JP2007319881A - 基体の製造方法、レーザ加工装置、表示装置、電気光学装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を用いて基体を切断・分割する製造方法において、基体表面にごみなどが付着していたとしても、基体を精度よく切断・分割することが可能な基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体としての基板Pの製造方法は、基板Pに第1のレーザ光45aを照射して、材料変質部47を形成する工程と、材料変質部47に第1のレーザ光45aとは性質の異なる第2のレーザ光45bを照射して、第2のレーザ光45bの透過光量を検出する透過光量検出工程と、透過光量検出工程で検出した検出結果に基づいて、透過率を演算する透過率演算工程と、基板Pに応力Fを加えて、分割片Qを形成する工程と、を備えている。
【選択図】図6
【解決手段】基体としての基板Pの製造方法は、基板Pに第1のレーザ光45aを照射して、材料変質部47を形成する工程と、材料変質部47に第1のレーザ光45aとは性質の異なる第2のレーザ光45bを照射して、第2のレーザ光45bの透過光量を検出する透過光量検出工程と、透過光量検出工程で検出した検出結果に基づいて、透過率を演算する透過率演算工程と、基板Pに応力Fを加えて、分割片Qを形成する工程と、を備えている。
【選択図】図6
Description
本発明は、レーザ光による基体の製造方法、レーザ加工装置、表示装置、および、電気光学装置、並びに、電子機器に関する。
従来、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断する場合、基板にレーザ光を照射させて、切断・分割する方法があった。
例えば特許文献1に開示されているように、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断・分割する方法では、その切断予定ラインに沿って基板が吸収するレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域部を基板の表面から裏面に向けて形成し、この改質領域部に沿って切断・分割することで分割片を形成する方法が提案されていた。
ところが、特許文献1の方法では、基体表面にごみなどが付着しているような場合、ごみの付着している箇所ではレーザ光が基体内部に集光しにくくなってしまい、基体内部に改質領域部を正常に形成することができないことがあった。外部から基体に応力を加えて改質領域部に沿って基体を分割するときに、改質領域部の存在していない所では改質領域部の存在している所に比べて分割しにくいので、分割不良を発生させてしまうことがあった。特に、そりのある基体や、多層構造基板などの積層体のような場合では、レーザ光を所望の位置に集光させることができないことがあるため、ごみ付着があると改質領域部を精度よく形成することができない要因となっていた。そこで、基体を分割する前に基体内部に改質領域部が精度よく形成されているかどうかを確認する必要があったが、基体を分割してみないとわからないという不都合な面があった。
本発明の目的は、レーザ光を用いて基体を切断・分割する製造方法において、基体表面にごみなどが付着していたとしても、基体を精度よく切断・分割することが可能な基体の製造方法を提供することである。
本発明の基体の製造方法は、前記基体に第1のレーザ光を照射して、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、前記材料変質部に前記第1のレーザ光とは性質の異なる第2のレーザ光を照射して、前記第2のレーザ光の透過光量を検出する透過光量検出工程と、前記透過光量検出工程で検出した前記検出結果に基づいて、透過率を演算する透過率演算工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、材料変質部に照射した第2のレーザ光の透過光量を検出して、第2のレーザ光の透過率を演算することによって、基体内部に材料変質部が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。例えば透過率が高ければ第2のレーザ光が透過しやすいので、材料変質部が形成されていないことがわかる。逆に、透過率が低ければ第2のレーザ光が透過しにくいので、材料変質部が形成されていることがわかる。基体を分割する前に基体内部に材料変質部が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。基体内部に材料変質部が形成されているかどうかを判定してから基体を分割すれば、基体の切断・分割時の分割不良を抑制することができ、歩留まりを向上させることができる。
本発明の基体の製造方法は、前記基体が、前記第2のレーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、前記透過光量検出工程では、前記基体に前記第2のレーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部の透過光量を検出することが望ましい。
この発明によれば、第2のレーザ光を集光素子で集光させるから、材料変質部における透過光量をより正確に検出することができる。
本発明の基体の製造方法は、前記透過光量検出工程では、前記基体に対する前記第2のレーザ光の入射方向が、前記第1のレーザ光を入射する入射方向と同じであることが望ましい。
この発明によれば、基体に対するレーザ光の照射方法において、第1のレーザ光と、第2のレーザ光とを、相向き合いの方向から照射する方法に比べて、第1のレーザ光と、第2のレーザ光とを、同じ方向から照射する方法にすることによって、レーザ加工装置の構成を複雑にすることなく簡単にすることができる。
本発明の基体の製造方法は、前記透過光量検出工程では、前記第2のレーザ光の集光位置が、前記第1のレーザ光の集光位置と略等しい位置であることが望ましい。
この発明によれば、第1のレーザ光の集光位置と、第2のレーザ光の集光位置とを、略等しくなるように配置することで、材料変質部における透過光量をより正確に検出することができる。
本発明の基体の製造方法は、前記透過光量検出工程では、前記第2のレーザ光が、半導体レーザであり、前記半導体レーザを照射させて、前記材料変質部における前記第2のレーザ光の透過光量を検出することが望ましい。
この発明によれば、第2のレーザ光に連続発振する半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することで、材料変質部を変質させるようなことがなく透過光量を検出することができるので、材料変質部における透過光量をより正確に検出することができる。
本発明の基体の製造方法は、前記透過率演算工程では、前記第2のレーザ光の透過率が、100%未満であることを演算してから前記基体の分割可否判定をすることが望ましい。
この発明によれば、透過率を演算した結果、材料変質部を透過する第2のレーザ光の透過率が100%未満であれば、材料変質部が形成されていることになるので、基体を分割してもよいことになり、透過率を確認するだけで基体の分割可否判定をすることが簡単にできる。
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記第1のレーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザのうちのいずれかであり、前記チタンサファイヤレーザ、または前記YAGレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
この発明によれば、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波を基体に照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基体に対して透過性を有している波長であるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
本発明の基体の製造方法は、前記分割片を形成する工程では、前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することが望ましい。
この発明によれば、基体に応力を加えるだけで基体を切断・分割することができるので、分割片を簡単に形成することができる。
本発明のレーザ加工装置は、基体にレーザ光を照射させて、前記基体を切断するレーザ加工装置であって、前記基体にレーザ光を集光する集光素子と、前記基体を載置可能なステージと、前記ステージを制御するステージ制御部と、前記レーザ光は、第1のレーザ光と、前記第1のレーザ光とは性質の異なる第2のレーザ光と、を含み、前記第1のレーザ光を照射する第1レーザ光源と、前記第2のレーザ光を照射する第2レーザ光源と、前記第1レーザ光源および前記第2レーザ光源を制御するレーザ制御部と、前記第2のレーザ光を前記材料変質部に照射して、前記材料変質部の透過光量を検出する透過光量検出部と、前記ステージ制御部と、前記レーザ制御部と、前記透過光量検出部と、を制御する制御部とを、備え、前記制御部は、前記透過光量検出部の検出結果に基づいて、前記材料変質部の透過率を演算してから、前記基体の分割可否判定をすることを特徴とする。
この発明によれば、材料変質部に照射された第2のレーザ光の透過光量を検出して、制御部が第2のレーザ光の透過率を演算することによって、基体内部に材料変質部が精度よく形成されているかどうかを判断することができ、基体を分割する前に基体の分割可否判定をすることが可能なレーザ加工装置を提供できる。
本発明のレーザ加工装置は、前記第1のレーザ光が、チタンサファイヤレーザ、YAGレーザのいずれかであり、前記チタンサファイヤレーザ、または前記YAGレーザの基本波を照射する前記第1レーザ光源を備えていることが望ましい。
この発明によれば、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基体に対して透過性を有している波長であるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することが可能なレーザ加工装置を提供できる。
本発明のレーザ加工装置は、前記第2のレーザ光が、半導体レーザであり、前記半導体レーザを照射する前記第2レーザ光源を備えていることが望ましい。
この発明によれば、第2のレーザ光に半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することによって、材料変質部を変質させることなく透過光量を検出することができ、材料変質部における透過光量をより正確に検出することが可能なレーザ加工装置を提供できる。
本発明の表示装置は、前述に記載の基体の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、品質問題を抑制することが可能な製造方法で製造されているので、より品質の良好な表示装置を提供することができる。
本発明の電気光学装置は、前述に記載の表示装置を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、より品質の良好な表示装置を備えているので、より表示品質の良好な電気光学装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、前述に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、より表示品質の良好な電気光学装置を備えているので、より表示性能の良好な電子機器を提供することができる。
以下、本発明の基体の製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、本実施形態で使用する基体、および基体内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
<基体>
<基体>
本実施形態で用いうる基体は、その材料にガラス、石英、水晶、シリコン、などの材料(主に、セラミックス材料)を用いることができる。なお、ここでは、基体材料として石英を用いた。
<材料変質部の形成方法>
<材料変質部の形成方法>
基体にレーザ光を照射して基体内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
図1は、レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図である。
図1において、基体としての基板Pの内部にレーザ光45を集光して照射させて、スキャン方向X(分割方向)に、レーザ光45をスキャンする。レーザ光45は集光素子としてのレンズ46で集光されるから、基板Pの内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向X(分割方向)に、レーザ光45をスキャンさせると、基板Pの内部に改質層としての材料変質部47を形成できる。なお、レーザ光45のスキャン方向Xにおける移動速度は、100mm/secである。基板Pの厚さは約200μmである。
また、レーザ光45を1回スキャンさせるだけでは、改質層としての材料変質部47のできる量が数十μmであるので、基板Pの深さ方向全域に材料変質部47を形成するためには、レーザ光45を何回かスキャン方向X(分割方向)にスキャンさせる必要がある。そして、レーザ光45をスキャンさせるごとに、集光素子としてのレンズ46の焦点位置を基板Pの下面から上面に向かって上昇させる。ここで、基板Pの下面から上面に向けてレーザ光45の焦点位置を上昇させるのは、先に形成された材料変質部47によってレーザ光45が散乱してしまい、基板Pの深さ方向全域にわたって材料変質部47を形成することができなくなることを避けるためである。
(実施形態)
本実施形態では、基板に第一のレーザ光を照射して基板内部に材料変質部を形成し、形成した材料変質部に第二のレーザ光を照射して基板の透過率を求め、基板の外部から応力を加えて基板を切断・分割して分割片を形成する製造方法について説明する。
本実施形態では、基板に第一のレーザ光を照射して基板内部に材料変質部を形成し、形成した材料変質部に第二のレーザ光を照射して基板の透過率を求め、基板の外部から応力を加えて基板を切断・分割して分割片を形成する製造方法について説明する。
図2は、本実施形態におけるレーザ加工装置の概略図であり、図3は、レーザ加工装置の制御系のブロック図である。
図2および図3を参照して、レーザ加工装置について説明する。
図2に示すように、レーザ加工装置100は、第1のレーザ光45aを射出する第1レーザ光源101と、射出された第1のレーザ光45aを反射するダイクロイックミラー102と、ダイクロイックミラー102で反射した第1のレーザ光45aを、集光する集光素子としてのレンズ46aとを、備えている。さらに、第2のレーザ光45bを射出する第2レーザ光源201と、射出された第2のレーザ光45bを反射するダイクロイックミラー202と、ダイクロイックミラー202で反射した第2のレーザ光45bを、集光する集光素子としてのレンズ46bとを、備えている。また、加工対象物である基体としての基板Pを載置するステージ107と、ステージ107を集光素子としてのレンズ46aおよび46bに対して、X軸方向、Y軸方向へ移動させるX軸スライド部110およびY軸スライド部108とを、備えている。そして、図4に示すように、第2のレーザ光45bを基板Pの内部に形成された材料変質部47に照射して、第2のレーザ光45bが材料変質部47を透過したときの透過量を検出する透過量検出部151を備えている。
また、ステージ107に載置された基板Pに対して集光素子としてのレンズ46aのZ軸方向の位置を変えてレーザ光の集光点の位置を調整するZ軸スライド機構104を備えている。さらに、ダイクロイックミラー102を挟んで集光素子としてのレンズ46aの反対側に位置する撮像装置112を備えている。撮像装置112は、同軸落射型光源(図示省略)と、CCD(Charge Coupled Device)(図示省略)とが、組み込まれたものである。撮像装置112は、画像を撮像することができ、撮像した画像データは、画像処理部124に取り込まれるように構成されている。そして、同軸落射型光源から射出した可視光は、集光素子としてのレンズ46aを透過して焦点を結ぶ。
集光素子としてのレンズ46aは、Z軸スライド機構104から延びたスライドアーム104aによって支持されている。同様に、集光素子としてのレンズ46bは、Z軸スライド機構105から延びたスライドアーム105bによって支持されている。これら集光素子としてのレンズ46aおよび46bは、倍率が50倍、開口数が0.8、WD(Working Distance)が3mmの対物レンズである。
ここで、第1のレーザ光45aは、基板Pに対して透過性を有するものが採用される。本実施形態では、第1レーザ光源101から射出される第1のレーザ光45aには、半導体レーザを励起するYAGレーザを採用した。YAGレーザは、ナノ秒のパルス幅で射出するいわゆるナノ秒レーザである。第1のレーザ光45aの詳細な条件は以下のとおりである。レーザ光源は、半導体レーザを励起するものである。レーザ媒質:Nd:YAG。レーザ波長:1064nm。レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2。発振形態:Qスイッチパルス。繰り返し周波数:100KHz。パルス幅:30ns。出力:20μJ/パルス。レーザ光品質:TEM00。偏光特性:直線偏光(C)。集光用レンズ倍率:50倍。NA:0.55。レーザ光波長に対する透過率:60%(D)。移動速度:100mm/secである。
YAGレーザのレーザ波長は、1064nmにこだわることはなく、例えばYAGレーザの第2高調波を用いてもよい。第2高調波のレーザ波長は、532nmである。また、第1のレーザ光45aは、YAGレーザでなくてもよく、例えばチタンサファイヤレーザに代表される超短パルスレーザを採用してもよい。超短パルスレーザであるチタンサファイヤレーザを使用すれば、収差の影響でビーム径が多少大きくなったとしても、問題なく内部加工ができ、材料変質部47を形成することができる。この場合のレーザ光45aの詳細な条件は以下のとおりである。レーザ波長:約800nm。パルス幅:約300fs(フェムト秒)。パルス周期:1kHz。出力:約700mWである。
次に、第2のレーザ光45bは、基板Pに対して透過性を有するものが採用される。本実施形態では、第2レーザ光源201から射出される第2のレーザ光45bには、半導体レーザを採用した。第2のレーザ光45bの詳細な条件は以下のとおりである。レーザ光源は、半導体レーザを励起するものである。レーザ波長:600〜800nm。レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2。発振形態:連続発振。出力:20μJ/パルス。レーザ光品質:TEM00。偏光特性:直線偏光(C)。集光用レンズ倍率:50倍。NA:0.55。レーザ光波長に対する透過率:60%(D)。移動速度:100mm/secである。
第1のレーザ光45aを射出する第1レーザ光源101、および第2のレーザ光45bを射出する第2レーザ光源201は、レーザ制御部121によって所定の条件で制御されている。
図3に示すように、レーザ加工装置100(図2参照)は、上記各構成を制御することができるメインコンピュータ120を備えている。メインコンピュータ120には、CPU127(Central Processing Unit)と、RAM128(Random Access Memory)と、画像処理部124とを、備えている。CPU127は、加工異常が発生したら、その判定をすることができる機能を有している。RAM128は、切断予定ラインの座標位置を記憶しておくことができる機能を有している。
メインコンピュータ120は、入力部125と、表示部126と、接続されている。入力部125は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力することができる。表示部126は、レーザ加工時の各種情報を表示することができる。
レーザ制御部121は、I/F131を介して、バッファ129によってメインコンピュータ120と接続されており、第1レーザ光源101の出力や、パルス幅、パルス周期などを制御することができる。また、レーザ制御部121は、第2レーザ光源201の出力などを制御することができる。
レンズ制御部122は、I/F131を介して、バッファ129によってメインコンピュータ120と接続されている。レンズ制御部122には、移動距離を検出することが可能な位置センサ(図示省略)が内蔵されている。そして、この位置センサの出力を検出することにより、図2に示すZ軸スライド機構104、105を駆動して集光素子としてのレンズ46a、46bのZ軸方向の位置を制御することができる。
ステージ制御部123は、I/F131を介して、バッファ129によってメインコンピュータ120と接続されている。ステージ制御部123は、図2に示すX軸スライド部110と、Y軸スライド部108とを、それぞれレール111、109(図2参照)に沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動することができる。
画像処理部124は、撮像装置112と接続されている。画像処理部124は、撮像装置112で取得された画像情報の撮像データに基づいて、集光素子としてのレンズ46aのZ軸方向の位置を確認することや、集光素子としてのレンズ46aの焦点位置を調整する処理を行うことができる。さらに、画像処理部124は、基板Pにおける切断予定ラインの位置を確認することや、その位置を調整する処理を行うこともできる。
透過光量検出部151は、メインコンピュータ120と接続されており、集光素子としてのレンズ46bから照射された第2レーザ光45bの透過光量を検出することができる。そこで、透過光量検出部151は、透過光量を検出して、検出した透過光量をメインコンピュータ120に送信することができる。そして、材料変質部47の有無によって異なる透過光量のデータをメインコンピュータ120で演算することによって、第2のレーザ光45bの透過率を求めることができる。なお、透過光量検出部151は、レーザ光源から射出されたレーザ光をセンサの受光部に入射させ、その光エネルギを電気信号に変換して表示させるレーザパワーメータや、光パワーの検出が可能なフォトダイオードなどの検出器を内蔵している。
レーザ加工装置100は、これら、レーザ制御部121と、レンズ制御部122と、ステージ制御部123と、画像処理部124とを、制御することができる制御部としてのメインコンピュータ120を備えている。
図4は、基板上にごみが付着していない場合のレーザ光の透過光量検出方法を説明するための説明図である。
図4を参照して、ごみが付着していない基板にレーザ光を照射したときのレーザ光の透過光量検出方法について説明する。
図4に示すように、基板Pの入射面Pu側から射出面Pd側に向けて第1のレーザ光45aを照射する。照射された第1のレーザ光45aは、集光素子としてのレンズ46aで集光され、基板Pの内部に材料変質部47を形成することができる(図4の場合、基板内部に一層形成されている)。次に、基板Pの入射面Pu側から射出面Pd側に向けて第2のレーザ光45bを照射する。照射された第2のレーザ光45bは、集光素子としてのレンズ46bで集光され、基板Pの内部に形成された材料変質部47に照射される。そこで、材料変質部47に照射された第2のレーザ光45bは、射出面Pd側に射出される。そして、射出された第2のレーザ光45bは、透過光量検出部151に照射される。ここで、透過光量検出部151に照射された第2のレーザ光45bは、材料変質部47において遮光されてしまうから、第2レーザ光源201から射出される透過光量と比べて、低い値になる。
図5は、基板上にごみが付着している場合のレーザ光の透過光量検出方法を説明するための説明図である。
図5を参照して、ごみが付着している基板にレーザ光を照射したときのレーザ光の透過光量検出方法について説明する。
図5に示すように、基板Pの入射面Pu側から射出面Pd側に向けて第1のレーザ光45aを照射する。ただし、基板Pの上には、第1のレーザ光45aの入射面Pu側にごみKが付着している。基板Pの上にごみKが付着している箇所では、第1のレーザ光45aは基板Pを透過することができない。照射された第1のレーザ光45aは、集光素子としてのレンズ46aで集光されるが、ごみKが付着していると、基板Pの内部に材料変質部47を形成することができない。材料変質部47の存在していない所では、改質されていないので、光を遮光することがない。
次に、基板Pの入射面Pu側から射出面Pd側に向けて第2のレーザ光45bを照射する。照射された第2のレーザ光45bは、集光素子としてのレンズ46bで集光され、基板Pの内部を透過する。そこで、照射された第2のレーザ光45bは、基板Pにおいて材料変質部47が形成されていない所を透過して、射出面Pd側に射出され、射出された第2のレーザ光45bは、透過光量検出部151に照射される。基板Pに材料変質部47が改質されていないから、第2のレーザ光45bが遮光されてしまうことがない。そして、透過光量検出部151で検出される第2のレーザ光45bの透過光量は、基板Pをそのまま透過することになるので、第2レーザ光源201から射出される透過光量と、ほぼ等しくなる。
そして、第2レーザ光源201から照射される第2のレーザ光45bの透過光量と、透過光量検出部151で検出された第2のレーザ光45bの透過光量との比を、図2に示すメインコンピュータ120を用いて演算することによって、材料変質部47における第2のレーザ光45bの透過率を求めることができる。
図6は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造方法を示す図であり、図(a)は、基板に第1のレーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図(b)は、第2のレーザ光を照射して透過光量を検出する過程を示す図であり、図(c)は、分割片を示す図である。図7は、基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
図6および図7を参照して、分割片の製造方法について説明する。より、具体的には、材料変質部におけるレーザ光の透過光量を検出して、検出した透過光量と、レーザ光源から射出されたレーザ光のレーザ光量とを比較・演算して、透過率を求め、基板の分割可否判定をする分割片の製造方法について説明する。
図7のステップS1では、図6(a)に示すように、内部加工を行う。この内部加工では、第1のレーザ光45aを集光素子としてのレンズ46aで集光して基板Pに対して照射して、基板Pの内部に改質層としての材料変質部47を形成する。そして、基板Pの厚さ方向全域に材料変質部47を形成する(図1参照)。射出される第1のレーザ光45aは、基板Pの入射面Pu側から射出面Pd側に向けて照射される。なお、ここで使用される第1のレーザ光45aは、YAGレーザを採用したナノ秒レーザである。
次に、図7のステップS2では、図6(b)に示すように、基板Pに対する第2のレーザ光45bの透過光量検査をする。この透過光量検査では、第2のレーザ光45bを集光素子としてのレンズ46bで集光して材料変質部47に照射させる。射出される第2のレーザ光45bは、第1のレーザ光45aと同様に、入射面Pu側から射出面Pd側に向けて照射される。なお、ここで使用される第2のレーザ光45bは、半導体レーザであり、この半導体レーザは、連続発振制御される。材料変質部47に照射された第2のレーザ光45bは、透過光量検出部151に入射し、透過光量検出部151に入射した第2のレーザ光45bの透過光量を検出する。なお、基板Pの上には、ごみKが存在していない状態(図4参照)と、ごみKが存在している状態(図5参照)とが、想定される。そして、透過光量検出部151で検出される第2のレーザ光45bの透過光量は、基板Pの上にごみKが存在していない状態と、ごみKが存在している状態とで、それぞれ異なる値を示すことになる。
次に、図7のステップS3では、分割可否判定をする。ここでの分割可否判定は、図2に示すレーザ加工装置100を用いて、基板Pの内部に材料変質部47が正常に形成されているかどうかを判定する。この分割可否判定方法は、基板Pの上にごみKが存在している状態と、存在していない状態と、から得られたそれぞれの透過光量を制御部としてのメインコンピュータ120を用いて演算することによって、それぞれの透過率を求める。透過率が低ければ、第2のレーザ光45bが基板Pを透過していないことになるから、基板Pには材料変質部47が所定の位置に形成されていることになる。逆に、透過率が、高ければ(この場合、100%)第2のレーザ光45bが基板Pを透過したことになるから、材料変質部47が所定の位置に形成されていないことになる。なお、ここで定義する透過率とは、第2レーザ光源201から射出された第2のレーザ光45bのレーザ強度と、透過光量検出部151で検出された第2のレーザ光45bのレーザ強度とを、比較して得られる。そして、材料変質部47が基板Pの所定の位置に形成されていないことがわかれば、メインコンピュータ120は、基板Pの分割不可(NO)の判定を行い、以前のステップS1の内部加工に戻る。逆に、材料変質部47が所定の位置に形成されていることがわかれば、メインコンピュータ120は、基板Pの分割可能(YES)の判定を行い、次のステップS4の分割に進む。そして、レーザ光45aを遮光するごみK(図5(a)参照)などの遮光物を基板P上から取り除いたその後に、基板Pの内部加工を行えば、基板Pの内部に材料変質部47を精度よく形成することができる。
次に、図7のステップS4では、図6(c)に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、基板Pの上面側から基板Pに対して応力Fを加える。基板Pの外部から応力Fを加える方法としては、例えば切断予定ラインに沿って基板Pに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Pに温度差を与えることによって熱応力を発生させることもできる。材料変質部47を有する基板Pに対して外部から応力Fを加えると、分割片Qを形成することができる。
以上のような実施形態の基体の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
(1)材料変質部47に照射した第2のレーザ光45bの透過光量を検出して、第2のレーザ光45bの透過率を演算することによって、基体としての基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。例えば透過率が高ければ、第2のレーザ光45bが透過しやすいので、材料変質部47が形成されていないことがわかる。逆に、透過率が低ければ第2のレーザ光45bが透過しにくいので、材料変質部47が形成されていることがわかる。基板Pを分割する前に基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。基板Pの内部に材料変質部47が形成されているかどうかを判定してから基板Pを分割すれば、基板Pの切断・分割時の分割不良を抑制することができ、歩留まりを向上させることができる。
(2)第2のレーザ光45bを集光素子としてのレンズ46bで集光させるから、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(3)基体としての基板Pに対するレーザ光の照射方法において、第1のレーザ光45aと、第2のレーザ光45bとを、相向き合いの方向から照射する方法に比べて、第1のレーザ光45aと、第2のレーザ光45bとを、同じ方向から照射する方法にすることによって、レーザ加工装置100の構成を複雑にすることなく簡単にすることができる。
(4)第1のレーザ光45aの集光位置と、第2のレーザ光45bの集光位置とを、略等しくなるように配置することで、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(5)第2のレーザ光45bに連続発振する半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することで、材料変質部47を変質させるようなことがなく透過光量を検出することができるので、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(6)制御部としてのメインコンピュータ120が、透過率を演算した結果、材料変質部47を透過する第2のレーザ光45bの透過率が100%未満であれば、材料変質部47が形成されていることになるので、基板Pを分割してもよいことになり、透過率を確認するだけで基板Pの分割可否判定をすることが簡単にできる。
(7)チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波を基板Pに照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基板Pに対して透過性を有している波長であるので、基板Pの所定の位置に材料変質部47を形成することができる。
(8)基板Pに応力Fを加えるだけで基板Pを切断・分割することができるので、分割片Qを簡単に形成することができる。
(9)材料変質部47に照射された第2のレーザ光45bの透過光量を検出して、制御部としてのメインコンピュータ120が第2のレーザ光45bの透過率を演算することによって、基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができ、基板Pを分割する前に基板Pの分割可否判定をすることが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
(10)チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基板Pに対して透過性を有している波長であるので、基板Pの所定の位置に材料変質部47を形成することが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
(11)第2のレーザ光45bに半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することによって、材料変質部47を変質させることなく透過光量を検出することができ、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
(1)材料変質部47に照射した第2のレーザ光45bの透過光量を検出して、第2のレーザ光45bの透過率を演算することによって、基体としての基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。例えば透過率が高ければ、第2のレーザ光45bが透過しやすいので、材料変質部47が形成されていないことがわかる。逆に、透過率が低ければ第2のレーザ光45bが透過しにくいので、材料変質部47が形成されていることがわかる。基板Pを分割する前に基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができる。基板Pの内部に材料変質部47が形成されているかどうかを判定してから基板Pを分割すれば、基板Pの切断・分割時の分割不良を抑制することができ、歩留まりを向上させることができる。
(2)第2のレーザ光45bを集光素子としてのレンズ46bで集光させるから、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(3)基体としての基板Pに対するレーザ光の照射方法において、第1のレーザ光45aと、第2のレーザ光45bとを、相向き合いの方向から照射する方法に比べて、第1のレーザ光45aと、第2のレーザ光45bとを、同じ方向から照射する方法にすることによって、レーザ加工装置100の構成を複雑にすることなく簡単にすることができる。
(4)第1のレーザ光45aの集光位置と、第2のレーザ光45bの集光位置とを、略等しくなるように配置することで、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(5)第2のレーザ光45bに連続発振する半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することで、材料変質部47を変質させるようなことがなく透過光量を検出することができるので、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することができる。
(6)制御部としてのメインコンピュータ120が、透過率を演算した結果、材料変質部47を透過する第2のレーザ光45bの透過率が100%未満であれば、材料変質部47が形成されていることになるので、基板Pを分割してもよいことになり、透過率を確認するだけで基板Pの分割可否判定をすることが簡単にできる。
(7)チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波を基板Pに照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基板Pに対して透過性を有している波長であるので、基板Pの所定の位置に材料変質部47を形成することができる。
(8)基板Pに応力Fを加えるだけで基板Pを切断・分割することができるので、分割片Qを簡単に形成することができる。
(9)材料変質部47に照射された第2のレーザ光45bの透過光量を検出して、制御部としてのメインコンピュータ120が第2のレーザ光45bの透過率を演算することによって、基板Pの内部に材料変質部47が精度よく形成されているかどうかを判断することができ、基板Pを分割する前に基板Pの分割可否判定をすることが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
(10)チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザの基本波が、基板Pに対して透過性を有している波長であるので、基板Pの所定の位置に材料変質部47を形成することが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
(11)第2のレーザ光45bに半導体レーザを用いれば、半導体レーザが連続発振することによって、材料変質部47を変質させることなく透過光量を検出することができ、材料変質部47における透過光量をより正確に検出することが可能なレーザ加工装置100を提供できる。
次に、本発明に係る表示装置としての液晶パネルについて説明する。
図8は、本実施形態における液晶パネルの構造を示す概略図であり、同図(a)は、概略平面図であり、同図(b)は、同図(a)のA−A線に沿って切断した概略断面図である。
図8(a)および(b)に示すように、液晶パネル10は、TFT3を有するTFT基板1と、対向電極6を有する対向基板2と、シール材4によって接着されたTFT基板1と、対向基板2との隙間に充填された液晶5とを備えている。
TFT基板1には、厚さ約1.2mmの石英基板が用いられており、その表面には画素
を構成する画素電極(図示省略)と、複数のトランジスタ素子(図示省略)で構成されて
いるTFT3とが形成されている。TFT3を構成する個々のトランジスタ素子の3端子
のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁
状態で格子状に配置されたデータ線(図示省略)と走査線(図示省略)とに接続されてい
る。データ線および走査線は、配線パターン11を介して端子部1aにおいて駆動回路部9に接続されている。駆動回路部9の入力側配線パターン12は、端子部1aに配列形成された実装端子13に接続されている。
を構成する画素電極(図示省略)と、複数のトランジスタ素子(図示省略)で構成されて
いるTFT3とが形成されている。TFT3を構成する個々のトランジスタ素子の3端子
のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁
状態で格子状に配置されたデータ線(図示省略)と走査線(図示省略)とに接続されてい
る。データ線および走査線は、配線パターン11を介して端子部1aにおいて駆動回路部9に接続されている。駆動回路部9の入力側配線パターン12は、端子部1aに配列形成された実装端子13に接続されている。
対向基板2は、対向基板本体2a、マイクロレンズ15およびカバーガラス16より構成されている。対向基板本体2aには、厚さ約1.1mmの石英基板が用いられており、TFT基板1の画素電極に対向する部分にはマイクロレンズ面2bが形成されている。マイクロレンズ15は、対向基板本体2aのマイクロレンズ面2bに合性樹脂を充填することにより形成したものである。カバーガラス16には、厚さ約50μmの石英基板が用いられており、マイクロレンズ15を形成している合性樹脂により、対向基板本体2aに接着されている。
マイクロレンズ15は、液晶パネル10の開口率を向上させる働きをしており、画素電
極とは一対一で対応している。カバーガラス16は、対向基板本体2aの全域を覆うこと
により、マイクロレンズ15を保護している。
極とは一対一で対応している。カバーガラス16は、対向基板本体2aの全域を覆うこと
により、マイクロレンズ15を保護している。
対向基板2には、共通電極としての対向電極6が設けられている。対向電極6は、対向
基板2の四隅に設けられた上下導通部14を介してTFT基板1側に設けられた配線パタ
ーン(図示省略)と導通しており、当該配線パターンも端子部1aに設けられた実装端子
13に接続されている。液晶5に面するTFT基板1の表面および対向基板2の表面には、それぞれ配向膜7、8が形成されている。
基板2の四隅に設けられた上下導通部14を介してTFT基板1側に設けられた配線パタ
ーン(図示省略)と導通しており、当該配線パターンも端子部1aに設けられた実装端子
13に接続されている。液晶5に面するTFT基板1の表面および対向基板2の表面には、それぞれ配向膜7、8が形成されている。
液晶パネル10は、外部駆動回路(図示省略)と電気的に繋がる中継基板(図示省略)
が実装端子13に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部9に入
力されることにより、TFT3が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極
6との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
が実装端子13に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部9に入
力されることにより、TFT3が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極
6との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
液晶パネル10が、本実施形態の切断・分割方法で製造されているので、TFT基板1にごみKが付着していたとしても、外形精度の良好な分割片Qを製造することができる。
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図9は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
図9に示すように、液晶表示装置500は、多層回路基板30を備えている。そして、液晶表示装置500は、カラー表示用の液晶パネル10と、液晶パネル10に接続される多層回路基板30と、多層回路基板30に実装される液晶駆動用IC300などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル10に付設される。なお、液晶表示装置500は、COF(Chip・On・Film)構造である。
液晶パネル10は、シール材4によって接着された一対のTFT基板1および対向基板2を有し、これらのTFT基板1と、対向基板2との、間に形成される間隙(セルギャップ)に液晶5(図8参照)が封入され、封入された液晶5は、TFT基板1と、対向基板2とに、よって挟持される。これらのTFT基板1と、対向基板2とは、一般には透光性材料、例えば石英、ガラス、合成樹脂等によって形成される。TFT基板1および対向基板2の外側表面には偏光板56が貼り付けられている。
また、TFT基板1の内側表面には画素電極66が形成され、対向基板2の内側表面には対向電極6が形成される。これらの画素電極66、対向電極6は、例えばITO((Indium・Tin・Oxide):インジウムスズ酸化物)等の透光性材料によって形成される。TFT基板1は対向基板2に対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の実装端子13が形成されている。これらの実装端子13は、TFT基板1上に画素電極66を形成するときに画素電極66と同時に形成される。従って、これらの実装端子13は、例えばITOによって形成される。これらの実装端子13には、画素電極66から一体に延びるもの、および導電材(図示省略)を介して対向電極6に接続されるものが含まれる。
一方、多層回路基板30の表面には、配線パターン39a、39bが形成されている。すなわち、多層回路基板30の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン39aが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン39bが形成されている。これらの入力用配線パターン39aおよび出力用配線パターン39bの中央側の端部には、電極パッド(図示省略)が形成されている。
多層回路基板30の表面には、液晶駆動用IC300が実装されている。具体的には、多層回路基板30の表面に形成された複数の電極パッド(図示省略)に対して、液晶駆動用IC300の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ACF(Anisotropic・Conductive・Film:異方性導電膜)160を介して接続されている。このACF160は、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板30の表面に液晶駆動用IC300を実装することにより、いわゆるCOF構造が実現されている。
そして、液晶駆動用IC300を備えた多層回路基板30が、液晶パネル10のTFT基板1に接続されている。具体的には、多層回路基板30の出力用配線パターン39bが、ACF140を介して、TFT基板1の実装端子13と電気的に接続されている。なお、多層回路基板30は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。
上記のように構成された液晶表示装置500では、多層回路基板30の入力用配線パターン39aを介して、液晶駆動用IC300に信号が入力される。すると、液晶駆動用IC300から、多層回路基板30の出力用配線パターン39bを介して、液晶パネル10に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル10において画像表示が行われるようになっている。
品質が良好で、より安価な表示装置としての液晶パネル10を備えているので、表示品質が良好で、より安価な電気光学装置としての液晶表示装置500を提供することができる。
次に、本発明の電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。
図10は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。
図10に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話2000は、上述した液晶表示装置500を表示手段として搭載している。携帯電話2000は、表示部2001を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話2000は、簡単に切断・分割することが可能な電気光学装置としての液晶表示装置500を備えることができるので、生産効率の良好な電子機器としての携帯電話2000を提供できる。また、電子機器としては、携帯電話2000にこだわることはなく、例えばプリンタ、腕時計、NOTE―PC、PDA、電子ペーパ、と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、電気光学装置としての液晶表示装置500の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
(変形例1)
前述の実施形態で、第2のレーザ光45bの照射方向として、第1のレーザ光45aの左側から照射(図4および図5参照)させたがこれに限らない。例えば第1のレーザ光45aの右側から第2のレーザ光45bを照射させる構成にしてもかまわない。このようにしても、第2のレーザ光45bが、透過光量検出部151で受光できれば、第2のレーザ光45bの透過光量を検出することができるので、実施形態と同様の効果が得られる。
前述の実施形態で、第2のレーザ光45bの照射方向として、第1のレーザ光45aの左側から照射(図4および図5参照)させたがこれに限らない。例えば第1のレーザ光45aの右側から第2のレーザ光45bを照射させる構成にしてもかまわない。このようにしても、第2のレーザ光45bが、透過光量検出部151で受光できれば、第2のレーザ光45bの透過光量を検出することができるので、実施形態と同様の効果が得られる。
(変形例2)
前述の実施形態で、基板Pの入射面Puに対して第2のレーザ光45bを傾斜させて照射(図4および図5参照)させたがこれに限らない。例えば第1のレーザ光45aと同じ位置に第2のレーザ光45bを配置して第2のレーザ光45bを照射させる構成にしてもかまわない。このようにしても、第2のレーザ光45bが、透過光量検出部151で受光できれば、第2のレーザ光45bの透過光量を検出することができるので、実施形態と同様の効果が得られる。
前述の実施形態で、基板Pの入射面Puに対して第2のレーザ光45bを傾斜させて照射(図4および図5参照)させたがこれに限らない。例えば第1のレーザ光45aと同じ位置に第2のレーザ光45bを配置して第2のレーザ光45bを照射させる構成にしてもかまわない。このようにしても、第2のレーザ光45bが、透過光量検出部151で受光できれば、第2のレーザ光45bの透過光量を検出することができるので、実施形態と同様の効果が得られる。
10…表示装置としての液晶パネル、45a…第1のレーザ光、45b…第2のレーザ光、46a…集光素子としてのレンズ、46b…集光素子としてのレンズ、47…改質層としての材料変質部、100…レーザ加工装置、101…第1レーザ光源、107…ステージ、112…撮像装置、120…制御部としてのメインコンピュータ、121…レーザ制御部、122…レンズ制御部、123…ステージ制御部、151…透過光量検出部、201…第2レーザ光源、500…電気光学装置としての液晶表示装置、2000…電子機器としての携帯電話、F…応力、K…ごみ、P…基体としての基板、Pu…入射面、Pd…射出面、Q…分割片。
Claims (14)
- 基体の製造方法であって、
前記基体に第1のレーザ光を照射して、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、
前記材料変質部に前記第1のレーザ光とは性質の異なる第2のレーザ光を照射して、前記第2のレーザ光の透過光量を検出する透過光量検出工程と、
前記透過光量検出工程で検出した前記検出結果に基づいて、透過率を演算する透過率演算工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1に記載の基体の製造方法において、
前記基体が、前記第2のレーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、
前記透過光量検出工程では、
前記基体に前記第2のレーザ光を集光素子で集光して照射させて、
前記材料変質部の透過光量を検出することを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の基体の製造方法において、
前記透過光量検出工程では、
前記基体に対する前記第2のレーザ光の入射方向が、前記第1のレーザ光を入射する入射方向と同じであることを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記透過光量検出工程では、
前記第2のレーザ光の集光位置が、前記第1のレーザ光の集光位置と略等しい位置であることを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記透過光量検出工程では、
前記第2のレーザ光が、半導体レーザであり、
前記半導体レーザを照射させて、前記材料変質部における前記第2のレーザ光の透過光量を検出することを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記透過率演算工程では、
前記第2のレーザ光の透過率が、100%未満であることを演算してから前記基体の分割可否判定をすることを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記第1のレーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはYAGレーザのうちのいずれかであり、
前記チタンサファイヤレーザ、または前記YAGレーザの基本波を照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。 - 請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記分割片を形成する工程では、
前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することを特徴とする基体の製造方法。 - 基体にレーザ光を照射させて、前記基体を切断するレーザ加工装置であって、
前記基体にレーザ光を集光する集光素子と、
前記基体を載置可能なステージと、
前記ステージを制御するステージ制御部と、
前記レーザ光は、第1のレーザ光と、前記第1のレーザ光とは性質の異なる第2のレーザ光と、を含み、
前記第1のレーザ光を照射する第1レーザ光源と、
前記第2のレーザ光を照射する第2レーザ光源と、
前記第1レーザ光源および前記第2レーザ光源を制御するレーザ制御部と、
前記第2のレーザ光を前記材料変質部に照射して、前記材料変質部の透過光量を検出する透過光量検出部と、
前記ステージ制御部と、前記レーザ制御部と、前記透過光量検出部と、を制御する制御部とを、備え、
前記制御部は、前記透過光量検出部の検出結果に基づいて、前記材料変質部の透過率を演算してから、前記基体の分割可否判定をすることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項9に記載のレーザ加工装置において、
前記第1のレーザ光が、チタンサファイヤレーザ、YAGレーザのいずれかであり、
前記チタンサファイヤレーザ、または前記YAGレーザの基本波を照射する前記第1レーザ光源を備えていることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項9に記載のレーザ加工装置において、
前記第2のレーザ光が、半導体レーザであり、
前記半導体レーザを照射する前記第2レーザ光源を備えていることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の基体の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項12に記載の表示装置を備えていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項13に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151414A JP2007319881A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 基体の製造方法、レーザ加工装置、表示装置、電気光学装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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