JP4655915B2 - 層状基板の分割方法 - Google Patents

Description

本発明は、層状基板の分割方法に関するものである。

従来、例えば、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成された駆動側基板と、複数のＴＦＴのそれぞれに対応するカラーフィルタ及び対向電極が形成された対向側基板とを重ね合わせた後、各基板をダイシングで厚さ方向の途中まで切り込んでから、この切り込み部でブレークすることにより、個々に分割された複数の液晶パネル部品を形成する方法がある。（例えば、特許文献１参照）

特開平８−３２８０２５号公報

ところで、ダイシング加工においては、積層された各基板の厚さのバラツキやダイシングブレードの外径ブレ等により、ダイシングの深さに数十μｍ程度の加工バラツキがある。

また、液晶パネルには図１４に示すように、マイクロレンズ２１５が形成され、このマイクロレンズ２１５をカバーガラス２１６で覆った構成を有する対向基板２０２を備え、平面視でＴＦＴ基板２０１の輪郭が対向基板２０２の輪郭より外側に位置するようにこれらＴＦＴ基板２０１と対向基板２０２との間に設けられた段差部２０１ａに、ＴＦＴ２０３ごとにＴＦＴ２０３から延びる配線パターン２１１などを形成するようにしたものがある。

このような液晶パネル２１０では、上述した数十μｍもの加工バラツキを有するダイシング加工で対向基板２０２をフルカットすると、段差部２０１ａに形成されている配線パターン２１１等を損傷してしまう恐れがある。そこで、対向基板２０２の厚さの途中までダイシングで切り込んでからブレークするという上記特許文献１に記載された方法を採用することが考えられる。

しかしながら、この方法では、カバーガラス２１６の厚さがダイシング加工における加工バラツキよりも小さい値である場合、このカバーガラス２１６の厚さの一部を残して切り込みを入れることは困難であり、その結果、カバーガラス２１６の分割が困難であるという未解決の課題がある。

本発明はこの未解決の課題に着目してなされたものであり、複数の層を有する層状基板を、各層への損傷を低く抑えつつ効率的に分割する方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る第１の発明は、少なくとも第１基板、第２基板及び第３基板のそれぞれを層の一つとして含み、前記第１基板と前記第３基板との間に前記第２基板が位置するように構成された層状基板に、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれに対して透過性を有するレーザ光を前記第１基板側から照射して、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの厚み方向に改質部を形成する工程と、前記第１基板及び前記第２基板に外力を加えて、前記第１基板及び前記第２基板を前記改質部で分割する工程と、を含むことを特徴とする。

第１の発明によれば、第１基板及び第２基板にレーザ光照射による改質部を形成し、外力を加えて分割することにより、第１基板から第２基板までの各層を除く他の層への損傷を低く抑えて分割することが可能となる。

本発明に係る第２の発明は、第１の発明において、前記層状基板に、前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板のそれぞれに対して透過性を有するレーザ光を、平面視で所定の輪郭形状に沿って照射し、前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板のそれぞれの厚み方向に改質部を形成する工程と、前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板に外力を加えて、前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板を前記改質部で前記所定の輪郭形状に分割する工程と、をさらに含むことを特徴とする。

第２の発明によれば、第１基板、第２基板及び第３基板にレーザ光を平面視で所定の輪郭形状に沿って照射して改質部を形成し、外力を加えて分割することにより、第１基板から第２基板までの各層を除く他の層への損傷を低く抑えつつ、第１基板、第２基板及び第３基板を所定の輪郭形状に分割することが可能となり、第１基板、第２基板及び第３基板の輪郭形状を効率的に切り出すことが可能となる。

本発明に係る第３の発明は、第１の発明又は第２の発明において、前記層状基板は、前記第１基板にマイクロレンズが形成されているとともに、当該マイクロレンズを覆うように前記第２基板が前記第１基板に積層されており、前記第３基板にＴＦＴ及び該ＴＦＴに導通する配線層が形成されているとともに、前記ＴＦＴと前記第２基板とが液晶が封入される液晶封入層を介して対向するように前記第２基板が前記第３基板に積層された構成を有し、前記第１基板及び前記第２基板の厚み方向に前記改質部を形成する前記工程では、平面視で前記配線層をまたぐように前記第１基板及び前記第２基板に前記レーザ光を照射することを特徴とする。

第３の発明によれば、マイクロレンズが形成された第１基板と、マイクロレンズを覆う第２基板と、ＴＦＴ及びＴＦＴに導通する配線層を有する第３基板とが積層された液晶パネルを、配線層への損傷を低く抑えて効率的に製造することができる。

本発明の実施形態を、液晶パネルを例に説明する。
（液晶パネル）

まず、液晶パネルについて説明する。図１は、液晶パネルの構造を示す概略図である。図１（ａ）は概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図である。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶パネル１０は、ＴＦＴ３を有するＴＦＴ基板１と、対向電極６を有する対向基板２と、シール材４によって接着された両基板１，２の隙間に充填された液晶５とを備えている。

ＴＦＴ基板１には、厚さ約１．２ｍｍの石英基板が用いられており、その表面には画素を構成する画素電極（図示せず）と、複数のトランジスタ素子（図示せず）で構成されているＴＦＴ３とが形成されている。ＴＦＴ３を構成する個々のトランジスタ素子の３端子のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示せず）と走査線（図示せず）とに接続されている。
データ線及び走査線は、配線パターン１１を介して端子部１ａにおいて駆動回路部９に接続されている。駆動回路部９の入力側配線パターン１２は、端子部１ａに配列形成された実装端子１３に接続されている。

対向基板２は、対向基板本体２ａ、マイクロレンズ１５及びカバーガラス１６より構成されている。
対向基板本体２ａには、厚さ約１．１ｍｍの石英基板が用いられており、ＴＦＴ基板１の画素電極に対向する部分にはマイクロレンズ面２ｂが形成されている。マイクロレンズ１５は、対向基板本体２ａのマイクロレンズ面２ｂに合性樹脂を充填することにより形成したものである。
カバーガラス１６には、厚さ約５０μｍの石英基板が用いられており、マイクロレンズ１５を形成している合性樹脂により、対向基板本体２ａに接着されている。

マイクロレンズ１５は、液晶パネル１０の開口率を向上させる働きをしており、画素電極とは一対一で対応している。カバーガラス１６は、対向基板本体２ａの全域を覆うことにより、マイクロレンズ１５を保護している。

対向基板２には、共通電極としての対向電極６が設けられている。対向電極６は、対向基板２の四隅に設けられた上下導通部１４を介してＴＦＴ基板１側に設けられた配線パターン（図示せず）と導通しており、当該配線パターンも端子部１ａに設けられた実装端子１３に接続されている。
液晶５に面するＴＦＴ基板１の表面及び対向基板２の表面には、夫々配向膜７，８が形成されている。

液晶パネル１０は、外部駆動回路（図示せず）と電気的に繋がる中継基板（図示せず）が実装端子１３に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部９に入力されることにより、ＴＦＴ３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。

ここで、液晶５を封入前の液晶パネル１０（以下、液晶パネル部品１０ａという）が区画形成された大判のＴＦＴ基板１（以下、マザーＴＦＴ基板１ｗという）及び大判の対向基板２（以下、マザー対向基板２ｗという）等からなる大判の液晶パネル部品（以下、マザーパネル３０という）を、個々の液晶パネル部品１０ａに分割する分割方法について説明する。

図２は、液晶パネル部品１０ａが区画形成されたマザーパネル３０を示す概略図である。図２（ａ）は概略平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図である。図３はマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの概略平面図である。
図２及び図３に示すように、マザーパネル３０は複数のＴＦＴ基板１に対応したＴＦＴ３等が区画形成されたマザーＴＦＴ基板１ｗと、複数の対向基板２に対応した対向電極６等が区画形成されたマザー対向基板２ｗとをシール材４を介して接着した構成となっている。

液晶パネル部品１０ａは、図２に示すようにマザーパネル３０の分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙに沿ってマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗを分割すると共に、分割予定ラインＤｘ₂に沿ってマザー対向基板２ｗのみを分割することにより個々の液晶パネル部品１０ａとして切り出される。

そして、本実施形態における分割方法では、分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射し、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗに改質部を形成してから外力を加え、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗを改質部で分割する。

（レーザ照射装置）
ここで、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗにレーザ光を照射するレーザ照射装置について説明し、本実施形態における分割方法の理解の容易化を図る。
図４は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。

図４に示すように、レーザ照射装置１００は、レーザ光を出射するレーザ光源１０１と、出射されたレーザ光を反射するダイクロイックミラー１０２と、反射したレーザ光を集光する集光レンズ１０３とを備えている。また、加工対象物としてのマザーパネル３０を載置するステージ１０７と、ステージ１０７を集光レンズ１０３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させるＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８とを備えている。

また、ステージ１０７に載置されたマザーパネル３０に対して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を変えて、レーザ光の集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構１０４を備えている。さらには、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光レンズ１０３と反対側に位置する撮像装置１１２を備えている。

レーザ照射装置１００は、上記各構成を制御するメインコンピュータ１２０を備えており、メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（図示せず）や各種メモリー（図示せず）の他に、撮像装置１１２が撮像した画像情報を処理する画像処理部１２４が備えられている。撮像装置１１２は、同軸落射型光源（図示せず）とＣＣＤ（Charge Coupled Device）（図示せず）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ１０３を透過して焦点を結ぶ。

メインコンピュータ１２０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部１２５とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部１２６が接続されている。
また、レーザ光源１０１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部１２１と、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部１２２とが接続されている。
さらに、Ｘ軸スライド部１１０とＹ軸スライド部１０８とをそれぞれレール１１１，１０９に沿って移動させるサーボモータ（図示せず）を駆動するステージ制御部１２３が接続されている。

集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構１０４には、移動距離を検出可能な位置センサ（図示せず）が内蔵されており、レンズ制御部１２２は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御する。
したがって、撮像装置１１２の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点がマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの表面と合うように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させれば、その移動距離によりマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの厚みを計測することが可能である。

ここで、レーザ光は、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗに対して透過性を有するものが採用される。
本実施形態では、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用した。この場合、レーザ光は、中心波長が８００ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。

集光レンズ１０３は、この場合、倍率が１００倍、開口数が０．８、ＷＤ（Working Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ１０３はＺ軸スライド機構１０４から延びたスライドアーム１０４ａによって支持されている。

ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。図５に示すように、集光レンズ１０３によって集光されたレーザ光１１３は、屈折率が１よりも大きいマザー対向基板２ｗに入射して屈折する。
屈折したレーザ光１１３は、波長により集光点の位置が異なる軸上収差により短波長側のレーザ光１１４から長波長側のレーザ光１１５までその集光点が光軸１０１ａ（図４参照）上でずれた位置となる集光領域１１６に集光される。

そして、加工対象物がレーザ光１１３を透過する材料であっても、材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギーｈνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、レーザ光１１３のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質部と呼ぶ。

レーザ光１１３をマザー対向基板２ｗに照射した場合、レーザ光１１３の集光領域１１６において形成された改質部は、マザー対向基板２ｗの断面から見ると、マザー対向基板２ｗの厚み方向に約３００μｍの幅を有している。この場合の集光領域１１６におけるピークパワー密度は、８×１０¹²Ｗ／ｃｍ²である。
また、図６に示すように集光領域１１６の位置が、レーザ光１１３の入射面Ｗａに近づくにつれて、短波長側のレーザ光１１４と長波長側のレーザ光１１５との光路差が少なくなり、入射面Ｗａの近傍では、改質部の幅は、約５０μｍとなる。

このような改質部を形成するためのレーザ光１１３の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。
特に、レーザ光源１０１が有する出力は、ダイクロイックミラー１０２や集光レンズ１０３のような光軸１０１ａ上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。

この最適な照射条件を導く際、集光領域１１６を通過したレーザ光（図示せず）によりマザーＴＦＴ基板１ｗの配線パターン１１（図１参照）等の部分に、損傷が発生しないような出力に設定する必要がある。また、集光点の範囲である集光領域１１６の位置設定も同様に、通過したレーザ光による配線パターン１１等の損傷が発生しないような範囲に設定する必要がある。

（分割方法）
次に本実施形態の分割方法について説明する。
まず、図２に示したマザーパネル３０をマザーＴＦＴ基板１ｗ側がレーザ照射装置１００のステージ１０７の表面に接するように載置する。そして、分割予定ラインＤｘ₁（Ｄｘ₂）がＸ軸方向に平行となるようにマザーパネル３０を位置決めする。
また、ステージ制御部１２３は、レーザ光１１３の光軸１０１ａがマザーパネル３０の任意の分割予定ライン（Ｄｘ₁またはＤｘ₂またはＤｙ）の線上に位置するように、サーボモータを駆動しＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８を移動させる。この場合、マザーパネル３０に方向を規定するオリフラ３０ａ（図２参照）等を形成しておけば、比較的容易に位置決めすることができる。

次に、オペレータが、メインコンピュータ１２０を操作して、マザー対向基板２ｗの厚み測定を実施する。撮像装置１１２が捉えた映像を表示部１２６に表示させ、マザー対向基板２ｗのレーザ光１１３の入射面Ｗａ（図５参照）と、もう一方の反対側の表面Ｗｂ（図５参照）とに撮像装置１１２から出射される可視光の焦点を合わせる動作を行わせることにより、メインコンピュータ１２０は、Ｚ軸スライド機構１０４の位置センサの出力からマザー対向基板２ｗの厚みを演算する。
演算結果は、メインコンピュータ１２０の記憶部（図示せず）にＺ軸方向の座標として記憶される。

次に、撮像装置１１２が捉えた可視光の焦点と集光領域１１６とのＺ軸方向の位置関係をあらかじめレーザ照射する予備試験の結果から求めておき、データとして入力しておく。このデータと前述のマザー対向基板２ｗの厚みデータ（Ｚ軸方向の座標）とに基づいてレンズ制御部１２２は、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して図７に示すように、集光領域１１６がマザー対向基板２ｗの表面Ｗｂに掛かるように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させる。
ここで、前述したように集光レンズ１０３の位置は、集光領域１１６を通過したレーザ光による配線パターン１１等の損傷が発生しない位置とする。

次に、集光レンズ１０３に対してマザー対向基板２ｗを相対移動させながら分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂，Ｄｙ（図２参照）に沿ってレーザ光１１３を照射して改質部を形成する。
ここで、前述したように照射するレーザ光１１３の出力は、集光領域１１６を通過したレーザ光によりマザーＴＦＴ基板１ｗの配線パターン１１等の部分に、損傷が発生しない範囲の出力とする。

分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂，Ｄｙは、あらかじめデータとして入力されているので、メインコンピュータ１２０は、このデータに基づいた制御信号をステージ制御部１２３に送る。
ステージ制御部１２３は、制御信号に基づいてＸ軸スライド部１１０とＹ軸スライド部１０８とを移動させることにより、マザー対向基板２ｗを集光レンズ１０３に対して相対移動させる。なお、レーザ光１１３の照射に対応してマザー対向基板２ｗを移動させる速度、すなわちレーザスキャン速度は、およそ２０ｍｍ／秒である。

ここで、図２に示すようにマザーパネル３０には複数（６個）の液晶パネル部品１０ａが区画形成されている。
レーザスキャンの順番は任意であるが、ここでは最初に分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂に沿ってマザー対向基板２ｗのＸ軸方向にレーザスキャンを７回行う。次に、分割予定ラインＤｙに沿ってマザー対向基板２ｗのＹ軸方向にレーザスキャンを３回行う。その結果、図８（ａ）に示すように、マザー対向基板２ｗの表面Ｗｂ側に改質部Ｒｃ₁が形成される。

次に、集光レンズ１０３の位置をレーザ光１１３の集光領域１１６が改質部Ｒｃ₁の上部に掛かるようにＺ軸方向に上昇させる。そして、分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂に沿ったレーザスキャンを７回、さらに分割予定ラインＤｙに沿ったレーザスキャンを３回行って、新たな改質部Ｒｃ₂を図８（ｂ）に示すように、改質部Ｒｃ₁の上部でこの改質部Ｒｃ₁につなげて形成する。
このレーザスキャンを図８（ｃ）に示すように、マザー対向基板２ｗの分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｘ₂，Ｄｙに沿った厚み方向全域に改質部Ｒｃが形成されるまで繰り返す。ここでは、改質部Ｒｃ₁〜改質部Ｒｃ₁₀までレーザスキャンを１０回行う。

次に、マザーパネル３０を反転してマザー対向基板２ｗ側が、ステージ１０７の表面に接するように載置する。以降は前述のマザー対向基板２ｗと同様の手順で、マザーパネル３０の位置決めを行う。
次に、前述のマザー対向基板２ｗと同様の手順でマザーＴＦＴ基板１ｗの厚みを計測し、演算結果をメインコンピュータ１２０の記憶部に記憶させる。

次に、前述のマザー対向基板２ｗと同様の手順で、図９に示すようにレーザ光１１３の集光領域１１６がマザーＴＦＴ基板１ｗの表面Ｗｄに掛かるように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させる。
次に、前述のマザー対向基板２ｗと同様の手順で、集光レンズ１０３に対してマザーＴＦＴ基板１ｗを相対移動させながら分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙに沿ってレーザスキャンを繰り返して、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すようにマザーＴＦＴ基板１ｗの厚み方向全域に、改質部Ｒｃ₁₁〜改質部Ｒｃ₂₀を順次形成する。

次に、図１１（ａ）に示すように、分割用のブレード４０を用い、改質部Ｒｃが形成された分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙに沿ってマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗに矢印Ｃの方向に外力を加えて、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗを個片に分割する。

次に、図１１（ｂ）に示すように、個片になったマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗに対して、上記と同様に分割用のブレード４０を用い、改質部Ｒｃが形成された分割予定ラインＤｘ₂に沿ってマザー対向基板２ｗに矢印Ｄの方向に外力を加えて、マザー対向基板２ｗの不要部分２１を分割する。
これにより、図１１（ｃ）に示すように、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗ（マザーパネル３０）から液晶パネル部品１０ａが個々に分割される。

なお、本実施形態において、マザーＴＦＴ基板１ｗが第３基板に対応し、対向基板本体２ａが第１基板に対応し、カバーガラス１６が第２基板に対応し、配線パターン１１及び駆動回路９が配線層に対応する。

以上の分割方法によれば、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗ（マザーパネル３０）から配線パターン１１及び駆動回路９への損傷を抑制しつつ、効率よく液晶パネル部品１０ａを分割することが可能となる。

なお、本実施形態の変形例として次のものがある。
（変形例１）
分割工程において、図１１（ａ）のようにマザーパネル３０を最初の個片に分割する段階では、分割する際にマザーパネル３０の全面を受けることができ外力が加え易いので、分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙでは、例えば図１２に示すように、改質部ＲｃをマザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの厚み方向の全域ではなく部分的に、つまり、形成密度を粗くして形成するようにレーザスキャンを行ってもよい。

これにより、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの厚み方向全域における分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙの改質部Ｒｃ₃₀の形成時間を、分割予定ラインＤｘ₂の改質部Ｒｃ₄₀の形成時間と比較して短くすることができ、液晶パネル部品１０ａの分割を、一層効率的に行える。

（変形例２）
マザーパネル３０の分割工程における分割の順番は上記実施形態の順番に限定されるものではなく、どこの改質部Ｒｃから行うかは、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗの分割形状や改質部Ｒｃの形成状態による分割の難易度等を考慮し、任意に決めてよい。

すなわち、例えば図１３（ａ）に示すように、マザー対向基板２ｗを分割予定ラインＤｘ₂，Ｄｙに沿って、マザーＴＦＴ基板１ｗを分割予定ラインＤｘ₁，Ｄｙに沿って、それぞれ矢印Ｃの方向に外力を加えて図１３（ｂ）に示す個片に分割する。そして、図１３（ｂ）に示すように、マザー対向基板２ｗの分割予定ラインＤｘ₁に沿って矢印Ｄの方向に外力を加えてマザー対向基板２ｗの不要部分２１を分割する。これにより、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗ（マザーパネル３０）から図１３（ｃ）に示す液晶パネル部品１０ａが個々に分割される。
これによれば、図１３（ｂ）に示すように、マザー対向基板２ｗの不要部分２１を分割する際に、不要部分２１の下にはマザーＴＦＴ基板１ｗがないため、配線パターン１１及び駆動回路９への損傷を一層抑制することが可能となる。

（変形例３）
上記実施形態では、分割方法において改質部Ｒｃの形成作業をマザー対向基板２ｗから始めたが、これに限定するものではなく、マザーＴＦＴ基板１ｗから始めてもよい。

（変形例４）
上記実施形態では、総てのレーザスキャンの終了後に分割を行ったが、これに限定するものではなく、レーザスキャンと分割とを交互に行ってもよい。例えば、マザーＴＦＴ基板１ｗに改質部Ｒｃを形成後、マザーＴＦＴ基板１ｗを分割し、その後マザー対向基板２ｗに改質部Ｒｃを形成し、マザー対向基板２ｗを分割してマザーパネル３０から液晶パネル部品１０ａを個々に分割するようにしてもよい。
さらにこの場合、マザー対向基板２ｗを先に分割してから、マザーＴＦＴ基板１ｗを分割するようにしてもよい。

（変形例５）
上記実施形態における分割方法は、マザーＴＦＴ基板１ｗ及びマザー対向基板２ｗに相当する加工対象物の材質を石英に限定するものではなく、シリコン、ホウケイ酸ガラス等の材質を用いた層状基板の分割にも適用することができる。

（変形例６）
上記実施形態におけるレーザ光源１０１は、フェムト秒レーザ（チタンサファイアレーザ）に限定するものではなく、ナノ秒レーザ（ＹＡＧレーザ等）を用いてもよい。

本発明の実施形態における液晶パネルの構造を示す概略図。 本発明の実施形態におけるマザーパネルの構造を示す概略図。 本発明の実施形態におけるマザーパネルを構成する基板の概略平面図。 本発明の実施形態におけるレーザ照射装置の構成を示す概略図。 本発明の実施形態におけるレーザ光の軸上収差を示す概略断面図。 本発明の実施形態におけるレーザ光の軸上収差を示す別の概略断面図。 本発明の実施形態におけるレーザ光の焦点位置合わせを示す概略断面図。 本発明の実施形態における改質部の形成過程を示す概略断面図。 本発明の実施形態におけるレーザ光の焦点位置合わせを示す別の概略断面図。 本発明の実施形態における改質部の形成過程を示す別の概略断面図。 本発明の実施形態における分割工程を示す概略断面図。 本発明の実施形態における改質部の部分形成を示す概略断面図。 本発明の実施形態における分割工程の変形例を示す概略断面図。 従来の液晶パネルの構造を示す概略断面図。

符号の説明

１ｗ…マザーＴＦＴ基板、２ｗ…マザー対向基板、２ａ…対向基板本体、１０ａ…液晶パネル部品、１１…配線パターン、１６…カバーガラス、３０…マザーパネル、４０…ブレード、Ｒｃ…改質部。

Claims (1)

1. 少なくとも、マイクロレンズが形成された第１基板、前記マイクロレンズを覆うように前記第１基板に積層された第２基板及びＴＦＴ及び前記該ＴＦＴに導通する配線層が形成された第３基板のそれぞれを層の一つとして含み、
   前記第１基板と前記第３基板との間に前記第２基板が位置する層状基板に、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれに対して透過性を有するレーザ光を前記第１基板側から照射して、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの厚み方向に改質部を形成する工程と、
   前記第１基板及び前記第２基板に外力を加えて、前記第１基板及び前記第２基板を前記
   改質部で分割する工程と、
   前記第１基板と前記第３基板との間に前記第２基板が位置する層状基板に、前記第３基板に対して透過性を有する前記レーザ光を前記第３基板側から照射して、前記第３基板の厚み方向に前記改質部を形成する工程と、
   前記第３基板に外力を加えて、前記第３を前記改質部で分割する工程と、
   を含む層状基板の分割方法であって、
   前記第１基板及び前記第２基板を分割する工程は、
   前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板を含む第１液晶パネル部品から、前記第１液晶パネル部品の第１実装端子を覆っている前記第１基板及び前記第２基板を含む第１切片部分を前記第１液晶パネル部品の配線パターンを交差して形成された第１分割予定ラインに沿って分割する工程と、
   前記第１基板、前記第２基板及び前記第３基板を含む第２液晶パネル部品から、前記第２液晶パネル部品の第２実装端子を覆っている前記第１基板及び前記第２基板を含む第２切片部分を前記第２液晶パネル部品の配線パターンを交差して形成された第２分割予定ラインに沿って分割する工程と、
   前記第１分割予定ライン及び前記第２分割予定ラインに沿った分割が終了した後に、
   前記第１液晶パネル部品に付帯している前記第２切片部分を、
   前記第１液晶パネル部品の外形を形成する第３分割予定ラインに沿って分割する工程と、からなり、
   前記第１分割予定ライン及び前記第２分割予定ラインにそれぞれ形成される前記改質部は、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの厚み方向全域に形成され、
   前記第３分割予定ラインに形成される前記改質部は、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの厚み方向の一部に形成される、
   ことを特徴とする層状基板の分割方法。

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