JP2005203803A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に複数の機能素子15が形成されたウェハの表面側に保護フィルムを貼り付け、ウェハの裏面をレーザ光入射面としてウェハの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射して溶融処理領域を形成し、ウェハに対して格子状に設定された切断予定ラインのそれぞれに沿って切断起点領域を形成する。そして、ウェハの裏面にダイボンド樹脂層23を介在させて拡張フィルム21を貼り付け、これを拡張させて切断予定ラインに沿ってウェハ及び樹脂層23を切断し、表面に機能素子15が形成された半導体チップ25を、その裏面に樹脂層23が密着した状態で複数得る。そして、樹脂層23を介して半導体チップ25をリードフレーム27に固定し、半導体デバイスを得る。
【選択図】 図16
Description
半導体基板の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより半導体基板の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により半導体基板の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。半導体基板がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)半導体基板が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
半導体基板の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより、半導体基板の内部には溶融処理領域と微小空洞とが形成される場合がある。図9に示すように、半導体基板1の表面3側からレーザ光Lを入射させた場合、微小空洞14は、溶融処理領域13に対して裏面17側に形成される。図9では、溶融処理領域13と微小空洞14とが離れて形成されているが、溶融処理領域13と微小空洞14とが連続して形成される場合もある。つまり、多光子吸収によって溶融処理領域及び微小空洞が対になって形成される場合、微小空洞は、溶融処理領域に対して半導体基板におけるレーザ光入射面の反対側に形成されることになる。なお、電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
繰り返し周波数:40kHz
パルス幅:30nsec
パルスピッチ:7μm
加工深さ:8μm
パルスエネルギー:50μJ/パルス
(C)集光用レンズ
NA:0.55
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:280mm/sec
Claims (2)
- 表面に複数の機能素子が形成された半導体基板を前記機能素子毎に切断し、前記機能素子を有する半導体デバイスを製造するための半導体デバイスの製造方法であって、
前記機能素子を覆うように前記半導体基板の表面側に保護部材を取り付ける工程と、
前記保護部材を取り付けた後に、前記半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し、その改質領域によって、隣り合う前記機能素子間を通るように前記半導体基板に対して格子状に設定された切断予定ラインのそれぞれに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成した後に、前記半導体基板の裏面にダイボンド樹脂層を介在させて拡張可能な保持部材を取り付ける工程と、
前記保持部材を取り付けた後に、前記保持部材を拡張させることで、前記切断起点領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板及び前記ダイボンド樹脂層を切断し、表面に前記機能素子が形成された半導体チップを、その裏面に前記ダイボンド樹脂層が密着した状態で複数得る工程と、
前記半導体チップを複数得た後に、前記半導体チップを、その裏面に密着した前記ダイボンド樹脂層を介してリードフレームに固定し、前記半導体デバイスを得る工程とを備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記保持部材は、前記半導体基板の表面側から前記保護部材が取り除かれた後に、拡張せられることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015099825A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | リンテック株式会社 | チップの製造方法 |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP4606741B2 (ja) | 2002-03-12 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
ATE534142T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum auftrennen eines substrats |
TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
TWI520269B (zh) * | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
CN1758985A (zh) * | 2003-03-12 | 2006-04-12 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
EP2324950B1 (en) * | 2003-07-18 | 2013-11-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
EP1742253B1 (en) | 2004-03-30 | 2012-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4200177B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP2006086509A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-30 | Denso Corp | 半導体基板の分断方法 |
JP4736379B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2011-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート |
JP4917257B2 (ja) | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4781661B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8267872B2 (en) | 2005-07-07 | 2012-09-18 | St. Jude Medical, Cardiology Division, Inc. | Steerable guide wire with torsionally stable tip |
US20070185415A1 (en) | 2005-07-07 | 2007-08-09 | Ressemann Thomas V | Steerable guide wire with torsionally stable tip |
JP4748518B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | ダイシングダイボンドテープおよびダイシングテープ |
JP2007048958A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US7897487B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP2008042110A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
US20080070378A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Jong-Souk Yeo | Dual laser separation of bonded wafers |
CN102489883B (zh) * | 2006-09-19 | 2015-12-02 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法和激光加工装置 |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN102357739B (zh) * | 2006-10-04 | 2014-09-10 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
KR100817823B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-03-31 | 주식회사 이오테크닉스 | 메모리 카드 기판 절단방법 |
JP4971869B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2012-07-11 | 株式会社ディスコ | 接着フィルム破断装置 |
JP5336054B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4934620B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-05-16 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
EP2394775B1 (en) | 2009-02-09 | 2019-04-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
KR101769158B1 (ko) | 2009-04-07 | 2017-08-17 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
DE102010009015A1 (de) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips |
JP2011201759A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 |
TWI446984B (zh) * | 2010-06-28 | 2014-08-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 被加工物的加工方法、被加工物的分割方法及雷射加工裝置 |
US8828873B2 (en) * | 2010-07-26 | 2014-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
TWI451503B (zh) * | 2010-12-27 | 2014-09-01 | Omnivision Tech Inc | 形成保護膜於晶片封裝上之裝置及其形成方法 |
JP5480169B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8466046B2 (en) * | 2011-03-01 | 2013-06-18 | Infineon Technologies Ag | Method for fabricating a porous semiconductor body region |
US9559004B2 (en) | 2011-05-12 | 2017-01-31 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy |
JP5857575B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2016-02-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8936969B2 (en) * | 2012-03-21 | 2015-01-20 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of singulating semiconductor wafer along modified region within non-active region formed by irradiating energy through mounting tape |
EP2762286B1 (en) | 2013-01-31 | 2015-07-01 | ams AG | Dicing method |
JP2014165462A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Lintec Corp | 半導体チップの製造方法 |
JP6208521B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2017-10-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US9620457B2 (en) | 2013-11-26 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device packaging |
JP2015167197A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2016143766A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 株式会社ディスコ | 単結晶部材の加工方法 |
JP6495056B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP2016166120A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置 |
JP6625854B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
FI3467567T3 (fi) * | 2016-05-27 | 2024-04-22 | Hamamatsu Photonics Kk | Valmistusmenetelmä fabry-perot-häiriösuodattimelle |
JP6341959B2 (ja) | 2016-05-27 | 2018-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | ファブリペロー干渉フィルタの製造方法 |
JP2018120913A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6980421B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2021-12-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6483204B2 (ja) * | 2017-07-10 | 2019-03-13 | 株式会社東京精密 | レーザダイシング装置及び方法 |
US10607861B2 (en) * | 2017-11-28 | 2020-03-31 | Nxp B.V. | Die separation using adhesive-layer laser scribing |
US10589445B1 (en) * | 2018-10-29 | 2020-03-17 | Semivation, LLC | Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate |
TWI681241B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置 |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
DE102020210104A1 (de) | 2020-08-10 | 2022-02-10 | Disco Corporation | Verfahren zum bearbeiten eines substrats |
CN116230654B (zh) * | 2023-05-10 | 2023-07-21 | 之江实验室 | 晶上系统组装结构及其组装方法 |
Family Cites Families (170)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3629545A (en) * | 1967-12-19 | 1971-12-21 | Western Electric Co | Laser substrate parting |
US3610871A (en) * | 1970-02-19 | 1971-10-05 | Western Electric Co | Initiation of a controlled fracture |
US3626141A (en) * | 1970-04-30 | 1971-12-07 | Quantronix Corp | Laser scribing apparatus |
US3790051A (en) * | 1971-09-07 | 1974-02-05 | Radiant Energy Systems | Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller |
US4242152A (en) * | 1979-05-14 | 1980-12-30 | National Semiconductor Corporation | Method for adjusting the focus and power of a trimming laser |
JPS5854648A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0611071B2 (ja) | 1983-09-07 | 1994-02-09 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体基板の分割方法 |
US4546231A (en) | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
JPS59130438A (ja) | 1983-11-28 | 1984-07-27 | Hitachi Ltd | 板状物の分離法 |
JPS60144985A (ja) | 1983-12-30 | 1985-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
US4562333A (en) * | 1984-09-04 | 1985-12-31 | General Electric Company | Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials |
JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61121453A (ja) | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法 |
JPS624341A (ja) | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6438209A (en) | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1999-05-17 | ローム 株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH03276662A (ja) | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Nippon Steel Corp | ウエハ割断法 |
JP2620723B2 (ja) | 1990-05-24 | 1997-06-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3024990B2 (ja) | 1990-08-31 | 2000-03-27 | 日本石英硝子株式会社 | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
JPH04188847A (ja) | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 粘着テープ |
US5211805A (en) * | 1990-12-19 | 1993-05-18 | Rangaswamy Srinivasan | Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation |
JPH0639572A (ja) * | 1991-01-11 | 1994-02-15 | Souei Tsusho Kk | ウェハ割断装置 |
JP3165192B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2001-05-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH04300084A (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Toshiba Corp | レーザ加工機 |
US5230184A (en) * | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 2000-10-23 | 富士通株式会社 | 整形金属パターンの製造方法 |
JP3255741B2 (ja) | 1992-12-22 | 2002-02-12 | リンテック株式会社 | ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート |
JP2720744B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機 |
US5637244A (en) * | 1993-05-13 | 1997-06-10 | Podarok International, Inc. | Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material |
JP3293136B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2616247B2 (ja) | 1993-07-24 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
DE4404141A1 (de) * | 1994-02-09 | 1995-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung |
JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Kawasaki Steel Corp | ウェーハ固定用テープ |
US5656186A (en) * | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
US5776220A (en) * | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
US5622540A (en) * | 1994-09-19 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Method for breaking a glass sheet |
US5543365A (en) * | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
JPH08197271A (ja) | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Ricoh Co Ltd | 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置 |
US5841543A (en) * | 1995-03-09 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate |
JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | ウェハスクライブ装置及び方法 |
JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | ウエハプロービング装置 |
JPH0917756A (ja) | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Toshiba Corp | 半導体用保護テープおよびその使用方法 |
JPH0929472A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Hitachi Ltd | 割断方法、割断装置及びチップ材料 |
KR100447786B1 (ko) * | 1995-08-31 | 2004-11-06 | 코닝 인코포레이티드 | 취성물질절단방법및그장치 |
KR0171947B1 (ko) | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
JP3592018B2 (ja) | 1996-01-22 | 2004-11-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム |
JP3660741B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 電子回路装置の製造方法 |
JPH09272119A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Daido Hoxan Inc | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 脆性材料の割断方法 |
DK109197A (da) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Force Instituttet | Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle |
JPH10163780A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 圧電単結晶からなる振動子の製造方法 |
JP3468676B2 (ja) | 1996-12-19 | 2003-11-17 | リンテック株式会社 | チップ体の製造方法 |
JP3421523B2 (ja) | 1997-01-30 | 2003-06-30 | 三洋電機株式会社 | ウエハーの分割方法 |
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
US5976392A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Yageo Corporation | Method for fabrication of thin film resistor |
DE19728766C1 (de) | 1997-07-07 | 1998-12-17 | Schott Rohrglas Gmbh | Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper |
JP3292294B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-06-17 | 住友重機械工業株式会社 | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 |
JP3208730B2 (ja) | 1998-01-16 | 2001-09-17 | 住友重機械工業株式会社 | 光透過性材料のマーキング方法 |
JPH11121517A (ja) | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子搭載装置および搭載方法 |
JPH11162889A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sony Corp | ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法 |
JP3449201B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JPH11156564A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐熱性透明体およびその製造方法 |
JP3076290B2 (ja) | 1997-11-28 | 2000-08-14 | 山形日本電気株式会社 | 半導体チップのピックアップ装置およびその方法 |
JP3604550B2 (ja) | 1997-12-16 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP4132172B2 (ja) | 1998-02-06 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
JP2000015467A (ja) | 1998-07-01 | 2000-01-18 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 光による被加工材の加工方法および加工装置 |
US6181728B1 (en) * | 1998-07-02 | 2001-01-30 | General Scanning, Inc. | Controlling laser polarization |
JP3784543B2 (ja) | 1998-07-29 | 2006-06-14 | Ntn株式会社 | パターン修正装置および修正方法 |
JP3605651B2 (ja) | 1998-09-30 | 2004-12-22 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000124537A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置 |
JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 2001-06-18 | 住友重機械工業株式会社 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
US6252197B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-26 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator |
US6259058B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
US6211488B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-04-03 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe |
US6420678B1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
JP2000195828A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Denso Corp | ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置 |
JP2000219528A (ja) | 1999-01-18 | 2000-08-08 | Samsung Sdi Co Ltd | ガラス基板の切断方法及びその装置 |
JP2000210785A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 複数ビ―ムレ―ザ加工装置 |
JP3569147B2 (ja) | 1999-01-26 | 2004-09-22 | 松下電器産業株式会社 | 基板の切断方法 |
EP1026735A3 (en) | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2000237885A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | レーザー切断方法 |
JP4119028B2 (ja) | 1999-02-19 | 2008-07-16 | 小池酸素工業株式会社 | レーザーピアシング方法 |
US6285002B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-09-04 | Bryan Kok Ann Ngoi | Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse |
KR100721391B1 (ko) * | 1999-11-24 | 2007-05-23 | 어플라이드 포토닉스 아이엔씨. | 비금속성 재료 분리 방법 및 장치 |
JP2001250798A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Sony Corp | ケガキ線で材料を分割する方法及び装置 |
WO2001085387A1 (en) * | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Ptg Precision Technology Center Limited Llc | System for cutting brittle materials |
JP4697823B2 (ja) | 2000-05-16 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 脆性基板の分割方法 |
US6376797B1 (en) | 2000-07-26 | 2002-04-23 | Ase Americas, Inc. | Laser cutting of semiconductor materials |
JP2002050589A (ja) | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置 |
US6325855B1 (en) * | 2000-08-09 | 2001-12-04 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Gas collector for epitaxial reactors |
JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3751970B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3761567B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2003001458A (ja) * | 2000-09-13 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP4837320B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-12-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2002192371A (ja) | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP4762458B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3761565B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3660294B2 (ja) | 2000-10-26 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3332910B2 (ja) | 2000-11-15 | 2002-10-07 | エヌイーシーマシナリー株式会社 | ウェハシートのエキスパンダ |
JP2002158276A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置 |
JP2002226796A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
US6770544B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-08-03 | Nec Machinery Corporation | Substrate cutting method |
KR100701013B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
JP3761444B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2006-03-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3935186B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP2006135355A (ja) | 2002-03-12 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
JP3624909B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2005-03-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
ATE534142T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum auftrennen eines substrats |
JP4358502B2 (ja) | 2002-03-12 | 2009-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP3670267B2 (ja) | 2002-03-12 | 2005-07-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4606741B2 (ja) | 2002-03-12 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
WO2003076118A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
JP3831287B2 (ja) * | 2002-04-08 | 2006-10-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
TWI520269B (zh) * | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
CN100445014C (zh) | 2002-12-05 | 2008-12-24 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工装置 |
JP2004188422A (ja) | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US6756562B1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP4188847B2 (ja) | 2003-01-14 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 分析素子用カートリッジ |
US7341007B2 (en) | 2003-03-05 | 2008-03-11 | Joel Vatsky | Balancing damper |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
CN1758985A (zh) | 2003-03-12 | 2006-04-12 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
JP2005019525A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
EP2324950B1 (en) | 2003-07-18 | 2013-11-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP2005086175A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
WO2005067113A1 (ja) | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
EP1742253B1 (en) | 2004-03-30 | 2012-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4536407B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
CN101862904B (zh) | 2004-03-30 | 2011-11-30 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及半导体芯片 |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4200177B2 (ja) | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4781661B2 (ja) | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4917257B2 (ja) | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4198123B2 (ja) | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4776994B2 (ja) | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4749799B2 (ja) | 2005-08-12 | 2011-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4762653B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4356942B2 (ja) | 2005-11-07 | 2009-11-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路及びそのテスト方法 |
JP4237745B2 (ja) | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US7897487B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN102489883B (zh) | 2006-09-19 | 2015-12-02 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法和激光加工装置 |
JP5101073B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5132911B2 (ja) | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN102357739B (zh) | 2006-10-04 | 2014-09-10 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5225639B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP5342772B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2004
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- 2011-11-30 IL IL216690A patent/IL216690A/en active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015099825A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | リンテック株式会社 | チップの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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WO2005027212A1 (ja) | 2005-03-24 |
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KR20060106813A (ko) | 2006-10-12 |
EP1670046A4 (en) | 2009-07-01 |
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