JP2020102522A - レーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[第1例に係るレーザ加工方法及び半導体部材製造方法]
図22は、比較例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像(側面視での画像)である。この比較例では、532nmの波長を有するレーザ光LをGaNインゴット20の表面20aからGaNインゴット20の内部に入射させ、1つの集光点Cを、X方向に沿って仮想面15上を相対的に移動させることにより、仮想面15に沿って複数の改質スポット13を形成した。具体的には、Y方向において隣り合う集光点C間の距離を2μm、レーザ光Lのパルスピッチを5μm、レーザ光Lのパルスエネルギーを0.3μJとして、仮想面15に沿って複数の改質スポット13を形成した。この場合、図22に示されるように、改質スポット13からレーザ光Lの入射側及びその反対側に延びる亀裂14の延び量が100μm程度となった。
[第2例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法]
[変形例]
[実施形態に係るレーザ加工装置]
Claims (8)
- ガリウムを含む半導体対象物を支持するステージと、
前記ステージに支持された半導体対象物にレーザ光を照射する照射部と、
前記半導体対象物の透過率を測定する測定部と、
前記照射部及び前記測定部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記照射部の制御により、前記半導体対象物の表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより、前記半導体対象物の内部において前記表面に対向する仮想面に沿って、複数の改質スポットと前記複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む析出領域とを形成する第1照射処理と、
前記第1照射処理の後に、前記測定部の制御により、前記半導体対象物の透過率を測定する測定処理と、
前記測定処理の後に、前記照射部の制御により、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率に応じた照射条件によって、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射する第2照射処理と、
を実行する、
レーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第2照射処理においては、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率が基準値以下である場合に、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより前記析出領域を拡大するように、前記照射部を制御する、
請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第2照射処理においては、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率が基準値以下である場合に、前記仮想面におけるエネルギーが前記半導体対象物の加工閾値を下回るように、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより前記析出領域を拡大するように、前記照射部を制御する、
請求項2に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第2照射処理においては、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率が基準値以下である場合に、前記表面に交差する方向からみて集光点が前記改質スポットに重ならないように、且つ、前記仮想面におけるエネルギーが前記半導体対象物の加工閾値を下回るように、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより前記析出領域を拡大するように、前記照射部を制御する、
請求項3に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第2照射処理においては、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率が基準値よりも高い場合に、前記仮想面におけるエネルギーが前記半導体対象物の加工閾値以上となる照射条件によって、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射するように、前記照射部を制御する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第1照射処理の前に、前記照射部の制御により、照射条件を変化させながらレーザ光を前記半導体対象物の内部に照射すると共に、前記測定部の制御により、照射条件ごとに前記半導体対象物の透過率を測定することによって、照射条件と透過率との関係を取得する取得処理を実行し、
前記制御部は、前記第1照射処理においては、照射条件と透過率との前記関係に基づいて、前記第1照射処理の後の前記半導体対象物の透過率が基準値となるような照射条件によって、前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射して前記複数の改質スポットを形成するように、前記照射部を制御する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。 - 前記ステージは、前記測定処理に用いる測定光を透過する透過部を含み、
前記測定部は、前記ステージに支持された前記半導体対象物に向けて前記測定光を照射する光源と、前記半導体対象物及び前記透過部を透過した前記測定光を検出する光検出器と、を有し、前記光検出器の検出結果に基づいて前記半導体対象物の透過率を測定する、
請求項1〜6のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。 - ガリウムを含む半導体対象物を支持するステージと、
前記ステージに支持された半導体対象物にレーザ光を照射する照射部と、
前記半導体対象物の透過率を測定する測定部と、
前記照射部及び前記測定部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記照射部の制御により、前記半導体対象物の表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより、前記半導体対象物の内部において前記表面に対向する仮想面に沿って、複数の改質スポットと前記複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む析出領域とを形成する第1照射処理と、
前記第1照射処理の後に、前記測定部の制御により、前記半導体対象物の透過率を測定する測定処理と、
を実行する、
レーザ加工装置。
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