WO2011046052A1 - 電極板の通気孔形成方法 - Google Patents

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悟史 藤田
厚 松田
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三菱マテリアル株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming air holes in an electrode plate for a plasma processing apparatus.
  • the present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2009-236694 filed in Japan on October 13, 2009, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the plasma processing apparatus As the plasma processing apparatus, a plasma CVD apparatus for forming a thin film on a substrate, an etching apparatus for plasma etching a wafer when manufacturing a semiconductor integrated circuit, and the like are widely used.
  • the plasma processing apparatus includes a vacuum vessel and an electrode plate disposed in the vacuum vessel.
  • the electrode plate is made of silicon or silicon carbide (SiC), and is provided with a large number of air holes penetrating in the thickness direction.
  • the wafer can be etched by generating plasma between the wafer and the electrode plate while supplying the etching gas as the gas.
  • a fine pattern is formed on a wafer with high accuracy by using a plasma etching processing apparatus.
  • Such an electrode plate for a plasma processing apparatus is, for example, as described in Patent Document 1, a silicon plate having a thickness of 4 mm to 5 mm and a through hole (vent hole) having a diameter of 0.1 mm to 0.5 mm. Is manufactured by drilling.
  • the air holes By forming the air holes with high accuracy, the gas can be supplied uniformly in the plasma processing apparatus including the electrode plate.
  • the smoothness and processing accuracy of the inner surface of the through hole (vent hole) formed in the electrode plate affect the processing accuracy (wafer processing accuracy) of the plasma processing apparatus.
  • a plasma etching processing apparatus it affects the processing accuracy of a pattern formed on a wafer.
  • Patent Document 1 it is proposed that surface processing is performed on the inner surface of a through hole (vent hole) by a lap machine or a polish machine to form a vent hole having a small surface roughness on the inner surface.
  • Patent Document 2 discloses a process of forming a pilot hole at a relatively high speed by electric discharge machining or laser machining, and then machining the inner surface of the pilot hole at a relatively low speed using a diamond drill or the like. There has been proposed a method of forming a through hole including a step of removing a processing damage layer. With this through-hole forming method, it is possible to efficiently form fine holes with excellent accuracy of the processed surface.
  • a ventilation hole with high finishing accuracy has a step of forming a pilot hole and a step of irradiating the inner surface of the pilot hole with a picosecond laser beam having a large energy density to remove a heat-affected zone when the pilot hole is formed.
  • the formation method of this is proposed.
  • vent holes having the same opening diameter can be formed on the front and back surfaces of the electrode plate.
  • two processes, a process of forming a pilot hole and a process of processing the inner surface of the pilot hole, are required. For this reason, the processing method with higher productivity is calculated
  • JP-A-9-289195 Japanese Patent Laid-Open No. 11-92972 JP 2008-55478 A
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing method for forming a gas ejection vent with good shape accuracy on an electrode plate for a plasma processing apparatus with high productivity.
  • a method for forming a vent in an electrode plate the surface roughening step of roughening a surface of an electrode plate for a plasma processing apparatus so that a center line average roughness Ra is 0.2 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • Irradiating the roughened surface of the electrode plate with a laser beam having a wavelength of 200 nm to 600 nm to form a vent hole penetrating in the thickness direction on the electrode plate In the air hole forming step, a circular irradiation area is formed by turning the focal spot of the laser beam along the surface direction of the electrode plate, and the irradiation area is moved circularly in the surface direction of the electrode plate. The focal spot of the laser beam is moved in the thickness direction of the electrode plate.
  • the center line average roughness Ra is a value calculated as follows.
  • the measured roughness curve is folded back from the center line, and the total area of the area surrounded by the roughness curve and the center line is obtained.
  • a value (unit: ⁇ m) obtained by dividing the total sum of the areas by the measurement length is the center line average roughness Ra.
  • the roughness curve is measured with a contact-type measuring device.
  • the irradiation area having a larger area than the focal spot of the laser beam is formed.
  • the electrode plate is perforated spirally by moving the irradiation area spirally with respect to the electrode plate (moving forward in the thickness direction).
  • a vent hole having a larger cross-sectional area than the focal spot can be formed. Therefore, the step of forming the pilot hole with a drill or the like is unnecessary, and the air hole can be formed by one step of irradiating the laser beam.
  • the laser beam can be efficiently absorbed by the electrode plate in the air hole forming step.
  • An example of the material of the electrode plate is silicon carbide. It is difficult to process the electrode plate made of silicon carbide. For this reason, conventionally, with respect to an electrode plate made of silicon carbide, it has been difficult to form an air hole or to perform an etching process for removing a work-affected layer in a later step.
  • a laser beam having a short wavelength is used, so that a vent hole can be formed even for an electrode plate made of silicon carbide. Further, precise deep hole machining can be easily performed, and a vent hole having a smooth inner wall surface and a small work-affected layer can be formed. For this reason, the etching process for removing a work-affected layer can be omitted. Therefore, the method for forming an air hole in an electrode plate according to an aspect of the present invention is particularly effective for an electrode plate made of silicon carbide that is difficult to etch to remove the air hole formation or the work-affected layer. .
  • an air hole having a smooth inner wall surface and a small work-affected layer can be formed with high processing accuracy. Furthermore, since such a ventilation hole can be formed in a short process without forming a pilot hole, high productivity can be achieved.
  • a method for forming a vent hole in an electrode plate according to an aspect of the present invention is a method of forming a vent hole 11 penetrating in the thickness direction in an electrode plate 10 for a plasma processing apparatus as shown in FIG.
  • the surface 10a of the electrode plate 10 is roughened so that the center line average roughness Ra is 0.2 ⁇ m to 30 ⁇ m (FIG. 2), and the surface of the electrode plate 10 is roughened.
  • 10a has a vent hole forming step (FIGS. 1 and 3) in which the vent hole 11 is formed by irradiating the laser beam 20 having a wavelength of 200 nm to 600 nm to 10a.
  • the electrode plate 10 examples include those made of silicon or silicon carbide (SiC).
  • SiC silicon carbide
  • the vent hole 11 having a diameter of 0.3 mm is several mm to 10 mm.
  • the ventilation holes 11 can be formed so as to penetrate in the thickness direction so that several hundred to 1,000 pieces are arranged in the vertical and horizontal directions at a pitch (for example, 8 mm). Below, each process is demonstrated in detail.
  • the surface 10a of the electrode plate 10 is a mirror surface, the laser light 20 is reflected and hardly absorbed by the surface 10a, and processing with the laser light 20 is difficult. For this reason, the surface 10a of the electrode plate 10 is first roughened by a surface grinding machine or a lapping machine. Specifically, as shown in FIG. 2, the surface 10a of the electrode plate 10 is roughened so that the center line average roughness Ra is 0.2 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the processing method in the roughening step include grinding with a grindstone, processing by lapping, processing by sand paper, and the like.
  • the processing conditions such as the type and size of the abrasive grains and the processing time are not particularly limited, and are appropriately adjusted so as to obtain the target centerline average roughness Ra.
  • the center line average roughness Ra By setting the center line average roughness Ra to 0.2 ⁇ m to 30 ⁇ m, the reflection of the laser beam 20 can be suppressed, the absorption efficiency of the laser beam 20 can be increased, and the workability by the laser can be improved.
  • the center line average roughness Ra is less than 0.2 ⁇ m, the processability by the laser cannot be sufficiently improved.
  • the center line average roughness Ra exceeds 30 ⁇ m, the roughening treatment takes a long time and the productivity is poor. Further, the strength of the electrode plate 10 may be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing the focal spot 21 and the irradiation area 22 of the laser light 20 and the air holes 11 to be formed.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which the irradiation area 22 is formed by the laser light 20. As shown in FIG. 4, a circular irradiation area 22 is formed by turning the focal spot 21 of the laser light 20 along the surface direction of the electrode plate 10.
  • the irradiation area 22 is circularly moved in the surface direction (xy direction) of the electrode plate 10 as shown in FIG. 3, and the focal spot 21 of the laser light 20 is moved to the electrode plate 10. Move in the thickness direction (z direction).
  • the portion of the irradiation area 22 that is irradiated with the laser beam 20 is heated by the heat of the laser beam 20 to be evaporated and removed.
  • the vapor on the electrode plate 10 is quickly removed from the vicinity of the irradiation area 22 by a suction device or the like (not shown). As a result, the air holes 11 are formed in the electrode plate 10.
  • the laser beam 20 is a short wavelength pulse laser with a wavelength of 200 nm to 600 nm and has a high energy density. For this reason, the heat affected zone formed in the workpiece is small, and precise machining is possible. Therefore, by using this laser beam 20, the formation of the heat affected zone can be suppressed, and the vent hole 11 having a smooth inner wall surface and a small work-affected layer (heat affected zone) can be formed with high machining accuracy. . For this reason, the process of forming a pilot hole and the process of processing an inner surface are not required unlike the past, and the air vent 11 can be formed by one process, and high productivity can be achieved.
  • the focal spot 21 of the laser beam 20 can be rotated by an optical system (not shown) using a wedge prism or the like. Thereby, as shown in FIG. 4, the locus of the laser beam 20 becomes a parallel beam having a diameter of 200 ⁇ m, for example. For this reason, the ventilation hole 11 without a taper can be formed.
  • the irradiation area 22 By rotating the irradiation area 22 by the optical system, the irradiation area 22 can be moved circularly with respect to the electrode plate 10.
  • the irradiation area 22 can be moved circularly relative to the electrode plate 10 by swinging a table (not shown) to which the electrode plate 10 is fixed in the xy direction.
  • the focal spot 21 of the laser beam 20 is moved to the electrode plate 10. Relative movement in the thickness direction. Also, the focal spot 21 of the laser light 20 can be moved relative to the thickness direction of the electrode plate 10 by moving the table to which the electrode plate 10 is fixed in the z direction. In this way, by moving the electrode plate 10 and the laser beam 20 relative to each other and advancing the irradiation area 22 of the laser beam 20 spirally in the thickness direction with respect to the electrode plate 10, Can be formed.
  • the irradiation area 22 of the laser beam 20 that has become a parallel beam is advanced spirally in the thickness direction with respect to the electrode plate 10.
  • the vent hole 11 (the precise vent hole 11 having a small difference in diameter between the entrance side and the exit side of the laser beam 22) can be formed on the front and back surfaces of the electrode plate 10. Furthermore, such a vent hole 11 can be formed in a short process without forming a pilot hole.
  • the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, and various modifications can be made in the detailed configuration without departing from the spirit of the present invention.
  • the material of the electrode plate 10 is not limited to silicon carbide, and single crystal silicon or the like can be used.
  • the formation conditions according to the material and thickness of the electrode plate 10 and the diameter of the vent hole 11 to be formed a vent hole with good shape accuracy can be formed.
  • an air hole having a smooth inner wall surface and a small work-affected layer can be formed with high processing accuracy.
  • the processing accuracy of the pattern formed on the wafer by the plasma etching processing apparatus depends on the smoothness and processing accuracy of the inner surface of the air hole of the electrode plate mounted on the plasma etching processing apparatus. Therefore, the electrode plate in which the air holes are formed by the air hole forming method according to one embodiment of the present invention can greatly contribute to the improvement of the processing accuracy of the plasma processing apparatus.
  • the method for forming an air hole in an electrode plate according to one embodiment of the present invention can be suitably applied to an electrode manufacturing process for a plasma processing apparatus.

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Abstract

　この電極板の通気孔形成方法は、プラズマ処理装置用の電極板の表面を粗面化して、中心線平均粗さＲａを０．２μｍ～３０μｍとする粗面化工程と、前記電極板の粗面化された前記表面に波長２００ｎｍ～６００ｎｍのレーザ光を照射して、前記電極板に、厚さ方向に貫通する通気孔を形成する通気孔形成工程とを有し、前記通気孔形成工程において、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリアを形成し、前記照射エリアを前記電極板の面方向に円運動させながら、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の厚さ方向に移動させる。

Description

電極板の通気孔形成方法
　本発明は、プラズマ処理装置用の電極板に通気孔を形成する方法に関する。
　本願は、２００９年１０月１３日に、日本に出願された特願２００９－２３６６９４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　プラズマ処理装置としては、基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置や、半導体集積回路を製造する際にウェーハをプラズマエッチングするエッチング装置等が広く利用されている。プラズマ処理装置は、真空容器と、この真空容器内に配置される電極板とを具備する。電極板は、シリコンや炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなり、厚さ方向に貫通する多数の通気孔が設けられている。
　プラズマ処理装置を用いてウェーハを処理する際には、まず電極板とウェーハとが対向するように真空容器の中にウェーハを配置する。次いで、これら電極板とウェーハとの間に、電極板の通気孔を通じてガスを供給する。この状態を維持したまま、電極板に高周波電圧を印加することにより、ウェーハと電極板との間にプラズマを発生させる。
　エッチング処理装置においては、前記ガスとして、エッチングガスを供給しながら、ウェーハと電極板との間にプラズマを発生させることによって、ウェーハをエッチングできる。近年では、プラズマエッチング処理装置を用いて、ウェーハ上に微細なパターンを高精度に形成することが行なわれている。
　このようなプラズマ処理装置用の電極板は、例えば特許文献１に記載されているように、厚さ４ｍｍ～５ｍｍのシリコン板に、直径が０．１ｍｍ～０．５ｍｍの貫通孔（通気孔）をドリル加工により形成して製造される。
　通気孔を高い精度で形成することにより、この電極板を具備するプラズマ処理装置において、ガスを均一に供給することが可能となる。このため、電極板に形成された貫通孔（通気孔）の内面の平滑度や加工精度は、プラズマ処理装置の処理精度（ウェーハの加工精度）に影響する。例えば、プラズマエッチング処理装置の場合、ウェーハに形成されるパターンの加工精度などに影響する。
　特許文献１においては、ラップマシンやポリッシュマシンにより、貫通孔（通気孔）の内面に対して表面加工を行い、内面の表面粗さの小さい通気孔を形成することが提案されている。
　特許文献２には、放電加工またはレーザ加工により、下穴を比較的高速で形成する工程と、次いでダイヤドリル等を用いて下穴の内面を比較的低速で加工して、下穴形成時の加工ダメージ層を取り除く工程を有する貫通孔の形成方法が提案されている。この貫通孔の形成方法では、加工面の精度が良好な微細孔を効率よく形成できる。
　特許文献３では、下穴を形成する工程と、エネルギー密度の大きいピコ秒レーザ光を下穴の内面に照射して下穴形成時の熱影響部を除去する工程を有する仕上げ精度の高い通気孔の形成方法が提案されている。
　前述したように、プラズマＣＶＤ装置やエッチング装置等のプラズマ処理装置用の電極板において、通気孔を高い精度で形成することにより、ガスを均一に供給することが可能となる。例えば特許文献２や特許文献３に記載の方法によれば、電極板の表裏面において開口径の等しい通気孔を形成できる。しかし、下穴を形成する工程と、下穴の内面を加工する工程との２工程が必要となる。このため、より生産性の高い加工方法が求められている。
特開平９－２８９１９５号公報 特開平１１－９２９７２号公報 特開２００８－５５４７８号公報
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理装置用の電極板に形状精度の良好なガス噴出用通気孔を生産性良く形成する加工方法の提供を目的とする。
　本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法は、プラズマ処理装置用の電極板の表面を粗面化して、中心線平均粗さＲａを０．２μｍ～３０μｍとする粗面化工程と、前記電極板の粗面化された前記表面に波長２００ｎｍ～６００ｎｍのレーザ光を照射して、前記電極板に、厚さ方向に貫通する通気孔を形成する通気孔形成工程とを有し、前記通気孔形成工程において、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリアを形成し、前記照射エリアを前記電極板の面方向に円運動させながら、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の厚さ方向に移動させる。
　ここで、中心線平均粗さＲａは、以下のようにして算出される値である。測定された粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線とで囲まれた領域の面積の総和を求める。この面積の総和を測定長さで割った値（単位：μｍ）が中心線平均粗さＲａである。なお、粗さ曲線は、接触式測定装置によって測定される。
　本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法によれば、レーザ光の焦点スポットよりも面積の大きい照射エリアを形成する。そして、この照射エリアを電極板に対して螺旋状に移動させる（厚さ方向に螺旋状に前進させる）ことにより、電極板を螺旋状に穿孔する。以上により、焦点スポットよりも大きな断面積を有する通気孔を形成できる。
　したがって、ドリル等によって下穴を形成する工程が不要であり、レーザ光を照射する１工程により、通気孔を形成できる。また、予め電極板の表面を粗面化することにより、通気孔形成工程において、レーザ光を電極板に効率よく吸収させることができる。
　電極板の材質の一例として炭化ケイ素が挙げられる。この炭化ケイ素からなる電極板の加工は困難である。このため、従来では、炭化ケイ素からなる電極板に関して、通気孔の形成や、後工程の加工変質層を除去するためのエッチング処理が困難であった。しかしながら、本発明の一態様では、短波長のレーザ光を用いるため、炭化ケイ素からなる電極板に対しても通気孔を形成できる。さらに、精密な深孔加工を容易に行えると共に、内壁面が平滑であり、かつ加工変質層が小さい通気孔を形成できる。このため、加工変質層を除去するためのエッチング処理を省略できる。従って、本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法は、通気孔の形成や加工変質層を除去するためのエッチング処理が困難な炭化ケイ素からなる電極板に対して、特に有効である。
　本発明の一態様に係るプラズマ処理装置用の電極板の通気孔形成方法によれば、内壁面が平滑であり、かつ加工変質層が小さい通気孔を高い加工精度で形成できる。更に、このような通気孔を、下穴を形成せずに短工程で形成できるため、高い生産性を達成できる。
本発明の一態様に係るプラズマ処理装置用の電極板の通気孔形成方法を示す斜視図である。 本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法における粗面化工程により粗面化された電極板の表面を示す斜視図である。 本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法におけるレーザ光の焦点スポット及び照射エリアと、通気孔とを示す平面図である。 本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法に用いられるレーザ光を示す模式図である。
　以下、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置用の電極板の通気孔形成方法の実施形態について説明する。
　本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法は、図１に示すようにプラズマ処理装置用の電極板１０に厚さ方向に貫通する通気孔１１を形成する方法である。この方法は、電極板１０の表面１０ａを粗面化して、中心線平均粗さＲａを０．２μｍ～３０μｍとする粗面化工程（図２）と、電極板１０の粗面化された表面１０ａに波長２００ｎｍ～６００ｎｍのレーザ光２０を照射して通気孔１１を形成する通気孔形成工程（図１，３）とを有する。
　電極板１０としては、シリコン又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなるものが挙げられる。例えば電極板１０として、厚さ１０ｍｍ、直径３００ｍｍの炭化ケイ素円板を用い、本発明の一態様に係る通気孔形成方法を適用する場合、直径０．３ｍｍの通気孔１１が、数ｍｍ～１０ｍｍピッチ（例えば８ｍｍ）で数百～１０００個、縦横に整列した状態となるように、通気孔１１を厚さ方向に貫通するように形成できる。
　以下に、各工程について詳細に説明する。
（粗面化工程）
　電極板１０の表面１０ａが鏡面である場合、レーザ光２０は表面１０ａで反射されて吸収されにくく、レーザ光２０による加工が困難である。このため、まず平面研削盤またはラップマシン等により、電極板１０の表面１０ａを粗面化する。詳細には、図２に示すように中心線平均粗さＲａが０．２μｍ～３０μｍとなるように、電極板１０の表面１０ａを粗面化する。
　粗面化工程における加工方法としては、砥石での研削加工、ラッピングによる加工、サンドペーパによる加工などが挙げられる。
　砥粒の種類や大きさ、加工時間などの加工条件は、特に限定されず、目的とする中心線平均粗さＲａが得られるように適宜調整される。
　中心線平均粗さＲａを０．２μｍ～３０μｍとすることによって、レーザ光２０の反射を抑えることができ、レーザ光２０の吸収効率を高め、レーザによる加工性を向上させることができる。
　中心線平均粗さＲａが０．２μｍ未満では、上記したレーザによる加工性が十分に向上できない。中心線平均粗さＲａが３０μｍ超では、粗面化処理に長時間を要し、生産性に劣る。また、電極板１０の強度低下を招く恐れがある。
（通気孔形成工程）
　次に、図１に示すように、粗面化された電極板１０の表面１０ａにレーザ光２０を照射して、電極板１０に、厚さ方向に貫通する通気孔１１を形成する。
　図３は、レーザ光２０の焦点スポット２１及び照射エリア２２と、形成される通気孔１１とを示す平面図である。図４は、レーザ光２０によって照射エリア２２を形成している状態を示す模式図である。図４に示されたように、レーザ光２０の焦点スポット２１を電極板１０の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリア２２を形成する。そして、照射エリア２２を形成しながら、図３に示されたように照射エリア２２を電極板１０の面方向（ｘｙ方向）に円運動させると共に、レーザ光２０の焦点スポット２１を電極板１０の厚さ方向（ｚ方向）に移動させる。電極板１０において、照射エリア２２のレーザ光２０が当たっている部位は、レーザ光２０の熱により加熱されて蒸発し、除去される。電極板１０の蒸気は、吸引装置等（図示せず）により速やかに照射エリア２２の近傍から取り除かれる。以上により、電極板１０に通気孔１１が形成される。
　レーザ光２０は、波長２００ｎｍ～６００ｎｍの短波長パルスレーザであり、エネルギー密度が高い。このため、被加工材に形成される熱影響部が小さく、精密な加工が可能である。従って、このレーザ光２０を用いることによって、熱影響部の形成を抑えることができると共に、内壁面が平滑でありかつ加工変質層（熱影響部）が小さい通気孔１１を高い加工精度で形成できる。このため、従来のように下穴を形成する工程や内面を加工する工程を必要とせず、１工程により通気孔１１を形成でき、高い生産性を達成できる。
　レーザ光２０の焦点スポット２１は、ウェッジプリズム等を用いた光学系（図示せず）により旋回させることができる。これにより、図４に示すように、レーザ光２０の軌跡は、例えば直径２００μｍの平行ビームとなる。このため、テーパのない通気孔１１を形成できる。
　照射エリア２２を光学系により旋回させることによって、照射エリア２２を電極板１０に対して円運動させることができる。また、電極板１０が固定されたテーブル（図示せず）をｘｙ方向に揺動させることにより、照射エリア２２を電極板１０に対して相対的に円運動させることができる。
　電極板１０に対してレーザ光２０の照射ユニット（図示せず）をｚ方向（電極板１０の表面１０ａに対して垂直方向）に進退させることにより、レーザ光２０の焦点スポット２１を電極板１０の厚さ方向に相対移動させることができる。また、電極板１０が固定されたテーブルをｚ方向に進退させることによっても、レーザ光２０の焦点スポット２１を電極板１０の厚さ方向に相対移動させることができる。
　このように、電極板１０とレーザ光２０とを相対的に移動させて、レーザ光２０の照射エリア２２を電極板１０に対して厚さ方向に螺旋状に前進させることにより、通気孔１１を形成できる。
　以上説明した本発明の一態様に係る通気孔形成方法によれば、平行ビーム状となったレーザ光２０の照射エリア２２を電極板１０に対して厚さ方向に螺旋状に前進させる。これにより、電極板１０の表裏面で直径がほぼ等しい通気孔１１（レーザ光２２の入口側と出口側との直径差の小さい精密な通気孔１１）を形成できる。更に、このような通気孔１１を、下穴を形成せずに短工程で形成できる。
　なお、本発明は、前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、電極板１０の材質としては、炭化ケイ素に限らず、単結晶シリコン等を用いることができる。また、電極板１０の材質や厚さ、形成しようとする通気孔１１の直径等に応じて、形成条件を適切に設定することにより、形状精度の良好な通気孔を形成できる。特に、上述したように、レーザ光の前進速度や単位時間あたりの加工量等を適切に設定することが望ましい。
　本発明の一態様に係るプラズマ処理装置用の電極板の通気孔形成方法によれば、レーザを用いるため、内壁面が平滑でありかつ加工変質層が小さい通気孔を高い加工精度で形成できる。例えば、プラズマエッチング処理装置によりウェーハに形成されるパターンの加工精度は、プラズマエッチング処理装置に搭載された電極板の通気孔の内面の平滑度や加工精度によって左右される。このため、本発明の一態様に係る通気孔形成方法によって通気孔が形成された電極板は、プラズマ処理装置の加工精度の向上に大きく貢献できる。
　更に、前記した内壁面が平滑でありかつ加工変質層が小さい通気孔を、下穴を形成せずに短工程で形成できるため、高い生産性を達成できる。
　従って、本発明の一態様に係る電極板の通気孔形成方法は、プラズマ処理装置用の電極の製造工程に好適に適用できる。
１０　電極板
１０ａ　表面
１１　通気孔
２０　レーザ光
２１　焦点スポット
２２　照射エリア

Claims (1)

  1. 　プラズマ処理装置用の電極板の表面を粗面化して、中心線平均粗さＲａを０．２μｍ～３０μｍとする粗面化工程と、
    　前記電極板の粗面化された前記表面に波長２００ｎｍ～６００ｎｍのレーザ光を照射して、前記電極板に、厚さ方向に貫通する通気孔を形成する通気孔形成工程とを有し、
    　前記通気孔形成工程において、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の面方向に沿って旋回させることにより円形の照射エリアを形成し、前記照射エリアを前記電極板の面方向に円運動させながら、前記レーザ光の焦点スポットを前記電極板の厚さ方向に移動させることを特徴とする電極板の通気孔形成方法。
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