JP2019009337A - プラズマ処理装置用電極板およびプラズマ処理装置用電極板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化ケイ素基板からなり、厚み方向に貫通する通気孔12を有するプラズマ処理装置用電極板10であって、通気孔12は、表面から0.5mm以内の領域Xにおける表面粗さRaをRaXとし、前記表面から0.5mmを超える領域Yにおける表面粗さRaをRayとしたときに、下記の計算式(1)で定義される表面粗さ変動率が30%以下であることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。
表面粗さ変動率(%)=(Rax−Ray)の絶対値/Ray×100・・・(1)
【選択図】図1
Description
特許文献2には、レーザ加工によってプラズマ処理装置用電極板に通気孔を形成する方法として、電極板の表面を粗面化する粗面化工程と、電極板の粗面化された表面に波長200nm〜600nmのレーザ光を照射して通気孔を形成する通気孔形成工程とを有し、レーザ光の焦点スポットを電極板の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリアを形成し、この照射エリアを電極板の面方向に円運動させながら、レーザ光の焦点スポットを電極板の厚さ方向に移動させる方法が開示されている。
表面粗さ変動率(%)=(Rax−Ray)の絶対値/Ray×100・・・(1)
この場合、集光レーザ光の出力を段階的もしくは連続的に上昇させることによって、集光レーザ光の照射開始時に、炭化ケイ素基材の表面に照射されるレーザ光のエネルギー量をより抑えることができるので、炭化ケイ素基材の表面温度が急激に上昇することがさらに抑制され、貫通孔の表面粗さ変動率をより確実に小さくすることが可能となる。
この場合は、集光レーザ光の照射エリアよりもサイズの大きい貫通孔を形成することが可能となる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板は、例えば、半導体デバイス製造プロセスに使用されるプラズマエッチング装置やプラズマCVD装置等のプラズマ処理装置の真空チャンバー内に備えられる一対の電極のうちの上側電極として用いられるものである。
まず、接触式測定装置を用いて、粗さ曲線を測定する。次いで、測定された粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線とで囲まれた領域の面積の総和を求める。そして、この面積の総和を測定長さで割った値(単位:μm)を、中心線平均粗さRaとする。なお、表面粗さRayの測定範囲は、中間領域Yの全範囲としてもよいが、中間領域Yの一部であってもよい。ただし、表面粗さRayの測定範囲は、0.5mmもしくはそれ以上とすることが好ましい。表面粗さRayの測定範囲は、通気孔12の表面から0.5mmを超えた直後から0.5mmの範囲(例えば、通気孔12の表面から0.51mm〜1.01mmの範囲)としてもよい。
プラズマエッチング装置100は、図2に示すように、真空チャンバー40内の上側に本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板10(上側電極)が設けられるとともに、下側に上下動可能な架台(下側電極)50がプラズマ処理装置用電極板10と相互間隔をおいて平行に設けられる。この場合、上側のプラズマ処理装置用電極板10は絶縁体60により真空チャンバー40の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台50の上に、静電チャック51と、その周りを囲むシリコン製の支持リング52とが設けられており、静電チャック51上に支持リング52により周縁部を支持した状態でウエハ(被処理基板)70が載置されるようになっている。また、真空チャンバー40の上側には、エッチングガス供給管41が設けられ、このエッチングガス供給管41から送られてきたエッチングガスは、拡散部材42を経由した後、プラズマ処理装置用電極板10に設けられた通気孔12を通してウエハ70に向かって流され、真空チャンバー40の側部の排出口43から外部に排出される構成とされる。一方、プラズマ処理装置用電極板10と架台50との間には、高周波電源80により高周波電圧が印加されるようになっている。
本実施形態に係るプラズマ処理装置用電極板の製造方法は、炭化ケイ素基材11aを用意する基材用意工程と、炭化ケイ素基材11aに、レーザ光を集光させた集光レーザ光を照射することによって貫通孔を形成する貫通孔形成工程とを備えている。
まず、図3(a)に示すように、炭化ケイ素基材11aを準備する。
炭化ケイ素基材11aは、例えば、ホットプレスを用いて作製することができる。具体的には、SiC粉末もしくはSiC粉末と焼結助剤とを含む混合物を、成形型に充填し、ホットプレスを用いて加圧焼成することによって作製することができる。
貫通孔形成工程では、先ず、図3(b)に示すように、炭化ケイ素基材11aの一方の表面に集光レーザ光22を照射して窪み12aを形成する。レーザ光は一定の大きさに広がったビーム径を持つため、このまま炭化ケイ素基材11aに照射しても弱い加熱しかできない。このため、本実施形態では、レーザ光を集光させた集光レーザ光22を用いる。
レーザ光としては、図4(a)に示すように、レーザ光20をレンズ21で集光させた集光レーザ光22を用いることができる。集光レーザ光は、図4(b)に示すように、最もレーザ光が集光している焦点深度領域22a(ジャストフォーカス)を有し、その先に焦点深度領域22aから拡散したデフォーカス領域22bを有する。デフォーカス領域22b内には、エネルギー密度が高く、炭化ケイ素基材11aを加工可能な収束領域22cが存在する。
円形の照射エリアの直径(ビームローテータの回転直径)は、一般に0.05mm以上0.5mm以下の範囲である。ビームローテータの回転速度は、一般に1000rpm以上5000rpm以下の範囲である。また、集光レーザ光22のデフォーカス領域22bを、炭化ケイ素基材11aの厚み方向に移動させる送り速度は、一般に0.001mm/秒以上0.1mm/秒以下である。
例えば、本実施形態では、プラズマ処理装置用電極板10を円板状としたが、プラズマ処理装置用電極板10の形状には特に制限はなく、角板状としてもよい。
SiC粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:0.2μm)を用意した。用意したSiC粉末を成形型に充填し、ホットプレスを用いて2000℃、40MPaの条件で加圧焼成した。得られた焼結体を研磨加工して、直径300mm、厚み10mmの円板状のSiC焼結体基材を作製した。
集光レーザ光の出力:10W/秒
集光レーザ光の照射開始時の焦点深度領域の位置:SiC焼結体基材の表面から0.50mm上方
ビームローテータの回転直径:0.1mm
ビームローテータの回転数:2000rpm
周波数:7kHz
送り:0.01mm/秒
レーザ光の出力を、照射開始直後から5秒までの間は1W/秒、照射開始5秒から10秒までの間は3W/秒、照射開始10秒から15秒までの間は5W/秒、照射開始15秒から20秒までの間は7W/秒、照射開始20秒以降は10W/秒として、段階的に上昇させたこと以外は、本発明例1と同様にして、プラズマ処理装置用電極板を製造した。
集光レーザ光の照射開示時の焦点深度の位置を、SiC焼結体基材の表面から0.25mm上方としたこと以外は、本発明例1と同様にして、プラズマ処理装置用電極板を製造した。
集光レーザ光の照射開示時の焦点深度領域の位置を、SiC焼結体基材の表面から0mmとしたこと以外は、本発明例1と同様にして、プラズマ処理装置用電極板を製造した。
本発明例1、2および比較例1、2にて製造したプラズマ処理装置用電極板について、貫通孔の表面粗さRaと、エッチングの均一性を下記の方法により評価した。その結果を、レーザ加工の条件(レーザ出力とレーザの焦点深度の位置)と共に表1に示す。
プラズマ処理装置用電極板の貫通孔を、厚さ方向に沿って半分に割り、厚さ方向における割った貫通孔の内壁面の表面粗さRaを測定した。表面粗さRaとしては、電極表面の一方の表面から0〜0.5mmの領域(表面領域)の表面粗さRaxと、その表面から0.51mm〜1.01mmの領域(中間領域)の表面粗さRayを測定した。表面粗さRaは、プラズマ処理装置用電極板に作成した3個の通気孔についてそれぞれ測定した。表1に記載した表面粗さRaは貫通孔の、その3個の通気孔についてそれぞれ測定した表面粗さRaの平均値である。
なお、表1には、表面領域:Raxおよび中間領域:Rayと、その差(Rax−Ray)と、表面粗さ変動率[(Rax−Ray)/Ray×100]を示した。
プラズマ処理装置用電極板とウエハ(直径:152mm)とを、プラズマエッチング装置にセットした。なお、ウエハとしては、表面にCVD法によりSiO2層(厚み:1mm)を形成したものを用いた。また、ウエハのSiO2層上の一部に予めマスキングテープを貼り付けた。
次いで、チャンバー内圧力:10−1Torr、ガス流量比:90sccmCHF3+4sccmO2+150sccmHe、高周波電力:300W、エッチング処理時間:1.0分間の条件で、ウエハに対してプラズマエッチング処理を行った。
プラズマエッチング処理後、ウエハをプラズマエッチング装置から取り出して、マスキングテープを剥がし取った。マスキングテープを剥がし取った部分を基準として、エッチング処理によって削られたウエハのSiO2層の深さを測定した。そして最も深くエッチングされた所の深さをAとし、最も浅くエッチングされた所の深さをBとして、下記の式よりエッチング量の均一性を算出した。なお、エッチング量の均一性は、0に近いほど均一性が高いことを表す。
エッチング均一性(%)=(A−B)/B×100
11 炭化ケイ素基板
11a 炭化ケイ素基材
12 通気孔
12a 窪み
20 レーザ光
21 レンズ
22 集光レーザ光
22a 焦点深度領域
22b デフォーカス領域
22c 収束領域
23 照射エリア
31 溝
32 円筒部
40 真空チャンバー
41 エッチングガス供給管
42 拡散部材
43 排出口
50 架台(下側電極)
51 静電チャック
52 支持リング
60 絶縁体
61 冷却板
62 貫通孔
70 ウエハ(被処理基板)
80高周波電源
100 プラズマエッチング装置
Claims (4)
- 炭化ケイ素基板からなり、厚み方向に貫通する通気孔を有するプラズマ処理装置用電極板であって、
前記通気孔は、表面から0.5mm以内の領域における表面粗さRaをRaXとし、前記表面から0.5mmを超える領域における表面粗さRaをRayとしたときに、下記の計算式(1)で定義される表面粗さ変動率が30%以下であることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。
表面粗さ変動率(%)=(Rax−Ray)の絶対値/Ray×100・・・(1) - 炭化ケイ素基材を用意する基材用意工程と、
前記炭化ケイ素基材に、レーザ光を集光させた集光レーザ光を、前記集光レーザ光の焦点深度領域を前記炭化ケイ素基材の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリアを形成させるとともに、前記炭化ケイ素基材の厚み方向に移動させながら照射することによって貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を備え、
前記貫通孔形成工程において、前記集光レーザ光の照射を、前記集光レーザ光の焦点深度領域が前記炭化ケイ素基材の表面から0.3mm以上0.8mm以下の範囲で上方となる位置から開始し、前記集光レーザ光の焦点深度領域が前記炭化ケイ素基材の表面に到達するまでの間は、前記集光レーザ光を前記円形の照射エリアの中心に向けて照射することを特徴とするプラズマ処理装置用電極板の製造方法。 - 前記集光レーザ光の出力を段階的もしくは連続的に上昇させることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置用電極板の製造方法。
- さらに、前記集光レーザ光を照射しながら、前記円形の照射エリアを前記炭化ケイ素基材の面方向に円運動させることを特徴とする請求項2または3に記載のプラズマ処理装置用電極板の製造方法。
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JPH11104950A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電極板及びその製造方法 |
JP2014150252A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 |
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