KR100827879B1 - 반도체 기판의 절단 방법 - Google Patents

반도체 기판의 절단 방법 Download PDF

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후미츠구 후쿠요
나오키 우치야마
류지 스기우라
가주히로 아츠미
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있는 반도체 기판의 절단 방법을 제공한다.
표면(3)에 기능 소자(15)가 형성된 웨이퍼(11)의 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하고, 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사함으로써, 다광자 흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인(5)을 따라서 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 이로 인해 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘으로 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열을 발생시키고, 그 분열을 표면(3)과 이면(17)에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역(8)을 형성한 후에, 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고 그 확장 필름(21)을 확장시키면, 절단 예정 라인(5)을 따라서 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단할 수 있다.

Description

반도체 기판의 절단 방법{SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CUTTING METHOD}
본 발명은 반도체 디바이스의 제조 공정 등에 있어서 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 절단하기 위하여 사용되는 반도체 기판의 절단 방법에 관한 것이다.
종래에 있어서 이러한 종류의 기술로서 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에는 다음과 같은 기술이 기재되어 있다. 우선, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이 본드(die-bond) 수지층을 통하여 점착 시트를 첩부(貼付)하고, 이 점착 시트상에 반도체 웨이퍼를 유지시킨 상태로 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는다. 그리고, 점착 시트상의 반도체 칩을 픽업할 때에, 다이 본드 수지를 개개의 반도체 칩과 함께 점착 시트로부터 박리시킨다. 이로 인해, 반도체 칩의 이면에 접착제를 도포하는 등의 공정을 생략하고, 반도체 칩을 리드 프레임상에 접착하는 것이 가능하게 된다.
[특허문헌 1] 일본 특개 2002－158276호 공보
[특허문헌 2] 일본 특개 2000－104040호 공보
그러나, 상술한 바와 같은 기술에 있어서는 점착 시트상에 유지된 반도체 웨이퍼를 블레이드에 의해 절단할 때에, 점착 시트는 절단하지 않게 하는 한편, 반도 체 웨이퍼와 점착 시트 사이에 존재하는 다이 본드 수지층은 확실히 절단할 필요가 있다. 그 때문에, 이와 같은 경우의 블레이드에 의한 반도체 웨이퍼의 절단은 특히 신중을 기해야 하는 것으로 된다.
여기서, 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있는 반도체 기판의 절단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법은 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 반도체 기판의 절단 방법으로서, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써, 개질 영역을 형성하고, 그 개질 영역에 의하여 절단 예정 라인을 따라서 레이저광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성한 후에 반도체 기판의 이면에 다이 본드 수지층을 개재시켜서 확장 가능한 유지 부재를 다는 공정과, 유지 부재를 장착한 후에 유지 부재를 확장시킴으로써 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 반도체 기판의 절단 방법에 있어서는 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 가공 대상물로 한다. 그리고, 그러한 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써, 예를 들면 다광자 흡수 또는 그것과 동일한 광흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인을 따라서 반도체 기판의 내부에 개질 영역에 의한 절단 기점 영역을 형성한다. 이 때, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하는 것은 표면을 레이저광 입사면으로 하면 기능 소자에 의해 레이저광의 입사를 방해할 수 있을 우려가 있기 때문이다. 이와 같이 반도체 기판의 내부에 절단 기점 영역이 형성되면, 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘을 가함으로써, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 분열(fracture)을 발생시키고, 그 분열을 반도체 기판의 표면과 이면에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역을 형성한 후에, 반도체 기판의 이면에 다이 본드 수지층을 통하여 확장 가능한 유지 부재를 장착하고, 상기 유지 부재를 확장시키면 절단 예정 라인을 따라서 절단된 반도체 기판의 절단면이 유지 부재의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 된다. 이로 인해, 반도체 기판과 유지 부재 사이에 존재하는 다이 본드 수지층도 절단 예정 라인을 따라서 절단된다. 따라서, 블레이드로 절단하는 경우에 비해 더욱 양호한 효율로 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을, 절단 예정 라인을 따라서 절단할 수 있다. 또한, 절단 예정 라인을 따라서 절단된 반도체 기판의 절단면이 처음은 서로 밀착하고 있기 때문에, 절단된 개개의 반도체 기판과 절단된 개개의 다이 본드 수지층이 거의 동일한 외형으로 되고, 각 반도체 기판의 절단면에서 다이 본드 수지가 초과하는 것도 방지된다.
여기서, 절단 기점 영역은 반도체 기판이 절단될 때에 절단의 기점으로 되는 영역을 의미한다. 이 절단 기점 영역은 개질 영역이 연속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있고, 개질 영역이 단속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있다. 또, 기능 소자는 예를 들면 결정 성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토 다이오드 등의 수광 소자, 레이저 다이오드 등의 발광 소자, 회로로서 형성된 회로 소자 등을 의미한다.
또한, 절단 기점 영역을 형성하기 전에, 반도체 기판이 소정의 두께로 되도록 반도체 기판의 이면을 연마하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 반도체 기판이 소정의 두께로 되도록 그 이면을 미리 연마함으로써, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 보다 양호한 정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다. 또한, 연마는 절삭, 연삭, 케미컬 에칭 등을 포함하는 의미이다.
또, 개질 영역은 용융 처리 영역을 포함하는 경우가 있다. 가공 대상물이 반도체 기판이면, 레이저광의 조사에 의해서 용융 처리 영역이 형성되는 경우가 있다. 이 용융 처리 영역은 상술한 개질 영역의 일례이기 때문에, 이 경우에도 반도체 기판을 용이하게 절단할 수 있고, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 양호한 효율로 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 개질 영역은 용융 처리 영역과, 그 용융 처리 영역에 대하여 레이저광 입사면의 반대측에 위치하는 미소 공동(微小 空洞)을 포함하는 경우가 있다. 가공 대상물이 반도체 기판이면, 레이저광의 조사에 의해서 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 경우가 있다. 이 용융 처리 영역 및 미소 공동은 상술한 개질 영역의 일례이기 때문에, 이 경우에도 반도체 기판을 용이하게 절단할 수 있고, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 양호한 효율로 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법에 있어서, 절단 기점 영역을 형성할 때, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 표면에 분열을 도달시켜도 되고, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 이면에 분열을 도달시켜도 되고, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 표면과 이면에 분열을 도달시켜도 된다.
또, 유지 부재를 확장시킴으로써 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정 이전에, 다이 본드 수지층을 가열하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유지 부재를 확장시키기 전에 미리 다이 본드 수지층을 가열하면, 유지 부재를 확장시킴으로써 보다 양호한 정밀도로 용이하게 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 의하면, 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 따른 레이저 가공중의 반도체 기판의 평면도.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 기판의 II－II선을 따른 단면도.
도 3은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 따른 레이저 가공 후의 반도체 기판의 평면도.
도 4는 도 3에 나타내는 반도체 기판의 IV－IV선을 따른 단면도.
도 5는 도 3에 나타내는 반도체 기판의 V－V선을 따른 단면도.
6은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 절단된 반도체 기판의 평면도.
도 7은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역이 형성된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면.
도 8은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 있어서 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프.
도 9는 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성된 반도체 기판의 단면도.
도 10은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 원리를 설명하기 위한 단면도.
도 11은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면.
도 12는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서 가공 대상물로 되는 실리콘 웨이퍼의 평면도.
도 13은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 보호 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼가 박형화된 상태, (c)는 보호 필름에 자외선이 조사되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 14는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼 및 보호 필름이 재치대(栽置臺)상에 고정된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 실리콘 웨이퍼의 내부에 절단 기점 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 15는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지 첨부 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름에 자외선이 조사되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 16은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 확장 필름이 확장된 상태, (b)는 절단된 다이 본드 수지층과 함께 반도체 칩이 픽업되어 있는 상태, (c)는 반도체 칩이 다이 본드 수지층을 통하여 리드 프레임에 접합된 상태를 나타내는 도면.
도 17은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서 실리콘 웨이퍼와 절단 기점 영역과의 관계를 나타내는 모식도이고, (a)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 발생하고 있지 않는 상태, (b)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 18은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서의 실리콘 웨이퍼와 절단 기점 영역과의 관계를 나타내는 모식도이고, (a)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면에 도달하고 있는 상태, (b)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 이면에 도달하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 19는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼 및 보호 필름이 재치대상에 고정된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 실리콘 웨이퍼의 내부에 절단 기점 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 20은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지층이 고정된 상태, (b)는 다이 본드 수지층에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 다이 본드 수지층에 변질 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 21은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 다이 본드 수지층에 점착제층을 통하여 확장 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름이 확장된 상태를 나타내는 도면.
도 22는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 다른 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지 첨부 필름이 첩부된 상태, (b)는 다이 본드 수지층에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 다이 본드 수지층에 변질 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 23은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 다른 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공 장치의 재치대로부터 떼어내진 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름이 확장된 상태를 나타내는 도면.
<부호의 설명>
1ㆍㆍㆍ반도체 기판, 3ㆍㆍㆍ표면,
5ㆍㆍㆍ절단 예정 라인, 7ㆍㆍㆍ개질 영역,
8ㆍㆍㆍ절단 기점 영역, 11ㆍㆍㆍ실리콘 웨이퍼(반도체 기판),
13ㆍㆍㆍ용융 처리 영역, 14ㆍㆍㆍ미소 공동,
15ㆍㆍㆍ기능 소자, 17ㆍㆍㆍ이면(레이저광 입사면),
21ㆍㆍㆍ확장 필름(유지 부재), 23ㆍㆍㆍ다이 본드 수지층,
28ㆍㆍㆍ분열, Lㆍㆍㆍ레이저광,
Pㆍㆍㆍ집광점.
이하, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법의 적합한 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 실시 형태에서는 반도체 기판의 내부에 개질 영역을 형성하기 위하여 다광자 흡수라고 하는 현상을 이용한다. 여기서, 최초로 다광자 흡수에 의해 개질 영역을 형성하기 위한 레이저 가공 방법에 대해 설명한다.
재료 흡수의 밴드 갭 EG보다 광자의 에너지 h
Figure 112006017010593-pct00001
가 작으면 광학적으로 투명하게 된다. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 h
Figure 112006017010593-pct00002
＞EG 이다. 그러나, 광학적으로 투명해도, 레이저광의 강도를 매우 크게 하면 nh
Figure 112006017010593-pct00003
＞EG 의 조건(n=2, 3, 4,···)에서 재료에 흡수가 생긴다. 이 현상을 다광자 흡수라고 한다. 펄스파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 피크 파워 밀도(W/㎠)로 정해지고, 예를 들 면 피크 파워 밀도가 1×108(W/㎠) 이상의 조건에서 다광자 흡수가 생긴다. 피크 파워 밀도는 (집광점에 있어서 레이저광의 1 펄스당의 에너지)÷(레이저광의 빔 스포트 단면적×펄스폭) 에 의해 구해진다. 또, 연속파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 전계 강도(W/㎠)로 정한다.
이와 같은 다광자 흡수를 이용하는 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 대해 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 표면(3)에는 반도체 기판(1)을 절단하기 위한 절단 예정 라인(5)이 있다. 절단 예정 라인(5)은 직선 형상으로 뻗은 가상선이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 반도체 기판(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사하여 개질 영역(7)을 형성한다. 또한, 집광점 P는 레이저광 L이 집광하는 지점이다. 또, 절단 예정 라인(5)은 직선 형상에 한정하지 않으며 곡선 형상이어도 되고, 가상선에 한정하지 않고 반도체 기판(1)에 실제로 끌린 선이어도 된다.
그리고, 레이저광 L을 절단 예정 라인(5)을 따라서(즉, 도 1의 화살표 A 방향으로) 상대적으로 이동시킴으로써, 집광점 P를 절단 예정 라인(5)을 따라서 이동시킨다. 이로 인해, 도 3 내지 도 5에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 반도체 기판(1)의 내부에 형성되고, 이 개질 영역(7)이 절단 기점 영역(8)으로 된다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법은 반도체 기판(1)이 레이저광 L을 흡수함으로써, 반도체 기판(1)을 발열시켜서 개질 영역(7)을 형성하 는 것은 아니다. 반도체 기판(1)에 레이저광 L을 투과시키고 반도체 기판(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜서 개질 영역(7)을 형성하고 있다. 따라서, 반도체 기판(1)의 표면(3)에서는 레이저광 L이 거의 흡수되지 않기 때문에, 반도체 기판(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다.
반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성하면, 이 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열이 발생하기 쉬워지기 때문에, 도 6에 나타내는 바와 같이 비교적 작은 힘으로 반도체 기판(1)을 절단할 수 있다. 따라서, 반도체 기판(1)의 표면(3)에 불필요한 분열을 발생시키는 일 없이, 반도체 기판(1)을 고정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
이 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 반도체 기판(1)의 절단에는 다음의 두 방법이 고안된다. 하나는 절단 기점 영역(8)의 형성 후, 반도체 기판(1)에 인위적인 힘이 인가됨으로써 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 반도체 기판(1)이 분열되고, 반도체 기판(1)이 절단되는 경우이다. 이것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 두께가 큰 경우의 절단이다. 인위적인 힘이 인가된다는 것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 절단 기점 영역(8)에 따라서 반도체 기판(1)에 휨 응력이나 전단(剪斷) 응력을 가하거나, 반도체 기판(1)에 온도차를 부여하는 것으로 열응력을 발생시키는 것이다. 다른 하나는 절단 기점 영역(8)을 형성함으로써, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 반도체 기판(1)의 단면 방향(두께 방향)으로 향하여 자연스럽게 분열되고, 결과적으로 반도체 기판(1)이 절단되는 경우이다. 이것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 두께가 작은 경우에는 1 열의 개질 영역(7)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 되고, 반도체 기판(1)의 두께가 큰 경우에는 두께 방향으로 복수 열 형성된 개질 영역(7)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 된다. 또한, 이 자연스럽게 분열되는 경우도, 절단하는 지점에 있어서 절단 기점 영역(8)이 형성되어 있지 않은 부위에 대응하는 부분의 표면(3)상에까지 분열이 앞서 나아가는 일이 없고, 절단 기점 영역(8)을 형성한 부위에 대응하는 부분만을 할단(割斷)할 수 있으므로, 할단을 양호하게 제어할 수 있다. 최근, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판(1)의 두께는 얇아지는 경향이므로, 이와 같은 제어성이 좋은 할단 방법은 매우 유효하다.
그러나, 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 있어서, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서는 다음의 (1), (2) 경우가 있다.
(1) 개질 영역이 용융 처리 영역의 경우
반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상으로, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이로 인해 반도체 기판의 내부는 다광자 흡수에 의해 국소적으로 가열된다. 이 가열에 의해 반도체 기판의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다. 용융 처리 영역과는 일단 용융후 재고화(溶融後 再固化)한 영역이나, 확실히 용융 상태의 영역이나, 용융 상태로부터 재고화하는 상태의 영역이며, 상변화한 영역이나 결정 구조가 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 또, 용융 처리 영역은 단결정 구조, 비정질 구조, 다결정 구조에 있어서 어느 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 즉, 예를 들면 단결정 구조에서 비정질 구조로 변화한 영역, 단결정 구조에서 다결정 구조로 변화한 영역, 단결정 구조에서 비정질 구조 및 다결정 구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. 반도체 기판이 실리콘 단결정 구조의 경우, 용융 처리 영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다. 또한, 전계 강도의 상한치로서는 예를 들면 1×1012(W/㎠) 이다. 펄스폭은 예를 들면 1 ns ~ 200 ns 가 바람직하다.
본 발명자 등은 반도체 기판의 일례인 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역이 형성되는 것을 실험에 의해 확인하였다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 반도체 기판 : 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4 인치)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장 : 1064nm
레이저광 스폿 단면적 : 3.14×10-8㎠
발진 형태 : Q 스위치 펄스
반복 주파수 : 100kHz
펄스폭 : 30ns
출력 : 20μJ/펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광 특성 : 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
배율 : 50배
N.A. : 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60 퍼센트
(D) 반도체 기판이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 100mm/초
도 7은 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서 단면의 사진을 나타내는 도면이다. 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융 처리 영역(13)의 두께 방향의 크기는 100㎛ 정도이다.
용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. 도 8은 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 단, 실리콘 기판의 표면측과 이면측 각각의 반사 성분을 제거하고, 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘 기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛ 인 각각에 대해 상기 관계를 나타냈다.
예를 들면, Nd : YAG 레이저의 파장인 1064nm 에 있어서, 실리콘 기판의 두께가 500㎛ 이하인 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저광이 80％ 이상 투과하는 것을 안다. 도 7에 나타내는 실리콘 웨이퍼(11)의 두께는 350㎛ 이므로, 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛ 인 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은 두께 200㎛ 의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면, 90％ 이상이므로, 레이저광이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 적으며 대부분이 투과한다. 이것은 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 레이저 광이 흡수되고, 용융 처리 영역(13)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉 레이저광에 의한 통상의 가열로 용융 처리 영역이 형성)된 것이 아니고, 용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역의 형성은 예를 들면 용접 학회 전국 대회 강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72 페이지 ~ 제73 페이지의 「피코 초 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공 특성 평가」에 기재되어 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼는 용융 처리 영역에 의해 형성되는 절단 기점 영역을 기점으로 하여 단면 방향으로 향하여 분열을 발생시키고, 그 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달함으로써 결과적으로 절단된다. 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 이 분열은 자연스럽게 성장하는 경우도 있고, 실리콘 웨이퍼에 힘이 인가됨으로써 성장하는 경우도 있다. 그리고, 절단 기점 영역으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 분열이 자연스럽게 성장하는 경우에는 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 분열이 성장하는 경우와, 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 재고화할 때에 분열이 성장하는 경우 모두 있다. 단, 어느 쪽의 경우도 용융 처리 영역은 실리콘 웨이퍼의 내부에만 형성되고, 절단 후의 절단면에는 도 7과 같이 내부에만 용융 처리 영역이 형성되어 있다. 이와 같이, 반도체 기판의 내부에 용융 처리 영역에 의해서 절단 기점 영역을 형성하면, 할단시에 절단 기점 영역 라인으로부터 벗어난 불필요한 분열이 생기기 어렵기 때문에, 할단 제어가 용이하게 된다.
(2) 개질 영역이 용융 처리 영역 및 미소 공동의 경우
반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상으로, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이로 인해, 반도체 기판의 내부에는 용융 처리 영역과 미소 공동이 형성되는 경우가 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 표면(3)측으로부터 레이저광 L을 입사시켰을 경우, 미소 공동(14)은 용융 처리 영역(13)에 대해서 이면(17)측에 형성된다. 도 9에서는 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)이 떨어져서 형성되어 있으나, 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)이 연속하여 형성되는 경우도 있다. 즉, 다광자 흡수에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 쌍으로 되어 형성되는 경우, 미소 공동은 용융 처리 영역에 대해서 반도체 기판에 있어서의 레이저광 입사면의 반대측에 형성되게 된다. 또한, 전계 강도의 상한치로서는 예를 들면 1×1012(W/㎠) 이다. 펄스폭은 예를 들면 1 ns ~ 200 ns 가 바람직하다.
이와 같이, 반도체 기판(1)에 레이저광 L을 투과시켜서 반도체 기판(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜서 용융 처리 영역(13)을 형성했을 경우에, 각각의 용융 처리 영역(13)에 대응한 미소 공동(14)이 형성되는 원리에 대해서는 반드시 분명하지 않다. 여기서는 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)이 쌍으로 된 상태에서 형성되는 원리에 관하여 본 발명자 등이 상정하는 2개의 가설을 설명한다.
본 발명자 등이 상정하는 제1의 가설은 다음과 같다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 내부의 집광점 P에 초점을 맞추어서 레이저광 L을 조사하면, 집광점 P의 근방에 용융 처리 영역(13)이 형성된다. 종래는 이 레이저광 L 로서 레이저 광원으로부터 조사되는 레이저광 L의 중심 부분의 광(도 10에서, L4 및 L5에 상당하는 부분의 광)을 사용하고 있었다. 이것은 레이저광 L의 가우시안 분포의 중심 부분을 사용하기 때문이다. 본 발명자 등은 레이저광 L이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 주는 영향을 억제하기 위하여 레이저광 L을 펼치는 것으로 하였다. 그 한 방법으로서 레이저 광원으로부터 조사되는 레이저광 L을 소정의 광학계로 확장하여 가우시안 분포의 완만한 경사를 펼치고, 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)의 레이저 강도를 상대적으로 상승시키는 것으로 하였다. 이와 같이 확장한 레이저광 L을 반도체 기판(1)에 투과시키면, 이미 설명한 바와 같이 집광점 P의 근방에서는 용융 처리 영역(13)이 형성되고, 그 용융 처리 영역(13)에 대응한 부분에 미소 공동(14)이 형성된다. 즉, 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)은 레이저광 L의 광축(도 10에서의 일점 쇄선)을 따른 위치에 형성된다. 미소 공동(14)이 형성되는 위치는 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 이론상 집광되는 부분에 상당한다. 이와 같이 레이저광 L의 중심 부분의 광(도 10에서, L4 및 L5에 상당하는 부분의 광)과, 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 각각 집광되는 부분이 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서 다른 것은 레이저광 L을 집광하는 렌즈의 구면수차(球面收差)에 의하는 것이라고 생각된다. 본 발명자 등이 상정하는 제1의 가설은 이 집광 위치의 차가 어떠한 영향을 미치고 있는 것은 아닌가 하는 것이다.
본 발명자 등이 상정하는 제2의 가설은 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10 에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 집광되는 부분은 이론상의 레이저 집광점이므로, 이 부분의 광 강도가 높고 미세 구조 변화가 일어나고 있기 때문에 그 주위가 실질적으로 결정 구조가 변화하고 있지 않는 미소 공동(14)이 형성되고, 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있는 부분은 열(熱)적인 영향이 크고 단순하게 용융하여 재고화했다고 하는 것이다.
여기서, 용융 처리 영역은 상기 (1)에서 말한 바의 것이지만, 미소 공동은 그 주위가 실질적으로 결정 구조가 변화하고 있지 않는 것이다. 반도체 기판이 실리콘 단결정 구조의 경우에는 미소 공동의 주위는 실리콘 단결정 구조인 채의 부분이 많다.
본 발명자 등은 반도체 기판의 일례인 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 것을 실험에 의해 확인하였다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 가공 대상물 : 실리콘 웨이퍼(두께 100㎛)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장 : 1064nm
반복 주파수 : 40kHz
펄스폭 : 30nsec
펄스 피치 : 7㎛
가공 깊이 : 8㎛
펄스 에너지 : 50μJ/펄스
(C) 집광용 렌즈
NA : 0.55
(D) 가공 대상물이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 280mm/sec
도 11은 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면이다. 도 11에 있어서 (a)와 (b)는 동일한 절단면의 사진을 다른 축척으로 나타낸 것이다. 동일한 도면에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 1 펄스의 레이저광 L의 조사에 의해 형성된 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)의 쌍이 절단면을 따라서(즉, 절단 예정 라인을 따라서) 소정의 피치로 형성되어 있다. 또한, 도 11에 나타내는 절단면의 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼(11)의 두께 방향(도면에서 상하 방향)의 폭이 13㎛ 정도로, 레이저광 L을 이동하는 방향(도면에서 좌우 방향)의 폭이 3㎛ 정도이다. 또, 미소 공동(14)은 실리콘 웨이퍼(11)의 두께 방향의 폭이 7㎛ 정도이고, 레이저광 L을 이동하는 방향의 폭이 1.3㎛ 정도이다. 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(8)과의 간격은 1.2㎛ 정도이다.
이상, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서 (1), (2)의 경우를 설명하였으나, 반도체 기판의 결정 구조나 그 벽개성(劈開性) 등을 고려하여 절단 기점 영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단 기점 영역을 기점으로 하여 보다 작은 힘으로, 또한 양호한 정밀도로 반도체 기판을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어지는 기판의 경 우는 (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광형 구조의 III－V족 화합물 반도체로 이루어지는 기판의 경우는 (110)면을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향(예를 들면, 단결정 실리콘 기판에 있어서 (111)면을 따른 방향), 또는 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향과 직교하는 방향을 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써, 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향에 따른 절단 기점 영역을 용이하면서 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법의 적합한 실시 형태에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 또한, 도 13 내지 도 16은 도 12의 실리콘 웨이퍼의 XIII－XIII 선을 따른 부분 단면도이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물로 되는 실리콘 웨이퍼(반도체 기판)(11)의 표면(3)에는 복수의 기능 소자(15)가 오리엔테이션 플랫(16)에 평행한 방향과 수직인 방향에 매트릭스 형상으로 패턴 형성되어 있다. 이와 같은 실리콘 웨이퍼(11)를 다음과 같이 하여 기능 소자(15)마다 절단한다.
우선, 도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 보호 필름(18)을 첩부하여 기능 소자(15)를 덮는다. 이 보호 필름(18)은 기능 소자(15)를 보호하는 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)를 유지하는 것이다. 보호 필름(18)을 첩부한 후, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)가 소정의 두께로 되도록 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 평면 연삭하고, 또 이면(17)에 케미컬 에칭을 행하여 이면(17)을 평활화한다. 이와 같이 하여, 예를 들면 두께 350㎛ 의 실리콘 웨이퍼(11)를 두께 100㎛ 로 박형화한다. 실리콘 웨이퍼(11)를 박형화한 후, 보호 필름(18)에 자외선을 조사한다. 이로 인해, 보호 필름(18)의 점착층인 UV 경화 수지층이 경화하고, 보호 필름(18)이 실리콘 웨이퍼(11)로부터 벗겨지기 용이하게 된다.
계속하여, 레이저 가공 장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역을 형성한다. 즉, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정하고, 이웃하는 기능 소자(15, 15) 사이를 통과하도록 절단 예정 라인(5)을 격자 형상으로 설정한다(도 12의 2점 쇄선 참조). 그리고, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추고, 상술한 다광자 흡수가 생기는 조건에서 레이저광 L을 조사하여, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 14(c)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성된다.
계속하여, 보호 필름(18)이 첩부된 실리콘 웨이퍼(11)를 재치대(19)로부터 떼어내고, 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(20)(예를 들면, 린텍 주식회사의 「LE－5000(상품명)」)을 첩 부한다. 이 다이 본드 수지 첨부 필름(20)은 두께 100㎛ 정도의 확장 가능한 확장 필름(유지 부재)(21)을 갖고, 이 확장 필름(21)상에는 다이 본딩용 접착제로서 기능하는 다이 본드 수지층(점착성 수지층)(23)이 층 두께가 수 ㎛ 정도인 UV 경화 수지층을 통하여 설치되어 있다. 즉, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하게 된다. 또한, 확장 필름(21)의 주연 부분에는 필름 확장 수단(30)이 장착되어 있다. 다이 본드 수지 첨부 필름(20)을 첩부한 후, 도 15(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)에 자외선을 조사한다. 이로 인해, 확장 필름(21)의 점착층인 UV 경화 수지층이 경화하고, 다이 본드 수지층(23)이 확장 필름(21)으로부터 벗겨지기 용이하게 된다.
계속하여, 도 16(a)에 나타내는 바와 같이, 필름 확장 수단(30)에 의하여, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의하여, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 하나 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어져 가게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 도 16(b)에 나타내는 바와 같이, 흡착 콜릿 등을 이용하여 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다. 이 때, 다이 본드 수지층(23)은 반도체 칩(25)과 동일한 외형으로 절단되어 있고, 또 다이 본드 수지층(23)과 확장 필름(21)과의 밀착력이 저하되어 있기 때문에, 반도체 칩(25)은 그 이면에 절단된 다이 본드 수지층(23)이 밀착한 상태로 픽업되게 된다. 그리고, 도 16(c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(25)을, 그 이면에 밀착한 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 리드 프레임(27)의 다이 패드상에 재치하고, 가열에 의해 필러 접합한다.
이상과 같은 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법에 있어서는 표면(3)에 기능 소자(15)가 형성된 실리콘 웨이퍼(11)를 가공 대상물로 하고, 그 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사한다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 다광자 흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 이 때, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하는 것은 표면을 레이저광 입사면으로 하면 기능 소자에 의해 레이저광의 입사를 방해할 수 있을 우려가 있기 때문이다. 이와 같이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역(8)이 형성되면, 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘을 가함으로써 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열을 발생시키고, 그 분열을 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역(8)을 형성한 후에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고, 그 확장 필름(21)을 확장시키면 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a, 25a)이 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)와 확장 필름(21)과의 사이에 존재하는 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다. 따라서, 블레이드로 절단하는 경우에 비해 극히 양호한 효율로 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단할 수 있다.
또한, 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a, 25a)이 처음은 서로 밀착하고 있기 때문에, 절단된 개개의 실리콘 웨이퍼(11)와 절단된 개개의 다이 본드 수지층(23)이 거의 동일한 외형으로 되고, 각 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a)으로부터 다이 본드 수지가 초과하는 일도 방지된다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성하기 전에, 실리콘 웨이퍼(11)이 소정의 두께로 되도록 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 연마한다. 이와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)를 소정의 두께로 박형화함으로써, 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 보다 양호한 정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
그러나, 상술한 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법은 도 17(a)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전까지는 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼(11)에 발생하지 않는 경우였으나, 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전에, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열(28)을 발생시키고, 이 분열(28)을 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달시켜도 된다. 이 분열(28)을 발생시키는 방법으로서는 예를 들면 나이프 엣지 등의 응력 인가 수단을 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 누름으로써, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 휨 응력이나 전단 응력을 일으키게 하는 방법이나, 실리콘 웨이퍼(11)에 온도차를 주는 것으로 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 열응력을 일으키게 하는 방법 등이 있다.
이와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전에, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 스트레스를 일으키고, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)를 절단하면, 더욱 양호한 정밀도로 절단된 반도체 칩(25)을 얻을 수 있다. 그리고, 이 경우에 있어서도 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부된 확장 필름(21)을 확장시키면, 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)이 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)은 절단면(25a)을 따라서 절단되게 된다. 따라서, 이 절단 방법에 의하여, 블레이드로 절단하는 경우에 비하면, 더욱 양호한 효율로 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 기점 영역(8)을 따라서 절단하는 것이 가능하게 된다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)의 두께가 얇아지면, 절단 기점 영역(8)에 따라서 스트레스를 일으키게 하는 일 없이, 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열(28)이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하는 경우가 있다.
또, 도 18(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 있어서 표면(3) 근방에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성하고, 표면(3)에 분열(28)을 도달시키면, 절단하여 얻어진 반도체 칩(25)의 표면(즉, 기능 소자 형성면)의 절단 정밀도를 극히 높게 할 수 있다. 한편, 도 18(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 있어서 이면(17) 근방에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성하고, 이면(17)에 분열(28)을 도달시키면 확장 필름(21)의 확장에 의해서 다이 본드 수지층(23)을 양호한 정밀도로 절단할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 실시 형태는 반도체 기판(1)의 내부에서 다광자 흡수를 일으키게 하여 개질 영역(7)을 형성한 경우였으나, 반도체 기판(1)의 내부에서 다광자 흡수와 동일한 광흡수를 일으키게 하여 개질 영역(7)을 형성할 수 있는 경우도 있다.
또, 상술한 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법은 개질 영역으로서 용융 처리 영역(13)을 형성하는 경우였으나, 개질 영역으로서 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)을 형성해도 된다. 이 경우, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하기 때문에, 미소 공동(14)은 용융 처리 영역(13)에 대해서 레이저광 입사면의 반대측, 즉 기능 소자(15)가 형성된 표면(3)측에 형성되게 된다. 절단면에 있어서 미소 공동(14)측의 부분은 용융 처리 영역(13)측의 부분에 비해 고정밀도로 되는 경향이 있기 때문에, 기능 소자(15)가 형성된 표면(3)측에 미소 공동(14)을 형성함으로써, 반도체 칩(25)의 제품 비율(步留)을 보다 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또, 상기 실시 형태에 있어서, 다이 본드 수지 첨부 필름(20)의 확장 필름(21)을 확장시키기 전에, 다이 본드 수지 첨부 필름(20)의 다이 본드 수지층(23)을 미리 가열하면, 확장 필름(21)을 확장시켰을 때에 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 보다 양호한 정밀도로 또한 용이하게 절단하는 것이 가능하게 된다. 이것은 다이 본드 수지층(23)의 물성이 가열에 의해서 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화하기 때문이라고 생각된다. 구체적으로는 다이 본드 수지층(23)을 50℃ ~ 120℃ 의 온도에서 1분 ~ 30분 가열하면, 다이 본드 수지층(23)의 물성이 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화한다. 이 점, 해당 온도가 50℃ 을 하회하면 다이 본드 수지층(23)의 물성이 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화하기 어렵고, 해당 온도가 120℃ 을 넘으면 다이 본드 수지층(23)이 원형을 갖추지 않을 정도 연화할 우려가 있다.
상술한 다이 본드 수지층(23)의 가열 방법으로서는 다이 본드 수지층(23)의 전체를 가열해도 되고, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열해도 된다. 다이 본드 수지층(23)의 전체를 가열하기 위해서는 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(20)을 첩부한 상태에서, 그것들에 온풍을 쐬거나 그것들을 가열로에 넣거나 또는 히터가 매설된 가열대위에 재치하면 좋다. 또, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하기 위해서는 다이 본드 수지층(23)에 대해서 광흡수성을 갖는 레이저광을 절단 예정 라인(5)에 조사하는 등 하면 좋다.
또한, 다이 본드 수지층(23)을 가열하는 타이밍은 실리콘 웨이퍼(11)의 이면 (17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고 나서, 확장 필름(21)을 확장시킴으로써, 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단할 때까지의 사이이면 언제라도 된다. 또, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하기 전에, 다이 본드 수지 첨부 필름(20) 상태에서 다이 본드 수지층(23)을 가열하고, 그 후에 가열 처리된 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부하도록 해도 된다. 이 경우에, 가열 처리된 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부하는 타이밍은 다이 본드 수지층(23)을 가열한 직후여도 되고, 다이 본드 수지층(23)을 가열하고 나서 소정 시간이 경과한 다음이어도 된다. 이와 같이 가열 처리에 의해서 다이 본드 수지층(23)이 분할하기 쉬워지는 것은 파단(破斷) 성장이 작아지고, 인장(引張) 강도가 커지는 것이 하나의 요인으로 생각된다. 또, 다이 본드 수지층(23)에 자외선 외의 전자파를 조사함으로써, 다이 본드 수지층(23)의 물성을 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화시킬 수 있는 경우도 있다.
여기서, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하는 경우의 구체적인 예에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 상당한 부분에는 동일한 부호를 부여하여 중복하는 설명을 생략한다.
우선, 도 19(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 보호 필름(18)을 첩부하여 기능 소자(15)를 덮고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 그리고, 이웃하는 기능 소자(15, 15) 사이를 통과하도록 절단 예정 라인(5)을 격자 형상으로 설정한 후, 도 19(b)에 나타내는 바와 같이, 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추고, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 레이저광 L을 조사하여, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 19(c)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성된다. 또한, 보호 필름(18)에 대신하여, 유리나 수지로 이루어지는 플레이트 형상의 보호 부재를 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 장착해도 된다.
계속하여, 도 20(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 고정하고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 그리고, 도 20(b)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에 집광점 P를 맞추고, 소정의 파장(예를 들면 808nm)의 레이저광 L을 조사하고, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 20(c)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에는 당겨 뜯어지기 쉬운 물성을 갖는 변질 영역(29)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된다. 이 변질 영역(29)는 가열 효과에 의해 물성이 변화한 것, 또는 취성화(脆性化)한 것이다. 또한, 소정의 파장의 레이저광 L에 대신하여, 절단 예정 라인(5)을 따라서 다이 본드 수지층(23)에 전자선을 조사해도 된다.
계속하여, 실리콘 웨이퍼(11)를 재치대(19)로부터 떼어내고, 도 21(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)에 고정된 다이 본드 수지층(23)에 점착제층(자외선 외의 에너지선의 조사에 의해 점착력이 저하하는 접착제)(31)을 통하여 확장 필름(21)을 첩부한다. 또한, 점착제층(31) 첨부의 확장 필름(21)을 다이 본드 수지층(23)에 첩부해도 되고, 다이 본드 수지층(23)에 점착제층(31)을 적층한 후에 확장 필름(21)을 첩부해도 된다.
그리고, 도 21(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 21(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의해 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 1개 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때, 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 점착제층(31)에 자외선 외의 에너지선을 조사하여 점착제층(31)의 점착력을 저하시키고, 절단된 다이 본드 수지층(23)이 이면에 밀착한 상태의 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다.
다음에, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하는 경우의 다른 구체적인 예에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 상당한 부분에는 동일한 부호를 부여하여 중복하는 설명을 생략한다.
우선, 상술한 구체적인 예와 동일하게, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 그 후, 도 22(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(32)을 첩부하고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 다이 본드 수지 첨부 필름(32)은 소정의 파장(예를 들면 808nm)의 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지는 확장 필름(21)상에 다이 본드 수지층(23)이 점착제층(31)을 통하여 설치된 것이다. 또한, 다이 본드 수지 첨부 필름(32)으로서 소정의 파장의 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지는 확장 필름(21)상에 다이 본드 수지층(23)이 직접 설치된 것을 이용해도 된다(예를 들면, 일본 특허 제1987034호 공보 참조).
다이 본드 수지 첨부 필름(32)을 첩부한 후, 도 22(b)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에 집광점 P를 맞추고, 상술한 소정의 파장의 레이저광 L을 조사하고, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 22(c)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에는 당겨 뜯어지기 쉬운 물성을 갖는 변질 영역(29)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된다.
계속하여, 도 23(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 23(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의하여, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 1개 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 점착제층(31)에 자외선 외의 에너지선을 조사하여 점착제층(31)의 점착력을 저하시키고, 절단된 다이 본드 수지층(23)이 이면에 밀착한 상태의 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다. 또한, 점착제층(31)에 대한 자외선 외의 에너지선의 조사는 확장 필름(21)을 확장시키기 전이어도 좋고, 확장 필름(21)을 확장시킨 다음에도 된다.
상술한 각 구체적인 예에서는 다이 본드 수지층(23)에 절단 예정 라인(5)을 따라서 소정의 파장의 레이저광 L을 조사하였으나, 절단 예정 라인(5)을 따라서 광투과부가 형성된 마스크를 다이 본드 수지층(23)상 또는 다이 본드 수지 첨부 필름(32)상에 배치하고, 자외선 외의 에너지선을 전면에 조사하여 다이 본드 수지층 (23)에 절단 예정 라인(5)을 따라서 변질 영역(29)을 형성해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있다.

Claims (8)

  1. 표면에 복수의 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 상기 기능 소자마다 절단하고, 상기 기능 소자를 갖는 반도체 디바이스를 제조하기 위한 반도체 기판의 절단 방법에 있어서,
    상기 기능 소자를 덮도록 상기 반도체 기판의 표면측에 보호 부재를 장착하는 공정과,
    상기 보호 부재를 장착한 후에, 상기 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 상기 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써 개질(改質) 영역을 형성하고, 상기 개질 영역에 의하여, 이웃하는 상기 기능 소자 사이를 통과하도록 상기 반도체 기판에 대하여 격자 형상으로 설정된 절단 예정 라인의 각각을 따라서 상기 레이저광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,
    상기 절단 기점 영역을 형성한 후에, 상기 반도체 기판의 이면에 다이 본드(die-bond) 수지층을 개재시켜서 확장 가능한 유지 부재를 장착하는 공정과,
    상기 유지 부재를 장착한 후에, 상기 유지 부재를 확장시킴으로써 상기 절단 기점 영역을 절단의 기점으로 하여 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 반도체 기판 및 상기 다이 본드 수지층을 절단하고, 표면에 상기 기능 소자가 형성된 반도체 칩을, 반도체 칩의 이면에 상기 다이 본드 수지층이 밀착한 형태로 복수개 얻는 공정과,
    상기 반도체 칩을 복수개 얻은 후에, 상기 반도체 칩을 반도체 칩의 이면에 밀착한 상기 다이 본드 수지층을 통해 지지체에 고정하여 상기 반도체 디바이스를 얻는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 리드 프레임인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유지 부재는 상기 반도체 기판의 표면측으로부터 상기 보호 부재가 제거된 후에, 확장되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060106813A KR20060106813A (ko) 2006-10-12
KR100827879B1 true KR100827879B1 (ko) 2008-05-07

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ID=34315653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067004943A KR100827879B1 (ko) 2003-09-10 2004-09-09 반도체 기판의 절단 방법

Country Status (11)

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US (3) US20070085099A1 (ko)
EP (1) EP1670046B1 (ko)
JP (2) JP4563097B2 (ko)
KR (1) KR100827879B1 (ko)
CN (1) CN100407377C (ko)
AT (1) ATE503268T1 (ko)
DE (1) DE602004031963D1 (ko)
IL (3) IL174231A (ko)
MY (1) MY140517A (ko)
TW (1) TWI321828B (ko)
WO (1) WO2005027212A1 (ko)

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
CN1328002C (zh) 2002-03-12 2007-07-25 浜松光子学株式会社 加工对象物切割方法
ATE534142T1 (de) * 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) * 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
ES2523432T3 (es) * 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
WO2005098916A1 (ja) 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP2006086509A (ja) * 2004-08-17 2006-03-30 Denso Corp 半導体基板の分断方法
JP4736379B2 (ja) * 2004-09-07 2011-07-27 日立化成工業株式会社 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8267872B2 (en) 2005-07-07 2012-09-18 St. Jude Medical, Cardiology Division, Inc. Steerable guide wire with torsionally stable tip
US20070185415A1 (en) 2005-07-07 2007-08-09 Ressemann Thomas V Steerable guide wire with torsionally stable tip
JP4748518B2 (ja) * 2005-07-20 2011-08-17 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドテープおよびダイシングテープ
JP2007048958A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP2008042110A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20080070378A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Jong-Souk Yeo Dual laser separation of bonded wafers
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) * 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
KR100817823B1 (ko) * 2006-11-22 2008-03-31 주식회사 이오테크닉스 메모리 카드 기판 절단방법
JP4971869B2 (ja) * 2007-05-11 2012-07-11 株式会社ディスコ 接着フィルム破断装置
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4934620B2 (ja) * 2008-03-25 2012-05-16 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
KR101757937B1 (ko) 2009-02-09 2017-07-13 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공대상물 절단방법
KR101769158B1 (ko) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP2011201759A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Namiki Precision Jewel Co Ltd 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
TWI446984B (zh) * 2010-06-28 2014-08-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 被加工物的加工方法、被加工物的分割方法及雷射加工裝置
US8828873B2 (en) * 2010-07-26 2014-09-09 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing semiconductor device
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
TWI451503B (zh) * 2010-12-27 2014-09-01 Omnivision Tech Inc 形成保護膜於晶片封裝上之裝置及其形成方法
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102012003747B4 (de) * 2011-03-01 2016-08-18 Infineon Technologies Austria Ag Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US9559004B2 (en) * 2011-05-12 2017-01-31 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy
JP5857575B2 (ja) * 2011-09-20 2016-02-10 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
US8936969B2 (en) * 2012-03-21 2015-01-20 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of singulating semiconductor wafer along modified region within non-active region formed by irradiating energy through mounting tape
EP2762286B1 (en) 2013-01-31 2015-07-01 ams AG Dicing method
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
JP6208521B2 (ja) * 2013-10-07 2017-10-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6220644B2 (ja) * 2013-11-18 2017-10-25 リンテック株式会社 チップの製造方法
US9620457B2 (en) * 2013-11-26 2017-04-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device packaging
JP2015167197A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 株式会社ディスコ 加工方法
JP2016143766A (ja) * 2015-02-02 2016-08-08 株式会社ディスコ 単結晶部材の加工方法
JP2016166120A (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6625854B2 (ja) * 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US11041755B2 (en) 2016-05-27 2021-06-22 Hamamatsu Photonics K.K. Production method for Fabry-Perot interference filter
JP6341959B2 (ja) 2016-05-27 2018-06-13 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP2018120913A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6980421B2 (ja) * 2017-06-16 2021-12-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6483204B2 (ja) * 2017-07-10 2019-03-13 株式会社東京精密 レーザダイシング装置及び方法
US10607861B2 (en) * 2017-11-28 2020-03-31 Nxp B.V. Die separation using adhesive-layer laser scribing
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
TWI681241B (zh) * 2018-12-04 2020-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
DE102020210104A1 (de) 2020-08-10 2022-02-10 Disco Corporation Verfahren zum bearbeiten eines substrats
CN116230654B (zh) * 2023-05-10 2023-07-21 之江实验室 晶上系统组装结构及其组装方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04356942A (ja) * 1991-03-28 1992-12-10 Toshiba Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2002192367A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2003001458A (ja) * 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3629545A (en) * 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
US3610871A (en) * 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) * 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US4242152A (en) * 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
JPS59141233A (ja) 1983-02-02 1984-08-13 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0611071B2 (ja) 1983-09-07 1994-02-09 三洋電機株式会社 化合物半導体基板の分割方法
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS59130438A (ja) 1983-11-28 1984-07-27 Hitachi Ltd 板状物の分離法
JPS60144985A (ja) 1983-12-30 1985-07-31 Fujitsu Ltd 半導体発光素子の製造方法
US4562333A (en) * 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS61121453A (ja) 1984-11-19 1986-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法
JPS624341A (ja) 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS6438209A (en) 1987-08-04 1989-02-08 Nec Corp Preparation of semiconductor device
JP2891264B2 (ja) 1990-02-09 1999-05-17 ローム 株式会社 半導体装置の製造方法
JPH03276662A (ja) 1990-03-26 1991-12-06 Nippon Steel Corp ウエハ割断法
JP2620723B2 (ja) 1990-05-24 1997-06-18 サンケン電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3024990B2 (ja) 1990-08-31 2000-03-27 日本石英硝子株式会社 石英ガラス材料の切断加工方法
JPH04188847A (ja) 1990-11-22 1992-07-07 Mitsubishi Electric Corp 粘着テープ
US5211805A (en) * 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JPH0639572A (ja) * 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
JPH04300084A (ja) 1991-03-28 1992-10-23 Toshiba Corp レーザ加工機
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
JP3101421B2 (ja) 1992-05-29 2000-10-23 富士通株式会社 整形金属パターンの製造方法
JP3255741B2 (ja) 1992-12-22 2002-02-12 リンテック株式会社 ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
EP0656241B1 (en) * 1993-06-04 1998-12-23 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for laser machining
JP2616247B2 (ja) 1993-07-24 1997-06-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0740336A (ja) 1993-07-30 1995-02-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
DE4404141A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
JPH07263382A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ固定用テープ
US5656186A (en) * 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
US5622540A (en) * 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JPH08197271A (ja) 1995-01-27 1996-08-06 Ricoh Co Ltd 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置
US5841543A (en) * 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
JPH08264488A (ja) 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp ウェハスクライブ装置及び方法
JP2737744B2 (ja) 1995-04-26 1998-04-08 日本電気株式会社 ウエハプロービング装置
JPH0917756A (ja) 1995-06-28 1997-01-17 Toshiba Corp 半導体用保護テープおよびその使用方法
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
DE69629704T2 (de) * 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
JP3592018B2 (ja) 1996-01-22 2004-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム
JP3660741B2 (ja) 1996-03-22 2005-06-15 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
JPH09272119A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Daido Hoxan Inc ウエハの製法およびそれに用いる装置
JPH1071483A (ja) 1996-08-29 1998-03-17 Hitachi Constr Mach Co Ltd 脆性材料の割断方法
DK109197A (da) * 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10163780A (ja) 1996-12-04 1998-06-19 Ngk Insulators Ltd 圧電単結晶からなる振動子の製造方法
JP3468676B2 (ja) 1996-12-19 2003-11-17 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
JP3421523B2 (ja) 1997-01-30 2003-06-30 三洋電機株式会社 ウエハーの分割方法
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US5976392A (en) * 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
JP3292294B2 (ja) 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
JP3208730B2 (ja) 1998-01-16 2001-09-17 住友重機械工業株式会社 光透過性材料のマーキング方法
JPH11121517A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Hitachi Ltd 半導体素子搭載装置および搭載方法
JPH11162889A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Sony Corp ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法
JP3449201B2 (ja) 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP3076290B2 (ja) 1997-11-28 2000-08-14 山形日本電気株式会社 半導体チップのピックアップ装置およびその方法
JPH11156564A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐熱性透明体およびその製造方法
JP3604550B2 (ja) 1997-12-16 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP4132172B2 (ja) 1998-02-06 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 パルスレーザ加工装置
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) * 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ｎｔｎ株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
JP3178524B2 (ja) * 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
JP2000195828A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
JP3569147B2 (ja) 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
TW476141B (en) 1999-02-03 2002-02-11 Toshiba Corp Method of dicing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
US6285002B1 (en) * 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
KR100721391B1 (ko) * 1999-11-24 2007-05-23 어플라이드 포토닉스 아이엔씨. 비금속성 재료 분리 방법 및 장치
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
US20020006765A1 (en) * 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
US6376797B1 (en) 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002050589A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6325855B1 (en) * 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3660294B2 (ja) 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3332910B2 (ja) 2000-11-15 2002-10-07 エヌイーシーマシナリー株式会社 ウェハシートのエキスパンダ
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
US6770544B2 (en) * 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP3761444B2 (ja) * 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
WO2003076118A1 (fr) 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
CN1328002C (zh) 2002-03-12 2007-07-25 浜松光子学株式会社 加工对象物切割方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP3624909B2 (ja) * 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
ATE534142T1 (de) 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3831287B2 (ja) * 2002-04-08 2006-10-11 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
ES2381254T3 (es) 2002-12-05 2012-05-24 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositivos de procesamiento con láser
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US6756562B1 (en) * 2003-01-10 2004-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP4188847B2 (ja) 2003-01-14 2008-12-03 富士フイルム株式会社 分析素子用カートリッジ
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP2005019525A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
ES2523432T3 (es) 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
WO2005067113A1 (ja) 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4829781B2 (ja) 2004-03-30 2011-12-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
WO2005098916A1 (ja) 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101109860B1 (ko) 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4356942B2 (ja) 2005-11-07 2009-11-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積回路及びそのテスト方法
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04356942A (ja) * 1991-03-28 1992-12-10 Toshiba Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2002192367A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2003001458A (ja) * 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200518269A (en) 2005-06-01
JP4563097B2 (ja) 2010-10-13
IL214705A (en) 2015-07-30
EP1670046A4 (en) 2009-07-01
WO2005027212A1 (ja) 2005-03-24
IL174231A (en) 2012-01-31
EP1670046B1 (en) 2011-03-23
US20070085099A1 (en) 2007-04-19
US20100203678A1 (en) 2010-08-12
IL174231A0 (en) 2006-08-01
JP2005203803A (ja) 2005-07-28
IL216690A0 (en) 2012-01-31
CN1849699A (zh) 2006-10-18
MY140517A (en) 2009-12-31
EP1670046A1 (en) 2006-06-14
WO2005027212A8 (ja) 2005-05-26
US8058103B2 (en) 2011-11-15
ATE503268T1 (de) 2011-04-15
JP2005109442A (ja) 2005-04-21
US20120077315A1 (en) 2012-03-29
JP3790254B2 (ja) 2006-06-28
IL216690A (en) 2014-01-30
DE602004031963D1 (de) 2011-05-05
CN100407377C (zh) 2008-07-30
TWI321828B (en) 2010-03-11
US8551817B2 (en) 2013-10-08
IL214705A0 (en) 2011-09-27
KR20060106813A (ko) 2006-10-12

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