JP2007275902A - レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 - Google Patents
レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】チッピングの発生を抑えることができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、
電子機器を提供することにある。
【解決手段】第１基板１１の第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２の互いに対向する位置から第１
基板１１の深さ方向に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向に頂部
を有するＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結
ぶ略直線状の改質層Ｒ２とを形成するように、第１基板１１に向けてレーザ光４４を照射
する照射工程（図４（ａ）〜（ｃ））と、第１基板１１に外力を与えて、第１基板１１を
切断する切断工程（図４（ｄ））とを有する。
【選択図】図４
電子機器を提供することにある。
【解決手段】第１基板１１の第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２の互いに対向する位置から第１
基板１１の深さ方向に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向に頂部
を有するＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結
ぶ略直線状の改質層Ｒ２とを形成するように、第１基板１１に向けてレーザ光４４を照射
する照射工程（図４（ａ）〜（ｃ））と、第１基板１１に外力を与えて、第１基板１１を
切断する切断工程（図４（ｄ））とを有する。
【選択図】図４
Description
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
従来より、基板の切断方法として、レーザ光を用いて切断するレーザスクライブ方法が
知られている。例えば、特許文献１では、基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即
ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収と
いう現象を利用することにより、集光点部に改質領域を形成させ、基板に外力を加えるこ
とにより、改質層を起点に切断し、機能部ごとに分割する方法を採用している。
知られている。例えば、特許文献１では、基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即
ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収と
いう現象を利用することにより、集光点部に改質領域を形成させ、基板に外力を加えるこ
とにより、改質層を起点に切断し、機能部ごとに分割する方法を採用している。
しかしながら、上記の方法では、改質層を形成した後に基板に外力を加えて分割したと
き、分割された機能部の端部にチッピングが発生しやすいという問題があった。このため
、機能部の取り扱いにおいて、機能部等に損傷を与える恐れがあった。
き、分割された機能部の端部にチッピングが発生しやすいという問題があった。このため
、機能部の取り扱いにおいて、機能部等に損傷を与える恐れがあった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、チッピングの発生を抑え
ることができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
ることができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、基板に形成された機能部の分割されるべき切断
予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、当該基板の内部に改質層を形成した後に、当該
改質層を起点に基板を切断して、機能部ごとに分割するレーザスクライブ方法であって、
基板の両面の互いに対向する位置から基板の深さ方向に、基板の断面視において、基板の
深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層と、それぞれのＶ字型の改質層の頂部を結ぶ略直
線状の改質層とを形成するように、基板に向けてレーザ光を照射する照射工程と、基板に
外力を与えて、基板を切断する切断工程とを有することを要旨とする。
予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、当該基板の内部に改質層を形成した後に、当該
改質層を起点に基板を切断して、機能部ごとに分割するレーザスクライブ方法であって、
基板の両面の互いに対向する位置から基板の深さ方向に、基板の断面視において、基板の
深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層と、それぞれのＶ字型の改質層の頂部を結ぶ略直
線状の改質層とを形成するように、基板に向けてレーザ光を照射する照射工程と、基板に
外力を与えて、基板を切断する切断工程とを有することを要旨とする。
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板の両面から基板の深さ方向にＶ字型
の改質層と、それぞれのＶ字型の改質層の頂部とを結ぶ略直線状の改質層が形成される。
そして、基板に外力を与えることにより、これらの改質層に応力が生じ、改質層に倣って
基板が切断され、機能部ごとに分割される。従って、Ｖ字型の改質層に倣って切断された
機能部の端部は、鈍角を有し、面取りされた状態となるので、チッピングの発生を抑える
ことができる。
の改質層と、それぞれのＶ字型の改質層の頂部とを結ぶ略直線状の改質層が形成される。
そして、基板に外力を与えることにより、これらの改質層に応力が生じ、改質層に倣って
基板が切断され、機能部ごとに分割される。従って、Ｖ字型の改質層に倣って切断された
機能部の端部は、鈍角を有し、面取りされた状態となるので、チッピングの発生を抑える
ことができる。
本発明のレーザスクライブ方法の照射工程では、基板の一の面に向けてレーザ光を照射
し、まず、一の面の反対面となる他の面側にＶ字型の改質層を形成するようにレーザ光を
照射する第１照射工程と、次に、略直線状の改質層を形成するようにレーザ光を照射する
第２照射工程と、その次に、一の面側にＶ字型の改質層を形成するようにレーザ光を照射
する第３照射工程とを有してもよい。
し、まず、一の面の反対面となる他の面側にＶ字型の改質層を形成するようにレーザ光を
照射する第１照射工程と、次に、略直線状の改質層を形成するようにレーザ光を照射する
第２照射工程と、その次に、一の面側にＶ字型の改質層を形成するようにレーザ光を照射
する第３照射工程とを有してもよい。
これによれば、レーザ光が照射される一の面の反対面となる他の面側から一の面側に順
に改質層が形成されるので、基板の面に対してレーザ光を一方向から照射したとき、レー
ザ光が形成された改質層による散乱等の影響を受けずに、効率良くそれぞれの改質層を形
成することができる。
に改質層が形成されるので、基板の面に対してレーザ光を一方向から照射したとき、レー
ザ光が形成された改質層による散乱等の影響を受けずに、効率良くそれぞれの改質層を形
成することができる。
本発明のレーザスクライブ方法の切断工程では、それぞれのＶ字型の改質層と基板の面
によって囲まれた除去すべき基板の一部分を保持しながら、基板に外力を与えてもよい。
によって囲まれた除去すべき基板の一部分を保持しながら、基板に外力を与えてもよい。
これによれば、除去すべき基板の一部分が保持されながら、基板に外力が与えられるの
で、確実に除去すべき一部分と機能部とを分離させることができる。
で、確実に除去すべき一部分と機能部とを分離させることができる。
本発明のレーザスクライブ方法において、切断工程の後に、機能部の端辺部分に、Ｖ字
型の改質層の一部とともに残った除去すべき凸部を押し圧する押圧工程を有してもよい。
型の改質層の一部とともに残った除去すべき凸部を押し圧する押圧工程を有してもよい。
これによれば、分割された機能部の端辺部分に残った凸部を押し圧することにより、Ｖ
字型の改質層の一部に倣って容易に除去することができる。
字型の改質層の一部に倣って容易に除去することができる。
本発明のレーザスクライブ方法において、切断工程の前または後に、基板をエッチング
液に浸漬する浸漬工程を有してもよい。
液に浸漬する浸漬工程を有してもよい。
これによれば、エッチング液が、形成された改質層に浸透するので、改質層に倣って切
断させやすくすることができる。
断させやすくすることができる。
本発明のレーザスクライブ方法において、浸漬工程の前に、基板の面の近傍に形成され
たＶ字型の改質層の一部の改質層に沿って、基板の面に凹部を形成する凹部形成工程を有
してもよい。
たＶ字型の改質層の一部の改質層に沿って、基板の面に凹部を形成する凹部形成工程を有
してもよい。
これによれば、凹部を形成することにより、凹部から改質層に向けて、さらに容易にエ
ッチング液を浸透させることができる。
ッチング液を浸透させることができる。
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって製造されたことを要旨
とする。
とする。
これによれば、チッピングの発生が抑えられているので、品質の良い電気光学装置を提
供することができる。
供することができる。
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
これによれば、品質の良い電子機器を提供することができる。
以下、本発明を具体化した第１〜第３実施形態について図面に従って説明する。
[第１実施形態]
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（
ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（
ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
図１（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と
第２基板１２とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル２０で構成されている
。１つの液晶表示パネル２０は、マザー基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域で
あって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー
基板１０から分割される。
第２基板１２とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル２０で構成されている
。１つの液晶表示パネル２０は、マザー基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域で
あって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー
基板１０から分割される。
（機能部の構成）
次に、機能部の構成について説明する。図２は、機能部としての液晶表示パネルの構成
を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断
面図を示す。
次に、機能部の構成について説明する。図２は、機能部としての液晶表示パネルの構成
を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断
面図を示す。
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第
２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液
晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出
した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部
１１ａが形成されている。
（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第
２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液
晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出
した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部
１１ａが形成されている。
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には
画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴ
ＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互
いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続
されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆
動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形
成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２
９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子
３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線
駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴ
ＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互
いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続
されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆
動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形
成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２
９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子
３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線
駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
第２基板１２は、厚みおよそ１．２〜１．１ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共
通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に
設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当
該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に
設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当
該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向
膜２７，２８が形成されている。
膜２７，２８が形成されている。
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続
される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線
駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチング
され、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線
駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチング
され、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
（レーザ照射装置の構成）
次に、マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域にあたる切断予
定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に亀裂
としての改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
次に、マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域にあたる切断予
定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に亀裂
としての改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４
０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射す
るダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集
光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７
を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４
８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０
に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調
整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミ
ラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射す
るダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集
光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７
を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４
８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０
に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調
整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミ
ラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、
メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリの他に撮像装置５５が撮像した画像情
報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（
固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光
レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリの他に撮像装置５５が撮像した画像情
報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（
固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光
レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入
力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。ま
た、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸
スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６
７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレ
ール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部
７０が接続されている。
力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。ま
た、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸
スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６
７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレ
ール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部
７０が接続されている。
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可
能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出し
て集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５
の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４
３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出し
て集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５
の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４
３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒の
パルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波
長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍで
ある。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力は
およそ７００ｍＷである。
パルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波
長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍで
ある。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力は
およそ７００ｍＷである。
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Work
ing Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４
から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
ing Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４
から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ
軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に
支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ
軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対
してより垂直な状態とすることが可能である。
軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に
支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ
軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対
してより垂直な状態とすることが可能である。
（レーザスクライブ方法）
次に、第１実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図４は、レーザス
クライブ方法を示す工程図である。
次に、第１実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図４は、レーザス
クライブ方法を示す工程図である。
図４（ａ）の第１照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
図４（ｂ）の第２照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
略直線状の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの形成によって構成される。具体的に
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
図４（ｃ）の第３照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
上記の工程を経ることにより、図５の照射工程における改質層の形成状態を示す模式図
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
図４（ｄ）の切断工程では、除去すべき第１基板１１の一部分を保持しながら、第１基
板１１に外力を与えて切断する。除去すべき第１基板１１の一部分は、Ｖ字型の改質層Ｒ
１，Ｒ３とそれぞれに対応する第１基板面Ｓ１，Ｓ２によって囲まれた除去部分１１ｂで
ある。そして、除去部分１１ｂにおける第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２を吸着部材７２によ
って吸着することにより保持しながら、第１基板１１に外力を与え、改質層Ｒ１〜Ｒ３に
倣って第１基板１１が切断され、図４（ｅ）に示すように、除去部分１１ｂが第１基板１
１から除去されるとともに、機能部としての液晶表示パネル２０に分割される。
板１１に外力を与えて切断する。除去すべき第１基板１１の一部分は、Ｖ字型の改質層Ｒ
１，Ｒ３とそれぞれに対応する第１基板面Ｓ１，Ｓ２によって囲まれた除去部分１１ｂで
ある。そして、除去部分１１ｂにおける第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２を吸着部材７２によ
って吸着することにより保持しながら、第１基板１１に外力を与え、改質層Ｒ１〜Ｒ３に
倣って第１基板１１が切断され、図４（ｅ）に示すように、除去部分１１ｂが第１基板１
１から除去されるとともに、機能部としての液晶表示パネル２０に分割される。
（電気光学装置の構成）
電気光学装置としての液晶表示パネル２０の構成については、上記に説明した機能部と
しての液晶表示パネルの構成の内容と同じため説明を省略する（図２参照）。
電気光学装置としての液晶表示パネル２０の構成については、上記に説明した機能部と
しての液晶表示パネルの構成の内容と同じため説明を省略する（図２参照）。
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図６は、電子機器としてのプロジェクタの構
成を示す斜視図である。図６において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パ
ネル２０が搭載されている。
次に、電子機器の構成について説明する。図６は、電子機器としてのプロジェクタの構
成を示す斜視図である。図６において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パ
ネル２０が搭載されている。
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
（１）第１基板１１の内部には、Ｖ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、Ｖ字型の改質層Ｒ１，
Ｒ３のそれぞれの頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成され、第１基板１１に外力を
与えることにより、上記改質層Ｒ１〜Ｒ３に応力が生じ、第１基板１１が、改質層Ｒ１〜
Ｒ３の形状に倣って切断される。従って、第１基板１１の切断によって分割された液晶表
示パネル２０の端部は、Ｖ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３が形成された部分が除去されるので、
面取りされた状態となり、チッピングの発生を抑えることができる。
Ｒ３のそれぞれの頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成され、第１基板１１に外力を
与えることにより、上記改質層Ｒ１〜Ｒ３に応力が生じ、第１基板１１が、改質層Ｒ１〜
Ｒ３の形状に倣って切断される。従って、第１基板１１の切断によって分割された液晶表
示パネル２０の端部は、Ｖ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３が形成された部分が除去されるので、
面取りされた状態となり、チッピングの発生を抑えることができる。
（２）切断工程では、除去部分１１ａを吸着部材７２で吸着しながら、第１基板１１に
外力を与えることにより、第１基板１１を切断したとき、除去部分１１ａが保持されるの
で、確実に除去部分１１ａと液晶表示パネル２０とを分離させることができる。
外力を与えることにより、第１基板１１を切断したとき、除去部分１１ａが保持されるの
で、確実に除去部分１１ａと液晶表示パネル２０とを分離させることができる。
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、機能部としての液晶
表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成につい
ては、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
次に、第２実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、機能部としての液晶
表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成につい
ては、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
（レーザスクライブ方法）
図７は、第２実施形態に係るレーザスクライブ方法を示す工程図である。
図７は、第２実施形態に係るレーザスクライブ方法を示す工程図である。
図７（ａ）の第１照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
図７（ｂ）の第２照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
略直線状の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの形成によって構成される。具体的に
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
図７（ｃ）の第３照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
上記の工程を経ることにより、図５の照射工程における改質層の形成状態を示す模式図
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
図７（ｄ）の切断工程では、第１基板１１に外力を与える。これにより、改質層Ｒ１〜
Ｒ３に応力が生じ、改質層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１が切断され、機能部としての
液晶表示パネル２０に分割される。
Ｒ３に応力が生じ、改質層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１が切断され、機能部としての
液晶表示パネル２０に分割される。
図７（ｅ）の押圧工程では、分割された液晶表示パネル２０の端辺部にＶ字型の改質層
の一部とともに残った除去すべき凸部１１ｃを押し圧して、当該凸部１１ｃを排除する。
押圧方法としては、ローラ７３を用いて、液晶表示パネル２０の端辺部の凸部１１ｃを押
し圧する。そして、押し圧することにより、図７（ｆ）に示すように、凸部１１ｃが液晶
表示パネル２０から除去される。
の一部とともに残った除去すべき凸部１１ｃを押し圧して、当該凸部１１ｃを排除する。
押圧方法としては、ローラ７３を用いて、液晶表示パネル２０の端辺部の凸部１１ｃを押
し圧する。そして、押し圧することにより、図７（ｆ）に示すように、凸部１１ｃが液晶
表示パネル２０から除去される。
従って、上記の第２実施形態によれば、第１実施形態における効果に加え、以下に示す
効果がある。
効果がある。
（１）第１基板１１を切断して分割された液晶表示パネル２０の端部に残った凸部１１
ｂをローラ７３によって押し圧することにより、Ｖ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の一部に倣っ
て容易に除去でき、面取りすることができる。
ｂをローラ７３によって押し圧することにより、Ｖ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の一部に倣っ
て容易に除去でき、面取りすることができる。
[第３実施形態]
次に、第３実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、機能部としての液晶
表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成につい
ては、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
次に、第３実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、機能部としての液晶
表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成につい
ては、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
（レーザスクライブ方法）
図８は、第３実施形態に係るレーザスクライブ方法を示す工程図である。
図８は、第３実施形態に係るレーザスクライブ方法を示す工程図である。
図８（ａ）の第１照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２側に、第１基板１１の断面視におい
て、第１基板１１の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ１を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
、まず、改質層Ｒ１ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ１ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ１ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ１ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態にお
いて、Ｖ字型の改質層Ｒ１は、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの５つの改質層で構成したが、これ
に限定されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ１の形状、角度に応じて適宜設定
することができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ１には、Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成する改質
層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レー
ザ照射による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅの形成順番を適宜設
定変更することもできる。
図８（ｂ）の第２照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
照射して、第１基板１１の断面視において、略直線状の改質層Ｒ２を形成する。
略直線状の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの形成によって構成される。具体的に
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
は、まず、改質層Ｒ２ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光
点を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することにより、
改質層Ｒ２ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のＺ軸スライド機構５４を稼動さ
せることにより、集光点を改質層Ｒ２ｂに相当する位置に移動させる。そして、第１基板
１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ２ｂを形成する
。以降、改質層Ｒ２ｃ，Ｒ２ｄも同様にして形成する。なお、本実施形態では、略直線状
の改質層Ｒ２は、改質層Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄの４つの改質層で構成したが、これに限定されず
、第１基板１１の厚み等に応じて適宜設定変更することができる。
図８（ｃ）の第３照射工程では、第１基板１１の第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
照射して、第１の面Ｓ１側に、第１基板１１の断面視において、第１基板１１の深さ方向
に頂部を有するＶ字型の改質層Ｒ３を形成する。
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成によって構成される。具体的には
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
、まず、改質層Ｒ３ａに相当する位置にレーザ光４４の集光点を設定した後、当該集光点
を第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射することで、改質層
Ｒ３ａを形成する。その後、レーザ照射装置４０のステージ４７及びＺ軸スライド機構５
４を稼動させることにより、集光点を改質層Ｒ３ｂに相当する位置に移動させる。そして
、第１基板１１の面に対して平行移動させながらレーザ光４４を照射して、改質層Ｒ３ｂ
を形成する。以降、改質層Ｒ３ｃ〜Ｒ３ｅも同様にして形成する。なお、本実施形態で、
Ｖ字型の改質層Ｒ３は、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの５つの改質層で構成したが、これに限定
されず、第１基板１１の厚みやＶ字型の改質層Ｒ３の形状、角度に応じて適宜設定するこ
とができる。なお、Ｖ字型の改質層Ｒ３には、Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層Ｒ３
ａ〜Ｒ３ｅが略直線的に配置されるが、凹凸部があってもよい。また、特に、レーザ照射
による散乱等の影響を受けない範囲で、改質層Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅの形成順番を適宜設定変更
することもできる。
上記の工程を経ることにより、図５の照射工程における改質層の形成状態を示す模式図
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
に示すように、第１基板１１の内部にＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３と、それぞれのＶ字型の
改質層Ｒ１，Ｒ３の頂部を結ぶ略直線状の改質層Ｒ２とが形成される。
図８（ｄ）の凹部形成工程では、第１基板１１の第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２の近傍に
形成されたＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の一部の改質層に沿って、第１基板１１の面に凹部
Ｈを形成する。具体的には、第１基板１１の第１の面Ｓ１の近傍に形成されたＶ字型の改
質層Ｒ３の一部の改質層Ｒ３ａ，Ｒ３ｅと、第２の面Ｓ２の近傍に形成されたＶ字型の改
質層Ｒ１の一部の改質層Ｒ１ａ，Ｒ１ｅに沿って凹部Ｈを形成する。凹部の形成方法とし
ては、レーザ加工、スクライブ加工、エッチング加工等を用いることができ、適宜選択す
ることができる。
形成されたＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の一部の改質層に沿って、第１基板１１の面に凹部
Ｈを形成する。具体的には、第１基板１１の第１の面Ｓ１の近傍に形成されたＶ字型の改
質層Ｒ３の一部の改質層Ｒ３ａ，Ｒ３ｅと、第２の面Ｓ２の近傍に形成されたＶ字型の改
質層Ｒ１の一部の改質層Ｒ１ａ，Ｒ１ｅに沿って凹部Ｈを形成する。凹部の形成方法とし
ては、レーザ加工、スクライブ加工、エッチング加工等を用いることができ、適宜選択す
ることができる。
図８（ｅ）の浸漬工程では、マザー基板１０を容器７４に溜められたエッチング液に浸
漬する。エッチング液として、例えば、フッ化水素酸７５を用いることができる。浸漬時
間は、マザー基板１１への信頼性、改質層Ｒ１〜Ｒ３への浸透具合を考慮し、適宜設定す
ることができる。なお、浸漬工程では、少なくとも第１基板１１が浸漬するように設定す
ればよい。
漬する。エッチング液として、例えば、フッ化水素酸７５を用いることができる。浸漬時
間は、マザー基板１１への信頼性、改質層Ｒ１〜Ｒ３への浸透具合を考慮し、適宜設定す
ることができる。なお、浸漬工程では、少なくとも第１基板１１が浸漬するように設定す
ればよい。
図８（ｆ）の切断工程では、第１基板１１に外力を与える。これにより、改質層Ｒ１〜
Ｒ３に応力が生じ、改質層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１が切断され、図８（ｇ）に示
すように、機能部としての液晶表示パネル２０に分割される。
Ｒ３に応力が生じ、改質層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１が切断され、図８（ｇ）に示
すように、機能部としての液晶表示パネル２０に分割される。
従って、上記の第３実施形態によれば、第１及び第２実施形態における効果に加え、以
下に示す効果がある。
下に示す効果がある。
（１）第１基板１１の内部に改質層Ｒ１〜Ｒ３を形成した後に、マザー基板１０をフッ
化水素酸に浸漬することにより、フッ化水素酸が改質層Ｒ１〜Ｒ３に浸透するので、改質
層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１を切断させやすくすることができる。
化水素酸に浸漬することにより、フッ化水素酸が改質層Ｒ１〜Ｒ３に浸透するので、改質
層Ｒ１〜Ｒ３に倣って第１基板１１を切断させやすくすることができる。
（２）フッ化水素酸に浸漬する前に、第１基板１１の面のＶ字型の改質層Ｒ１，Ｒ３の
一部の改質層Ｒ１ａ，Ｒ１ｅ，Ｒ３ａ，Ｒ３ｅに沿って、第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２に
凹部Ｈを形成することにより、凹部Ｈから改質層Ｒ１〜Ｒ３に向けて、さらにフッ化水素
酸を浸透させやすくすることができる。
一部の改質層Ｒ１ａ，Ｒ１ｅ，Ｒ３ａ，Ｒ３ｅに沿って、第１及び第２の面Ｓ１，Ｓ２に
凹部Ｈを形成することにより、凹部Ｈから改質層Ｒ１〜Ｒ３に向けて、さらにフッ化水素
酸を浸透させやすくすることができる。
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられ
る。
る。
（変形例１）第１実施形態において、切断工程では、除去部分１１ｂを吸着部材７２に
よって吸着することにより保持したが、これに限定されない。例えば、除去部分１１ｂを
接着や固着等の方法で保持してもよい。このようにしても、第１基板１１を切断したとき
、除去部分１１ｂを保持することができる。
よって吸着することにより保持したが、これに限定されない。例えば、除去部分１１ｂを
接着や固着等の方法で保持してもよい。このようにしても、第１基板１１を切断したとき
、除去部分１１ｂを保持することができる。
（変形例２）第１実施形態では、切断工程において、除去部分１１ｂを保持しながら切
断したが、これに限定されず、除去部分１１ｂを保持しなくてもよい。このようにしても
、改質層Ｒ１〜Ｒ３の形状に倣って第１基板１１を切断することができる。
断したが、これに限定されず、除去部分１１ｂを保持しなくてもよい。このようにしても
、改質層Ｒ１〜Ｒ３の形状に倣って第１基板１１を切断することができる。
（変形例３）第２実施形態において、凸部１１ｃをローラ７３で押し圧したが、ローラ
７３でなくてもよく、例えば、押し型、金属片、プラスチック片、刃物等を用いて押し圧
してもよい。このようにしても、凸部１１ｃを除去することができる。
７３でなくてもよく、例えば、押し型、金属片、プラスチック片、刃物等を用いて押し圧
してもよい。このようにしても、凸部１１ｃを除去することができる。
（変形例４）第３実施形態において、凹部形成工程を有したが、これを省略してもよい
。このようにしても、フッ化水素酸７５を改質層Ｒ１〜Ｒ３に浸透させることができる。
。このようにしても、フッ化水素酸７５を改質層Ｒ１〜Ｒ３に浸透させることができる。
（変形例５）第３実施形態において、浸漬工程は、切断工程の前に行ったが、切断工程
の後で行ってもよい。このようにしても、分割された液晶表示パネル２０の端部に改質層
Ｒ１，Ｒ３の一部とともに残った凸部に対して、フッ化水素酸７５が改質層Ｒ１，Ｒ３の
一部に浸透するので、凸部を除去することができる。
の後で行ってもよい。このようにしても、分割された液晶表示パネル２０の端部に改質層
Ｒ１，Ｒ３の一部とともに残った凸部に対して、フッ化水素酸７５が改質層Ｒ１，Ｒ３の
一部に浸透するので、凸部を除去することができる。
（変形例６）第１〜第３実施形態において、レーザ光４４は、第１基板１１の一の面か
ら照射したが、これに限定されず、両面から照射してもよい。このようにしても、改質層
Ｒ１〜Ｒ３を形成することができる。
ら照射したが、これに限定されず、両面から照射してもよい。このようにしても、改質層
Ｒ１〜Ｒ３を形成することができる。
１０…マザー基板、１１…第１基板、１１ｂ…除去部分、１１ｃ…凸部、１２…第２基
板、２０…機能部及び電気光学装置としての液晶表示パネル、４０…レーザ照射装置、４
３…集光レンズ、４４…レーザ光、４７…ステージ、７２…吸着部材、７３…ローラ、７
４…容器、７５…フッ化水素酸、８０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｒ１，Ｒ３…Ｖ
字型の改質層、Ｒ２…略直線状の改質層、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅ…Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成す
る改質層、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄ…略直線状の改質層Ｒ２を構成する改質層、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅ…
Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン、Ｓ１…第１の面、
Ｓ２…第２の面、Ｈ…凹部。
板、２０…機能部及び電気光学装置としての液晶表示パネル、４０…レーザ照射装置、４
３…集光レンズ、４４…レーザ光、４７…ステージ、７２…吸着部材、７３…ローラ、７
４…容器、７５…フッ化水素酸、８０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｒ１，Ｒ３…Ｖ
字型の改質層、Ｒ２…略直線状の改質層、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｅ…Ｖ字型の改質層Ｒ１を構成す
る改質層、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｄ…略直線状の改質層Ｒ２を構成する改質層、Ｒ３ａ〜Ｒ３ｅ…
Ｖ字型の改質層Ｒ３を構成する改質層、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン、Ｓ１…第１の面、
Ｓ２…第２の面、Ｈ…凹部。
Claims (8)
- 基板に形成された機能部の分割されるべき切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して
、当該基板の内部に改質層を形成した後に、当該改質層を起点に前記基板を切断して、前
記機能部ごとに分割するレーザスクライブ方法であって、
前記基板の両面の互いに対向する位置から前記基板の深さ方向に、前記基板の断面視に
おいて、前記基板の深さ方向に頂部を有するＶ字型の改質層と、それぞれの前記Ｖ字型の
改質層の前記頂部を結ぶ略直線状の改質層と、を形成するように、前記基板に向けて前記
レーザ光を照射する照射工程と、
前記基板に外力を与えて、前記基板を切断する切断工程と、を有することを特徴とする
レーザスクライブ方法。 - 請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記照射工程では、前記基板の一の面に向けて前記レーザ光を照射し、まず、前記一の
面の反対面となる他の面側に前記Ｖ字型の改質層を形成するように前記レーザ光を照射す
る第１照射工程と、次に、前記略直線状の改質層を形成するように前記レーザ光を照射す
る第２照射工程と、その次に、前記一の面側に前記Ｖ字型の改質層を形成するように前記
レーザ光を照射する第３照射工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。 - 請求項１または２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記切断工程では、それぞれの前記Ｖ字型の改質層と前記基板の面によって囲まれた除
去すべき前記基板の一部分を保持しながら、前記基板に外力を与えることを特徴とするレ
ーザスクライブ方法。 - 請求項１または２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記切断工程の後に、前記機能部の端辺部分に、前記Ｖ字型の改質層の一部とともに残
った除去すべき凸部を押し圧する押圧工程を有することを特徴とするレーザスクライブ方
法。 - 請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記切断工程の前または後に、前記基板をエッチング液に浸漬する浸漬工程を有するこ
とを特徴とするレーザスクライブ方法。 - 請求項５に記載のレーザスクライブ方法において、
前記浸漬工程の前に、前記基板の面の近傍に形成された前記Ｖ字型の改質層の一部の改
質層に沿って、前記基板の面に凹部を形成する凹部形成工程を有することを特徴とするレ
ーザスクライブ方法。 - 請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって製造されたことを
特徴とする電機光学装置。 - 請求項７に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006101667A JP2007275902A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006101667A JP2007275902A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007275902A true JP2007275902A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38677942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006101667A Withdrawn JP2007275902A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007275902A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146744A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | 切断用加工方法 |
| JP2010153590A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 切断用加工方法 |
| JP2011060860A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Saitama Univ | 基板スライス方法 |
| JP2011206838A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
| JP2014168790A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2018509298A (ja) * | 2015-01-13 | 2018-04-05 | ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド | 脆性材料をスクライブして化学エッチングする方法およびシステム |
| CN110520968A (zh) * | 2017-04-17 | 2019-11-29 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法和半导体芯片 |
-
2006
- 2006-04-03 JP JP2006101667A patent/JP2007275902A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5197586B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2013-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断用加工方法 |
| US8603351B2 (en) | 2007-05-25 | 2013-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Working method for cutting |
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| CN110520968A (zh) * | 2017-04-17 | 2019-11-29 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法和半导体芯片 |
| CN110520968B (zh) * | 2017-04-17 | 2023-09-19 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法和半导体芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090707 |