JP2011060860A - 基板スライス方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に非接触にレーザ集光手段16を配置する工程と、レーザ集光手段16により、基板10表面にレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光26を集光する工程と、レーザ集光手段16と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層12を形成する工程と、基板10側壁に改質層12を露出させる工程と、改質層12をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。
【選択図】図2
Description
本発明の第1の実施の形態に係る基板スライス方法を説明する模式的断面構造は、図1に示すように表され、模式的鳥瞰構造は、図2に示すように表される。
第2の実施の形態に係る基板スライス方法を説明する模式的鳥瞰構造は、図6に示すように表される。改質層12は、基板10の内部において深さtを有し、かつ平面構造は、基板10の内部に形成された2次元の格子状パターン構造を有する。改質層12の深さtの値は、例えば、80μm程度である。
第3の実施の形態に係る基板スライス方法を説明する模式的鳥瞰構造は、図7に示すように表される。改質層12は、基板10の内部において深さtを有し、かつ平面構造は、基板10の内部に形成された2次元のドット状パターン構造を有する。改質層12の深さtの値は、例えば、80μm程度である。
第4の実施の形態に係る基板スライス方法は、改質層12をエッチングする工程において、エッチング時間を1時間として短くした点が異なるのみであり、その他の工程は、第1の実施の形態と同様である。その結果、エッチング工程後の基板10の模式的鳥瞰構造は、図8に示すように、エッチングによって、基板10の側壁面の改質層12が退行し、エッチング溝32(図9参照)が形成された構造が得られる。例えば、基板10の外周の1辺を除く3辺の改質層12相当部分に、深さ約1mm、幅約0.1mmのエッチング溝が形成される。このような構造は、例えば、劈開面14a、14b、14c、14dのうち、劈開面14bのみエッチング保護膜を形成することによって得ることができる。
第5の実施の形態に係る基板スライス方法において、エッチング工程後の基板10の上下面にアクリル板28u、28dを貼付後、剥離工程を説明する模式的断面構造は、図12に示すように表される。
第1〜第5の実施の形態のように、改質層12をエッチングして、基板10側壁にエッチング溝を形成する工程を実施せずに、辺方向から力Fu、Fdを加えることによって、基板10を上下に剥離する工程を試みた場合の剥離された基板10の剥離面における光学顕微鏡写真は、図15に示すように表される。改質層12をエッチングして、基板10側壁にエッチング溝を形成する工程を実施せずに、基板10を上下に剥離することは容易ではなく、図15に示すように、基板10の2/3は剥離していない。
上記のように、本発明は第1〜第5の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…改質層
14a、14b、14c、14d…劈開面
16…集光レンズ(レーザ集光手段)
18…収差増強ガラス板(収差増強材)
20、22、26…レーザ光
24…レーザスポット
28u、28d…アクリル板(剥離補助板)
30…楔状圧入材
32、32a、32b…エッチング溝
34u、34d…接着剤
V0,V1,V2,V3,…,V10,V11,V12…縦方向配置パターン
H1,H2,H3,…,H10…横方向配置パターン
Fu、Fd…力
Claims (8)
- 基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記基板表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成する工程と、
前記基板側壁に前記改質層を露出させる工程と、
前記改質層をエッチングする工程と
を有することを特徴とする基板スライス方法。 - 前記改質層は、前記基板内部において所定の厚さを有し、かつ平面構造は、前記基板内部に形成された2次元の格子状パターンを有することを特徴とする請求項1に記載の基板スライス方法。
- 前記改質層は、前記基板内部において所定の厚さを有し、かつ平面構造は、前記基板内部に形成された2次元のドット状パターンを有することを特徴とする請求項1に記載の基板スライス方法。
- 前記改質層をエッチングする工程により形成されたエッチング溝から前記基板を剥離する工程を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板スライス方法。
- 前記基板を剥離する工程は、前記エッチング溝に対して楔状圧入材を圧入する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の基板スライス方法。
- 前記基板を剥離する工程は、前記基板の角方向から力を印加する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の基板スライス方法。
- 前記改質層をエッチングする工程後、前記基板の上下面に半剛性基板を貼付する工程を有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の基板スライス方法。
- 前記改質層をエッチングする工程において、水酸化ナトリウム水溶液からなるエッチング液を使用することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板スライス方法。
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