JP2000138206A - 均一なエッチング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板 - Google Patents
均一なエッチング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板Info
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一なエッチング面の形成を可能とするプラ
ズマエッチング装置の電極板を提供する。 【解決手段】 複数の垂直貫通細孔を有する電極板を、
エッチング面と対向し、かつこれと所定間隔をもって配
置し、前記電極板の垂直貫通細孔からエッチングガスを
噴射すると共に、前記エッチング面と前記電極板の両表
面間にプラズマを発生させて、エッチングを行うプラズ
マエッチング装置の前記電極板を、前記エッチング面に
対して、垂直の方向に一方向凝固した鋳造組織を有する
高純度シリコンで構成する。
ズマエッチング装置の電極板を提供する。 【解決手段】 複数の垂直貫通細孔を有する電極板を、
エッチング面と対向し、かつこれと所定間隔をもって配
置し、前記電極板の垂直貫通細孔からエッチングガスを
噴射すると共に、前記エッチング面と前記電極板の両表
面間にプラズマを発生させて、エッチングを行うプラズ
マエッチング装置の前記電極板を、前記エッチング面に
対して、垂直の方向に一方向凝固した鋳造組織を有する
高純度シリコンで構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特に半導体装置
を構成する層間絶縁膜のエッチングに際して、高集積化
に伴う大面積化にもかかわらず、均一なエッチング面の
形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板に関
するものである。
を構成する層間絶縁膜のエッチングに際して、高集積化
に伴う大面積化にもかかわらず、均一なエッチング面の
形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に半導体装置の製造に際し
て、単結晶シリコンウエハの表面に、例えば酸化シリコ
ン（以下、ＳｉＯ2 で示す）からなる層間絶縁膜を所定
の厚さで化学蒸着し、さらにその上にフォトレジスト膜
を局部的に形成し、前記層間絶縁膜のフォトレジスト膜
の形成のない部分をエッチング面としてエッチングを行
うことが行われている。また、この層間絶縁膜の部分的
エッチングは、図３に概略縦断面図で例示されるプラズ
マエッチング装置を用い、単結晶シリコンウエハの表面
に層間絶縁膜とフォトレジスト膜を形成してなる被エッ
チング板材を、チャンバ内の保持板上に載置して、複数
の垂直貫通細孔を有する電極板と所定間隔をもって正面
対向させ、前記電極板の背面には重ね合せた状態で同じ
く複数の垂直貫通細孔を有する高周波電力供給板が配置
されており、この状態で前記高周波電力供給板の背後か
らエッチングガスを導入して前記電極板の複数の垂直貫
通細孔からエッチングガスを前記被エッチング板材のエ
ッチング面に向けて噴射すると共に、前記電極板と前記
エッチング面間には高周波プラズマを発生させることに
より行われている。さらに上記プラズマエッチング装置
の電極板としては、例えば特公平７−４０５６７号公報
や特開平５−２６７２３５号公報などに記載されるよう
に単結晶シリコンで構成されたものが用いられている。
て、単結晶シリコンウエハの表面に、例えば酸化シリコ
ン（以下、ＳｉＯ2 で示す）からなる層間絶縁膜を所定
の厚さで化学蒸着し、さらにその上にフォトレジスト膜
を局部的に形成し、前記層間絶縁膜のフォトレジスト膜
の形成のない部分をエッチング面としてエッチングを行
うことが行われている。また、この層間絶縁膜の部分的
エッチングは、図３に概略縦断面図で例示されるプラズ
マエッチング装置を用い、単結晶シリコンウエハの表面
に層間絶縁膜とフォトレジスト膜を形成してなる被エッ
チング板材を、チャンバ内の保持板上に載置して、複数
の垂直貫通細孔を有する電極板と所定間隔をもって正面
対向させ、前記電極板の背面には重ね合せた状態で同じ
く複数の垂直貫通細孔を有する高周波電力供給板が配置
されており、この状態で前記高周波電力供給板の背後か
らエッチングガスを導入して前記電極板の複数の垂直貫
通細孔からエッチングガスを前記被エッチング板材のエ
ッチング面に向けて噴射すると共に、前記電極板と前記
エッチング面間には高周波プラズマを発生させることに
より行われている。さらに上記プラズマエッチング装置
の電極板としては、例えば特公平７−４０５６７号公報
や特開平５−２６７２３５号公報などに記載されるよう
に単結晶シリコンで構成されたものが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の半導体装
置の高集積化はめざましく、これに伴い半導体装置を構
成する単結晶シリコンウエハも一段と大径化の傾向にあ
るが、このように大径化（大面積化）した単結晶シリコ
ンウエハに形成された層間絶縁膜の上記の従来プラズマ
エッチング装置を用いてのエッチングでは、エッチング
面が不均一化し、この結果層間絶縁膜のエッチング量に
表面的にバラツキが生じることから、製品歩留りの低下
は避けられず、かつ信頼性の面でも問題がある。
置の高集積化はめざましく、これに伴い半導体装置を構
成する単結晶シリコンウエハも一段と大径化の傾向にあ
るが、このように大径化（大面積化）した単結晶シリコ
ンウエハに形成された層間絶縁膜の上記の従来プラズマ
エッチング装置を用いてのエッチングでは、エッチング
面が不均一化し、この結果層間絶縁膜のエッチング量に
表面的にバラツキが生じることから、製品歩留りの低下
は避けられず、かつ信頼性の面でも問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、大面積化したエッチング面の均
一なエッチングを図るべく、上記のプラズマエッチング
装置の電極板に着目し、研究を行った結果、プラズマエ
ッチング装置の電極板を、図４に概略斜視図で示される
従来の結晶粒界のない単結晶シリコン（従来電極板素
材）に代わって、同じく図１に概略斜視図で示されるよ
うにエッチング面に対して、垂直の方向に一方向凝固し
た鋳造組織を有する高純度シリコン（本発明電極板素
材）で構成すると、エッチング面の均一性が一段と向上
するようになり、単結晶シリコンウエハを大径化して
も、層間絶縁膜のエッチングに局部的バラツキがほとん
どなくなり、均一なエッチング面の形成を行うことがで
きるようになるという研究結果を得たのである。
上述のような観点から、大面積化したエッチング面の均
一なエッチングを図るべく、上記のプラズマエッチング
装置の電極板に着目し、研究を行った結果、プラズマエ
ッチング装置の電極板を、図４に概略斜視図で示される
従来の結晶粒界のない単結晶シリコン（従来電極板素
材）に代わって、同じく図１に概略斜視図で示されるよ
うにエッチング面に対して、垂直の方向に一方向凝固し
た鋳造組織を有する高純度シリコン（本発明電極板素
材）で構成すると、エッチング面の均一性が一段と向上
するようになり、単結晶シリコンウエハを大径化して
も、層間絶縁膜のエッチングに局部的バラツキがほとん
どなくなり、均一なエッチング面の形成を行うことがで
きるようになるという研究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果に基づいてな
されたものであって、複数の垂直貫通細孔を有する電極
板をエッチング面と対向し、かつこれと所定間隔をもっ
て配置し、前記電極板の垂直貫通細孔からエッチングガ
スを噴射すると共に、前記エッチング面と前記電極板の
両表面間にプラズマを発生させて、エッチングを行うプ
ラズマエッチング装置の前記電極板を、前記エッチング
面に対して、垂直の方向に一方向凝固した鋳造組織を有
する高純度シリコンで構成することにより均一なエッチ
ング面の形成を可能ならしめたプラズマエッチング装置
の電極板に特徴を有するものである。
されたものであって、複数の垂直貫通細孔を有する電極
板をエッチング面と対向し、かつこれと所定間隔をもっ
て配置し、前記電極板の垂直貫通細孔からエッチングガ
スを噴射すると共に、前記エッチング面と前記電極板の
両表面間にプラズマを発生させて、エッチングを行うプ
ラズマエッチング装置の前記電極板を、前記エッチング
面に対して、垂直の方向に一方向凝固した鋳造組織を有
する高純度シリコンで構成することにより均一なエッチ
ング面の形成を可能ならしめたプラズマエッチング装置
の電極板に特徴を有するものである。
【０００６】また、この発明のプラズマエッチング装置
の電極板は、例えば図２に概略縦断面図で示される非酸
化性溶融炉を用い、まず、高純度シリコンを少量の例え
ばボロンなどのドープ材を加えて、外周および底面を鋳
型支持体（黒鉛製）で保持された石英鋳型内に装入し、
雰囲気ガス導入口からチャンバー内にＡｒガスを導入
し、これを多数の細孔を有するガス拡散板（黒鉛製）を
通すことによって溶融雰囲気をＡｒガス雰囲気とした状
態で、前記鋳型支持体の外周面および底面と、これにそ
って所定間隔をもって配置された断熱材（多孔質黒鉛
製）との間に全面に亘って設けたヒーター（黒鉛製）に
よって前記高純度シリコンを溶融し、溶融後、石英鋳型
外周にそって所定深さ位置ごとに設けた複数の熱電対に
よる温度測定と、この測定結果にもとづくヒーター出力
の鋳型上部、鋳型下部、および鋳型底面での個々の調整
を行いながら、チャンバー底面に設けた冷却ガス導入口
より導入したＡｒガスで、鋳型底面を、多数のガス流通
細孔を有する冷却板（黒鉛製）を介して冷却して、鋳型
底面に凝固のための核を形成させ、この核を起点に、前
記鋳型内の溶融高純度シリコンが鋳型底面から鋳型上部
に向って連続的に凝固するようにすることにより鋳型底
面に対して垂直の方向に一方向凝固した組織を有する高
純度シリコンインゴットを形成し、この高純度シリコン
インゴットを長さ方向に所定の厚さにスライスして電極
板素材（図１の本発明電極板素材）とし、これに研削加
工、穴加工、エッチング処理、洗浄、さらに研磨加工を
施すことにより製造されるものである。
の電極板は、例えば図２に概略縦断面図で示される非酸
化性溶融炉を用い、まず、高純度シリコンを少量の例え
ばボロンなどのドープ材を加えて、外周および底面を鋳
型支持体（黒鉛製）で保持された石英鋳型内に装入し、
雰囲気ガス導入口からチャンバー内にＡｒガスを導入
し、これを多数の細孔を有するガス拡散板（黒鉛製）を
通すことによって溶融雰囲気をＡｒガス雰囲気とした状
態で、前記鋳型支持体の外周面および底面と、これにそ
って所定間隔をもって配置された断熱材（多孔質黒鉛
製）との間に全面に亘って設けたヒーター（黒鉛製）に
よって前記高純度シリコンを溶融し、溶融後、石英鋳型
外周にそって所定深さ位置ごとに設けた複数の熱電対に
よる温度測定と、この測定結果にもとづくヒーター出力
の鋳型上部、鋳型下部、および鋳型底面での個々の調整
を行いながら、チャンバー底面に設けた冷却ガス導入口
より導入したＡｒガスで、鋳型底面を、多数のガス流通
細孔を有する冷却板（黒鉛製）を介して冷却して、鋳型
底面に凝固のための核を形成させ、この核を起点に、前
記鋳型内の溶融高純度シリコンが鋳型底面から鋳型上部
に向って連続的に凝固するようにすることにより鋳型底
面に対して垂直の方向に一方向凝固した組織を有する高
純度シリコンインゴットを形成し、この高純度シリコン
インゴットを長さ方向に所定の厚さにスライスして電極
板素材（図１の本発明電極板素材）とし、これに研削加
工、穴加工、エッチング処理、洗浄、さらに研磨加工を
施すことにより製造されるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明のプラズマエッ
チング装置の電極板を実施例により具体的に説明する。
まず、図２の非酸化性溶融炉にて、原料として純度：９
９．９９９９％のシリコンと純度：９９．９９％のドー
プ用ボロンを用い、これを石英鋳型内に装入し、Ａｒガ
スを導入して炉内圧力を６７００Ｐａとし、ヒーターに
て溶融し、熱電対による温度管理でシリコンの溶融点直
上の１４８０〜１５１０℃に保持し、この状態で鋳型底
面、鋳型下部、および鋳型上部のヒーター出力を調整し
ながら、鋳型底面を冷却板を通して導入したＡｒガスで
冷却して、前記鋳型内の溶融高純度シリコンを鋳型底面
から鋳型上部に向って１ｍｍ／ｍｉｎの凝固速度で部分
的に、かつ経時的に順次凝固させることにより鋳型底面
に対して垂直方向に一方向凝固した鋳造組織、および直
径：３８０ｍｍ×長さ：１５０ｍｍの寸法を有し、かつ
ドープ用ボロンを１００ｐｐｍの割合で含有した高純度
シリコンインゴットを形成し、これをワイヤーソーにて
長さ方向に対して直角にスライスして直径：３８０ｍｍ
×厚さ：１４ｍｍの電極板素材（図１参照）を形成し、
この電極板素材に平面研削盤による研削加工、ダイヤモ
ンドドリルとダイヤモンド切削工具による穴加工、弗酸
と硝酸と酢酸の混合液によるエッチング処理、さらに超
純水による洗浄と研磨加工を施して、直径：３６５ｍｍ
×厚さ：１１．２ｍｍの寸法を有し、直径：３４０ｍｍ
の円形範囲の中央部分に５ｍｍのピッチで直径：０．４
ｍｍの貫通細孔が形成され、さらに前記貫通細孔の周辺
部分には切り穴径：３．５ｍｍ×ザグリ径：１２ｍｍ×
ザグリ深さ：６ｍｍの取り付け用穴が円周にそって等間
隔で１６個形成された本発明電極板を製造した。また、
比較の目的で、図４に示される単結晶シリコンで構成さ
れた従来電極板素材を用いる以外は同様の条件で従来電
極板を製造した。
チング装置の電極板を実施例により具体的に説明する。
まず、図２の非酸化性溶融炉にて、原料として純度：９
９．９９９９％のシリコンと純度：９９．９９％のドー
プ用ボロンを用い、これを石英鋳型内に装入し、Ａｒガ
スを導入して炉内圧力を６７００Ｐａとし、ヒーターに
て溶融し、熱電対による温度管理でシリコンの溶融点直
上の１４８０〜１５１０℃に保持し、この状態で鋳型底
面、鋳型下部、および鋳型上部のヒーター出力を調整し
ながら、鋳型底面を冷却板を通して導入したＡｒガスで
冷却して、前記鋳型内の溶融高純度シリコンを鋳型底面
から鋳型上部に向って１ｍｍ／ｍｉｎの凝固速度で部分
的に、かつ経時的に順次凝固させることにより鋳型底面
に対して垂直方向に一方向凝固した鋳造組織、および直
径：３８０ｍｍ×長さ：１５０ｍｍの寸法を有し、かつ
ドープ用ボロンを１００ｐｐｍの割合で含有した高純度
シリコンインゴットを形成し、これをワイヤーソーにて
長さ方向に対して直角にスライスして直径：３８０ｍｍ
×厚さ：１４ｍｍの電極板素材（図１参照）を形成し、
この電極板素材に平面研削盤による研削加工、ダイヤモ
ンドドリルとダイヤモンド切削工具による穴加工、弗酸
と硝酸と酢酸の混合液によるエッチング処理、さらに超
純水による洗浄と研磨加工を施して、直径：３６５ｍｍ
×厚さ：１１．２ｍｍの寸法を有し、直径：３４０ｍｍ
の円形範囲の中央部分に５ｍｍのピッチで直径：０．４
ｍｍの貫通細孔が形成され、さらに前記貫通細孔の周辺
部分には切り穴径：３．５ｍｍ×ザグリ径：１２ｍｍ×
ザグリ深さ：６ｍｍの取り付け用穴が円周にそって等間
隔で１６個形成された本発明電極板を製造した。また、
比較の目的で、図４に示される単結晶シリコンで構成さ
れた従来電極板素材を用いる以外は同様の条件で従来電
極板を製造した。
【０００８】つぎに、この結果得られた本発明電極板お
よび従来電極板のエッチング性能を評価する目的で、こ
れをそれぞれ図３のプラズマエッチング装置に装着し、
一方保持板上に載置される被エッチング板材として、鏡
面研磨表面に２μｍ膜厚でＳｉＯ2 膜を化学蒸着法によ
り形成してなる直径：３００ｍｍ、同２００ｍｍ、およ
び同１５０ｍｍの３種の単結晶シリコンウエハを用意
し、この３種類の単結晶シリコンウエハについて、チャ
ンバ内を真空引きして０．０５Ｐａの雰囲気圧力とした
後で、ＣＨＣｌＦ3 とＣＦ4 とＡｒからなるエッチング
ガスをＡｒ：３００ｓｃｃｍ、ＣＨＣｌＦ3 ：１５ｓｃ
ｃｍ、ＣＦ4 ：１５ｓｃｃｍの割合でチャンバ内に導入
して雰囲気圧力を５０Ｐａに維持しながら、高周波電源
から高周波電力供給板に１．５ｋｗの高周波電力を供給
して、前記電極板と前記被エッチング板材のＳｉＯ2 膜
間にプラズマを発生させ、このプラズマと前記エッチン
グガスによるエッチング処理を１２０秒間行い、前記Ｓ
ｉＯ2 膜をエッチングした。
よび従来電極板のエッチング性能を評価する目的で、こ
れをそれぞれ図３のプラズマエッチング装置に装着し、
一方保持板上に載置される被エッチング板材として、鏡
面研磨表面に２μｍ膜厚でＳｉＯ2 膜を化学蒸着法によ
り形成してなる直径：３００ｍｍ、同２００ｍｍ、およ
び同１５０ｍｍの３種の単結晶シリコンウエハを用意
し、この３種類の単結晶シリコンウエハについて、チャ
ンバ内を真空引きして０．０５Ｐａの雰囲気圧力とした
後で、ＣＨＣｌＦ3 とＣＦ4 とＡｒからなるエッチング
ガスをＡｒ：３００ｓｃｃｍ、ＣＨＣｌＦ3 ：１５ｓｃ
ｃｍ、ＣＦ4 ：１５ｓｃｃｍの割合でチャンバ内に導入
して雰囲気圧力を５０Ｐａに維持しながら、高周波電源
から高周波電力供給板に１．５ｋｗの高周波電力を供給
して、前記電極板と前記被エッチング板材のＳｉＯ2 膜
間にプラズマを発生させ、このプラズマと前記エッチン
グガスによるエッチング処理を１２０秒間行い、前記Ｓ
ｉＯ2 膜をエッチングした。
【０００９】エッチング処理後のＳｉＯ2 膜の残留厚さ
を、任意直径線上およびこれと直角線上の等間隔１０個
所（Ａ〜Ｊ位置）のそれぞれについて測定した。すなわ
ち前記被エッチング板材を任意直径方向およびこれと直
角方向に４分割し、前記Ａ〜Ｊ位置のそれぞれから試料
を採取し、透過型電子顕微鏡にてＳｉＯ2 膜の残留厚さ
を測定した。これらの測定結果を表１に示した。
を、任意直径線上およびこれと直角線上の等間隔１０個
所（Ａ〜Ｊ位置）のそれぞれについて測定した。すなわ
ち前記被エッチング板材を任意直径方向およびこれと直
角方向に４分割し、前記Ａ〜Ｊ位置のそれぞれから試料
を採取し、透過型電子顕微鏡にてＳｉＯ2 膜の残留厚さ
を測定した。これらの測定結果を表１に示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】表１に示される結果から、本発明電極板
によれば、直径：１５０ｍｍの被エッチング板材は勿論
のこと、直径が３００ｍｍと大径化してもＳｉＯ2 膜の
残留厚さに表面上位置的にほとんど変化はなく、均一な
エッチング面を形成することができるのに対して、従来
電極板では被エッチング板材が大径化すればするほどＳ
ｉＯ2 膜の残留厚さのバラツキが大きく、エッチングが
不均一になり、均一なエッチング面の形成が困難である
ことが明らかである。上述のように、この発明のプラズ
マエッチング装置の電極板は、エッチング面が大面積化
（大径化）してもエッチング面全面に亘っての均一なエ
ッチングを可能とするものであるから、特に半導体装置
の高集積化にも十分満足に対応できるものである。
によれば、直径：１５０ｍｍの被エッチング板材は勿論
のこと、直径が３００ｍｍと大径化してもＳｉＯ2 膜の
残留厚さに表面上位置的にほとんど変化はなく、均一な
エッチング面を形成することができるのに対して、従来
電極板では被エッチング板材が大径化すればするほどＳ
ｉＯ2 膜の残留厚さのバラツキが大きく、エッチングが
不均一になり、均一なエッチング面の形成が困難である
ことが明らかである。上述のように、この発明のプラズ
マエッチング装置の電極板は、エッチング面が大面積化
（大径化）してもエッチング面全面に亘っての均一なエ
ッチングを可能とするものであるから、特に半導体装置
の高集積化にも十分満足に対応できるものである。
【図１】この発明のプラズマエッチング装置の電極板を
構成する一方向凝固鋳造組織を有する高純度シリコン
（本発明電極板素材）を示す概略斜視図である。
構成する一方向凝固鋳造組織を有する高純度シリコン
（本発明電極板素材）を示す概略斜視図である。
【図２】一方向凝固鋳造組織を有する高純度シリコンイ
ンゴットの製造装置を示す概略縦断面図である。
ンゴットの製造装置を示す概略縦断面図である。
【図３】プラズマエッチング装置を示す概略縦断面図で
ある。
ある。
【図４】従来のプラズマエッチング装置の電極板を構成
する単結晶シリコン（従来電極板素材）を示す概略斜視
図である。
する単結晶シリコン（従来電極板素材）を示す概略斜視
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中田 嘉信 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内 (72)発明者 森 保 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DD01 DE06 DE14 DM02 DM09 DM37 DN01 5F004 AA01 BA04 BB13 BB28 BB29
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の垂直貫通細孔を有する電極板を、
エッチング面と対向し、かつこれと所定間隔をもって配
置し、前記電極板の垂直貫通細孔からエッチングガスを
噴射すると共に、前記エッチング面と前記電極板の両表
面間にプラズマを発生させて、エッチングを行うプラズ
マエッチング装置の前記電極板を、前記エッチング面に
対して、垂直の方向に一方向凝固した鋳造組織を有する
高純度シリコンで構成したことを特徴とする均一なエッ
チング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の
電極板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312704A JP2000138206A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 均一なエッチング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板 |
| TW088118978A TW444069B (en) | 1998-11-04 | 1999-11-01 | Electrode plate for plasma etching equipment for forming uniformly-etched surface |
| KR1019990048571A KR100602824B1 (ko) | 1998-11-04 | 1999-11-04 | 균일한 에칭면의 형성을 위한 플라즈마 에칭 장치의 전극판 |
| US09/866,639 US20010032708A1 (en) | 1998-11-04 | 2001-05-30 | Electrode plate for plasma etching equipment for forming uniformly-etched surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312704A JP2000138206A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 均一なエッチング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138206A true JP2000138206A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18032433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10312704A Pending JP2000138206A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 均一なエッチング面の形成を可能とするプラズマエッチング装置の電極板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010032708A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000138206A (ja) |
| KR (1) | KR100602824B1 (ja) |
| TW (1) | TW444069B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420129B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2004-03-02 | 사단법인 고등기술연구원 연구조합 | 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치 |
| JP2014150252A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 |
| JP2015106652A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用シリコン電極板及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100779728B1 (ko) | 2007-02-22 | 2007-11-28 | 하나실리콘텍(주) | 플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법 |
| JP5713182B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2015-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289199A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Nisshinbo Ind Inc | プラズマエッチング電極 |
| JPH09301709A (ja) * | 1996-05-13 | 1997-11-25 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン鋳造方法 |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP10312704A patent/JP2000138206A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-01 TW TW088118978A patent/TW444069B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-04 KR KR1019990048571A patent/KR100602824B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-05-30 US US09/866,639 patent/US20010032708A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420129B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2004-03-02 | 사단법인 고등기술연구원 연구조합 | 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치 |
| JP2014150252A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 |
| JP2015106652A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用シリコン電極板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW444069B (en) | 2001-07-01 |
| US20010032708A1 (en) | 2001-10-25 |
| KR20000035233A (ko) | 2000-06-26 |
| KR100602824B1 (ko) | 2006-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020604 |