JP2014150252A - プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の脆性部品からのパーティクル汚染を低減しうる、脆性部品の加工方法を提供する。
【解決手段】切削ツールによってプラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法であり、部品は、非金属性の硬質脆性材料で作成されている。削り屑の形成中に脆性材料の一部分が高圧相変態を経て脆性材料の非晶質部分を形成するように、穴開けを行いつつ切削の深さを制御することによって、部品に各穴を開けることを含む。次いで、脆性材料の非晶質部分は、部品に形成された各穴の壁が約０．２〜０．８μｍの穴開け表面粗度（Ｒａ）を有するように、各穴から除去される。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置の機械加工部品に関するものであり、より詳細には、プラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法に関するものである。

半導体材料処理の分野では、基板上の様々な材料のエッチング及びデポジションや、レジストの剥離などの、様々なプロセスを実施するために、例えば、真空処理チャンバを含む半導体材料処理装置が使用される。半導体技術が発達するにつれて、トランジスタサイズの縮小は、ウエハ処理及びプロセス機器に対して更に高い精度、再現性、及び清浄度を要求するようになる。プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマ強化型化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）、及びレジスト剥離などの、プラズマの使用を伴う応用を含む半導体処理のための機器には、様々なタイプが存在する。これらのプロセスに必要とされる機器のタイプは、プラズマチャンバ内に配置されてその環境内で機能しなければならない部品を含んでいる。プラズマチャンバ内部の環境は、プラズマへの暴露、エッチャントガスへの暴露、及び熱循環を含む場合がある。このような部品に使用される材料は、チャンバ内の環境条件に耐えるように、しかも１枚ごとに複数のプロセス工程を含みうる多数のウエハの処理に対しても耐えるように、適応されなければならない。高い対費用効果を実現するためには、このような部品は、多くの場合、その機能性及び清浄度を維持しつつ幾百の又は幾千のウエハサイクルに耐えなければならない。粒子を生成する部品の場合、たとえそれらの粒子が少なく且つ数十ナノメートル以下であるときでも、総じて極めて耐性が低い。また、プラズマ処理チャンバ内部で使用するために選択された部品は、これらの要件を最も対費用効果が高い形で満たすことも必要である。
この目的を達成するために、例えば、シャワーヘッド電極を構成する脆性部品は、それを貫通するプロセスガス送り穴を形成するために、穴開けなどの機械加工動作を施される。しかしながら、脆性部品における穴開けは、脆性部品の表面内に、ほとんど見えない小さな微小亀裂を発生させるだろう。これらの微小亀裂、すなわち表面下損傷は、脆性材料が破壊されて、粒子汚染をもたらす恐れがある。

本明細書で開示されるのは、切削ツールによってプラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法であり、部品は、非金属性の硬質脆性材料で作成されている。方法は、削り屑の形成中に脆性材料の一部分が高圧相変態を経て脆性材料の非晶質部分を形成するように、穴開けを行いつつ切削の深さを制御することによって、部品に各穴を開けることを含む。次いで、脆性材料の非晶質部分は、部品に形成された各穴の壁が約０．２〜０．８μｍの穴開け表面粗度（Ｒａ）を有するように、各穴から除去される。

半導体プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリの一実施形態を示した図である。

半導体プラズマ処理装置の代替の一実施形態を示した図である。

本明細書で開示される延性モード穴開け方法にしたがって形成される穴を含みうる誘電体窓を示した図である。 本明細書で開示される延性モード穴開け方法にしたがって形成される穴を含みうるガス注入器を示した図である。

非金属性の硬質脆性材料の部品の表面下損傷モデルを示した図である。

単結晶シリコンシャワーヘッド電極において延性モードで開けられた穴の壁の、切削の深さと損傷の深さとを比較したグラフである。

本明細書で開示されるのは、プラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法であり、部品は、非金属性の硬質脆性材料で作成されており、ガス注入穴などの穴を含む。本明細書で使用される硬質脆性材料とは、半導体処理チャンバの部品として使用するのに適したセラミック材料、シリコン含有（単結晶シリコン含有若しくは多結晶シリコン含有）材料、又は石英材料を意味し、より具体的には、石英、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ホウ素、イットリア、ジルコニア、ダイヤモンドなどを含む材料である。標準条件下では、半導体材料及びセラミック材料は、硬質で且つ脆弱であり、容易に塑性変形しない。プラズマ処理装置で使用するのに適した部品は、シリコン及び炭化シリコンなどのセラミック材料や、石英材料などで形成され、シャワーヘッド電極、ガス分配部材、及びガス注入器などを含むことができる。

これらの高質脆性材料の塑性変形（すなわち延性モード）を達成するためには、部品の表面の一部分が高圧相変態を経ることが好ましい。延性モード穴開けは、部品の硬質脆性材料の一部分が高圧相変態を経て脆性材料の非晶質部分を形成し、脆性材料の塑性変形（非晶質）部分が除去されうるように、切削の深さ、送り速度、ペック距離、穴開け速度、及び部品の一部分に印加される圧力を制御することによって、小規模の延性塑性応答を活用することができる。脆性材料の塑性変形部分の除去は、部品に各穴を形成し、部品は、プラズマ処理装置の処理領域にプロセスガスを送り込むための複数の穴を含むことが好ましい。

好ましくは、部品の各穴の壁の穴開け表面粗度は、約０．２〜０．８μｍの粗度を有し、より好ましくは、各穴の壁の穴開け表面粗度は、約０．４〜０．６μｍである。本明細書で使用される「約」は、±１０％を言う。本明細書で使用される「表面粗度」は、表面粗度測定値の算術平均値（Ｒａ）として表される。好ましくは、プラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法の実施形態は、表面下損傷を最小限に抑えられ、要するに、穴開け後に微小亀裂の形で生じる表面下損傷が低減され、微小亀裂は、脆性部品内へ達する長さが、できるだけ約２０μｍ未満であり、可能であれば約１０μｍ未満であり、最も好ましくは約５μｍ未満である。穴開け後の表面は、ほぼ完全に無破壊であることが理想である。

図１は、平行平板型容量結合プラズマチャンバ（真空チャンバ）のシャワーヘッドアセンブリ１００の半分を描いており、プロセスガスを通らせて送るためのガス通り穴１０４を含み非金属性の硬質脆性材料で形成された上部電極１０３と、該上部電極１０３に固定された随意の裏当て部材１０２と、熱制御板１０１と、上板１１１とを含む。随意の裏当て部材１０２は、非金属性の硬質脆性材料で形成することができ、プロセスガスを通らせて送るための上部電極の穴１０４と位置を揃えられたガス通り穴１１３を有する。熱制御板１０１の上面には、熱絞り１１２を設けることができる。上部電極１０３は、例えば半導体基板などの半導体基板１６２を支えるための基板サポート１６０の上方に位置決めされる。

上板１１１は、プラズマエッチングチャンバなどのプラズマ処理装置の、着脱式の上壁を形成することができる。図に示されるように、上部電極１０３は、内側電極部材１０５と、随意の外側電極部材１０７とを含むことができる。内側電極部材１０５は、通常は、単結晶シリコンで作成される。必要に応じて、内側電極１０５及び外側電極１０７は、ＣＶＤ炭化シリコン、単結晶シリコン、又はその他の適切な材料などの、１片の材料で作成することができる。

単結晶シリコンは、内側電極部材１０５及び外側電極部材１０７のプラズマ暴露表面として好ましい材料である。高純度の単結晶シリコンは、反応チャンバ内へ導かれる望ましくない成分が最少量ですみ、また、プラズマ処理中に滑らかに擦り減って、粒子の量を最少にするので、プラズマ処理中における基板の汚染を最小限に抑えられる。

シャワーヘッド電極アセンブリ１００は、プロセスガスを通らせて送るための穴を含み、３００ｍｍの直径を有する半導体ウエハなどの大きい基板を処理するようにサイズ決定することができる。３００ｍｍウエハの場合は、上部電極１０３は、直径が少なくとも３００ｍｍである。しかしながら、シャワーヘッド電極アセンブリは、その他のウエハサイズ、又は非円形の構成を有する基板を処理するようにサイズ決定することもできる。

図２は、プラズマ処理チャンバ１０の代替の一実施形態の断面図であり、該プラズマ処理チャンバ１０は、誘導結合型である。ＩＣＰプラズマ処理チャンバの一例は、カリフォルニア州フリーモントのラム・リサーチ・コーポレーションによって製造されているＴＣＰ（登録商標）エッチング又はデポジションシステムである。ＩＣＰプラズマ処理チャンバは、また、例えば、参照によって全体を本明細書に組み込まれる同一出願人による米国特許第６，８０５，９５２号にも記載されている。処理チャンバ１０は、支え表面１４を伴う基板サポート１２を含む。支え表面１４は、基板１６を支えるように適応される。処理チャンバ１０の内部を低圧（例えば、約１ミリトールから約５０ミリトールまでの間）に維持するために、排気口２０に真空ポンプ１８が取り付けられる。ガス源２２は、非金属性の硬質脆性材料で形成されたガス分配部材、シャワーヘッド構成、又はガス注入器内に設けられたプロセスガス穴を通して処理チャンバ１０の内部にプロセスガスを供給する。例えば、プロセスガスは、基板１６に隣接するゾーンに、ガス分配部材２４の中の穴（不図示）を通して導入することができる。

誘電体窓３２は、平面アンテナ２６の下にあり、プラズマ処理チャンバ１０の上壁を形成する。ガス分配部材２４は、誘電体窓３２の下に配される。基板１６のデポジション又はエッチングのいずれかのために、ガス分配部材２４と基板１６との間のゾーン内で高密度プラズマ３１が形成される。好ましくは、誘電体窓３２は、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、又は窒化シリコンなどの、硬質脆性材料で形成される。代替の一実施形態では、誘電体窓３２は、貫通する通路を有しており、該通路には、ガス注入器が挿入されて、基板１６に隣接するゾーンにプロセスガスを提供してよい。

図３Ａは、平行平面４２と、側面４４と、ガス注入器５０を支えるように構成された貫通通路４６とを含む、代表的な誘電体窓３２を示している。誘電体窓は、石英で作成することができ、石英は、仕上げプロセスを経てよい。誘電体窓のための代表的な仕上げプロセスは、参照によって全体を本明細書に組み込まれる同一出願人による米国特許第７，２５０，１１４号で見いだされる。或いは、誘電体窓は、セラミック材料で形成されてよい。好ましくは、ガス注入器５０は、貫通通路４６を通って伸びている。図３Ｂの断面図に示されるように、ガス注入器５０は、その上方端における突縁４５と、軸方向の上方端を通って伸びる中心孔４５と、該孔と軸方向の下方端の外面との間に伸びる複数のガス穴４７と、Ｏリング溝４８、５１とを有する、円筒状の本体４０を含む。ガス注入器は、セラミック材料又は石英材料などの誘電体材料で作成することができ、ガス注入器５０は、プロセスガスを通らせて送るための穴４７を含む。ガス注入器の例が、参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第８，０２５，７３０号及び第７，７８５，４１７号に開示されている。

プラズマ処理装置における、シャワーヘッドアセンブリ１００内の炭化シリコン裏当て部材１０２及びシリコン上部電極１０３（図１を参照せよ）、誘電体窓３２の下方に配されたガス分配部材２４（図２を参照せよ）、並びに誘電体窓３２のガス注入器５０（図３Ａ及び図３Ｂを参照せよ）などの、硬質脆性部品は、その中にガス通路穴を含むことが好ましい。上部電極１０３内のガス通路穴１０４、炭化シリコン裏当て部材１０２内のガス通路穴１１３、及びガス注入器５０内のガス通路穴４７は、本明細書で開示される延性モード穴開けの方法にしたがって形成することができる。また、ガス分配部材２４（図２を参照せよ）内のガス通路穴（不図示）も、本明細書で開示される延性モード穴開けの方法にしたがって形成することができる。好ましくは、部品内の穴は、約０．２〜１５ｍｍの直径を有し、更に好ましくは、約０．６４ｍｍ、約０．５ｍｍ、又は約０．４３ｍｍなどの、約０．２〜０．７ｍｍの直径を有する。

本明細書で開示される延性モード穴開けの方法は、プラズマ処理装置の任意の部品に穴又は開口部を形成するために使用されてよく、部品は、非金属性の硬質脆性材料で作成されている。方法は、削り屑の形成中に脆性材料の一部分が高圧相変態を経て脆性材料の非晶質部分を形成するように、切削の深さを制御することによって、部品に穴を開けることを含む。方法は、更に、部品に穴が形成されるように、脆性材料の組成変形部分を除去することを含む。好ましくは、各穴の壁の穴開け表面粗度は、約０．２〜０．８μｍの表面粗度を有し、より好ましくは、各穴の壁の穴開け表面粗度は、約０．４〜０．６μｍである。好ましくは、非金属性の硬質脆性材料の部品の、脆性モードで穴開けされた穴は、形成されたときに部品の表面内へ達する損傷の長さが、約２０μｍ未満であり、できれば約１０μｍ未満であり、最も好ましくは約５μｍ未満である。

好ましくは、延性モード穴開けプロセス中に、非金属性の硬質脆性材料は、穴開け中における材料の脆性破壊を低減させられるように、穴開け中に高圧相変態を経る。ドリルと部品材料との間の接触界面で生じるなどの極めて高い圧力下では、半導体材料、石英材料、及びセラミック材料は、共有結合及び／又はイオン結合構造から高圧相変態金属構造に変態する。例えば、本明細書で開示される延性モード穴開け方法で見られる高圧相変態は、標準圧条件又は低圧条件下におけるシリコンの構造と比べてシリコンをβ−Ｓｎ結晶構造に変換することを見いだされた。高圧相変態材料を形成するために提供される圧力は、材料の硬度に打ち勝つのに十分な大きさであるべきである。好ましくは、延性モード穴開けは、ダイヤモンドドリルなどの切削ツールで実施される。

図４は、シリコンなどの非金属性の硬質脆性材料の部品２００の表面下損傷モデルを示している。図に示されるように、部品２００は、高圧相変態を経て、バルク層２０１の上に弾性変形層２０２を形成される。弾性変形層２０２の上は、表面下損傷を含む部品の一部分である。表面下損傷は、上記部品２００内に結晶対の傷又は不規則性が形成されるだろう転移２０３と、結晶質材料の積層欠陥順序が割り込まれる積層欠陥２０４とを含むことができる。微小亀裂２０５が形成され、部品２００の上面２０６から弾性変形層２０２へ、場合によっては弾性変形層２０２を通って伸びるだろう。好ましくは、弾性変形層２０２の上の表面下損傷が達する長さは、約１０μｍ未満であり、更に好ましくは約５μｍ未満である。

好ましくは、延性モード穴開けは、非金属性の硬質脆性材料内に、約０．６４ｍｍ、約０．５ｍｍ、又は約０．４３ｍｍなどの、約０．２〜１５ｍｍの直径を有する穴が形成されるように実施される。例えば、約０．４〜０．８ｍｍの直径を有する穴に対する表面下損傷を低減させるためには、延性モード穴開けは、約２０，０００〜６０，０００毎分回転数の穴開け速度で実施されることが好ましく、より好ましくは、約３５，０００〜５５，０００毎分回転数で実施され、最も好ましくは、約４０，０００〜５０，０００毎分回転数で実施される。延性モード穴開けは、一回転あたり約４５０ナノメートル未満の切削の深さに対し、約０．５〜１．５インチ（１．２７〜３．８１ｃｍ）毎分の送り速度と、約０．００１〜０．００４インチ（０．００２５４〜０．０１０１６ｃｍ）のペック深さとを有することが好ましい。一回転あたり約４５０ナノメートルを超える切削の深さは、表面下損傷を生じやすい脆性モードの穴開けにつながるだろう。より好ましくは、切削深さは、一回転あたり約２００〜４００ナノメートルである。また、延性モード穴開け中は、汚染を減らすために、穴開け場所に脱イオン水が供給されてよい。

好ましくは、部品の穴が開けられた後、その部品は、混合酸性エッチング溶液（ＭＡＥ）などの酸性溶液で洗浄されてよい。例えば、シリコンをエッチングするための酸混合物は、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ若しくはＨＣ２Ｈ３Ｏ２）、水、又はその他の添加剤で希釈された、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）とで構成することができる。B. Schwartz及びH. Robbinsによる論文"Chemical Etching of Silicon", J. Electrochem. Soc., Vol. 123, No. 12 (December 1976), pages 1903-1909（そのなかの図８及び図９を参照せよ）から知られるように、酸混合物の組成は、エッチング速度を決定し、また、被エッチング表面の幾何学的構造、又はエッチングがマスキングを伴って実施される場合に形成される輪郭のパターンも決定する。また、酸性溶液、及びシャワーヘッド電極などのシリコン電極を洗浄するための方法の、代表的な実施形態も、参照によって全体を本明細書に組み込まれる同一出願人による米国特許第７，５０７，６７０号で見いだされる。

図５は、シリコンシャワーヘッド電極に延性モードで開けられたガス通路穴の損傷の深さを制御する更なる要因である切削の深さによる影響を示している。好ましくは、切削の深さは、表面下損傷を最小限に抑えるために、一回転あたり約２００〜４５０ナノメートルである。一回転あたり４５０ナノメートルを超える切削の深さは、表面下損傷を生じやすい脆性モードの穴開けにつながるだろう。より好ましくは、切削の深さは、表面下損傷を最小限に抑えるために、一回転あたり約２００〜４００ナノメートルである。一回転あたり２００ナノメートル未満の切削の深さは、散在的な表面下損傷を引き起こし、再現性の低い結果をもたらすだろう。

非金属性の硬質脆性材料の部品に延性モードで穴開けする最中は、切削ツール（ドリルビット）に残り屑が蓄積し、トルクの増大、ツール寿命の減少、及びプロセス均一性の低下をもたらすだろう。したがって、ドリルビットによって２つ以上の穴を開けるときは、穴開け動作と穴開け動作との間に間欠的に切削ツールを超音波流体に浸漬させることによって、切削ツールに定期的な超音波洗浄を受けさせることが望ましいだろう。好ましくは、切削ツールは、特定の数の穴が開けられた後に、超音波洗浄を受け、より好ましくは、切削ツールは、各穴を開けた後に、超音波洗浄を受ける。理論に縛られることは望まないが、切削ツールに蓄積した残り屑の９９％は、切削ツールが超音波洗浄流体に触れた瞬間に取り除かれるだろう。更には、所定の数の部品に延性モードで穴を開けた後に、切削ツールに対して包括的な洗浄が実施されてよい。好ましくは、切削ツールは、各部品に延性モードで穴を開けた後に、包括的な洗浄を受ける。包括的な洗浄プロセスは、ドリルビットを取り除くことと、ドリルビットを苛性石けんで洗浄することと、ドリルビットをもとに戻すこととを含む。

本明細書で更に開示されるのは、プラズマ処理装置の部品を交換する方法である。該方法は、シャワーヘッド電極などの使用済みの部品が摩耗したときに、その使用済みの部品をプラズマ処理装置から取り外すことと、該使用済みの部品を、本明細書で開示される方法にしたがって形成された部品に交換することとを含む。

また、本明細書で開示されるのは、プラズマ処理装置内で半導体基板をエッチングする方法である。該方法は、本明細書で開示される方法の実施形態にしたがって形成された部品をプラズマ処理装置のプラズマチャンバ内に取り付けることと、該プラズマチャンバ内で少なくとも１枚の半導体基板をプラズマエッチングすることとを含む。

当業者にならば、本発明が、その趣旨又は基本的な特性から逸脱することなくその他の特定の形態でも具現化可能であることがわかる。ここで開示される実施形態は、したがって、あらゆる点において、例示的であって限定的ではないと見なされる。本発明の範囲は、上記の説明ではなく、添付の特許請求の範囲によって示され、その意味及び均等物の範囲内に入る変更は、全て、本発明の範囲に含まれることを意図される。

Claims (20)

1. 切削ツールによってプラズマ処理装置の部品に延性モードで穴を開ける方法であって、前記部品は、非金属性の硬質脆性材料で作成され、前記方法は、
   削り屑の形成中に前記脆性材料の一部分が高圧相変態を経て前記脆性材料の非晶質部分を形成するように、穴開けを行いつつ切削の深さを制御することによって、前記部品に各穴を開け、
   前記部品に形成された各穴の壁が約０．２〜０．８μｍの穴開け表面粗度（Ｒａ）を有するように、各穴から前記脆性材料の非晶質部分を除去する
   方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、更に、
   前記硬質脆性材料の部品に延性モードで穴を開ける間、前記部品に新しい穴を開ける前に前記切削ツールに間欠的な超音波洗浄を施す方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、
   前記硬質脆性材料は、セラミック材料、シリコン含有材料、及び石英材料からなる群より選択される方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、
   前記延性モード穴開けは、約２０，０００〜６０，０００毎分回転数の穴開け速度と、約０．５〜１．５インチ（１．２７〜３．８１ｃｍ）毎分の送り速度と、約０．００１〜０．００４インチ（０．００２５４〜０．０１０１６ｃｍ）のペック深さと、一回転あたり約４５０ナノメートル未満の切削の深さとで実施される方法。
5. 請求項４に記載の方法であって、
   前記切削の深さは、一回転あたり約２００〜４００ナノメートルである方法。
6. 請求項４に記載の方法であって、
   前記延性モード穴開けは、約３５，０００〜５５，０００毎分回転数の穴開け速度で実施される方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、更に、
   前記延性モードで開けられた穴を伴う前記部品を酸性溶液で洗浄することを備える方法。
8. 請求項２に記載の方法であって、
   前記切削ツールは、各穴を開けた後に超音波洗浄を受ける、方法。
9. 請求項２に記載の方法であって、
   前記切削ツールは、各部品に延性モードで穴を開けた後に、前記切削ツールを取り除き、前記切削ツールを苛性石けんで洗浄し、前記切削ツールをもとに戻す処理を含む包括的洗浄プロセスを受ける方法。
10. 請求項１に記載の方法であって、
    前記部品は、シリコン又は炭化シリコンシャワーヘッド電極である方法。
11. 請求項１に記載の方法であって、
    （ａ）各穴は、約０．２〜１５ｍｍの直径を有する、又は
    （ｂ）各穴は、約０．２〜０．７ｍｍの直径を有する
    方法。
12. 請求項１に記載の方法であって、
    各穴は、約５〜１５ｍｍの深さを有する方法。
13. 請求項１に記載の方法であって、
    前記部品は、プラズマエッチングチャンバのチャンバパーツである方法。
14. 請求項１に記載の方法であって、
    前記切削ツールは、ダイヤモンドドリルである方法。
15. 請求項１に記載の方法であって、
    （ａ）各穴の表面下損傷の前記穴の壁内へ達する長さは、約２０μｍ未満である、
    （ｂ）各穴の表面下損傷が前記穴の壁内へ達する長さは、約１０μｍ未満である、又は
    （ｃ）各穴の前記表面下損傷が前記穴の壁内へ達する長さは、約５μｍ未満である
    方法。
16. 請求項１に記載の方法であって、
    各穴の壁の穴開け表面粗度は、約０．４〜０．６μｍである方法。
17. 請求項１に記載の方法であって、
    延性モード穴開け中に、前記穴に脱イオン水が供給される方法。
18. プラズマ処理装置の部品を交換する方法であって、
    使用済みの部品が摩耗したときに、前記使用済みの部品を前記プラズマ処理装置から取り外し、
    前記使用済みの部品を、請求項１に記載の方法によって作成された部品に交換する
    方法。
19. プラズマエッチングチャンバ内に部品を取り付ける方法であって、
    請求項１に記載の方法によって作成された前記部品をプラズマエッチングチャンバ内に取り付ける方法。
20. プラズマ処理装置内で半導体基板をエッチングする方法であって、
    請求項１に記載の方法にしたがって作成された部品をプラズマ処理装置のプラズマチャンバ内に取り付け、
    前記プラズマチャンバ内で少なくとも１枚の半導体基板をプラズマエッチングする、
    方法。

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