WO2023106017A1 - ウェハ製造方法 - Google Patents

Abstract

インゴットの高さ方向における一端側の表面に対して透過性を有するレーザービーム（Ｂ）を照射することで、ウェハの厚みに対応する深さに剥離層を形成する。剥離層の形成においては、レーザービームの照射位置（ＰＲ）を第一方向（Ｄｓ）に移動させつつレーザービームを照射するレーザー走査を、第二方向（Ｄｆ）について位置を変えつつ複数回行う。１回のレーザー走査にて、第一方向および第二方向における照射位置が異なる複数のレーザービーム（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を照射する。

Description

ウェハ製造方法 関連出願への相互参照

　本出願は、２０２１年１２月８日に出願された日本特許出願番号２０２１－１９９５７６号および２０２２年８月１０日に出願された日本特許出願番号２０２２－１２８０９９号に基づくもので、ここにそれらの記載内容が参照により組み入れられる。

　本開示は、ウェハ製造方法に関する。

　特許文献１は、インゴットから効率よくウェハを生成することのできる、ウェハの生成方法を提供する。具体的には、特許文献１に記載の、ウェハの生成方法は、分離起点形成ステップと、ウェハ剥離ステップとを含む。分離起点形成ステップは、六方晶単結晶インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を表面から生成するウェハの厚みに相当する深さに位置付けるとともに、集光点とインゴットとを相対的に移動してレーザービームを表面に照射する。これにより、表面に平行な改質層およびこの改質層から伸長するクラックを形成して、分離起点を形成する。ウェハ剥離ステップは、分離起点からウェハの厚みに相当する板状物をインゴットから剥離して、六方晶単結晶ウェハを生成する。分離起点形成ステップにおいて、オフ角が形成される方向にレーザービームの集光点を所定の間隔を持って２個以上位置付けて、直線状の改質層を２本以上同時に形成する。

特許第６４８２３８９号公報

　特許文献１に記載の、ウェハの生成方法においては、オフ角が形成される方向についての照射位置が異なる複数のレーザービームのそれぞれによって、改質層が同時に形成される。このとき、同時に形成される、オフ角が形成される方向についての位置が異なる複数の改質層のそれぞれにおいて、深さにばらつきが生じることがあり得る。改質層の深さにばらつきが生じると、剥離面に段差が生じて研削や研磨の加工代が大きくなったり、剥離不良が発生したりすることで、製造効率が悪くなる。本開示は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものである。すなわち、本開示は、例えば、従来よりも製造効率の高いウェハ製造方法を提供する。

　本開示の１つの観点によれば、ウェハ製造方法は、インゴットからウェハを得る方法であって、以下の手順、工程、あるいは処理を含む：
　前記インゴットの高さ方向における一端側の表面に対して透過性を有するレーザービームを照射することで、前記表面から前記ウェハの厚みに対応する深さに剥離層を形成する、剥離層形成と、
　前記表面と前記剥離層との間の部分であるウェハ前駆体を、前記剥離層にて前記インゴットから剥離する、ウェハ剥離と、
　前記ウェハ剥離により得られた板状の剥離体の主面を平坦化する、ウェハ平坦化と、
　を含み、
　前記剥離層形成は、
　前記表面上における前記レーザービームの照射位置を前記表面に沿った第一方向に移動させつつ前記レーザービームを前記表面に対して照射するレーザー走査を、前記表面上における前記第一方向と直交し且つ前記表面に沿った第二方向について位置を変えつつ複数回行い、前記第一方向に沿った線状の前記レーザービームの照射痕である走査ラインを、前記第二方向に沿って複数形成することで、前記剥離層を形成し、
　１回の前記レーザー走査にて、前記第一方向および前記第二方向における前記照射位置が異なる複数の前記レーザービームを前記表面に照射することで、前記走査ラインを複数形成する。

　かかるウェハ製造方法においては、まず、前記インゴットの前記高さ方向における前記一端側の前記表面に対して透過性を有する前記レーザービームを照射することで、前記表面から前記ウェハの厚みに対応する深さに前記剥離層を形成する。かかる剥離層の形成は、以下のようにして行う。前記表面上における前記レーザービームの前記照射位置を、前記表面に沿った前記第一方向に移動させつつ、前記レーザービームを前記表面に対して照射する。すなわち、前記レーザービームを前記表面上にて前記第一方向に走査する。このレーザー走査を、前記表面上における前記第一方向と直交し且つ前記表面に沿った前記第二方向について位置を変えつつ複数回行う。これにより、前記第一方向に沿った線状の前記レーザービームの照射痕である前記走査ラインを、前記第二方向に沿って複数形成することで、前記剥離層を形成する。次に、前記インゴットの前記表面と前記剥離層との間の部分である前記ウェハ前駆体を、前記剥離層にて前記インゴットから剥離する。続いて、前記インゴットから前記ウェハ前駆体を剥離することで得られた板状の前記剥離体の前記主面を平坦化することで、前記ウェハを得る。

　ここで、かかるウェハ製造方法においては、１回の前記レーザー走査にて、前記第一方向および前記第二方向における前記照射位置が異なる複数の前記レーザービームを前記表面に照射することで、前記走査ラインを複数形成する。これにより、前記剥離層を形成する際のサイクルタイムが短縮され得る。また、かかる複数の前記レーザービームに含まれる、互いに隣接する２つの前記レーザービームのうち、前記第一方向側に位置する１つを「第一ビーム」と称し、他の１つを「第二ビーム」と称する。この場合、前記第一ビームは、前記第二ビームに先行して、前記第一方向に進行する。このとき、前記第二ビームの前記照射位置は、先行する前記第一ビームにより形成された前記照射痕やその周囲に発生したクラックと重なることがあり得る。先行する前記第一ビームによる前記照射痕や前記クラックが、後行する前記第二ビームの前記照射位置に存在すると、前記第二ビームの吸収率が高まる。このため、先行する前記第一ビームによる前記照射痕や前記クラックの深さとほぼ同一の深さに、後行する前記第二ビームによる前記照射痕が発生しやすくなる。よって、１回の前記レーザー走査にて前記第一ビームおよび前記第二ビームにより一度に形成される、前記第二方向について互いに隣接する２つの前記照射痕や前記クラックは、ほぼ同じ深さに発生しやすくなる。すなわち、前記第二方向について互いに隣接する、前記剥離層を構成する２つの前記走査ラインが、ほぼ同じ深さに発生しやすくなる。

　このように、かかるウェハ製造方法においては、前記剥離層を構成する前記走査ラインの深さのばらつきが、可能な限り抑制され得る。これにより、前記剥離層での剥離によって発生する剥離面における段差や凹凸の大きさが良好に抑制され、前記剥離面における研削や研磨の加工代が低減されたり、剥離不良の発生が良好に抑制されたりする。また、前記剥離層を形成する際のサイクルタイムが短縮され得る。したがって、かかるウェハ製造方法によれば、従来よりも製造効率を高めることが可能となる。
　なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合がある。この場合、参照符号は、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の単なる一例を示すものである。よって、本開示は、参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。

本開示の一実施形態に係るウェハ製造方法における、ウェハ、インゴット、および剥離体の概略構成を示す側面図である。 本開示の一実施形態に係るウェハ製造方法の概略を示す工程図である。 図２に示された剥離層形成工程を経たインゴットの概略構成を示す側面図である。 図３Ａに示されたインゴットの平面図である。 図２に示された剥離層形成工程およびこれに用いられる剥離層形成装置の概略を示す側面図である。 図２に示された剥離層形成工程およびこれに用いられる剥離層形成装置の概を示す正面図である。 図４Ａおよび図４Ｂに示された剥離層形成工程の概略を示す図である。 図４Ａおよび図４Ｂに示された剥離層形成工程の概略を示す図である。 図４Ａおよび図４Ｂに示された剥離層形成工程の概略を示す平面図である。 図４Ａおよび図４Ｂに示されたレーザービームを集光点付近にて拡大して示す図である。 図４Ａに示された剥離層形成工程の概略を示す側面図である。 別例における剥離層形成工程の概略を示す側面図である。 図４Ａに示された剥離層形成工程の概略を示す側面図である。 図４Ａに示された剥離層形成工程の概略を示す側面図である。 図２に示されたウェハ剥離工程およびこれに用いられる剥離装置の概略を示す側面図である。 図５Ａに示された複数のレーザービームの配列態様に対する一変形例を示す平面図である。 図５Ａに示された複数のレーザービームの配列態様に対する他の一変形例を示す平面図である。 一変形例に係るウェハ製造方法の概略を示す工程図である。 図１４に示されたウェハ光学測定における測定位置の設定態様の一例を示す平面図である。 図１４に示されたウェハ光学測定における測定位置の走査の様子を示す平面図である。 図１６に示された測定位置の走査により測定された透過率から算出された吸収係数の測定位置による変化の様子を示すグラフである。 図１４に示されたレーザースライスすなわち剥離層形成工程における改質層発生位置の透過率による違いを示す側断面図である。 図１４に示されたレーザースライスすなわち剥離層形成工程における改質層発生位置の透過率による違いを示す側断面図である。 図１４に示されたレーザースライスすなわち剥離層形成工程における改質層発生位置の透過率による違いを示す側断面図である。 図１４に示されたレーザースライスすなわち剥離層形成工程におけるレーザービームの照射条件の設定手法の一例を説明するための側断面図である。 式（２）に示された吸収係数変化量の導出方法を説明するための平面図である。 図２０に示された面内中心位置におけるインゴットの深さ方向における吸収係数の変化の様子を示すグラフである。 図２０に示された第一端部位置におけるインゴットの深さ方向における吸収係数の変化の様子を示すグラフである。 図２０に示された第二端部位置におけるインゴットの深さ方向における吸収係数の変化の様子を示すグラフである。 吸収係数の導出方法の一例を説明するためのグラフである。 図１４に示されたレーザースライスすなわち剥離層形成工程におけるレーザービームの照射条件の設定のために生成する第一生成体および第二生成体を示す側面図である。 図１４に示されたウェハ光学測定にて一部領域における測定ピッチを細かくした場合の吸収係数の変化の様子を示すグラフである。

　（実施形態）
　以下、本開示の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると、当該実施形態の理解が妨げられるおそれがある。このため、変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中には挿入せず、その後にまとめて説明する。

　（ウェハおよびインゴットの構造）
　図１を参照すると、本実施形態に係るウェハ製造方法によって製造されるウェハ１は、側面視にて略円柱状のインゴット２をスライスして得られるものであって、平面視にて略円形の薄板状に形成されている。すなわち、ウェハ１およびインゴット２は、中心軸Ｌを囲む略円柱面状の側面あるいは端面を有している。中心軸Ｌは、ウェハ１やインゴット２の、略円柱面状の側面あるいは端面と平行で、ウェハ１やインゴット２の軸中心を通る仮想直線である。なお、図示および説明の簡略化の観点から、ウェハ１やインゴット２に通常設けられる、いわゆるオリエンテーションフラットについては、本明細書においては、図示および説明を省略する。

　本実施形態においては、インゴット２は、互いに直交するｃ軸Ｌｃと（０００１）面Ｐｃとを有する単結晶ＳｉＣインゴットであって、０度を超えるオフ角θを有している。ｃ軸Ｌｃは、方向指数により［０００１］として示される結晶軸である。（０００１）面Ｐｃは、ｃ軸Ｌｃと直交する、結晶学上厳密な意味で「Ｃ面」と称される結晶面である。オフ角θは、ウェハ１あるいはインゴット２の中心軸Ｌとｃ軸Ｌｃとのなす角であって、例えば１～４度程度である。すなわち、ウェハ１およびインゴット２におけるｃ軸Ｌｃは、中心軸Ｌをオフ角方向Ｄθに０度を超えるオフ角θ傾けた状態で設けられている。オフ角方向Ｄθは、中心軸Ｌとｃ軸Ｌｃとの交点を中心として中心軸Ｌをｃ軸Ｌｃに向かって回転させた場合の、ウェハ１やインゴット２におけるレーザー照射面（すなわち図中上面あるいは頂面）側に位置する中心軸Ｌ上の点の移動方向を、当該レーザー照射面に写像した方向である。

　説明の簡略化のため、図１に示した通りに右手系ＸＹＺ座標を設定する。かかる右手系ＸＹＺ座標において、オフ角方向ＤθとＸ軸正方向とは、同一方向であるものとする。また、Ｘ軸およびＹ軸は、ウェハ１およびインゴット２の主面と平行であるものとする。「主面」は、板状物における板厚方向と直交する表面であって、「上面」や「底面」あるいは「板面」とも称され得る。あるいは、「主面」は、インゴット２のような柱状物における高さ方向と直交する表面であって、「頂面」あるいは「底面」とも称され得る。さらに、ウェハ１の厚さ方向およびインゴット２の高さ方向と、Ｚ軸とが平行であるものとする。Ｚ軸と直交する任意の方向を、以下「面内方向」と称することがある。

　ウェハ１は、一対の主面であるウェハＣ面１１およびウェハＳｉ面１２を有している。本実施形態においては、ウェハ１は、上面であるウェハＣ面１１が（０００１）面Ｐｃに対してオフ角θ傾くように形成されている。同様に、インゴット２は、一対の主面であるインゴットＣ面２１およびインゴットＳｉ面２２を有している。インゴット２は、頂面であるインゴットＣ面２１が（０００１）面Ｐｃに対してオフ角θ傾くように形成されている。以下、インゴット２のオフ角方向Ｄθにおける一端すなわち上流端を第一端２３と称し、他端すなわち下流端を第二端２４と称する。なお、図１においては、ウェハＣ面１１およびインゴットＣ面２１が向く方向が、Ｚ軸正方向として示されている。

　また、インゴット２は、ファセット領域ＲＦを有している。ファセット領域ＲＦは、「ファセット部」とも称され得る。インゴット２におけるファセット領域ＲＦ以外の部分を、以下、非ファセット領域ＲＮと称する。同様に、非ファセット領域ＲＮは、「非ファセット部」とも称され得る。

　（ウェハ製造方法の概略）
　本実施形態に係るウェハ製造方法は、インゴット２からウェハ１を得る方法であって、以下の工程を含む。

（１）剥離層形成工程：インゴット２の高さ方向における一端側の主面であるインゴットＣ面２１に対して、インゴット２に対する所定程度の透過性を有するレーザービームを照射することで、インゴットＣ面２１からウェハ１の厚みに対応する深さに剥離層２５を形成する。
　ここで、「所定程度の透過性」とは、インゴット２の内側におけるウェハ１の厚みに対応する深さにレーザービームの集光点を形成することが可能な程度の透過性である。また、「ウェハ１の厚みに対応する深さ」は、完成品であるウェハ１の厚み（すなわち厚みの狙い値）に、後述するウェハ平坦化工程等における所定の加工代に相当する厚みを加算した寸法であって、「ウェハ１の厚みに相当する深さ」とも称され得る。

（２）ウェハ剥離工程：レーザー照射面であるインゴットＣ面２１と剥離層２５との間の部分であるウェハ前駆体２６を、剥離層２５にてインゴット２から剥離する。
　ここで、上記の「ウェハ剥離工程」という表現の如く、インゴット２からウェハ前駆体２６を剥離することで得られた板状物は、社会通念上「ウェハ」と称されることがあり得る。しかしながら、エピレディに鏡面化された主面を有する製造後の最終的なウェハ１と区別するため、かかる板状物を、以下、「剥離体３０」と称する。
　剥離体３０は、一対の主面である、非剥離面３１および剥離面３２を有している。非剥離面３１は、ウェハ剥離工程前において剥離層２５を構成していなかった側の面であって、剥離層形成工程やウェハ剥離工程を行う前におけるインゴットＣ面２１に対応する面である。剥離面３２は、ウェハ剥離工程前において剥離層２５を構成しており、ウェハ剥離工程によって新たに生じた表面である。剥離面３２は、剥離層２５およびウェハ剥離工程による剥離に起因する、粗い（すなわち研削あるいは研磨が必要な程度の）凹凸を有している。

（３）ウェハ平坦化工程：剥離体３０の主面である非剥離面３１および剥離面３２のうちの、少なくとも剥離面３２を平坦化することで、製造後の最終的なウェハ１を得る。ウェハ平坦化工程においては、一般的な砥石研磨やＣＭＰに加えて、ＥＣＭＧやＥＣＭＰを用いることが可能である。なお、ＣＭＰはＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。ＥＣＭＧはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇの略である。ＥＣＭＰはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。ウェハ平坦化工程は、これらの複数種類の平坦化工程を、単独で、あるいは、適宜組み合わせることで行われ得る。

（４）インゴット平坦化工程：ウェハ前駆体２６を剥離した後に、新たに生じた、インゴット２の上面を、剥離層形成工程に再度供することができるように、平坦化すなわち鏡面化する。インゴット平坦化工程においても、一般的な砥石研磨やＣＭＰに加えて、ＥＣＭＧやＥＣＭＰを用いることが可能である。インゴット平坦化工程も、これらの複数種類の平坦化工程を、単独で、あるいは、適宜組み合わせることで行われ得る。

　図２は、本実施形態に係るウェハ製造方法を具体化した典型的な一例を示す工程図である。図２に示されているように、剥離層形成工程およびウェハ剥離工程を経てインゴット２から剥離された剥離体３０は、以下の工程を経て、エピレディなウェハ１に仕上げられる。
・ウェハＳｉ面１２となるべき剥離面３２の粗研削
・粗研削を経た剥離面３２のＥＣＭＧ研削
・ＥＣＭＧ研削を経た剥離面３２のＥＣＭＰ研磨
・洗浄

　また、剥離層形成工程およびウェハ剥離工程を経てインゴット２から剥離体３０が剥離された後に残ったインゴット２は、以下の工程を経て、再度の剥離層形成工程に供され得る。
・ウェハ剥離工程により新たに生じたインゴットＣ面２１の粗研削
・粗研削を経たインゴットＣ面２１の仕上げ研削
・洗浄

　以下、各工程の詳細について、図１および図２に加えて他の図をも用いつつ説明する。

　（剥離層形成工程）
　図３Ａおよび図３Ｂは、剥離層形成工程により剥離層２５およびウェハ前駆体２６が形成された状態のインゴット２の概略構成を示す。図４Ａおよび図４Ｂは、剥離層形成工程の概略、および、かかる工程に用いられる剥離層形成装置４０の概略構成を示す。なお、図３Ａないし図４Ｂに示された右手系ＸＹＺ座標は、図１に示された右手系ＸＹＺ座標と整合するように表示されているものとする。

　図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、Ｘ軸に沿った線状のレーザービームの照射痕である走査ラインＬｓをＹ軸方向に複数形成することにより、剥離層２５が形成されている。走査ラインＬｓは、インゴット２に対するレーザービームの照射痕ＲＭが線状に形成されたものである。本実施形態においては、走査ラインＬｓは、オフ角方向Ｄθに沿って設けられている。そして、複数の走査ラインＬｓは、ラインフィード方向Ｄｆに配列されている。ラインフィード方向Ｄｆは、オフ角方向Ｄθと直交する面内方向である。すなわち、ラインフィード方向Ｄｆは、オフ角方向Ｄθと直交し、且つ、インゴット２の高さ方向と直交する方向である。

　図４Ａおよび図４Ｂを参照すると、剥離層形成装置４０は、チャックテーブル４１と、集光装置４２とを備えている。チャックテーブル４１は、インゴット２を、その底面であるインゴットＳｉ面２２側にて保持するように構成されている。具体的には、例えば、チャックテーブル４１は、インゴットＳｉ面２２を空気圧等により吸着する吸着機構等を備えている。なお、後述するように、チャックテーブル４１に対するインゴット２の固定方法は、かかる態様に限定されない。集光装置４２は、不図示のパルスレーザー発振器が発振したレーザービームＢを、チャックテーブル４１に固定された被加工物であるインゴット２に照射するように、レーザービームＢの照射方向であるビーム軸方向についてチャックテーブル４１に対向配置されている。すなわち、集光装置４２は、インゴット２の上面であるインゴットＣ面２１側からレーザービームＢをインゴット２に照射するように設けられている。具体的には、集光装置４２は、インゴット２の内側における、インゴットＣ面２１からウェハ１の厚みに対応する深さに、レーザービームＢの集光点ＢＰを形成するように構成されている。集光装置４２は、「集光器」とも称され得るものであって、レーザービームＢの集光点ＢＰを所定位置に形成するための光学要素（例えばレンズ）を備えている。剥離層形成装置４０は、レーザービームＢの集光点ＢＰを、インゴット２に対して、少なくとも面内方向すなわち図中ＸＹ方向に相対移動可能に構成されている。ここで、「面内方向」は、インゴット２の上面であるインゴットＣ面２１と平行な方向となる。

　剥離層形成装置４０は、レーザービームＢをインゴットＣ面２１上にて走査方向Ｄｓ（すなわち第一方向）に走査する「レーザー走査」により、走査方向Ｄｓに沿って走査ラインＬｓを形成する。すなわち、「レーザー走査」は、レーザー照射面であるインゴットＣ面２１上におけるレーザービームＢの照射位置ＰＲを、走査方向Ｄｓに移動させつつ、レーザービームＢをインゴットＣ面２１に対して照射することである。本実施形態においては、走査方向Ｄｓは、オフ角方向Ｄθに沿った方向、具体的には、オフ角方向Ｄθと同一方向あるいはその反対方向である。そして、剥離層形成装置４０は、レーザー走査をラインフィード方向Ｄｆ（すなわち第二方向）について位置を変えつつ複数回行い、走査ラインＬｓをラインフィード方向Ｄｆに沿って複数形成することで、剥離層２５を形成する。ラインフィード方向Ｄｆおよび走査方向Ｄｓは、ともに、面内方向（すなわちインゴットＣ面２１に沿った方向）であって、互いに直交する方向である。

　本実施形態においては、剥離層形成装置４０は、インゴット２を載置したチャックテーブル４１を集光装置４２に対して走査方向Ｄｓに相対移動させてレーザービームＢをインゴットＣ面２１上で走査することで、走査ラインＬｓを走査方向Ｄｓに沿って形成する。また、剥離層形成装置４０は、１回のレーザー走査を実行した後、チャックテーブル４１を、集光装置４２に対してラインフィード方向Ｄｆに沿って所定量相対移動させる。そして、剥離層形成装置４０は、再度、走査方向Ｄｓ（すなわち前回のレーザー走査の際と同一あるいは反対の方向）にチャックテーブル４１を集光装置４２に対して相対移動させてレーザービームＢを走査することで走査ラインＬｓを形成する。このようにして、剥離層形成装置４０は、ラインフィード方向Ｄｆにおけるほぼ全幅に亘って、レーザービームＢを走査することで、走査ラインＬｓをラインフィード方向Ｄｆに沿って複数形成する。このようにして、ラインフィード方向Ｄｆに沿って複数設けられた走査ラインＬｓによって剥離層２５が形成される。また、剥離層２５よりもインゴットＣ面２１側に、将来的にウェハ１となるべきウェハ前駆体２６が形成される。なお、上記の通り、本実施形態においては、集光装置４２が面内方向について固定的に設けられている一方、インゴット２を支持するチャックテーブル４１が不図示の電動ステージ装置等の走査装置によって少なくとも面内方向に移動するように設けられている。一方、後述するように、本開示は、かかる態様に限定されない。すなわち、例えば、インゴット２を支持するチャックテーブル４１が面内方向について固定的に設けられる一方、集光装置４２が不図示の走査装置によって面内方向について可動に設けられるという実施態様もあり得る。しかしながら、これらいずれの態様においても、見掛け上、レーザービームＢやその照射位置ＰＲがインゴット２の主面上を面内方向に移動したり、レーザービームＢやその集光点ＢＰがインゴット２内を面内方向に移動したりするように見える。したがって、説明の簡略化のため、以下、レーザービームＢやその照射位置ＰＲがインゴット２の主面上を面内方向に移動したり、レーザービームＢやその集光点ＢＰがインゴット２内を面内方向に移動したりするような説明をすることがある。しかしながら、後述するように、本開示は、かかる態様に限定されない。

　本実施形態は、図４Ａおよび図４Ｂに示されているように、１回のレーザー走査にて、走査方向Ｄｓおよびラインフィード方向Ｄｆにおける照射位置ＰＲが異なる複数のレーザービームＢを、インゴットＣ面２１に照射する。具体的には、図５Ａおよび図５Ｂに示されているように、インゴットＣ面２１上の照射位置ＰＲが平面視にて走査方向Ｄｓおよびラインフィード方向Ｄｆの双方に対して傾斜して配列する複数のレーザービームＢ（すなわち第一ビームＢ１等）が、走査方向Ｄｓに沿って移動する。これにより、１回のレーザー走査にて、走査ラインＬｓが複数形成される。したがって、剥離層形成工程におけるサイクルタイムが良好に短縮され得る。

　なお、図４Ａ、図４Ｂ、および図５Ａにおいては、複数のレーザービームＢとして、レーザービームＢが３本の例が図示されている。しかしながら、これは、図示の簡略化上の都合によるものであって、レーザービームＢの本数については特段の限定はない。但し、説明を簡略化するため、以下、複数のレーザービームＢとして、第一ビームＢ１と第二ビームＢ２と第三ビームＢ３とが少なくとも含まれるものとして、説明を続行する。第一ビームＢ１と第二ビームＢ２と第三ビームＢ３とのうち、第一ビームＢ１は、最も先行する、すなわち、最も走査方向Ｄｓ側に位置するものとする。一方、第三ビームＢ３は、最も後行するものとする。そして、第二ビームＢ２は、走査方向Ｄｓおよびラインフィード方向Ｄｆについて、第一ビームＢ１と第三ビームＢ３との間に位置するものとする。

　図５Ａに示されているように、第一ビームＢ１は、第二ビームＢ２に先行して、走査方向Ｄｓに進行する。第一ビームＢ１の照射により、図５Ｂに示されているように、照射影響領域ＲＡが、レーザー照射面であるインゴットＣ面２１から所定の深さに発生する。照射影響領域ＲＡは、レーザービームＢの照射によりＳｉＣがＳｉとＣとに分離することで形成される改質領域からなる照射痕ＲＭと、かかる照射痕ＲＭからその周囲に（０００１）面Ｐｃに沿って伸長するクラックＣとを含む。このため、第二ビームＢ２の照射位置ＰＲは、先行する第一ビームＢ１により形成された照射影響領域ＲＡにおける、少なくともクラックＣと、面内方向について重なることがあり得る。先行する第一ビームＢ１による照射影響領域ＲＡに含まれる照射痕ＲＭやクラックＣが、後行する第二ビームＢ２の照射位置ＰＲに存在すると、かかる照射影響領域ＲＡにより第二ビームＢ２の吸収率が高まる。このため、先行する第一ビームＢ１による照射影響領域ＲＡの深さとほぼ同一の深さに、後行する第二ビームＢ２による照射痕ＲＭが発生しやすくなる。第二ビームＢ２と第三ビームＢ３との関係についても同様である。よって、１回のレーザー走査にて第一ビームＢ１～第三ビームＢ３により一度に形成される、ラインフィード方向Ｄｆについて隣接する３つの照射痕ＲＭあるいは照射影響領域ＲＡは、ほぼ同じ深さに発生しやすくなる。すなわち、ラインフィード方向Ｄｆについて隣接する、剥離層２５を構成する複数の走査ラインＬｓが、ほぼ同じ深さに発生しやすくなる。

　このように、本実施形態においては、剥離層２５を構成する照射痕ＲＭすなわち走査ラインＬｓの深さのばらつきが、可能な限り抑制され得る。これにより、剥離層２５での剥離によって発生する剥離面３２における段差や凹凸の大きさが良好に抑制され、剥離面３２における研削や研磨の加工代が低減されたり、剥離不良の発生が良好に抑制されたりする。また、剥離層２５を形成する際のサイクルタイムが短縮され得る。したがって、本実施形態によれば、従来よりも製造効率を高めることが可能となる。

　図６は、集光装置４２の面内方向における中心位置の、インゴット２に対する相対移動の軌跡を示す。「集光装置４２の面内方向における中心位置」は、典型的には、例えば、複数のレーザービームＢの配列における中心位置である。図４Ａおよび図６に示されているように、本実施形態は、インゴット２の姿勢を、ファセット領域ＲＦが「オフ角の低い側」に位置するようにして、レーザービームＢをＣ面側から照射することで、剥離層形成工程を行う。「オフ角の低い側」とは、インゴット２の姿勢を、一主面であるインゴットＣ面２１が上面となるように設定した場合の、Ｃ面すなわち（０００１）面Ｐｃにおける傾斜の低い側をいうものとする。これに対し、「オフ角の高い側」とは、インゴット２の姿勢を、インゴットＣ面２１が上面となるように設定した場合の、Ｃ面すなわち（０００１）面Ｐｃにおける傾斜の高い側をいうものとする。

　後述する通り、インゴット２における「オフ角の高い側」の一端にて、ウェハ前駆体２６をインゴット２から剥離するための一方向荷重を印加することで、極めて良好なウェハ剥離が実現される。ここで、ファセット領域ＲＦが「オフ角の高い側」に位置するようにインゴット２の姿勢を設定してレーザービームＢをＳｉ面側から照射した後、インゴット２における「オフ角の高い側」の一端にて一方向荷重を印加する想定例について考察する。この点、インゴット２における、ファセット領域ＲＦに近接する端部は、そもそも亀裂が入りにくい。よって、かかる想定例においては、剥離開始位置が、亀裂が入りにくいファセット領域ＲＦに近接する端部となるため、ウェハ剥離工程の成功率が低くなる可能性がある。これに対し、本実施形態は、インゴット２の姿勢を、ファセット領域ＲＦが「オフ角の低い側」に位置するようにして、レーザービームＢをＣ面側から照射した後、インゴット２における「オフ角の高い側」の一端にて一方向荷重を印加する。この場合、剥離開始位置が、亀裂が比較的入りやすい、ファセット領域ＲＦから遠い部分となる。したがって、本実施形態によれば、ウェハ剥離工程の成功率が向上する。

　ところで、ファセット領域ＲＦよりも非ファセット領域ＲＮの方が、集光点ＢＰに到達するレーザービームＢの強度が強くなることが知られている。そこで、本実施形態においては、剥離層形成工程において、非ファセット領域ＲＮよりもファセット領域ＲＦの方が、レーザービームＢの照射によるエネルギーの印加密度が高くなるように、レーザービームＢをインゴット２の主面に照射する。ここにいう「エネルギーの印加密度」は、インゴット２の主面に沿った面内におけるエネルギーの印加密度である。以下の手段が、単独で、あるいは、複合して用いられ得る。具体的には、例えば、ファセット領域ＲＦにて、非ファセット領域ＲＮよりも、レーザービームＢの出力を高くする。あるいは、例えば、非ファセット領域ＲＮよりもファセット領域ＲＦの方がレーザービームＢの照射頻度が高くなるように、レーザービームＢをインゴット２の主面に照射する。より詳細には、例えば、ファセット領域ＲＦにて、非ファセット領域ＲＮよりも、レーザービームＢの繰り返し周波数を高くする、もしくは繰り返し周波数が一定の状態で走査速度を低くして、走査方向Ｄｓにおける照射間隔を狭くする。出力をファセット領域ＲＦにて非ファセット領域ＲＮよりも高くするにあたり、ファセット領域ＲＦにおける出力は、非ファセット領域ＲＮにおける出力の１．５倍が望ましい。走査方向Ｄｓあるいはラインフィード方向Ｄｆにおける照射間隔をファセット領域ＲＦにて非ファセット領域ＲＮよりも狭くするにあたり、ファセット領域ＲＦにおける照射間隔は、非ファセット領域ＲＮにおける照射間隔の２／５であることが好ましい。あるいは、例えば、ファセット領域ＲＦと非ファセット領域ＲＮとを含む全領域に対するレーザービームＢの照射とは別に、ファセット領域ＲＦに対するレーザービームＢの照射を行う。なお、このファセット領域ＲＦに対するレーザービームＢの照射に際しては、非ファセット領域ＲＮにおける、ファセット領域ＲＦに近接する領域に対しても、レーザービームＢが照射され得る。

　本実施形態に係る剥離層形成工程によれば、ファセット領域ＲＦと非ファセット領域ＲＮとを含む全領域に対して、剥離層２５を良好に形成することが可能となる。特に、レーザービームＢの照射側の集光装置４２と、インゴット２を支持するチャックテーブル４１との間の、Ｚ軸方向の距離調整を用いなくても、ファセット領域ＲＦに対する剥離層２５の形成が、非ファセット領域ＲＮと同様に行われ得る。したがって、本実施形態によれば、従来よりも製造効率を高めることが可能となる。

　図４Ａおよび図６を参照すると、剥離層形成工程においては、レーザービームＢを照射した場合の照射位置ＰＲがインゴット２の主面上をオフ角方向Ｄθと同一方向に移動する往路走査Ｓｃ１と、レーザービームＢを照射した場合の照射位置ＰＲがインゴット２の主面上をオフ角方向Ｄθとは反対方向に移動する復路走査Ｓｃ２とが生じる。すなわち、往路走査Ｓｃ１においては、走査方向Ｄｓがオフ角方向Ｄθと同一方向となる。これに対し、復路走査Ｓｃ２においては、走査方向Ｄｓがオフ角方向Ｄθとは反対方向となる。往路走査Ｓｃ１と復路走査Ｓｃ２とは、交互に行われる。

　１回の往路走査Ｓｃ１が終了してから、次回の往路走査Ｓｃ１が開始するまでの間に、集光装置４２のインゴット２に対する相対位置が、ラインフィード方向Ｄｆに所定量移動する。但し、１回の往路走査Ｓｃ１が終了してから、その直後に行われる復路走査Ｓｃ２が開始するまでの間については、集光装置４２のラインフィード方向Ｄｆにおける相対位置は、移動してもよいし、移動しなくてもよい。１回の復路走査Ｓｃ２が終了してから、引き続き行われる往路走査Ｓｃ１が開始するまでの間についても同様である。各段階における、ラインフィード方向Ｄｆの相対移動量については、レーザービームＢの照射条件等により適宜設定され得る。

　往路走査Ｓｃ１においては、レーザービームＢが、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の全幅に亘って照射される。すなわち、往路走査Ｓｃ１においては、照射位置ＰＲをインゴット２の主面上にてオフ角方向Ｄθと同一方向である走査方向Ｄｓに移動させつつ、レーザービームＢをインゴット２の主面に照射する。これにより、インゴット２の走査方向Ｄｓにおける両端部の間にわたって走査ラインＬｓが形成される。これに対し、復路走査Ｓｃ２においては、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の全幅に亘ってレーザービームＢを照射してもよいし、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の全幅に亘ってレーザービームＢを照射しなくてもよい。あるいは、復路走査Ｓｃ２においては、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の全幅ではなくその一部にレーザービームＢを照射してもよい。

　具体的には、例えば、復路走査Ｓｃ２においては、ファセット領域ＲＦおよびその周辺部に対してのみ、レーザービームＢを照射してもよい。これにより、ファセット領域ＲＦと非ファセット領域ＲＮとを含む全領域に対して、剥離層２５を良好に形成することが可能となる。あるいは、例えば、復路走査Ｓｃ２においては、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の端部にのみレーザービームＢを照射してもよい。この場合、復路走査Ｓｃ２においては、照射位置ＰＲがインゴット２の主面上にてオフ角方向Ｄθと反対方向である走査方向Ｄｓに移動しつつ、インゴット２の走査方向Ｄｓにおける端部に走査ラインＬｓが形成される。これにより、ウェハ剥離工程における剥離開始が良好に促進され、ウェハ剥離工程の成功率が向上する。また、復路走査Ｓｃ２においては、ファセット領域ＲＦおよびその周辺部と、走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の端部とに対してのみ、レーザービームＢを照射してもよい。

　図７に示されているように、本実施形態においては、レーザービームＢは、その軸中心から放射状に延びる方向であるビーム径方向における中心部よりも外側の周縁部にて強度が高くなるような強度分布を有している。具体的には、レーザービームＢは、集光点ＢＰの手前側にて環状すなわち中空状となる一方で、集光点ＢＰにて点状に集光するビーム形状を有している。集光点ＢＰにて、レーザービームＢは、最小のビーム径である集光径ｄｃを有している。図７に示された交差範囲ＲＸは、レーザービームＢにおける強度が高い周縁部同士の重なりが生じる、ビーム軸方向について集光点ＢＰを中心とした所定範囲である。

　このように、剥離層形成装置４０は、環状のレーザービームＢを、インゴット２に照射する。このような環状のレーザービームＢや、かかるレーザービームＢを生成して被加工物に照射する装置については、本願の出願時点で既に公知あるいは周知となっている（例えば、特開２００６－１３０６９１号公報、特開２０１４－１４７９４６号公報、等参照。）。このため、かかるレーザービームＢの生成装置や生成方法の詳細については、本明細書においては、説明を省略する。

　図８Ａは、本実施形態に係る環状のレーザービームＢによって照射痕ＲＭを含む照射影響領域ＲＡが形成される様子を示す。図８Ｂは、本実施形態とは異なる別例として、非環状すなわち中実のレーザービームＢによって照射痕ＲＭを含む照射影響領域ＲＡが形成される様子を示す。

　図８Ｂに示されているように、中実のレーザービームＢを用いた場合、レーザービームＢの照射によりＳｉＣがＳｉとＣとに分離することで形成される改質領域である照射痕ＲＭが、集光点ＢＰとは異なる深さに発生し得る。このため、照射痕ＲＭと、かかる照射痕ＲＭから進展したクラックＣとからなる照射影響領域ＲＡの深さも、集光点ＢＰとは異なる深さとなり得る。具体的には、例えば、集光点ＢＰよりも浅い位置にて、レーザービームＢの照射によるエネルギーの印加密度が、照射痕ＲＭを発生させ得る程度にまで高まることがあり得る。すると、照射痕ＲＭは、集光点ＢＰよりも浅い位置に発生し得る。照射痕ＲＭの発生深さは、レーザービームＢの照射エネルギーのばらつきや、インゴット２の屈折率のばらつきや、集光装置４２における光学系のばらつき等により変動し得る。照射痕ＲＭが発生し得る領域を、図中、改質可能範囲ＲＣとして示す。なお、照射痕ＲＭは、特許文献１における「改質層」に相当する。

　これに対し、図８Ａに示されているように、環状のレーザービームＢを用いた場合、レーザービームＢの照射によるエネルギーの印加密度が、照射痕ＲＭを発生させ得る程度にまで高まるのは、集光点ＢＰの付近の深さに限定される。すなわち、例えば、中実のレーザービームＢを用いた場合のように、集光点ＢＰよりも浅い位置にてレーザービームＢの照射によるエネルギーの印加密度が照射痕ＲＭを発生させ得る程度にまで高まることは困難となる。よって、照射痕ＲＭは、集光点ＢＰの付近の深さに、安定的に発生する。すなわち、改質可能範囲ＲＣは、中実のレーザービームＢを用いた場合とは異なり、集光点ＢＰの深さを中心とした狭い深さ範囲に限定される。このため、照射痕ＲＭの発生深さのばらつきが、良好に抑制され得る。換言すれば、剥離層２５を可能な限り薄く形成することが可能となり、剥離後の研削や研磨における加工代が、良好に低減され得る。したがって、本実施形態によれば、従来よりも製造効率を高めることが可能となる。

　ところで、特許文献１に記載の方法は、レーザー走査方向が、「オフ角θが形成される方向（すなわち図１や図３Ａ等におけるオフ角方向Ｄθ）」と直交する方向である。このため、へき開が安定せず、材料ロスが増大する。これに対し、本実施形態においては、図４Ａに示されているように、インゴット２の内部におけるレーザービームＢの集光点ＢＰの移動方向である走査方向Ｄｓは、オフ角方向Ｄθと平行である。すなわち、剥離層形成工程は、レーザー走査にて、照射位置ＰＲを、オフ角方向Ｄθに沿った走査方向Ｄｓに移動させる。換言すれば、剥離層形成装置４０は、オフ角方向Ｄθと平行な走査方向Ｄｓに集光装置４２をインゴット２に対して相対移動させてレーザービームＢを走査することで、走査ラインＬｓをオフ角方向Ｄθに沿って形成する。すると、図９および図１０に示されているように、照射痕ＲＭおよびクラックＣが、（０００１）面Ｐｃに沿って形成される。これにより、ウェハ剥離工程時の剥離層２５における、へき開を安定化させることができ、材料ロスが良好に低減される。また、ウェハ平坦化工程における加工代が良好に削減され、以て、工程時間が可能な限り短縮され得る。したがって、本実施形態によれば、従来よりも製造効率の高いウェハ製造方法を提供することが可能となる。

　図９は、走査方向Ｄｓがオフ角方向Ｄθと同一方向である例を示す。図１０は、走査方向Ｄｓがオフ角方向Ｄθとは反対方向である例を示す。すなわち、図９に示された例においては、図４Ａに示されているように、インゴットＣ面２１が上面となるようにインゴット２の姿勢を設定した場合、レーザー走査にて、照射位置ＰＲを、（０００１）面Ｐｃにおける高い側から低い側に向かって移動させる。これに対し、図１０に示された例においては、インゴットＣ面２１が上面となるようにインゴット２の姿勢を設定した場合、レーザー走査にて、照射位置ＰＲを、（０００１）面Ｐｃにおける低い側から高い側に向かって移動させる。

　例えば、面内方向における照射位置ＰＲの周囲に、照射影響領域ＲＡすなわち照射痕ＲＭやクラックＣが存在しない状況を仮定する。かかる状況においては、レーザービームＢの照射によって、照射痕ＲＭは、集光点ＢＰ付近の深さに発生しやすい。一方、実際は、レーザービームＢは、照射痕ＲＭおよびクラックＣを次々と生成しつつ、走査方向Ｄｓに移動する。このため、上記のような状況は、主として、１回のレーザー走査において最初に形成される、走査ラインＬｓの始点に対応する照射痕ＲＭの形成時にて発生する。よって、レーザー走査中のほとんどの場面において、面内方向における照射位置ＰＲの周囲に照射影響領域ＲＡが存在する状況が発生する。

　すなわち、図９や図１０に示されているように、現在の照射位置ＰＲには、通常、先行して（例えば直前に）形成された照射影響領域ＲＡが存在する。すると、かかる照射影響領域ＲＡにて、レーザービームＢの吸収率が高まる。また、かかる照射影響領域ＲＡは、（０００１）面Ｐｃに沿って形成される。このため、レーザー走査により、照射痕ＲＭは、（０００１）面Ｐｃに沿って進展しやすい。

　ここで、図９に示された例においては、レーザー走査により、照射痕ＲＭは、（０００１）面Ｐｃに沿って走査方向Ｄｓに進展する際に、次第に深い位置に形成されることで、集光点ＢＰから次第に離れる。すると、直前に形成された照射痕ＲＭとほぼ同一の深さでは、今回照射されるレーザービームＢによるエネルギーの印加密度が、新たな照射痕ＲＭを発生させ得る程度にまで高められなくなることがある。この場合、照射痕ＲＭは、これ以上（０００１）面Ｐｃに沿って進展することができなくなる。すると、図９に示されているように、新たに形成される照射痕ＲＭは、今回照射されるレーザービームＢにおける集光点ＢＰ付近の深さに形成される。すなわち、直前に形成された照射痕ＲＭと、今回形成される照射痕ＲＭとの間で、段差が生じる。

　一方、図１０に示された例においては、レーザー走査により、照射痕ＲＭは、（０００１）面Ｐｃに沿って走査方向Ｄｓに進展する際に、次第に浅い位置に形成されることで、集光点ＢＰから次第に離れる。そして、直前に形成された照射痕ＲＭとほぼ同一の深さでは、今回照射されるレーザービームＢによるエネルギーの印加密度が、新たな照射痕ＲＭを発生させ得る程度にまで高められなくなると、照射痕ＲＭがこれ以上（０００１）面Ｐｃに沿って進展できなくなる。すると、図１０に示されているように、新たに形成される照射痕ＲＭは、今回照射されるレーザービームＢにおける集光点ＢＰ付近の深さに形成される。但し、図１０に示された例においては、図９に示された例とは異なり、照射痕ＲＭの進展方向は、レーザービームＢの光源側すなわちインゴット２のレーザー照射面側により近づく方向である。よって、図１０に示された例においては、図９に示された例よりも、照射痕ＲＭがより長く進展しやすくなる。したがって、図１０に示された例においては、図９に示された例よりも、直前に形成された照射痕ＲＭと今回形成される照射痕ＲＭとの間で生じる段差が大きくなる。

　このように、走査方向Ｄｓをオフ角方向Ｄθと同一方向として、レーザー走査における照射位置ＰＲをＣ面における高い側から低い側に向かって移動させることで、直前に形成された照射痕ＲＭと今回形成される照射痕ＲＭとの間の段差を小さくすることができる。これにより、剥離層２５を可能な限り薄く形成することが可能となり、以て、剥離後の研削や研磨における加工代が、良好に低減され得る。したがって、かかる態様によれば、従来よりも製造効率をよりいっそう高めることが可能となる。

　（ウェハ剥離工程）
　図１１は、ウェハ剥離工程、および、かかる工程に用いられる剥離装置５０の概略を示す。なお、図１１に示された右手系ＸＹＺ座標は、図１に示された右手系ＸＹＺ座標と整合するように表示されているものとする。

　剥離装置５０は、インゴットＣ面２１と平行な面内方向すなわちオフ角方向Ｄθにおけるインゴット２の一端である第一端２３にて一方向に荷重を加えることで、ウェハ前駆体２６を剥離層２５にてインゴット２から剥離するように構成されている。第一端２３は、「オフ角の高い側」の端、すなわち、インゴット２の姿勢をインゴットＣ面２１が上面となるように設定した場合のＣ面すなわち（０００１）面Ｐｃにおける高い側の端である。本実施形態においては、剥離装置５０は、第一端２３にて、インゴットＣ面２１をインゴットＳｉ面２２から引き離すような態様の図中Ｚ軸方向の静的および／または動的な荷重を、インゴット２に対して印加するように構成されている。具体的には、本実施形態においては、剥離装置５０は、支持テーブル５１と、剥離パッド５２と、駆動部材５３とを備えている。

　支持テーブル５１は、インゴット２を下方から支持するように設けられている。具体的には、支持テーブル５１は、その上面である支持吸着面５１ａにて開口する不図示の多数の吸引孔を有していて、空気圧によって支持吸着面５１ａにインゴットＳｉ面２２を吸着するように構成されている。支持テーブル５１は、オフ角方向Ｄθにおける両端部である第一テーブル端部５１ｂおよび第二テーブル端部５１ｃを有している。オフ角方向Ｄθにおける一方側（すなわち図中左側）の端部である第二テーブル端部５１ｃは、テーブル基端面５１ｄを有している。テーブル基端面５１ｄは、オフ角方向Ｄθに向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。すなわち、支持テーブル５１は、図１１に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が長い台形状に形成されている。

　剥離パッド５２は、支持テーブル５１の上方にて、支持テーブル５１に対して図中Ｚ軸に沿って接近および離隔自在に設けられている。すなわち、剥離装置５０は、支持テーブル５１と剥離パッド５２とがインゴット２の高さ方向に相対移動可能に構成されている。剥離パッド５２は、その底面であるパッド吸着面５２ａにて開口する不図示の多数の吸引孔を有していて、空気圧によってパッド吸着面５２ａにインゴットＣ面２１を吸着するように構成されている。剥離パッド５２は、オフ角方向Ｄθにおける両端部である第一パッド端部５２ｂと第二パッド端部５２ｃとを有している。オフ角方向Ｄθにおける一方側（すなわち図中左側）の端部である第二パッド端部５２ｃは、パッド端面５２ｄを有している。パッド端面５２ｄは、オフ角方向Ｄθに向かうにつれて下降する傾斜面状に形成されている。すなわち、剥離パッド５２は、図１１に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が短い台形状に形成されている。パッド端面５２ｄは、テーブル基端面５１ｄに対応する位置（すなわち真上）に設けられている。インゴットＣ面２１が吸着により剥離パッド５２に固定され且つインゴットＳｉ面２２が吸着により支持テーブル５１に固定されることで、インゴット２が支持テーブル５１と剥離パッド５２との間で挟持された状態を、以下「挟持状態」と称する。

　駆動部材５３は、挟持状態にて、支持テーブル５１と剥離パッド５２とをインゴット２の高さ方向に沿って相対移動させるような外力を、支持テーブル５１と剥離パッド５２とのうちの少なくともいずれか一方に印加するように設けられている。具体的には、駆動部材５３は、第一駆動端面５３ａと第二駆動端面５３ｂとを有している。第一駆動端面５３ａは、オフ角方向Ｄθに向かうにつれて下降する傾斜面状に形成されている。より詳細には、第一駆動端面５３ａは、パッド端面５２ｄと平行に設けられている。第二駆動端面５３ｂは、オフ角方向Ｄθに向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。より詳細には、第二駆動端面５３ｂは、テーブル基端面５１ｄと平行に設けられている。また、駆動部材５３は、挟持状態にて、第一駆動端面５３ａがパッド端面５２ｄに当接するとともに第二駆動端面５３ｂがテーブル基端面５１ｄに当接するように設けられている。すなわち、駆動部材５３は、図１１に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が長い台形を時計回りに９０度回転させた形状に形成されている。そして、駆動部材５３は、不図示の駆動手段により、インゴット２の高さ方向に沿った上方、および／または、インゴット２に接近する方向であるオフ角方向Ｄθに駆動されるように構成されている。すなわち、駆動部材５３は、上方および／またはオフ角方向Ｄθに駆動されることで、第二パッド端部５２ｃを力点ＦＰとし第一端２３を支点ＰＰおよび作用点ＷＰとするモーメントをインゴット２に作用させるように設けられている。

　ウェハ前駆体２６をインゴット２から剥離するウェハ剥離工程は、テーブル固定工程と、挟持工程と、剥離力印加工程とを含む。テーブル固定工程は、インゴットＳｉ面２２を支持吸着面５１ａに吸着することでインゴット２を支持テーブル５１に固定する工程である。挟持工程は、インゴットＣ面２１をパッド吸着面５２ａに吸着してインゴット２を剥離パッド５２に固定することで挟持状態を形成する工程である。剥離力印加工程は、挟持状態にて、第一端２３を支点ＰＰとするモーメントがインゴット２に作用するように、オフ角方向Ｄθにおける一方側の剥離パッド５２の端部である第二パッド端部５２ｃを力点ＦＰとして静的あるいは動的な荷重を印加する工程である。具体的には、剥離力印加工程は、挟持状態にて駆動部材５３を上方および／またはオフ角方向Ｄθに駆動することで、第二パッド端部５２ｃをインゴット２の高さ方向に沿った上方に押圧する工程である。これにより、剥離層２５を界面として、インゴット２の一部であるウェハ前駆体２６をインゴット２から剥離することができる。

　このように、本実施形態においては、ウェハ剥離工程は、インゴット２の上面（すなわち図１１の例においてはインゴットＣ面２１）と平行な面内方向におけるインゴット２の一端である第一端２３にて、一方向に荷重を加えることで行う。すると、第一端２３を支点ＰＰおよび作用点ＷＰとするモーメントがインゴット２に作用する。

　この点、特許第６６７８５２２号公報に記載のウェハ剥離工程においては、作用点ＷＰや支点ＰＰが、インゴット２の内部、すなわち、面内方向における剥離層２５の外縁よりも内側に設けられていた。かかる比較例では、剥離層２５を界面とする良好な剥離を発生させるために、本実施形態よりもはるかに大きな荷重が必要となっていた。また、剥離層２５の広域に荷重が付与されるため、剥離亀裂位置が定まらず、部分的な未剥離部や、取り出されたウェハ１における破損が発生することがあった。さらに、剥離断面が粗くなり、研削や研磨の加工代が大きくなるという課題があった。したがって、比較例においては、低荷重化、歩留まり、等の点で、改善の余地があった。

　これに対し、本実施形態に係るウェハ剥離工程においては、ウェハ前駆体２６を剥離層２５にてインゴット２から剥離するために、オフ角方向Ｄθにおけるインゴット２の一端にて一方向に荷重を加える。すなわち、荷重を、オフ角方向Ｄθにおける剥離層２５の一端に集中させる。すると、かかる一端を支点ＰＰおよび作用点ＷＰとするモーメントがインゴット２に作用する。これにより、オフ角方向Ｄθにおけるインゴット２の一端側の端部に形成された亀裂を起点に剥離が進行するため、付与荷重を低減しつつ剥離層２５の全面にて安定的に破断を進行させることができる。また、破断発生箇所を安定的に設定することで、剥離後に生じる剥離体３０における剥離面３２やインゴットＣ面２１の表面粗さを低減することが可能となる。特に、破断発生の始点となる第一端２３を、オフ角方向Ｄθにおける「オフ角の高い側」の一端とすることで、破断がスムーズに発生するとともに、へき開がよりいっそう安定化する。このため、ウェハ剥離工程における不良発生率や、ウェハ剥離工程後のインゴット２や剥離体３０の研削や研磨における加工代が、良好に低減され得る。したがって、本実施形態によれば、従来よりも製造効率の高いウェハ製造方法を提供することが可能となる。

　（変形例）
　本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。故に、上記実施形態に対しては、適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態との相違点を主として説明する。また、上記実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。

　本開示は、上記実施形態にて示された具体的な構成に限定されない。すなわち、例えば、ウェハ１すなわちインゴット２の外径や平面形状（例えばいわゆるオリエンテーションフラットの有無等）についても、特段の限定はない。オフ角θの大きさについても、特段の限定はない。また、上記実施形態においては、ウェハＣ面１１や、インゴットＣ面２１は、厳密な結晶学的意味でのＣ面すなわち（０００１）面Ｐｃとは一致しない。しかしながら、このような場合であっても、「Ｃ面」と称することが社会通念上許容されているため、「Ｃ面」という表現を用いている。但し、本開示は、かかる態様に限定されない。すなわち、ウェハＣ面１１や、インゴットＣ面２１は、厳密な結晶学的意味でのＣ面すなわち（０００１）面Ｐｃと一致していてもよい。換言すれば、オフ角θは、０度であってもよい。

　レーザービームＢの照射条件や走査条件についても、上記実施形態にて示された具体例に限定されない。すなわち、例えば、１回のレーザー走査にて照射される複数のレーザービームＢの配置も、図５Ａに示された具体的態様から適宜変容され得る。具体的には、例えば、図１２に示されているように、ラインフィード方向Ｄｆ（すなわち第二方向）について互いに異なる位置に配置された、第一ビームＢ１、第二ビームＢ２、および第三ビームＢ３は、レーザー照射面上にて、Ｖ字状に配列されてもよい。より詳細には、第一ビームＢ１、第二ビームＢ２、および第三ビームＢ３は、この順に、ラインフィード方向Ｄｆに沿って配置される。そして、第二ビームＢ２は、第一ビームＢ１および第三ビームＢ３よりも、走査方向Ｄｓについて突出した位置に設けられる。換言すれば、図１３に示されているように、複数のレーザービームＢは、Ｗ字状あるいは千鳥状に配列され得る。このような複数のレーザービームＢの配置によれば、前に加工した改質層により発生するへき開の長さよりも広い間隔で次の改質層を形成することで、へき開と改質層の干渉を抑制することが可能となる。また、例えば、復路走査Ｓｃ２においても往路走査Ｓｃ１と同様に走査方向Ｄｓにおけるインゴット２の全幅にレーザービームＢを照射する場合、両者の照射条件を異ならせてもよい。具体的には、例えば、往路走査Ｓｃ１と復路走査Ｓｃ２とで、集光装置４２のレーザー照射面すなわちインゴットＣ面２１からの距離（すなわち照射距離）を変更してもよい。

　レーザービームＢの照射条件や走査条件によっては、剥離面３２は、そのままＥＣＭＧ工程やＥＣＭＰ工程に供されても良好に研削あるいは研磨され得る程度の表面状態を有している可能性がある。このため、図２に示された、剥離面３２の粗研削工程は、省略される可能性がある。ウェハ剥離工程後のインゴット２の上面の粗研削についても同様である。

　図４Ａや図４Ｂに示された剥離層形成装置４０は、本開示に係る剥離層形成工程の概要を簡易に説明するための、簡素化された概略図である。したがって、実際に工業上実現される剥離層形成装置４０の具体的な構成は、必ずしも、図４Ａや図４Ｂに示された例示的な構成と一致するとは限らない。具体的には、例えば、チャックテーブル４１は、空気圧による吸着機構以外の方式で、インゴット２を保持するように構成されていてもよい。また、チャックテーブル４１は、集光装置４２に対して、少なくとも面内方向すなわち図中ＸＹ方向に相対移動可能に構成されていてもよい。あるいは、剥離層形成装置４０は、レーザービームＢの集光点ＢＰをインゴット２に対して図中ＸＹＺ方向に相対移動可能に構成された走査装置を備えていてもよい。あるいは、上記実施形態においては、剥離層形成装置４０は、インゴット２を支持するチャックテーブル４１が少なくとも面内方向について移動可能に構成される一方、集光装置４２が面内方向について固定的に設けられていた。しかしながら、本開示は、かかる態様に限定されない。すなわち、例えば、剥離層形成装置４０は、インゴット２を支持するチャックテーブル４１が面内方向について固定的に設けられる一方、集光装置４２が不図示の走査装置によって面内方向に移動するという構成であってもよい。また、ファセット領域ＲＦか非ファセット領域ＲＮかに応じて、あるいは、これにかかわらず、レーザービームＢの照射側の集光装置４２と、インゴット２を支持するチャックテーブル４１との間の、Ｚ軸方向の距離調整を行うことは、本開示においては、任意事項である。その他、実際に工業上実現される剥離層形成装置４０の具体的な構成は、図４Ａや図４Ｂに示された例示的な構成から適宜変更され得る。

　上記実施形態においては、レーザービームＢをインゴットＣ面２１に照射する「Ｃ面側照射」により、剥離層２５をインゴットＣ面２１側に形成した。しかしながら、本開示は、かかる態様に限定されない。すなわち、本開示は、レーザービームＢをインゴットＳｉ面２２に照射して、剥離層２５をインゴットＳｉ面２２側に形成する、「Ｓｉ面側照射」に対しても適用可能である。

　図１１に示された剥離装置５０は、本開示に係るウェハ剥離工程の概要を簡易に説明するための、簡素化された概略図である。したがって、実際に工業上実現される剥離装置５０の具体的な構成は、必ずしも、図１１に示された例示的な構成と一致するとは限らない。具体的には、例えば、支持テーブル５１は、空気圧による吸着機構以外の方式（例えばワックスや接着剤等）を用いて、支持吸着面５１ａにインゴットＳｉ面２２を吸着するように構成されていてもよい。

　得られたウェハ１あるいは剥離体３０の、光学特性すなわち透過率や屈折率を、走査方向Ｄｓおよびラインフィード方向Ｄｆにおける複数位置にて測定し、かかる測定結果に基づいて次回のレーザービームＢの照射条件を制御してもよい。図１４は、かかる態様の概略を示す。図中、「投入／排出」は、被加工物である剥離体３０やインゴット２の投入および排出の工程を示す。「レーザースライス」は、剥離層形成工程を示す。「剥離」は、ウェハ剥離工程を示す。「粗研削」は、インゴット２や剥離体３０の主面を粗研削する工程を示す。粗研削は、例えば、＃８００程度の番手の研削材を用いることが可能である。「仕上げ研削」は、表面を仕上げ研削する工程を示す。仕上げ研削は、例えば、＃３００００程度の番手の研削材を用いることが可能である。「ウェハ光学測定」は、仕上げ研削を経た剥離体３０の光学特性（すなわち透過率や屈折率）を、走査方向Ｄｓおよびラインフィード方向Ｄｆにおける複数位置にて測定する工程を示す。「インゴット洗浄」は、仕上げ研削後のインゴット２を洗浄する工程を示す。各工程を示すブロックの左側の矢印は、インゴット２の処理の流れを示し、右側の矢印は、ウェハ１、あるいは、社会通念上「ウェハ」と称され得る剥離体３０の、処理の流れを示す。

　図１４を参照すると、まず、インゴット２が、剥離層形成装置４０を含むウェハ製造装置に投入される。次に、投入されたインゴット２に対して、レーザービームＢの照射による剥離層形成工程が行われる。続いて、ウェハ剥離工程にて、剥離層形成工程を経たインゴット２から剥離体３０が剥離される。ウェハ剥離工程を経たインゴット２にて新たに生じた、インゴット２の上面は、粗研削および仕上げ研削により平坦化される。その後、インゴット２は、洗浄された後、剥離層形成工程に再度供される。なお、剥離層形成工程あるいはインゴット洗浄工程を経たインゴット２は、高さが所定値未満となった場合、ウェハ製造装置から排出される。

　ウェハ剥離工程によりインゴット２から剥離された剥離体３０は、粗研削および仕上げ研削を経て、光学測定すなわち透過率および屈折率の測定に供される。測定結果は、次回の剥離層形成工程におけるレーザービームＢの照射条件（例えば照射エネルギーおよび／または照射距離）の決定に供される。すなわち、ウェハ１の面内方向における場所毎の透過率および屈折率の測定結果に基づいて、次回の剥離層形成工程でのインゴットＣ面２１の面内方向における場所毎の照射条件が制御される。これにより、面内方向における場所毎の光学特性のバラツキに対応した、きめ細かな照射条件の変更が可能となり、以て材料ロスを低減することが可能となる。特に、インゴット２がファセット領域ＲＦを有する場合に有効である。なお、透過率および屈折率の測定は、いずれか一方のみであってもよい。あるいは、透過率および屈折率の測定は、最終的に得られたエピレディなウェハ１に対して行ってもよい。また、粗研削の条件によっては（例えばＥＣＭＧの場合は）、仕上げ研削は不要となり得る。すなわち、粗研削と仕上げ研削とは、統合され得る。

　図１５は、生成体１００における光学測定位置の設定態様の一例を示す。生成体１００は、光学測定の対象であって、ウェハ１、あるいは、インゴット２から剥離された後に表面が所定程度平坦化された剥離体３０に相当する。この例においては、光学測定位置は、Ｘ軸方向（すなわち第一方向）およびＹ軸方向（すなわち第二方向）のそれぞれについて、一定ピッチ（例えば３ｍｍ）で設定されている。Ｘ軸方向は、図６等に示されている走査方向Ｄｓと平行である。また、Ｙ軸方向は、図６等に示されているラインフィード方向Ｄｆと平行である。ここで、図１６に示されているように、測定線Ｌｘ上の複数の測定位置にて光学測定した場合の、測定位置の変化に伴うレーザービームＢの吸収係数の変化の様子を、図１７に示す。測定線Ｌｘは、生成体１００の面内方向における中心とファセット領域ＲＦとを通りＸ軸と平行な仮想直線である。吸収係数は、下記（１）式によって、取得すなわち算出される。下記（１）式において、αは吸収係数を示し、Ｄはワーク厚さすなわち生成体１００の厚さを示し、Ｔは透過率を示す。

　図１７において、横軸は、生成体１００の面内方向における中心を原点すなわち「０」としたときの、測定位置を示す。図１７に示されているように、吸収係数は、面内方向について一定ではなく、測定位置の変化に伴い変化する。具体的には、図１７における右端側の、吸収係数が高い領域は、ファセット領域ＲＦに相当する。また、ファセット領域ＲＦよりも吸収係数が低い非ファセット領域ＲＮにおいても、面内方向すなわち径方向についての分布を有する。「径方向」は、生成体１００の面内方向における中心から放射状に延びる方向である。具体的には、図１７の例では、中心位置よりも左側すなわち外側にて、吸収係数が低い領域が存在する。

　図１８Ａ～図１８Ｃは、透過率すなわち吸収係数の変化に伴う、改質層発生位置の変化の様子を示す。改質層発生位置は、レーザービームＢの集光により改質層すなわち照射影響領域ＲＡが発生する位置であって、レーザー照射面であるインゴットＣ面２１からのインゴット２の深さ方向における寸法によって示され得る。ここで、インゴット２の深さ方向は、インゴット２の高さ方向と平行な方向であって、より詳細には、インゴット２の高さ方向とは反対方向（すなわち図１等におけるＺ軸負方向）である。図中、照射影響領域ＲＡの横に一点鎖線で示されている円は、改質層発生位置におけるレーザービームＢの集光状態すなわちビーム径を示す。

　まず図１８Ａを参照すると、レーザービームＢは、インゴット２内をその深さ方向に進行するに伴い、吸収係数に従って減衰しつつ集光する。そして、集光によりエネルギー密度が所定程度まで上昇すると、加工閾値に達し、改質層すなわち照射影響領域ＲＡが形成される。ここで、透過率が低い（すなわち吸収係数が高い）場合、減衰量が大きいため、図１８Ｂに示されているように、集光断面積がより小さくなる深い位置にて、加工閾値に相当するエネルギー密度に達して改質が発生する。一方、透過率が高い（すなわち吸収係数が低い）場合、減衰量が小さいため、図１８Ｃに示されているように、集光断面積がより大きい、浅い位置でも、加工閾値に相当するエネルギー密度に達して改質が発生する。このように、透過率すなわち吸収係数の違いにより、改質層発生位置が変動すると、剥離後の生成体１００の表面が粗くなり、研削や研磨の加工代すなわち材料ロスが大きくなってしまう。

　そこで、本変形例は、透過率を面内方向における複数位置にて測定し、かかる測定結果に基づいて、複数位置の各々におけるレーザービームＢの照射条件を制御する。具体的には、本変形例は、前回を含む過去に生成された生成体１００にて測定した透過率に基づいて、吸収係数を取得すなわち算出する。そして、本変形例は、面内における異なる位置毎の、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化傾向に基づいて、レーザービームＢの照射エネルギーを決定する。

　前回得られた生成体１００の光学測定結果から次回のレーザービームＢの照射条件を制御する一具体例について、以下説明する。まず、透過率計測器を用いて、前回得られた生成体１００の透過率等を測定する。このとき、併せて、ワーク厚さの計測も行う。測定した透過率とワーク厚さと上記（１）式とに基づいて、吸収係数を算出する。そして、レーザービームＢの照射エネルギーである投入エネルギーを、下記（２）式を用いて導出する。下記（２）式および図１９において、Ｉ_０は投入エネルギーを示し、Ｉは加工点に必要なエネルギーすなわち改質に必要な最低印加エネルギーを示し、ｚは深さを示す。ｋは、深さ方向の吸収係数変化量、すなわち、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化傾向を示す。

　吸収係数変化量の導出方法について以下説明する。図２０に示されているように、インゴット２の面内方向における中心を面内中心位置Ｍａとする。また、面内中心位置Ｍａを通りＸ軸と平行な測定線Ｌｘ上の位置であって、ファセット領域ＲＦ内に位置するインゴット２の端部位置を、第一端部位置Ｍｂとする。また、かかる測定線Ｌｘ上の位置であって、第一端部位置Ｍｂとは反対側の位置を、第二端部位置Ｍｃとする。第二端部位置Ｍｃは、面内中心位置Ｍａを中心として、第一端部位置Ｍｂとほぼ対称な位置である。図２１Ａは、面内中心位置Ｍａにおける、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化の様子を示す。図２１Ｂは、第一端部位置Ｍｂにおける、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化の様子を示す。図２１Ｃは、第二端部位置Ｍｃにおける、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化の様子を示す。図２１Ａ～図２１Ｃに示されているように、インゴット２の深さ方向における吸収係数の変化には、ある特定の傾向があり、且つ、面内位置毎に異なっていることが分かる。この面内位置毎の深さ方向の吸収係数の変化傾向に基づいて、吸収係数変化量を導出し、これを、前回取得した吸収係数に加算あるいは乗算した値を、次回の加工の際の投入エネルギーの決定に適用することができる。

　例えば、図２２に示されているように、前回取得された吸収係数α_ｎ－１と前々回取得された吸収係数α_ｎ－２との変化量に基づいて、今回の加工に用いる吸収係数推定値α_ｎを取得すなわち算出することが可能である。具体的には、例えば、前回取得された吸収係数α_ｎ－１と前々回取得された吸収係数α_ｎ－２との差分を吸収係数変化量とし、これを、前回取得された吸収係数α_ｎ－１に加算することで、吸収係数推定値α_ｎが算出され得る。そして、かかる吸収係数推定値α_ｎに基づいて、レーザービームＢの照射エネルギーを決定することが可能である。なお、吸収係数変化量の算出に際しては、いわゆる「なましフィルタ」等による統計処理を行ってもよい。

　また、図２３に示されているように、第一生成体１０１および第二生成体１０２を生成する。第一生成体１０１は、インゴット２の高さ方向における一端側すなわちインゴットＣ面２１側から得られた生成体１００である。第二生成体１０２は、インゴット２の高さ方向における他端側すなわちインゴットＳｉ面２２側から得られた生成体１００である。次に、第一生成体１０１における吸収係数である第一吸収係数と、第二生成体１０２における吸収係数である第二吸収係数とを取得する。そして、第一吸収係数と第二吸収係数とのうちの高い方の値を、吸収係数の上限値として、レーザービームＢの照射条件すなわち照射エネルギーを決定することが可能である。換言すれば、吸収係数が高い側の生成体１００すなわちウェハから得た吸収係数を上限値とし、それ以上変化させないような係数設定を用いてもよい。

　光学計測の測定ピッチについては、図１５に示されているような等ピッチで測定してもよいが、適宜変更可能である。すなわち、例えば、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで異なるピッチとしてもよい。あるいは、例えば、図２４にて一点鎖線の矩形で囲まれた領域のような、吸収係数の変化が他の領域よりも大きい領域にて、測定ピッチを細かくしてもよい。かかる領域は、具体的には、例えば、非ファセット領域ＲＮとファセット領域ＲＦとの境界領域である。すなわち、かかる境界領域にて、他の領域よりも、測定ピッチを細かくしてもよい。なお、測定ピッチを細かくする領域は、ファセット領域ＲＦの全体を含んでいてもよい。より詳細には、例えば、図２４を参照すると、測定位置が４０ｍｍよりも右側の領域にて、測定位置が４０ｍｍよりも左側の領域よりも、測定ピッチを細かくしてもよい。換言すれば、非ファセット領域ＲＮおよび非ファセット領域ＲＮとファセット領域ＲＦとの境界領域により構成された所定領域にて、かかる所定領域の外側の領域よりも、測定ピッチを細かくしてもよい。

　上記内容について、実験により効果を確認した。実験の際に用いたレーザービームＢは、パルスレーザーであって、波長１０６４ｎｍ、パルス幅７ｎｓ、発振周波数２５ｋＨｚである。また、レーザービームＢは、外径４．８５ｍｍ、内径２．８２ｍｍとなる、リング状のビームである。かかるレーザービームＢを、ＮＡ０．６５のレンズに入射させ、照射ピッチ（すなわち走査方向Ｄｓにおける照射間隔）８μｍ、走査間隔（すなわちラインフィード方向Ｄｆにおける走査ラインＬｓの間隔）１２０μｍで加工を行った。加工対象となるインゴット２は、外径６インチで、面内の吸収係数差が２．４９ｍｍ^－１となるものを用いた。透過率の計測は、前に切断した厚さ０．３８５ｍｍのウェハ１に対して、３ｍｍピッチで行った。投入エネルギーの設定は、インゴット２の中心部において、深さ０．４ｍｍの箇所で２０μＪのエネルギーが投入される出力設定とした。このとき、出力一定の下で加工を行うと、面内の改質層発生位置の高低差は６１μｍであった。これに対し、面内の吸収係数変化に応じた出力補正を行うことで、改質層発生位置の高低差は１８μｍまで改善された。これにより材料ロスが低減できることが示された。

　上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数値に限定される場合等を除き、その特定の数値に本開示が限定されることはない。同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本開示が限定されることはない。

　変形例も、上記の例示に限定されない。すなわち、例えば、上記に例示した以外で、複数の実施形態同士が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。

　（開示の観点）
　上記の通りの実施形態および変形例についての説明から明らかなように、本明細書には、少なくとも以下の観点が開示されている。
［観点１］
　インゴット（２）からウェハ（１）を得る、ウェハ製造方法は、
　前記インゴットの高さ方向における一端側の表面（２１）に対して透過性を有するレーザービームを照射することで、前記表面から前記ウェハの厚みに対応する深さに剥離層（２５）を形成する、剥離層形成と、
　前記表面と前記剥離層との間の部分であるウェハ前駆体（２６）を、前記剥離層にて前記インゴットから剥離する、ウェハ剥離と、
　前記ウェハ剥離により得られた板状の剥離体（３０）の主面（３２）を平坦化する、ウェハ平坦化と、
　を含み、
　前記剥離層形成は、
　前記表面上における前記レーザービームの照射位置（ＰＲ）を前記表面に沿った第一方向（Ｄｓ）に移動させつつ前記レーザービームを前記表面に対して照射するレーザー走査を、前記表面上における前記第一方向と直交し且つ前記表面に沿った第二方向（Ｄｆ）について位置を変えつつ複数回行い、前記第一方向に沿った線状の前記レーザービームの照射痕である走査ライン（Ｌｓ）を、前記第二方向に沿って複数形成することで、前記剥離層を形成し、
　１回の前記レーザー走査にて、前記第一方向および前記第二方向における前記照射位置が異なる複数の前記レーザービームを前記表面に照射することで、前記走査ラインを複数形成する、
　ウェハ製造方法。
［観点２］
　観点１において、
　前記剥離層形成は、非ファセット領域（ＲＮ）よりもファセット領域（ＲＦ）の方が、前記レーザービームの照射による前記表面に沿った面内におけるエネルギーの印加密度が高くなるように、前記レーザービームを前記表面に照射する。
［観点３］
　観点１または２において、
　前記剥離層形成は、
　前記照射位置を前記第一方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成するとともに、
　前記照射位置を前記第一方向とは反対方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における端部に前記照射痕を形成する。
［観点４］
　観点１～３において、
　前記剥離層形成は、
　前記照射位置を前記第一方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成する第一走査と、
　前記表面に前記レーザービームを照射する集光装置（４２）の前記表面からの距離を前記第一走査から変更して、前記照射位置を前記第一方向とは反対方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成する第二走査とを含む。
［観点５］
　観点１～４において、
　前記インゴットは、互いに直交するｃ軸（Ｌｃ）とＣ面（Ｐｃ）とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、
　前記ｃ軸は、前記表面と直交する中心軸（Ｌ）を、オフ角方向（Ｄθ）に、０度を超えるオフ角（θ）傾けた状態で設けられ、
　前記ウェハ剥離は、前記オフ角方向における前記インゴットの一端（２３）にて一方向に荷重を加えることで行う。
［観点６］
　観点５において、
　前記オフ角方向における前記インゴットの前記一端は、前記インゴットの姿勢を前記表面が上面となるように設定した場合の、前記Ｃ面における高い側の端である。
［観点７］
　観点５または６において、
　前記剥離層形成は、前記インゴットの姿勢を前記表面が上面となるように設定した場合、ファセット領域（ＲＦ）が前記Ｃ面における低い側に位置するようにして行う。
［観点８］
　観点１～７において、
　前記剥離体あるいは得られた前記ウェハの透過率を、前記第一方向および前記第二方向における複数位置にて測定し、
　前記透過率の測定結果に基づいて、前記第一方向および前記第二方向における複数位置の各々における前記レーザービームの照射条件を制御する。
［観点９］
　観点８において、
　前記透過率に基づいて、前記レーザービームの吸収係数を取得し、
　前記表面に沿った面内における異なる位置毎の、前記インゴットの深さ方向における前記吸収係数の変化傾向に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する。
［観点１０］
　観点９において、
　前記インゴットの深さ方向における前記吸収係数の変化傾向に基づいて、前記深さ方向における吸収係数変化量を取得し、
　前回取得された前記吸収係数に前記吸収係数変化量を加算または乗算した値に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する。
［観点１１］
　観点９、１０において、
　前回取得された前記吸収係数と前々回取得された前記吸収係数との変化量に基づいて取得した、吸収係数推定値に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する。
［観点１２］
　観点９～１１において、
　前記高さ方向における一端側にて前記インゴットから得られた前記剥離体あるいは前記ウェハである第一生成体（１０１）と、前記高さ方向における他端側にて前記インゴットから得られた前記剥離体あるいは前記ウェハである第二生成体（１０２）とを生成し、
　前記第一生成体における前記吸収係数である第一吸収係数と、前記第二生成体における前記吸収係数である第二吸収係数とを取得し、
　前記第一吸収係数と前記第二吸収係数とのうちの高い方の値を、前記吸収係数の上限値として、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する。
［観点１３］
　観点８～１２において、
　前記吸収係数の変化が第一領域よりも大きい第二領域にて、前記透過率の測定ピッチを前記第一領域よりも細かくする。
［観点１４］
　観点１３において、
　前記第二領域は、非ファセット領域（ＲＮ）とファセット領域（ＲＦ）との境界領域である。
［観点１５］
　観点１～１４において、
　複数の前記レーザービームは、前記第二方向について互いに異なる位置に配置された、第一ビーム、第二ビーム、および第三ビームを有する。
［観点１６］
　観点１５において、
　前記第二ビームは、前記第一方向および前記第二方向について、前記第一ビームと前記第三ビームとの間に位置する。
［観点１７］
　観点１５において、
　前記第一ビーム、前記第二ビーム、および前記第三ビームは、前記表面上にて、Ｖ字状に配列される。

Claims (17)

1. 　インゴット（２）からウェハ（１）を得る、ウェハ製造方法であって、
   　前記インゴットの高さ方向における一端側の表面（２１）に対して透過性を有するレーザービームを照射することで、前記表面から前記ウェハの厚みに対応する深さに剥離層（２５）を形成する、剥離層形成と、
   　前記表面と前記剥離層との間の部分であるウェハ前駆体（２６）を、前記剥離層にて前記インゴットから剥離する、ウェハ剥離と、
   　前記ウェハ剥離により得られた板状の剥離体（３０）の主面（３２）を平坦化する、ウェハ平坦化と、
   　を含み、
   　前記剥離層形成は、
   　前記表面上における前記レーザービームの照射位置（ＰＲ）を前記表面に沿った第一方向（Ｄｓ）に移動させつつ前記レーザービームを前記表面に対して照射するレーザー走査を、前記表面上における前記第一方向と直交し且つ前記表面に沿った第二方向（Ｄｆ）について位置を変えつつ複数回行い、前記第一方向に沿った線状の前記レーザービームの照射痕である走査ライン（Ｌｓ）を、前記第二方向に沿って複数形成することで、前記剥離層を形成し、
   　１回の前記レーザー走査にて、前記第一方向および前記第二方向における前記照射位置が異なる複数の前記レーザービームを前記表面に照射することで、前記走査ラインを複数形成する、
   　ウェハ製造方法。
2. 　前記剥離層形成は、非ファセット領域（ＲＮ）よりもファセット領域（ＲＦ）の方が、前記レーザービームの照射による前記表面に沿った面内におけるエネルギーの印加密度が高くなるように、前記レーザービームを前記表面に照射する、
   　請求項１に記載のウェハ製造方法。
3. 　前記剥離層形成は、
   　前記照射位置を前記第一方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成するとともに、
   　前記照射位置を前記第一方向とは反対方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における端部に前記照射痕を形成する、
   　請求項１に記載のウェハ製造方法。
4. 　前記剥離層形成は、
   　前記照射位置を前記第一方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成する第一走査と、
   　前記表面に前記レーザービームを照射する集光装置（４２）の前記表面からの距離を前記第一走査から変更して、前記照射位置を前記第一方向とは反対方向に移動させつつ、前記表面の前記第一方向における両端部の間に亘って前記走査ラインを形成する第二走査とを含む、
   　請求項１に記載のウェハ製造方法。
5. 　前記インゴットは、互いに直交するｃ軸（Ｌｃ）とＣ面（Ｐｃ）とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、
   　前記ｃ軸は、前記表面と直交する中心軸（Ｌ）を、オフ角方向（Ｄθ）に、０度を超えるオフ角（θ）傾けた状態で設けられ、
   　前記ウェハ剥離は、前記オフ角方向における前記インゴットの一端（２３）にて一方向に荷重を加えることで行う、
   　請求項１に記載のウェハ製造方法。
6. 　前記オフ角方向における前記インゴットの前記一端は、前記インゴットの姿勢を前記表面が上面となるように設定した場合の、前記Ｃ面における高い側の端である、
   　請求項５に記載のウェハ製造方法。
7. 　前記剥離層形成は、前記インゴットの姿勢を前記表面が上面となるように設定した場合、ファセット領域（ＲＦ）が前記Ｃ面における低い側に位置するようにして行う、
   　請求項５または６に記載のウェハ製造方法。
8. 　前記剥離体あるいは得られた前記ウェハの透過率を、前記第一方向および前記第二方向における複数位置にて測定し、
   　前記透過率の測定結果に基づいて、前記複数位置の各々における前記レーザービームの照射条件を制御する、
   　請求項１に記載のウェハ製造方法。
9. 　前記透過率に基づいて、前記レーザービームの吸収係数を取得し、
   　前記表面に沿った面内における異なる位置毎の、前記インゴットの深さ方向における前記吸収係数の変化傾向に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する、
   　請求項８に記載のウェハ製造方法。
10. 　前記インゴットの深さ方向における前記吸収係数の変化傾向に基づいて、前記深さ方向における吸収係数変化量を取得し、
    　前回取得された前記吸収係数に前記吸収係数変化量を加算または乗算した値に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する、
    　請求項９に記載のウェハ製造方法。
11. 　前回取得された前記吸収係数と前々回取得された前記吸収係数との変化量に基づいて取得した、吸収係数推定値に基づいて、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する、
    　請求項９に記載のウェハ製造方法。
12. 　前記高さ方向における一端側にて前記インゴットから得られた前記剥離体あるいは前記ウェハである第一生成体（１０１）と、前記高さ方向における他端側にて前記インゴットから得られた前記剥離体あるいは前記ウェハである第二生成体（１０２）とを生成し、
    　前記第一生成体における前記吸収係数である第一吸収係数と、前記第二生成体における前記吸収係数である第二吸収係数とを取得し、
    　前記第一吸収係数と前記第二吸収係数とのうちの高い方の値を、前記吸収係数の上限値として、前記レーザービームの照射エネルギーを決定する、
    　請求項９に記載のウェハ製造方法。
13. 　前記吸収係数の変化が第一領域よりも大きい第二領域にて、前記透過率の測定ピッチを前記第一領域よりも細かくする、
    　請求項９に記載のウェハ製造方法。
14. 　前記第二領域は、非ファセット領域（ＲＮ）とファセット領域（ＲＦ）との境界領域である、
    　請求項１３に記載のウェハ製造方法。
15. 　複数の前記レーザービームは、前記第二方向について互いに異なる位置に配置された、第一ビーム、第二ビーム、および第三ビームを有する、
    　請求項１に記載のウェハ製造方法。
16. 　前記第二ビームは、前記第一方向および前記第二方向について、前記第一ビームと前記第三ビームとの間に位置する、
    　請求項１５に記載のウェハ製造方法。
17. 　前記第一ビーム、前記第二ビーム、および前記第三ビームは、前記表面上にて、Ｖ字状に配列される、
    　請求項１５に記載のウェハ製造方法。

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