JP2008044823A

JP2008044823A - 基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置

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Publication number: JP2008044823A
Application number: JP2006223023A
Authority: JP
Inventors: Yasunobu Kuroki; 泰宣黒木
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-08-18
Filing date: 2006-08-18
Publication date: 2008-02-28

Abstract

【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供すること。
【解決手段】集光レンズ８により集光されたレーザ光４３を第１基板３５の内部に照射して改質部４４を形成する。第１基板３５には、第２基板３６が接着され、第２基板３６には光学薄膜３８が形成されている。第２基板３６にマスク４１を重ねて、マスク４１を通してレーザ光４３を照射する。マスク４１は、光学薄膜３８の形状に遮光部４１ａ，４１ｂが形成され、遮光部４１ａ，４１ｂが光学薄膜３８を覆うように配置する。レーザ光４３を照射するとき、マスク４１の上からレーザ光４３を照射する。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置に関するものである。

光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度が１×１０⁸（Ｗ／ｃｍ²）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。

また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。

液晶表示装置などの表示装置は、外形が矩形の１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。その製造方法において、トランジスタなどのスイッチング素子や表示素子に対応するパターンを複数配列した素子マザー基板と、共通電極等のパターンを配置した対向マザー基板とを貼り合せて、分断する方法が広く採用されている。

液晶表示装置の一つに、液晶に表示される画像を投影レンズにより、拡大表示する投射型液晶表示装置がある。投射型液晶表示装置では、液晶パネルの表面付近に塵埃等が付着するとき、それが投射レンズ等により拡大されてスクリーン上に投射されないように液晶パネルの表面に防塵ガラスを貼付する方法が採用されている。この防塵ガラスには、液晶表示装置を透過する光の波長を制御する光学薄膜が形成され、特定の波長の光を透過又は遮断するようになっている。

特開２００２−１９２３７１号公報

素子マザー基板と対向マザー基板とを貼り合せ、さらに防塵ガラスを貼り合せて、素子マザー基板及び対向マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成するとき、レーザ光の一部が防塵ガラスを照射する可能性がある。このとき、防塵ガラスには、光学薄膜が形成されており、レーザ光により損傷を受ける危険性があった。

本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、スクライブ工程は基板に遮光部を配置する遮光部形成工程を有することを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、基板の一部を遮光部で覆い、レーザ光線を基板に照射して改質部を形成する。

基板において、遮光部に覆われた場所には、レーザ光が照射されないことから、レーザ光により損傷を受けることがない。基板に、配線、素子、光学薄膜等が形成されている場合には、配線、素子、光学薄膜等を遮光部で覆うことにより、配線、素子、光学薄膜等にレーザ光が照射され、損傷を受けることを防止することができる。

本発明の基板の分断方法では、遮光部は、光を透過する場所と光を遮断する場所とを有するマスクを備えていることを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、遮光部は、マスクを有している。スクライブ工程では、基板の一部をマスクで覆い、レーザ光線を基板に照射して改質部を形成する。マスクは、光透過性の基板に光を透過する場所と光を遮断する場所とが形成されている。マスクを基板に重ねることにより、基板に対して、レーザ光を照射可能な場所と、レーザ光を照射することができない場所を設定することができる。

スクライブ工程の後で、マスクと基板を分離することにより、光が透過可能な場所と光が透過不可能な場所との設定を容易になくすことができる。従って、基板に対して、レーザ光を照射したくない場所に遮光膜を配置して、スクライブ後に遮光膜を剥離する方法に比べて、容易に遮光部の設置と除去をすることができる。従って、生産性良くレーザ光を遮光して、基板を分断することができる。

本発明の基板の分断方法は、遮光部の一部は、基板に遮光膜が配置され、形成されていることを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、基板に遮光膜が形成されて、遮光部の一部となっている。基板に遮光膜を形成するとき、基板に遮光膜が密着して形成することができる。

遮光部と基板との間に、空気やガラス等の光透過性の要素が介在するとき、レーザ光が回折、屈折等により、進行方向を変えて、基板において遮光したい場所を照射する可能性がある。一方、基板に遮光膜が形成されているときは、遮光膜と基板との間に光透過性の要素が介在しないことから、遮光したい場所を確実に遮光することができる。基板に膜、配線等が形成されているときにも、同様に、その膜、配線に対して密着して遮光膜を形成することにより、遮光したい場所を確実に遮光することができる。従って、レーザ光により損傷を受けにくい基板の分断方法とすることができる。

本発明の基板の分断方法は、スクライブ工程において、レーザ光が遮光部に遮光されるレーザ光の光エネルギーに応じて、遮光部及び基板を照射するレーザ光の光エネルギーを制御することを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、レーザ光が遮光部により遮光されるレーザ光の量に応じて、遮光部及び前記基板に照射するレーザ光の光エネルギーが制御される。基板に配置されている遮光部と基板とにレーザ光を照射するとき、レーザ光の一部が遮光部により遮光される。レーザ光が遮光部により遮光されるとき、基板を照射するレーザ光の光エネルギーが弱くなり、基板の内部に改質部を形成できない可能性がある。

この発明では、遮光されるレーザ光の光エネルギーに応じて、遮光部及び基板に照射するレーザ光の光エネルギーが制御されることから、レーザ光が遮光部により遮光されるとき、遮光部及び基板に照射するレーザ光は、強い光エネルギーのレーザ光が照射される。従って、遮光部により遮光されずに基板を照射するレーザ光は、改質部を形成するのに十分な光エネルギーのレーザ光となる為、品質良く基板の内部に改質部を形成することができる。その結果、品質良く基板を分断することができる。

上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ装置は、基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、レーザ光を発光するレーザ光源部と、基板の内部にレーザ光を集光する集光部と、集光部と基板との間にマスクを配置するマスク配置部と、基板と集光部とを相対移動するテーブル部とを有し、基板において、マスクにより遮光されない場所にレーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とする。

このレーザスクライブ装置によれば、レーザ光源部が発光するレーザ光を集光部が集光して基板の内部に照射し、改質部を形成する。レーザスクライブ装置は、テーブル部を有し、基板と集光部とを相対移動して、改質部を配列して形成する。マスク配置部により、集光部と基板との間にはマスクが配置される。

基板において、マスクにより遮光される場所には、レーザ光が照射されないことから、レーザ光により損傷を受けることがない。基板に、配線、素子、光学薄膜等が形成されている場合には、配線、素子、光学薄膜等をマスクで遮光することにより、配線、素子、光学薄膜等にレーザ光が照射され、損傷を受けることを防止することができる。従って、基板に形成されている配線、素子、光学薄膜等がレーザ光により損傷を受けることを防止することができるレーザスクライブ装置とすることができる。

上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ装置は、基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、レーザ光を発光するレーザ光源部と、基板の内部にレーザ光を集光する集光部と、基板と集光部とを相対移動するテーブル部と、レーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーを制御するレーザ光制御装置と、基板と集光部との間には遮光部が配置され、遮光部の遮光形状データを記憶する遮光データ記憶部と、光強度制御部とを有し、レーザ光の一部が遮光部に遮光されるとき、レーザ光源部から照射されるレーザ光が改質部を形成可能となるように、光強度制御部は、レーザ光源部から照射するレーザ光の光エネルギーを制御し、レーザ光源部は、光強度制御部が制御する光エネルギーのレーザ光を発光することを特徴とする。

このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブ装置は、レーザ光制御装置と、遮光データ記憶部と、光強度制御部とを有している。基板と集光部との間には遮光部が配置され、基板に照射するレーザ光の一部が遮光部に遮光されることがある。レーザ光が遮光部により遮光されるとき、基板を照射するレーザ光の光エネルギーが弱くなり、基板の内部に改質部を形成できない可能性がある。

この発明では、光強度制御部は、遮光データ記憶部が記憶する遮光部の遮光形状データを用いて、マスクを通過するレーザ光の光エネルギーを制御する。光強度制御部は、マスクを通過するレーザ光の光エネルギーを制御して得られる制御結果と、改質部を形成するのに必要な光エネルギーとから、レーザ光源部が発光するレーザ光において、改質部を形成するのに必要となる光エネルギーを制御する。

光強度制御部は、改質部を形成するのに必要となるレーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーの制御結果を、レーザ光制御装置に送信し、レーザ光制御装置はレーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーの制御結果に基づきレーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーを制御する。レーザ光源部は、レーザ光制御装置に制御され、改質部を形成するのに必要とされる光エネルギーを発光する。従って、遮光部を透過して基板を照射するレーザ光は、改質部を形成するのに十分な光エネルギーのレーザ光となる為、品質良く基板の内部に改質部を形成することができる。その結果、品質良く基板を分断することができる。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板を有する電気光学装置の製造方法であって、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、スクライブ工程では基板にマスクを配置し、マスクを透過するレーザ光を、基板に照射して改質部を形成することを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、基板にマスクを配置し、マスクを透過するレーザ光線を基板に照射して改質部を形成している。

基板において、マスクに覆われた場所には、レーザ光が照射されない。電気光学装置において、基板の表面には、特定の周波数の光に対して透過又は遮断する光学薄膜等の膜が形成されている場合がある。光学薄膜は、レーザ光の照射により損失を受けることにより、光学的機能をしなくなる可能性がある。基板において、マスクに覆われた場所には、レーザ光が照射されないことから、マスクに覆われた場所は、膜がレーザ光により損傷を受けることがない。

同様に、電気光学装置において、基板の表面に、電極や配線等の電気導通性のある膜が形成されている場合がある。この場合においても、膜をマスクを用いて覆うことにより、電極や配線等の電気導通性のある膜がレーザ光により損傷を受けることを防止することができる。従って、基板に形成されている膜が損傷を受けない電気光学装置の製造方法とすることができる。

マスクは基板への着脱が容易にできることから、生産性良く基板にマスクをしてレーザスクライブすることができる。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板を有する電気光学装置の製造方法であって、基板に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、遮光膜形成工程では、基板において、直接レーザ光が照射される面に遮光膜を形成することを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、遮光膜形成工程において、レーザ光が照射される予定の基板において、直接レーザ光が照射される面に遮光膜が形成される。スクライブ工程において、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成し、分断工程において、配列して形成された改質部に沿って基板を分断している。

基板に光学薄膜や配線等の膜が形成されているとき、光学薄膜や配線等の膜を遮光膜により覆うことで、光学薄膜や配線等の膜が、レーザ光の照射を受けて、損傷を受けることを防止することができる。

遮光する部材と基板との間に、空気やガラス等の光透過性の要素が介在するとき、レーザ光が回折、屈折等により、レーザ光が進行方向を変えて、基板において遮光したい場所を照射する可能性がある。一方、基板に遮光膜が形成されているときは、遮光膜と基板との間に光透過性の要素が介在しないことから、遮光したい場所を確実に遮光することができる。基板に膜、配線等が形成されているときにも、同様に、その膜、配線に対して密着して遮光膜を形成することにより、遮光したい場所を確実に遮光することができる。従って、基板に形成されている光学薄膜や配線等の膜が、レーザ光により損傷を受けにくい電気光学装置の製造方法とすることができる。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。

（第１の実施形態）
本実施形態では、レーザスクライブ法を用いてスクライブし、分断する場合において、マスクを用いてレーザ光を遮光する例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にレーザスクライブ装置について説明する。

（レーザスクライブ装置）
図１は、レーザスクライブ装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、レーザスクライブ装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源部としてのレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５とを主として構成されている。

レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。

光学経路部３はハーフミラー６を備えている。ハーフミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ハーフミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ハーフミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光部としての集光レンズ８が配置されている。テーブル部４にはワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワーク９に照射されるようになっている。

集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向（図中Ｚ方向）に移動させて、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。

直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動するようになっている。

集光レンズ８とハーフミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ハーフミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とハーフミラー６とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。

テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。

Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。

Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面における所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。

集光レンズ８とワーク９との間には、遮光部としてのマスク２１が配置され、マスク２１は、ワーク９を覆う様に配置される。マスク２１には、レーザ光を透過する場所と遮光する場所から構成されるパターンが形成されている。マスク２１はマスク支持部２２を介してマスク配置部としてのマスク移動機構２３に支持されている。マスク移動機構２３は、図示しない直動機構を有し、マスク２１は、光軸７方向（図中Ｚ軸方向）に移動可能となっている。

制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザスクライブ装置１の動作を制御するものである。

メインコンピュータ２４は、その機能として、遮光データ記憶部２４ａと光強度制御部としての光強度演算部２４ｂとを有している。遮光データ記憶部２４ａは、マスク２１に形成されているパターンの形状を示すデータである遮光形状データを記憶する機能を有している。

光強度演算部２４ｂは、集光レンズ８から照射されるレーザ光のうち、マスク２１によって遮光されずに透過してワーク９を照射するレーザ光の光エネルギーの割合である光透過割合を演算する。続いて、基板を照射するレーザ光が改質部を形成可能な光エネルギーと、光透過割合とから、基板に改質部を形成可能となるレーザ光をワーク９に照射する為に、レーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーを演算する。つまり、光強度演算部２４ｂは、マスク２１にレーザ光の一部が遮光されても、ワーク９に改質部を形成可能となる様に、レーザ光源部が発光するレーザ光の光エネルギーを演算する機能を有している。

メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。

入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、図示しないＣＡＤ（ＣｏｍｐｕｔｅｒＡｓｓｉｓｔｅｄＤｒａｗｉｎｇ）等の外部機器とのデータ交信を行ない、マスク２１の遮光形状データなどを取り込むことが可能となっている。

表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行ない、加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。

レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。

レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。

画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のステージ２０側の下面９ｂに焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の上面９ａに焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点がワーク９の上面９ａ又は、下面９ｂに合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。

集光レンズ８を光軸７の方向（図中Ｚ軸方向）に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。

撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。

集光レンズ８を光軸７方向（図中Ｚ軸方向）に移動して、ワーク９の光学経路部３側の上面９ａに撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。

ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御、及びマスク移動機構２３の制御とを行なう。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。

ステージ制御装置３０は、マスク移動機構２３を制御してマスク２１をＺ軸方向に移動する。ワーク９をステージ２０から着脱するときは、マスク２１を集光レンズ８側に移動して、マスク２１をワーク９から離す。マスク２１とワーク９とを離すことにより、マスク２１とワーク９との間に空間ができ、ワーク９をステージ２０から着脱し易くする。又、ワーク９にレーザ光を照射するときは、マスク２１をワーク９の方向に移動して、ワーク９とマスク２１とを接触させる。

レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置２９がワーク９の下面９ｂにおける光軸７方向（図中Ｚ方向）の位置を検出する。レンズ制御装置２８がレーザ光を集光する光軸７方向の位置を制御する。ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行ない所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。

ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギーが非常に大きいとき、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。

本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果、複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。

このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ハーフミラー６や集光レンズ８のような光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。

（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図５にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３〜図５は基板の分断方法を説明する図である。

図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は遮光形状取込工程に相当し、マスクに形成されている遮光形状のデータをＣＡＤなどの外部機器から取り込む工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、基板設置工程に相当し、基板をレーザスクライブ装置に設置する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は遮光部形成工程としてのマスク配置工程に相当し、基板にマスクを重ねて配置する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は基板移動工程に相当し、基板においてレーザ光を照射する予定の場所をレーザ光の光軸上に移動する工程である。次にステップＳ５に移行する。

ステップＳ５はレーザ光源の照射光エネルギー設定工程に相当し、基板に改質部が形成可能となるように、レーザ光源が発光する光エネルギーを設定する工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は、レーザ光照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は、「予定した領域総てに改質部を形成したか。」を判断する工程である。改質部を形成する予定の領域に、まだ、改質部が形成されていない領域が残っているときは（ＮＯのとき）、ステップＳ４に移行する。改質部を形成する予定の領域総てに、改質部が形成されているときは（ＹＥＳのとき）、ステップＳ８に移行する。尚、ステップＳ１〜ステップＳ７をまとめてスクライブ工程とし、ステップＳ９とする。
ステップＳ８は、分断工程に相当し、改質部に沿って、基板を分断する工程である。

次に、図３〜図５を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態で形成する基板の模式平面図である。図３（ｂ）は基板のＡ−Ａ’線から見た模式側面図である。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す様に、基板としての接合基板３４は、基板としての第１基板３５に矩形の第２基板３６が、接着剤を介して２個接合され、第１基板３５に矩形の第３基板３７が、接着剤を介して２個接合されて、形成されている。第２基板３６と第３基板３７は略同形の基板であり、第１基板３５を挟んで対向する場所に配置されている。

第２基板３６において、第１基板３５と反対側の面には、可視光を透過し紫外線を遮断する光学薄膜３８が形成されている。同様に、第３基板３７において、第１基板３５と反対側の面には、可視光を透過し紫外線を遮断する光学薄膜３９が形成されている。第１基板３５、第２基板３６及び第３基板３７は、レーザ光に対して透過性のある材質からなり、本実施形態では例えば、石英ガラスを採用している。

第１基板３５において、２個の第２基板３６の間に配置され、第１基板３５の上面３５ａから下面３５ｂまで占める仮想面を分断予定面４０とする。分断予定面４０は、本発明の方法を用いて分断する予定の面である。

図３（ｃ）はマスクの平面図を示し、接合基板３４と重ねた図となっている。図３（ｃ）に示すように、マスク４１は矩形の板により構成され、図１に示すマスク２１に相当する。マスク４１は、レーザ光を遮光する遮光部４１ａ，４１ｂ及び透過光部４１ｃからなり、マスク４１と接合基板３４とを重ねたとき、遮光部４１ａ，４１ｂは、第２基板３６及び第３基板３７を覆うようになっている。一方、透過光部４１ｃは、第２基板３６と第２基板３６との間の場所に対応して配置され、レーザ光を透過可能となっている。

ステップＳ１において、図１に示すメインコンピュータ２４は、マスク４１の遮光部４１ａ，４１ｂの形状を示す座標データである遮光形状データを、図１に示す入力装置２５を介して、図示しないＣＡＤから取り込む。遮光形状データにおいて、接合基板３４における四隅の一つを原点３４ａとして設定する。遮光形状データは、各遮光部４１ａ，４１ｂの四隅の座標データ、及び遮光する場所が、座標データに囲まれた領域の内側か外側かを識別可能なデータから構成されている。メインコンピュータ２４は、遮光形状データを取り込んだ後、遮光データ記憶部２４ａに転送し、遮光データ記憶部２４ａは、遮光形状データを記憶する。

ステップＳ２において、接合基板３４を図１に示すステージ２０に配置し、吸引式のチャック機構を用いて、位置決めした後固定する。

ステップＳ３において、マスク４１と接合基板３４とを重ねる。マスク４１はマスク支持部２２を介してマスク移動機構２３と接続されている。メインコンピュータ２４はステージ制御装置３０に制御信号を送付し、ステージ制御装置３０は、制御信号に基づきマスク移動機構２３を制御する。したがって、メインコンピュータ２４が送信する制御信号に従って、マスク移動機構２３が作動し、マスク４１が接合基板３４と重ねられる。

ステップＳ４において、メインコンピュータ２４は、Ｘ軸スライド１７、Ｙ軸スライド１９及びレンズ移動機構１１を作動し、レーザ光を集光可能である場所に、改質部を形成する予定の場所を移動する。

図４（ａ）は、ステップＳ５に対応する図である。図４（ａ）に示すように、レーザ光をマスク４１に照射するときに、レーザ光が照射する領域を照射領域４２とする。照射領域４２は、レーザ光が遮光部４１ａに遮光される遮光領域４２ａと、遮光部４１ｂに遮光される遮光領域４２ｂと、レーザ光が透過光部４１ｃを透過する透過領域４２ｃに区分できる。

レーザ光が照射領域４２を照射する光エネルギーに対して、透過領域４２ｃを透過するエネルギーの割合である光エネルギー透過割合を演算する。レーザ光が照射領域４２を照射するときの光エネルギーの分布は、一様ではなく、ガウス分布に近い分布となっている。図１に示すレーザ光源２及び光学経路部３内の光学要素の影響を受ける為、集光レンズ８が照射するレーザ光を光エネルギー分布を計測し、計測データを元に光エネルギー透過割合を演算するのが、望ましい。

予め、マスク４１を配置しないときに、接合基板３４に改質部を形成するのに最適な、レーザ光源２が発光する光エネルギーを測定し、基本発光エネルギーとする。基本発光エネルギーと光エネルギー透過率とを用いて、マスク４１を配置するときに、改質部を形成するために必要となるレーザ光源２が発光する光エネルギーである発光エネルギーを演算する。メインコンピュータ２４は、演算された発光エネルギーの情報をレーザ制御装置２７に送信し、レーザ制御装置２７は、演算された発光エネルギーのレーザ光がレーザ光源２から照射できるように、発光条件を調整する。

図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、ステップＳ６に対応する図である。図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、集光レンズ８によりレーザ光４３を集光し、第１基板３５を照射する。レーザ光４３は、遮光部４１ａ，４１ｂにより一部分が遮光され、透過光部４１ｃを透過するレーザ光４３は、第１基板３５を照射する。透過光部４１ｃを透過するレーザ光４３は、集光され、改質部４４を形成し、改質部４４の中央にはクラック部４５が形成される。レーザ光４３の光エネルギーはステップＳ５において、調整されていることから、遮光部４１ａ，４１ｂにより一部のレーザ光４３が遮光されても改質部４４を形成することができる。

まず、改質部４４は、第１基板３５の下面３５ｂ側に並べて形成され、１段目の改質部４４ａが形成される。続いて、１段目の改質部４４ａに対してＺ方向に隣接して２段目の改質部４４が配列して形成される。以降、同様に複数段の改質部４４が配列して形成される。

ステップＳ７において、分断予定面４０の面内の領域総てに、改質部４４が形成したか判断する。図４に示すメインコンピュータ２４は、記憶部に記憶されている分断予定面４０のデータと、既に改質部４４が形成されている領域とを比較する。分断予定面４０と、既に改質部４４が形成されている領域とが等しいと判断するときステップＳ９を終了する。

図５（ａ）に示すように、その結果、第１基板３５における分断予定面４０の総ての領域に改質部４４が形成される。

図５（ｂ）はステップＳ８に対応する図である。図５（ｂ）に示す様に、接合基板３４を弾性材からなる台４６の上に配置する。分断予定面４０に形成されたクラック部４５に対向する場所を、加圧部材４７を用いて押圧する。第１基板３５は台４６に沈み込み、クラック部４５に張力が作用する。第１基板３５は、台４６側の下面３５ｂに近いクラック部４５を起点として破断が進行し、分断する。

図５（ｃ）に示す様に、その結果、第１基板３５は分断予定面４０で分断され接合基板３４は分離される。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、接合基板３４にレーザ光４３を照射して、改質部４４を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部４４に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、接合基板３４の一部をマスク４１で覆い、レーザ光線を接合基板３４に照射して改質部４４を形成している。

接合基板３４において、マスク４１に覆われた場所には、レーザ光４３が照射されないことから、レーザ光４３により損傷を受けることがない。接合基板３４に光学薄膜３８が形成され、光学薄膜３８をマスク４１で覆うことにより、光学薄膜３８にレーザ光が照射され、損傷を受けることを防止することができる。

（２）本実施形態によればレーザスクライブ装置１は、マスク４１を有している。スクライブ工程では、接合基板３４の一部をマスク４１で覆い、レーザ光４３を接合基板３４に照射して改質部４４を形成する。マスク４１は、透過光部４１ｃと遮光部４１ａ，４１ｂとが形成されている。マスク４１を接合基板３４に重ねることにより、接合基板３４に対して、レーザ光４３を照射可能な場所と、レーザ光を照射することができない場所を設定することができる。

スクライブ工程の後、マスク４１と接合基板３４とを分離することにより、遮光部４１ａ，４１ｂを簡単に除去できる。従って、基板に対して、レーザ光４３を照射したくない場所に遮光膜を配置して、スクライブ後に遮光膜を剥離する方法に比べて、容易に遮光部の設置と除去をすることができる。従って、生産性良くレーザ光４３を遮光して、接合基板３４を分断することができる。

（３）本実施形態によれば、レーザ光４３が遮光部４１ａ，４１ｂにより遮光されるレーザ光４３の光エネルギーに応じて、マスク４１を照射するレーザ光４３の光エネルギーが制御される。マスク４１に配置されている遮光部４１ａ，４１ｂと第１基板３５とにレーザ光４３を照射するとき、レーザ光４３の一部が遮光部４１ａ，４１ｂにより遮光される。レーザ光４３が遮光部４１ａ，４１ｂにより遮光されるとき、第１基板３５を照射するレーザ光４３の光エネルギーが弱くなり、第１基板３５の内部に改質部４４を形成できない可能性がある。

本実施形態では、遮光されるレーザ光４３の光エネルギーに応じて、マスク４１を照射するレーザ光４３の光エネルギーが制御される。レーザ光４３が遮光部４１ａ，４１ｂにより遮光されるとき、マスク４１に照射されるレーザ光４３は、マスク４１を設置しないときに比べて強い光エネルギーが照射される。従って、透過光部４１ｃを通って第１基板３５を照射するレーザ光４３は、改質部４４を形成するのに十分な光エネルギーのレーザ光４３となる為、品質良く第１基板３５の内部に改質部４４を形成することができる。その結果、品質良く第１基板３５を分断することができる。

（４）本実施形態によれば、このレーザスクライブ装置は、マスク移動機構２３により、集光レンズ８と接合基板３４との間にマスク４１を配置することができる。

接合基板３４において、マスク４１により遮光される場所には、レーザ光４３が照射されないことから、レーザ光４３により損傷を受けることがない。接合基板３４には光学薄膜が形成されており、光学薄膜をマスク４１で遮光することにより、光学薄膜にレーザ光４３が照射され、損傷を受けることを防止することができる。従って、接合基板３４に形成されている光学薄膜等がレーザ光により損傷を受けることを防止することができるレーザスクライブ装置とすることができる。

又、マスク移動機構２３により、接合基板３４にマスク４１を容易に、設置及び除去ができる。つまり、操作者は、レーザスクライブ装置１に接合基板３４を設置すると、マスク４１の設置も合わせて行なわれる。従って、接合基板３４とマスク４１とを治具等により接合させて、レーザスクライブ装置１に設置する方法に比べて、生産性良くマスク４１を設置することができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した基板の分断方法の一実施形態について、図６〜図８にて説明する。図６は、基板の分断方法のフローチャートであり、図７及び図８は基板の分断方法を説明する図である。第２の実施形態が、第１の実施形態と異なる点は、マスクの代りに遮光膜を基板に形成し、レーザ光を用いてスクライブし、分断する点である。

図６のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は遮光膜形成工程に相当し、基板において、レーザ光により損傷を受ける光学薄膜に重ねて遮光膜を形成する工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は、遮光形状取込工程に相当し、基板に形成されている遮光膜の遮光形状のデータをＣＡＤなどの外部機器から取り込む工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３は、基板設置工程に相当し、基板をレーザスクライブ装置に設置する工程である。次にステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４は基板移動工程に相当し、基板においてレーザ光を照射する予定の場所をレーザ光の光軸上に移動する工程である。次にステップＳ１５に移行する。

ステップＳ１５はレーザ光源の照射光エネルギー設定工程に相当し、基板に改質部が形成可能となるように、レーザ光源が発光する光エネルギーを設定する工程である。次にステップＳ１６に移行する。ステップＳ１６は、レーザ光照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。次にステップＳ１７に移行する。ステップＳ１７は、「予定した領域総てに改質部を形成したか。」を判断する工程である。改質部を形成する予定の領域に、まだ、改質部が形成されていない領域が残っているときは（ＮＯのとき）、ステップＳ１４に移行する。改質部を形成する予定の領域総てに、改質部が形成されているときは（ＹＥＳのとき）、ステップＳ１８に移行する。ステップＳ１８は遮光膜剥離工程に相当し、遮光膜を除去する工程である。尚、ステップＳ１１〜ステップＳ１８をまとめてスクライブ工程とし、ステップＳ２０とする。次にステップＳ１９に移行する。
ステップＳ１９は、分断工程に相当し、改質部に沿って、基板を分断する工程である。

次に、図７及び図８を用いて、図６に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、ステップＳ１１に対応する図である。図７（ａ）は接合基板３４の模式平面図であり、図７（ｂ）は接合基板３４の模式側面図である。接合基板３４は第１の実施形態にて用いた接合基板３４と同じ基板であり説明を省略する。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第２基板３６において、第１基板３５と反対側の面に形成されている光学薄膜３８に重ねて、遮光膜５０を形成する。遮光膜５０の材料は、有機材料に遮光性のある顔料又は染料を加えた物を用いることができる。例えば、本実施形態においては、ポリイミドに黒色の顔料を加え、溶媒で濃度を調整したものを採用している。

遮光膜５０の形成方法としては、膜を形成できれば良く、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、液滴吐出法等が採用可能である。例えば、本実施形態においては、スクリーン印刷法を採用している。

ステップＳ１２は、第１の実施形態のステップＳ１と略同じ工程である。第１の実施形態においては、マスクに形成されている遮光形状のデータをＣＡＤなどの外部機器から取り込んでいた。第２の実施形態においては、マスクの代りに遮光膜５０を用いていることから、遮光膜５０における遮光形状の設計データをＣＡＤなどの外部機器から取り込む。

ステップＳ１３とステップＳ１４とでは、第１の実施形態のステップＳ２とステップＳ４と同様に、接合基板３４を図１に示すステージ２０に配置し、吸引式のチャック機構を用いて、位置決めした後固定する。続いて、メインコンピュータ２４は、Ｘ軸スライド１７、Ｙ軸スライド１９及びレンズ移動機構１１を作動し、レーザ光を集光可能となる場所に、改質部を形成する予定の場所を移動する。

ステップＳ１５では、第１の実施形態のステップＳ５と同様に、メインコンピュータ２４が改質部を形成するのに必要な光エネルギーを演算し、演算されたその光エネルギーの光を、レーザ光源２が発光できるように、レーザ制御装置２７が発光条件を調整する。

図７（ｃ）及び図７（ｄ）は、ステップＳ１６に対応する図である。図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、集光レンズ８によりレーザ光４３を集光し、第１基板３５を照射する。レーザ光４３は、遮光膜５０により一部分が遮光され、遮光されないレーザ光４３は、第１基板３５を照射する。第１基板３５を照射するレーザ光４３は、集光され、改質部４４を形成し、改質部の中央にはクラック部４５が形成される。レーザ光４３の光エネルギーはステップＳ１５において、調整されていることから、遮光膜５０により一部のレーザ光４３が遮光されても改質部４４を形成することができる。

ステップＳ１７において、分断予定面４０の面内の領域総てに、改質部４４が形成したか判断する。メインコンピュータ２４は、記憶部に記憶されている分断予定面４０のデータと、既に改質部４４が形成されている領域とを比較する。分断予定面４０と、既に改質部４４が形成されている領域とが等しいと判断するときステップＳ１４〜ステップＳ１７の繰返しを終了する。

図８に示すように、その結果、第１基板３５における分断予定面４０の総ての領域に改質部４４が形成される。

続いて、ステップＳ１８において、第２基板３６に形成されている遮光膜５０を除去する。接合基板３４をアルカリ現像液に浸漬して、遮光膜５０を除去する。アルカリ現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることができる。本実施形態では、ＴＭＡＨを採用している。遮光膜５０を除去した後、純水にてリンスし、乾燥する。その結果、図５（ａ）に示すように、遮光膜５０が除去された接合基板３４となる。

ステップＳ１９において、第１の実施形態と同様に、分断予定面４０に配列されている改質部４４を押圧し、張力を加えて分断する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第２基板３６に遮光膜５０が形成される。第２基板３６に遮光膜５０を形成するとき、第２基板３６に遮光膜５０を密着して形成することができる。第２基板３６には、光学薄膜３８が形成されており、その光学薄膜３８に対して遮光膜５０を密着して形成することができる。

第２基板３６をマスク４１を用いて遮光するとき、第２基板３６とマスク４１との間に、空気やガラス等の光透過性の要素が介在するときがある。このとき、レーザ光４３が回折、屈折等により、レーザ光４３が進行方向を変えて、光学薄膜３８を照射する可能性がある。一方、第２基板３６に遮光膜５０が形成されているときは、遮光膜５０と光学薄膜３８との間に光透過性の要素が介在しないことから、光学薄膜３８を確実に遮光することができる。従って、光学薄膜３８がレーザ光４３により損傷を受けにくい基板の分断方法とすることができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図９〜図１４を用いて説明する。
本実施形態では、本発明の基板の分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置、液晶表示装置のマザー基板及びマスクについて順次説明する。

（液晶表示装置）
図９（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の液晶表示装置のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。

図９（ａ）及び図９（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置５１は、対をなすＴＦＴアレイ基板５２と対向基板５３とが熱硬化性の封止材であるシール５４によって貼り合わされ、このシール５４によって区画される領域内に封入された液晶５５からなる液晶層を備えている。シール５４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。

シール５４の内側で対向基板５３の液晶５５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り５６が形成されている。シール５４の外側の場所には、データ線駆動回路５７及び電極端子５８がＴＦＴアレイ基板５２の辺５２ａ（図９中下側の辺）に沿って形成されており、この辺５２ａに隣接する辺５２ｂ及び辺５２ｃ（図９中左右の辺）に沿って走査線駆動回路５９が形成されている。データ線駆動回路５７、電極端子５８及び走査線駆動回路５９は配線６０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板５２の残る辺５２ｄ（図９中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路５９の間を接続するための配線６０ｂが設けられている。また、対向基板５３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板５２と対向基板５３との間で電気的導通をとるための基板間導通材６１が配設されている。対向基板５３のＴＦＴアレイ基板５２側には対向電極６２が配置され、基板間導通材６１と電気的に接続されている。さらに、対向電極６２のＴＦＴアレイ基板５２側には配向膜６３が配置されている。

液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行なう。なお、光が液晶により遮られた画素には当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。

このような構造を有する液晶表示装置５１の画像を表示する領域には、複数の画素６４がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素６４の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるＴＦＴが形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極６６が電気的に接続されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。

画素電極６６は、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素６４の画素電極６６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極６６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、対向基板５３の対向電極６２と画素電極６６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶５５の光透過量が変化する。

画素電極６６の対向基板５３側には配向膜６７が配置されている。配向膜６３と配向膜６７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜６３と配向膜６７との間に充填された液晶５５は、配向膜６３と配向膜６７とに形成されている溝状の凹凸に沿って配列して形成される。

ＴＦＴアレイ基板５２において、液晶５５と反対側の面には、防塵ガラス６８が配置され、対向基板５３において、液晶５５と反対側の面には、防塵ガラス６９が配置されている。防塵ガラス６８，６９は、ＴＦＴアレイ基板５２及び対向基板５３に塵及び埃が付着することを防止している。又、防塵ガラス６８，６９に塵及び埃が付着しても、この塵埃等と液晶との間の距離が防塵ガラスの厚み分だけ長くなる。外部の配置された投影レンズにより液晶表示装置５１の画素６４により形成される画像を投影するとき、塵埃等の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくすることができる。

防塵ガラス６８において、ＴＦＴアレイ基板５２と反対側の面には、光学薄膜６８ａが形成され、防塵ガラス６９において、対向基板５３と反対側の面には、光学薄膜６９ａが形成されている。
光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａは可視光を透過し紫外線を遮断する機能を有している。

液晶表示装置５１を通過する光の光軸上には偏光シートが配置され、この偏光シート及び液晶５５の作用により、液晶表示装置５１を透過する光透過量が変化するようになっている。

（マザー基板）
図１０（ａ）は、マザー基板を示す模式平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、マザー基板７１は基板としてのＴＦＴアレイマザー基板７２と基板としての対向マザー基板７３との間に液晶５５が封入され、シール５４により接合されて、形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板７２には、ＴＦＴアレイ基板５２が複数配列して形成され、対向マザー基板７３には、対向基板５３が複数配列して形成されている。ＴＦＴアレイ基板５２と対向基板５３とには、防塵ガラス６８と防塵ガラス６９とがそれぞれ接合されていることから、ＴＦＴアレイマザー基板７２と対向マザー基板７３とには、防塵ガラス６８と防塵ガラス６９とがそれぞれ配列して配置されている。
尚、マザー基板７１の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。

図９に示す液晶表示装置５１を形成する為に、対向マザー基板７３を分断する予定の面をＨ対向切断面７４、Ｖ対向切断面７５とし、ＴＦＴアレイマザー基板７２を分断する予定の面をＨ素子切断面７６、Ｖ素子切断面７７と表記する。
Ｈ対向切断面７４は、一点鎖線で示した対向マザー基板７３の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ，７４ｅは、それぞれＨ対向切断面７４である。

Ｖ対向切断面７５は、一点鎖線で示した対向マザー基板７３の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、それぞれＶ対向切断面７５である。

Ｈ素子切断面７６は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板７２の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、７６ａ，７６ｂ，７６ｃは、それぞれＨ素子切断面７６である。

Ｖ素子切断面７７は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板７２の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面７７は、Ｖ対向切断面７５と対向する場所に位置し、図１０（ａ）に示した、７７ａ，７７ｂ，７７ｃは、それぞれＶ素子切断面７７である。

図１１は、マスクを示す模式平面図であり、マザー基板にマスクが配置されている状態を示している。図１１に示すように、マスク７８は遮光部７９と透過光部８０とを備えている。遮光部７９は、防塵ガラス６９と同形状に形成されており、防塵ガラス６９に形成されている光学薄膜６９ａを覆うようになっている。

尚、マスク７８は、図１０に示すマザー基板７１を対向マザー基板７３側からレーザ光を照射するときに用いるマスク７８である。同様に、マザー基板７１をＴＦＴアレイマザー基板７２側からレーザ光を照射するときに用いるマスクが用意されている。このマスクは、遮光部と透過光部とを備え、マザー基板７１のＴＦＴアレイマザー基板７２側から重ねたとき、マスクの遮光部が光学薄膜６９ａを覆うように形成されている。

（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置５１における基板の分断方法について図１２〜図１４にて説明する。図１２は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１３〜１４は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。マザー基板７１の形成方法については公知の方法にて形成が可能であり、説明を省略し、レーザスクライブする工程から説明する。

図１２のフローチャートにおいて、ステップＳ２１は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板７３のＶ対向切断面７５に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ２２に移行する。ステップＳ２２は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板７３のＨ対向切断面７４に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ２３に移行する。ステップＳ２３はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＶ素子切断面７７に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ２４に移行する。ステップＳ２４はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＨ素子切断面７６に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ２５に移行する。ステップＳ２５は対向マザー基板の分断工程に相当し、対向マザー基板７３を分断する工程である。次にステップＳ２６に移行する。ステップＳ２６はＴＦＴアレイマザー基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板７２を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示装置５１が形成される。

次に、図１３〜図１４を用いて、図１２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１３（ａ）〜１３（ｃ）はステップＳ２１に対応する図である。まず、図１に示すメインコンピュータ２４は、図１１に示すマスク７８における遮光部７９の遮光形状データを図示しないＣＡＤから取り込み遮光データ記憶部２４ａに記憶する。メインコンピュータ２４は、遮光形状データを用いて、マスク７８により一部が遮光されるレーザ光が、照射する場所に改質部が形成される様に、レーザ光源２の発光条件を演算する。続いて、レーザスクライブ装置１は、演算結果に基づきレーザ光源２の発光条件を調整する。

図１に示すレーザスクライブ装置１のステージ２０にマザー基板７１を配置し固定する。図１３（ａ）に示す様に、対向マザー基板７３の内部に、集光レンズ８からレーザ光４３を集光して照射する。レーザ光４３が集光して照射される場所には、改質部４４が形成され、改質部４４の中央にはクラック部４５が形成される。

集光レンズ８と対向マザー基板７３とを相対的に移動してレーザ光４３を照射し、改質部４４を配列して形成する。まず、対向マザー基板７３において、ＴＦＴアレイマザー基板７２側の面７３ａの近くに改質部４４を配列して１段目の改質部４４ａを、対向マザー基板７３のＶ対向切断面７５に沿って形成する。続いて、１段目の改質部４４ａと隣接する場所に改質部４４を配列して２段目の改質部４４ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部４４を配列して形成する。

図１３（ｂ）に示すように、集光レンズ８から照射されるレーザ光４３の一部が遮光部７９により遮光され、透過光部８０を透過するレーザ光４３が対向マザー基板７３を照射する。このとき、レーザ光４３の光エネルギーは、遮光部７９により遮光されることが配慮され、調整されていることから改質部４４が形成されるようになっている。

マスク７８に形成されている遮光部７９は、防塵ガラス６９に形成されている光学薄膜６９ａを覆っており、レーザ光４３が光学薄膜６９ａを照射しないようになっている。

図１３（ｃ）に示すように、その結果、対向マザー基板７３のＶ対向切断面７５総てに改質部４４が配列して形成され、改質部４４の中央にはクラック部４５が形成される。

ステップＳ２２、ステップＳ２３、ステップＳ２４についても、ステップＳ２１と同様にスクライブする。ステップＳ２２では、図１０に示す対向マザー基板７３のＨ対向切断面７４において総ての領域に改質部４４が配列して形成される。ステップＳ２３では、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＶ素子切断面７７において総ての領域に改質部４４が配列して形成され、ステップＳ２４では、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＨ素子切断面７６において総ての領域に改質部４４が配列して形成される。

いずれの場合にも、レーザ光４３の光エネルギーは、遮光部７９により遮光されることを配慮し、調整する為、改質部４４が形成できるようになっている。また、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａを遮光部７９で覆い、レーザ光４３を光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａに照射せずに加工する。

図１４（ａ）〜１４（ｂ）はステップＳ２５に対応する図である。図１４（ａ）に示す様に、続いて、マザー基板７１を弾性材からなる台４６の上に配置する。マザー基板７１の防塵ガラス６９が台４６と接する様に配置し、ＴＦＴアレイマザー基板７２において、Ｖ対向切断面７５に沿って配列して形成されているクラック部４５と対向する場所を、加圧部材４７を用いて押圧する。防塵ガラス６９は台４６に沈み込み、対向マザー基板７３に形成されているクラック部４５に張力が作用する。対向マザー基板７３は、台４６に近いクラック部４５を起点として破断が進行し、分断する。

図１４（ｂ）に示す様に、その結果、対向マザー基板７３は、総てのＶ対向切断面７５におけるクラック部４５が分断される。

図１０に示す対向マザー基板７３のＨ対向切断面７４に沿って形成されているクラック部４５においても、同様に、加圧部材４７にて押圧して分断する。このとき、対向マザー基板７３において総てのＨ対向切断面７４に形成されているクラック部４５を分断する。

ステップＳ２６において、ステップＳ２５と同様な方法にてＴＦＴアレイマザー基板７２を分断する。マザー基板７１の防塵ガラス６８が台４６と接する様に配置し、対向マザー基板７３において、図１０に示すＶ素子切断面７７及びＨ素子切断面７６に沿って配列して形成されているクラック部４５と対向する場所を、加圧部材４７を用いて押圧する。防塵ガラス６８は台４６に沈み込み、ＴＦＴアレイマザー基板７２に形成されているクラック部４５に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板７２は、台４６に近いクラック部４５を起点として破断が進行し、分断する。このステップでは、ＴＦＴアレイマザー基板７２において総てのＶ素子切断面７７及びＨ素子切断面７６に形成されているクラック部４５を分断する。以上の工程により、マザー基板７１が分割されて、図９に示す液晶表示装置５１の形状に形成され、液晶表示装置５１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイマザー基板７２及び対向マザー基板７３にレーザ光４３を照射して、改質部４４を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部４４に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９に重ねてマスク７８を配置し、マスク７８を透過するレーザ光４３をＴＦＴアレイマザー基板７２及び対向マザー基板７３に照射して改質部４４を形成している。

防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９において、マスク７８に覆われた場所には、レーザ光４３が照射されない。液晶表示装置５１において、防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９の表面には、特定の周波数の光に対して透過又は遮断する光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａが形成されている。光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａは、レーザ光４３の照射により損失を受けることにより、光学的機能をしなくなる可能性がある。防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９において、マスク７８に覆われた場所には、レーザ光４３が照射されないことから、マスク７８に覆われた場所は、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａがレーザ光により損傷を受けることがない。従って、基板に形成された薄膜がレーザ光により損傷しない液晶表示装置の製造方法とすることができる。

（２）本実施形態によれば、マスク７８はマザー基板７１への設置及び除去が容易にできる。従って、防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９に遮光膜を塗布する方法に比べて、生産性良く光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａを遮光をしてレーザスクライブすることができる。

（３）本実施形態によれば、レーザ光４３が遮光部７９により遮光されるレーザ光４３の光エネルギーに応じて、マスク７８を照射するレーザ光４３の光エネルギーが制御される。マスク７８に配置されている遮光部７９とマザー基板７１とにレーザ光４３を照射するとき、レーザ光４３の一部が遮光部７９により遮光される。レーザ光４３が遮光部７９により遮光されるとき、マザー基板７１を照射するレーザ光４３の光エネルギーが弱くなり、マザー基板７１の内部に改質部４４を形成できない可能性がある。

本実施形態では、遮光されるレーザ光４３の光エネルギーに応じて、マスク７８を照射するレーザ光４３の光エネルギーが制御されることから、レーザ光４３が遮光部７９により遮光されるとき、マスク７８を照射するレーザ光４３は、強い光エネルギーのレーザ光４３が照射される。従って、透過光部８０を通ってマザー基板７１を照射するレーザ光４３は、改質部４４を形成するのに十分な光エネルギーのレーザ光４３となる為、品質良くマザー基板７１の内部に改質部４４を形成することができる。その結果、品質良くマザー基板７１を分断することができる。

（第４の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図１５〜図１７を用いて説明する。図１５は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１６及び図１７は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。第４の実施形態が、第３の実施形態と異なる点は、マスクの代りに遮光膜を基板に形成し、レーザ光を用いてスクライブし、分断する点である。マザー基板７１の形成方法については公知の方法にて形成が可能であり、説明を省略し、レーザスクライブする工程から説明する。

図１５のフローチャートにおいて、ステップＳ３１は遮光膜形成工程に相当し、基板において、レーザ光により損傷を受ける光学薄膜に重ねて遮光膜を形成する工程である。次にステップＳ３２に移行する。ステップＳ３２は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板のＶ対向切断面７５に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ３３に移行する。ステップＳ３３は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板のＨ対向切断面７４に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ３４に移行する。ステップＳ３４はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板のＶ素子切断面７７に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ３５に移行する。ステップＳ３５はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板のＨ素子切断面７６に沿ってスクライブする工程である。次にステップＳ３６に移行する。ステップＳ３６は遮光膜剥離工程に相当し、遮光膜を除去する工程である。次にステップＳ３７に移行する。ステップＳ３７は対向マザー基板の分断工程に相当し、対向マザー基板７３を分断する工程である。次にステップＳ３８に移行する。ステップＳ３８はＴＦＴアレイマザー基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板７２を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示装置５１が形成される。

次に、図１６及び図１７を用いて、図１５に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、ステップＳ３１に対応する図である。図１６（ａ）はマザー基板７１の模式平面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、マザー基板７１に遮光膜８４，８５，８６を塗布する。防塵ガラス６９に形成されている光学薄膜６９ａに重ねて遮光膜８４の材料を塗布する。レーザスクライブするとき、防塵ガラス６９の中央部６９ｂにはレーザ光が照射されないので、防塵ガラス６９の中央部６９ｂには遮光膜８４の材料を塗布せず、防塵ガラス６９の周辺部に塗布する。

同様に、防塵ガラス６８に形成されている光学薄膜６８ａに重ねて遮光膜８５の材料を塗布する。レーザスクライブするとき、防塵ガラス６８の中央部６８ｂにはレーザ光が照射されないので、防塵ガラス６８の中央部６８ｂには遮光膜８５の材料を塗布せず、防塵ガラス６８の周辺部に塗布する。

ＴＦＴアレイマザー基板７２において、データ線駆動回路５７及び配線６０ａと対向する場所に遮光膜８６の材料を塗布する。
遮光膜８４，８５，８６の材料は、有機材料に遮光性のある顔料又は染料を加えた物を用いることができる。例えば、本実施形態においては、ポリイミドに黒色の顔料を加え、溶媒で濃度を調整したものを採用している。

遮光膜８４，８５，８６の材料を塗布する方法としては、液状材料を位置精度良く塗布できれば良く、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、液滴吐出法等が採用可能である。例えば、本実施形態においては、液滴吐出法を採用している。液滴吐出法は、塗布する材料を液滴吐出ヘッドから吐出して塗布する方法であり、液滴吐出ヘッドと塗布される基板とを相対的に移動して、所望の場所に塗布することができるようになっている。液滴吐出法については、特開２００４−２０９４２９号公報にその方法が開示されている。

遮光膜８４，８５，８６の材料を塗布した後、乾燥又は、焼成することで遮光膜８４，８５，８６を形成する。

図１７（ａ）〜図１７（ｃ）は、ステップＳ３２を示す図である。まず、ステップＳ３２において、図１に示すメインコンピュータ２４は、図１６に示す遮光膜８４，８５，８６の遮光形状データを図示しないＣＡＤから取り込み遮光データ記憶部２４ａに記憶する。メインコンピュータ２４は、遮光形状データを用いて、遮光膜８４，８５，８６により一部が遮光されるレーザ光が、照射する場所に改質部が形成される様に、レーザ光源２の発光条件を演算する。続いて、レーザスクライブ装置１は、レーザ光源２の発光条件を調整する。続いて、図１に示すレーザスクライブ装置１のステージ２０にマザー基板７１を配置し固定する。

図１７（ａ）に示す様に、対向マザー基板７３の内部に、集光レンズ８からレーザ光４３を集光して照射する。レーザ光４３が集光して照射される場所には、改質部４４が形成され、改質部４４の中央にはクラック部４５が形成される。

図１７（ｂ）に示すように、集光レンズ８から照射されるレーザ光４３の一部が遮光膜８４により遮光され、遮光されないレーザ光４３が対向マザー基板７３を照射する。このとき、レーザ光４３の光エネルギーは、遮光膜８４により遮光されることが配慮され、調整されていることから改質部４４が形成できるようになっている。

遮光膜８４は、防塵ガラス６９に形成されている光学薄膜６９ａを覆っており、レーザ光４３が光学薄膜６９ａを照射しないようになっている。

図１７（ｃ）に示すように、その結果、対向マザー基板７３のＶ対向切断面７５総てに改質部４４が配列して形成され、改質部４４の中央にはクラック部４５が形成される。

ステップＳ３３、ステップＳ３４、ステップＳ３５についても、ステップＳ３２と同様にスクライブする。ステップＳ３３では、図１０に示す対向マザー基板７３のＨ対向切断面７４の総ての領域に改質部４４が配列して形成される。ステップＳ３４では、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＶ素子切断面７７の総ての領域に改質部４４が配列して形成され、ステップＳ３５では、ＴＦＴアレイマザー基板７２のＨ素子切断面７６の総ての領域に改質部４４が配列して形成される。

いずれの場合にも、レーザ光４３の光エネルギーは、遮光膜８４，８５，８６により遮光されることを配慮し、調整する為、改質部４４が形成できるようになっている。また、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａを遮光膜８４，８５にて覆い、レーザ光４３を光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａに照射せずに加工する。同様に、ＴＦＴアレイマザー基板７２において、データ線駆動回路５７及び配線６０ａと対向する場所には、遮光膜８６が形成され、レーザ光４３をデータ線駆動回路５７及び配線６０ａに照射せずに加工する。

ステップＳ３６において、マザー基板７１に形成されている遮光膜８４，８５，８６を除去する。このとき、マザー基板７１をアルカリ現像液に浸漬して、遮光膜８４，８５，８６を除去する。アルカリ現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることができる。本実施形態では、ＴＭＡＨを採用している。遮光膜５０を除去した後、純水にてリンスし、乾燥する。その結果、図１４（ａ）に示すように、遮光膜８４，８５，８６が除去されたマザー基板７１となる。

ステップＳ３７及びステップＳ３８において、第３の実施形態と同様に、Ｈ対向切断面７４、Ｖ対向切断面７５、Ｈ素子切断面７６、Ｖ素子切断面７７の各面に配列されている改質部４４を押圧し、張力を加えて分断する。以上の工程により、マザー基板７１が分割されて、図９に示す液晶表示装置５１の形状に形成され、液晶表示装置５１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ３１において、防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９において、直接レーザ光４３が照射される面に遮光膜８４，８５が形成される。続いて、ステップＳ３２〜ステップＳ３５において、ＴＦＴアレイマザー基板７２及び対向マザー基板７３にレーザ光４３を照射して、改質部４４を配列して形成し、ステップＳ３７及びステップＳ３８において、配列して形成された改質部４４に沿ってＴＦＴアレイマザー基板７２及び対向マザー基板７３を分断している。

防塵ガラス６８及び防塵ガラス６９に光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａが形成されているとき、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａを遮光膜８４，８５により覆うことで、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａが、レーザ光４３の照射を受けて、損傷を受けることを防止することができる。

遮光膜８４，８５と光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａとの間に、空気やガラス等の光透過性の要素が介在するとき、レーザ光４３が回折、屈折等により、レーザ光が進行方向を変えて、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａを照射する可能性がある。一方、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａに重ねて遮光膜８４，８５が形成されているときは、遮光膜８４，８５と光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａとの間に光透過性の要素が介在しないことから、遮光したい場所を確実に遮光することができる。

（２）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイマザー基板７２にはデータ線駆動回路５７及び配線６０ａが形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板７２において、データ線駆動回路５７及び配線６０ａと対向する場所を遮光膜８６により覆うことで、データ線駆動回路５７及び配線６０ａが、レーザ光４３の照射を受けて、損傷を受けることを防止している。従って、配線、回路素子がレーザ光により損傷を受けにくい液晶表示装置の製造方法とすることができる。

（３）本実施形態によれば、ステップＳ３１において、図１６（ａ）に示すように、防塵ガラス６９の光学薄膜６９ａが形成されている範囲の内、中央部６９ｂには遮光膜８４の材料を塗布していない、全面に遮光膜８４の材料を塗布する場合に比べて、少ない材料で遮光膜８４を形成することができる。従って、レーザ光による損傷を受けにくい液晶表示装置の製造方法を省資源で行なえる方法とすることができる。

尚、本発明は上述した第１〜第４の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）
前記第１の実施形態では、接合基板３４を移動し、レーザ光源２の発光する光エネルギーを演算し、調整して、レーザ光４３を照射している。つまり、レーザ光４３を照射する毎に、レーザ光源２の発光する光エネルギーを演算して、調整しているが、レーザ光４３を照射する場所におけるレーザ光源２の発光する光エネルギーを事前に演算して、記憶しておいても良い。レーザスクライブする前に、レーザ光源２の発光する光エネルギーを各場所毎に事前に演算しておき、スクライブするときは、記憶されているデータを読み出して、レーザ制御装置２７が照射条件を設定し、レーザ光４３を照射しても良い。同一のマスク４１を用いて、複数の接合基板３４をスクライブするとき、レーザ光源２の発光する光エネルギーを演算する工程を削減することができる。したがって、生産性良くスクライブすることができる。

（変形例２）
前記第２の実施形態では、第２基板３６の全面に遮光膜５０を形成したが、レーザ光４３が照射される場所に限定して遮光膜５０を形成してもよい。遮光膜５０の材料が少なくて済むことから、省資源な基板の分断方法とすることができる。

（変形例３）
前記第３の実施形態では、光学薄膜６８ａ及び光学薄膜６９ａをマスク７８にて遮光したが、これに限らず、データ線駆動回路５７や配線６０ａを含んで遮光するようにマスク７８の遮光部７９を設計しても良い。データ線駆動回路５７や配線６０ａをレーザ光４３の照射により損傷を受けることを防止することができる。

（変形例４）
前記第１の実施形態では、集光レンズ８と接合基板３４との間にマスク４１を配置して遮光した。これに限らず、集光レンズ８と接合基板３４との間に可動式の遮光板を設けても良い。遮光版を移動して、レーザ光を遮光する場所を変えることで、接合基板３４の所望の場所にレーザ光を照射せずに、改質部４４を形成することができる。

（変形例５）
前記第１の実施形態では、メインコンピュータ２４のメモリ内に動作手順に沿ったプログラムを記憶し、プログラムによりレーザスクライブ装置１の制御を行なったが、これに限らず、電気回路にて構成される制御装置にて制御しても良い。周辺機器が手順通りに制御されれば良い。

（変形例６）
前記第１の実施形態〜第２の実施形態では、レーザ光源２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（ＷｏｒｋｉｎｇＤｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。

（変形例７）
前記第１の実施形態では、マスク４１を用いて遮光し、前記第２の実施形態では、遮光膜５０を用いて遮光した。マスク４１と遮光膜５０とを両方用いて遮光してもよい。遮光される物の特性に合わせて、使い分けても良い。例えば、基板に凹凸があって、マスク４１を用いて遮光しにくい場所や、遮光膜５０を形成した後、除去する必要のない場所において、遮光膜５０を形成し、それ以外は、マスク４１を用いて遮光しても良い。遮光膜５０の材料が少なくてよいことから、省資源な方法とすることができる。
（変形例８）
前記第３の実施形態及び第４の実施形態では、液晶表示装置５１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置５１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板を分断する工程でレーザ光による損傷を受けにくい電気光学装置の製造方法を提供することができる。

第１の実施形態に係るレーザスクライブ装置の構成を示す概略図。基板の分断方法のフローチャート。（ａ）及び（ｂ）は、基板を示す模式図、（ｃ）は、基板の分断方法を説明する図。（ａ）〜（ｃ）は、基板の分断方法を説明する図。（ａ）〜（ｃ）は、基板の分断方法を説明する図。第２の実施形態に係る基板の分断方法のフローチャート。（ａ）〜（ｄ）は、基板の分断方法を説明する図。基板の分断方法を説明する図。（ａ）〜（ｂ）は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の模式図。（ａ）及び（ｂ）は、マザー基板を示す模式図。マスクを示す模式平面図。液晶表示装置の製造方法のフローチャート。（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。（ａ）〜（ｂ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。第４の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法のフローチャート。（ａ）〜（ｂ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。

符号の説明

２…レーザ光源部としてのレーザ光源、４…テーブル部、８…集光部としての集光レンズ、２１，４１，７８…遮光部としてのマスク、２３…マスク配置部としてのマスク移動機構、２４ａ…遮光データ記憶部、２４ｂ…光強度制御部としての光強度演算部、３４…基板としての接合基板、３５…基板としての第１基板、４３…レーザ光、４４…改質部、５０，８４，８５，８６…遮光膜、５１…電気光学装置としての液晶表示装置、７２…基板としてのＴＦＴアレイマザー基板、７３…基板としての対向マザー基板、７９…遮光部。

Claims

基板を分断する基板の分断方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、
前記基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、
前記スクライブ工程は前記基板に遮光部を配置する遮光部形成工程を有することを特徴とする基板の分断方法。
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記遮光部は、光を透過する場所と光を遮断する場所とを有するマスクを備えていることを特徴とする基板の分断方法。
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記遮光部の一部は、前記基板に遮光膜が配置され、形成されていることを特徴とする基板の分断方法。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程において、前記レーザ光が前記遮光部に遮光されるレーザ光の光エネルギーに応じて、前記遮光部及び前記基板を照射する前記レーザ光の光エネルギーを制御することを特徴とする基板の分断方法。
基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、
レーザ光を発光するレーザ光源部と、
前記基板の内部に前記レーザ光を集光する集光部と、
前記集光部と前記基板との間にマスクを配置するマスク配置部と、
前記基板と前記集光部とを相対移動するテーブル部とを有し、
前記基板において、前記マスクにより遮光されない場所に前記レーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とするレーザスクライブ装置。
基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、
レーザ光を発光するレーザ光源部と、
前記基板の内部に前記レーザ光を集光する集光部と、
前記基板と前記集光部とを相対移動するテーブル部と、
前記レーザ光源部が発光する前記レーザ光の光エネルギーを制御するレーザ光制御装置と、
前記基板と前記集光部との間には遮光部が配置され、前記遮光部の遮光形状データを記憶する遮光データ記憶部と、
光強度制御部とを有し、
前記レーザ光の一部が前記遮光部に遮光されるとき、前記レーザ光源部から照射される前記レーザ光が改質部を形成可能となるように、前記光強度制御部は、前記レーザ光源部から照射する前記レーザ光の前記光エネルギーを制御し、前記レーザ光源部は、前記光強度制御部が制御する前記光エネルギーのレーザ光を発光することを特徴とするレーザスクライブ装置。
基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、
前記基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、
前記スクライブ工程では前記基板にマスクを配置し、前記マスクを透過するレーザ光を、前記基板に照射して前記改質部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、
前記基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、
前記遮光膜形成工程では、前記基板において、直接レーザ光が照射される面に前記遮光膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。