 | |
| JPH09289195A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JPH11347902A (ja) | 薄板の加工方法および加工装置 | |
| JP4045592B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JPH11104950A (ja) | 電極板及びその製造方法 | |
| JPH09289196A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JPH09289194A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| EP0803896B1 (en) | Plasma processing system and protective member used for the same | |
| JPH09289199A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JP2004063883A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH09245994A (ja) | プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法 | |
| JPH0329548B2 (ja) | ||
| JP2009082995A (ja) | ラッピング用研磨布、プラズマエッチング装置用シリコン電極のラッピング方法 | |
| JPH07273094A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
| JPH1022275A (ja) | プラズマエッチング電極の製造方法 | |
| JPH1126435A (ja) | プラズマエッチング用電極 | |
| JPH08203879A (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板およびその製造方法 | |
| KR100398704B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 제조 방법 |