JP2002192367A - レーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
た割れが生じることなく、基板を切断することができる
レーザ加工方法を提供すること。 【解決手段】 本発明に係るレーザ加工方法は、表面3
に回路部2が形成されかつ裏面21にダイシングフィル
ム4が貼り付けられた基板1の内部に集光点Pを合わせ
て、ダイシングフィルム4に対して透過性を有するレー
ザ光Lをダイシングフィルム4を介して基板1の裏面2
1から入射させ、基板1の切断予定ライン5に沿って基
板1の内部に多光子吸収による溶融処理領域13を形成
する工程を備えることを特徴とする。
Description
圧電材料基板やガラス基板等の基板の切断に使用される
レーザ加工方法に関する。
による一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウ
ェハやガラス基板のような基板の切断する箇所に、基板
が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収に
より切断する箇所において基板の表面から裏面に向けて
加熱溶融を進行させて基板を切断する。しかし、この方
法では基板の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も
溶融される。よって、基板が半導体ウェハの場合、半導
体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領
域周辺に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。
止する方法として、例えば、特開2000−21952
8号公報や特開2000−15467号公報に開示され
たレーザによる切断方法がある。これらの公報の切断方
法では、基板の切断する箇所をレーザ光により加熱し、
そして基板を冷却することにより、基板の切断する箇所
に熱衝撃を生じさせて基板を切断する。
板に生じる熱衝撃が大きいと、基板の表面に、切断予定
ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所
までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よ
って、これらの切断方法では精密切断をすることができ
ない。特に、基板が半導体ウェハ、液晶表示装置が形成
されたガラス基板、電極パターンが形成されたガラス基
板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶
表示装置、電極パターンが損傷することがある。また、
これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいの
で、半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。
れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレー
ザ加工方法を提供することである。
方法は、表面に電子デバイス又は電極パターンが形成さ
れかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に
集光点を合わせて、粘着シートに対して透過性を有する
レーザ光を粘着シートを介して基板の裏面から入射さ
せ、基板の切断予定ラインに沿って基板の内部に多光子
吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴
とする。
板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光
子吸収という現象を利用することにより、基板の内部に
改質領域を形成している。基板の切断する箇所に何らか
の起点があると、基板を比較的小さな力で割って切断す
ることができる。本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って基板
が割れることにより、基板を切断することができる。よ
って、比較的小さな力で基板を切断することができるの
で、基板の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割
れを発生させることなく基板の切断が可能となる。
ば、基板の内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質
領域を形成している。よって、基板の表面や裏面ではレ
ーザ光がほとんど吸収されないので、基板の表面が溶融
することはない。なお、集光点とはレーザ光が集光した
箇所のことである。切断予定ラインは基板の表面や裏面
もしくは内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線
でもよい。
れば、粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を照
射しているため、粘着シートではレーザ光がほとんど吸
されない。よって、レーザ光を粘着シートを介して基板
の裏面から入射させることができ、基板の表面に形成さ
れた電子デバイス又は電極パターンをレーザ光から保護
することが可能となる。また、このとき、粘着シートの
変形や溶融等も防止される。なお、電子デバイスとは、
半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味す
る。
子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着
シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせ
て、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c
m2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、粘着シ
ートに対して透過性を有するレーザ光を粘着シートを介
して基板の裏面から入射させ、基板の切断予定ラインに
沿って基板の内部にクラック領域を含む改質領域を形成
する工程を備えることを特徴とする。
板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパ
ワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1
μs以下の条件でレーザ光を照射している。このため、
基板の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象
が発生する。この光学的損傷により基板の内部に熱ひず
みが誘起され、これにより基板の内部にクラック領域が
形成される。このクラック領域は上記改質領域の一例で
あるので、本発明に係るレーザ加工方法によれば、基板
の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れ
を発生させることなく、レーザ加工が可能となる。この
レーザ加工方法の基板としては、例えば、ガラスを含む
部材がある。なお、ピークパワー密度とは、パルスレー
ザ光の集光点の電界強度を意味する。
れば、粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を照
射しているため、粘着シートではレーザ光がほとんど吸
されない。よって、レーザ光を粘着シートを介して基板
の裏面から入射させることができ、基板の表面に形成さ
れた電子デバイス又は電極パターンをレーザ光から保護
することが可能となる。また、このとき、粘着シートの
変形や溶融等も防止される。なお、電子デバイスとは、
半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味す
る。
子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着
シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせ
て、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c
m2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、粘着シ
ートに対して透過性を有するレーザ光を粘着シートを介
して基板の裏面から入射させ、基板の切断予定ラインに
沿って基板の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成
する工程を備えることを特徴とする。
板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパ
ワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1
μs以下の条件でレーザ光を照射している。よって、基
板の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。こ
の加熱により基板の内部に溶融処理領域が形成される。
この溶融処理領域は上記改質領域の一例であるので、本
発明に係るレーザ加工方法によれば、基板の表面に溶融
や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させる
ことなく、レーザ加工が可能となる。このレーザ加工方
法の基板としては、例えば、半導体材料を含む部材があ
る。
れば、粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を照
射しているため、粘着シートではレーザ光がほとんど吸
されない。よって、レーザ光を粘着シートを介して基板
の裏面から入射させることができ、基板の表面に形成さ
れた電子デバイス又は電極パターンをレーザ光から保護
することが可能となる。また、このとき、粘着シートの
変形や溶融等も防止される。なお、電子デバイスとは、
半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味す
る。
子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着
シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせ
て、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c
m2)以上でかつパルス幅が1ns以下の条件で、粘着シー
トに対して透過性を有するレーザ光を粘着シートを介し
て基板の裏面から入射させ、基板の切断予定ラインに沿
って基板の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変
化領域を含む改質領域を形成する工程を備えることを特
徴とする。
板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパ
ワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1
ns以下の条件でレーザ光を照射している。本発明のよう
にパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部
に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネ
ルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、
結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて
屈折率変化領域が形成される。この屈折率変化領域は上
記改質領域の一例であるので、本発明に係るレーザ加工
方法によれば、基板の表面に溶融や切断予定ラインから
外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工
が可能となる。このレーザ加工方法の基板としては、例
えば、ガラスを含む部材である。
れば、粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を照
射しているため、粘着シートではレーザ光がほとんど吸
されない。よって、レーザ光を粘着シートを介して基板
の裏面から入射させることができ、基板の表面に形成さ
れた電子デバイス又は電極パターンをレーザ光から保護
することが可能となる。また、このとき、粘着シートの
変形や溶融等も防止される。なお、電子デバイスとは、
半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味す
る。
きる態様は以下の通りである。粘着シートの基材は、ポ
リオレフィン系又はポリ塩化ビニール系のいずれか1つ
の材質であることが一般的である。
ンに沿って基板を切断する切断工程を備えるようにして
もよい。改質領域形成工程において基板を切断できない
場合、この切断工程により基板を切断する。切断工程
は、改質領域を起点として基板を割るので、比較的小さ
な力で基板を切断することができる。これにより、基板
の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生
させることなく基板の切断が可能となる。
ついて図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ
加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成してい
る。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場
合に発生する現象である。まず、多光子吸収について簡
単に説明する。
のエネルギーhνが小さいと光学的に透明となる。よっ
て、材料に吸収が生じる条件はhν>EGである。しか
し、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きく
するとnhν>EGの条件(n=2,3,4,・・・であ
る)で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収とい
う。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光
点のピークパワー密度(W/cm2)で決まり、例えばピー
クパワー密度が1×108(W/cm2)以上の条件で多光子
吸収が生じる。ピークパワー密度は、(集光点における
レーザ光の1パルス当たりのエネルギー)÷(レーザ光
のビームスポット断面積×パルス幅)により求められ
る。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の
集光点の電界強度(W/cm2)で決まる。
態に係るレーザ加工の原理について図1〜図6を用いて
説明する。図1はレーザ加工中の基板1の平面図であ
り、図2は図1に示す基板1のII−II線に沿った断面図
であり、図3はレーザ加工後の基板1の平面図であり、
図4は図3に示す基板1のIV−IV線に沿った断面図であ
り、図5は図3に示す基板1のV−V線に沿った断面図で
あり、図6は切断された基板1の平面図である。
3には切断予定ライン5がある。切断予定ライン5は直
線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加
工は、多光子吸収が生じる条件で基板1の内部に集光点
Pを合わせてレーザ光Lを基板1に照射して改質領域7を
形成する。なお、集光点とはレーザ光Lが集光した箇所
のことである。
(すなわち矢印A方向に沿って)相対的に移動させるこ
とにより、集光点Pを切断予定ライン5に沿って移動さ
せる。これにより、図3〜図5に示すように改質領域7
が切断予定ライン5に沿って基板1の内部にのみ形成さ
れる。本実施形態に係るレーザ加工方法は、基板1がレ
ーザ光Lを吸収することにより基板1を発熱させて改質
領域7を形成するのではない。基板1にレーザ光Lを透
過させ基板1の内部に多光子吸収を発生させて改質領域
7を形成している。よって、基板1の表面3や裏面21
ではレーザ光Lがほとんど吸収されないので、基板1の
表面3や裏面21が溶融することはない。
点があると基板1はその起点から割れるので、図6に示
すように比較的小さな力で基板1を切断することができ
る。よって、基板1の表面3や裏面21に不必要な割れ
を発生させることなく基板1の切断が可能となる。
は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形成
後、基板に人為的な力が印加されることにより、改質領
域を起点として基板が割れ、基板が切断される場合であ
る。これは、例えば基板の厚みが大きい場合の切断であ
る。人為的な力が印加されるとは、例えば、基板の切断
予定ラインに沿って基板に曲げ応力やせん断応力を加え
たり、基板に温度差を与えることにより熱応力を発生さ
せたりすることである。他の一つは、改質領域を形成す
ることにより、改質領域を起点として基板の断面方向
(厚さ方向)に向かって自然に割れ、結果的に基板が切
断される場合である。これは、例えば基板の厚みが小さ
い場合、改質領域が1つでも可能であり、基板の厚みが
大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成すること
で可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断す
る箇所において、改質領域が形成されていない部分上の
表面もしくは裏面まで割れが先走ることがなく、改質領
域を形成した部分上のみを割断することができるので、
割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェ
ハ等の半導体ウェハの厚みは薄くなる傾向にあるので、
このような制御性のよい割断方法は大変有効である。
り形成される改質領域として、次の(1)〜(3)があ
る。 (1)改質領域が一つ又は複数のクラックスポットを含
むクラック領域の場合 レーザ光を基板(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材
料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強
度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以
下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、多光子
吸収を生じさせつつ基板に余計なダメージを与えずに、
基板の内部にクラック領域を形成できる条件である。こ
れにより、基板の内部には多光子吸収による光学的損傷
という現象が発生する。この光学的損傷により基板の内
部に熱ひずみが誘起され、これにより基板の内部にクラ
ック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例
えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1n
s〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラ
ック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究
会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁
の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキ
ング」に記載されている。
との関係を実験により求めた。実験条件は次ぎの通りで
ある。 (A)基板:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ7
00μm) (B)レーザ 光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長:1064nm レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2 発振形態:Qスイッチパルス 繰り返し周波数:100kHz パルス幅:30ns 出力:出力<1mJ/パルス レーザ光品質:TEM00 偏光特性:直線偏光 (C)集光用レンズ レーザ光波長に対する透過率:60パーセント (D)基板が載置される載置台の移動速度:100mm/
秒 なお、レーザ光品質がTEM00とは、集光性が高くレーザ
光の波長程度まで集光可能を意味する。
る。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光がパルス
レーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表され
る。縦軸は1パルスのレーザ光により基板の内部に形成
されたクラックスポットの大きさを示している。クラッ
クスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち
最大の長さとなる部分の大きさである。グラフ中の黒丸
で示すデータは集光用レンズ(C)の倍率が100倍、
開口数(NA)が0.80の場合である。一方、グラフ中
の白丸で示すデータは集光用レンズ(C)の倍率が50
倍、開口数(NA)が0.55の場合である。ピークパワ
ー密度が1011(W/cm2)程度では基板の内部にクラッ
クスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに
従いクラックスポットも大きくなることが分かる。
て、クラック領域形成による基板の切断のメカニズムに
ついて図8〜図11を用いて説明する。図8に示すよう
に、多光子吸収が生じる条件で基板1の内部に集光点P
を合わせてレーザ光Lを基板1に照射して切断予定ライ
ンに沿って内部にクラック領域9を形成する。クラック
領域9は一つ又は複数のクラックスポットを含む領域で
ある。図9に示すようにクラック領域9を起点としてク
ラックがさらに成長し、図10に示すようにクラックが
基板1の表面3と裏面21に到達し、図11に示すよう
に基板1が割れることにより基板1が切断される。基板
の表面と裏面に到達するクラックは自然に成長する場合
もあるし、基板に力が印加されることにより成長する場
合もある。
の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が
1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の
条件で照射する。これにより基板の内部は多光子吸収に
よって局所的に加熱される。この加熱により基板の内部
に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶
融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融
状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域
や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、
溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造
において、ある構造が別の構造に変化した領域というこ
ともできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構
造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化し
た領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含
む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコ
ン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリ
コン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1
×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜2
00nsが好ましい。
処理領域が形成されることを実験により確認した。実験
条件は次ぎの通りである。 (A)基板:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4イ
ンチ) (B)レーザ 光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長:1064nm レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2 発振形態:Qスイッチパルス 繰り返し周波数:100kHz パルス幅:30ns 出力:20μJ/パルス レーザ光品質:TEM00 偏光特性:直線偏光 (C)集光用レンズ 倍率:50倍 N.A.:0.55 レーザ光波長に対する透過率:60パーセント (D)基板が載置される載置台の移動速度:100mm/
秒 図12は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリ
コンウェハの一部における断面の写真を表した図であ
る。シリコンウェハ11の内部に溶融処理領域13が形
成されている。なお、上記条件により形成された溶融処
理領域13の厚さ方向の大きさは100μm程度であ
る。
されたことを説明する。図13は、レーザ光の波長とシ
リコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフであ
る。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの
反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シ
リコン基板の厚みtが50μm、100μm、200μm、
500μm、1000μmの各々について上記関係を示し
た。
4nmにおいて、シリコン基板の厚みが500μm以下の
場合、シリコン基板の内部ではレーザ光が80%以上透
過することが分かる。図12に示すシリコンウェハ11
の厚さは350μmであるので、多光子吸収による溶融
処理領域13はシリコンウェハの中心付近、つまり表面
から175μmの部分に形成される。この場合の透過率
は、厚さ200μmのシリコンウェハを参考にすると、
90%以上なので、レーザ光がシリコンウェハ11の内
部で吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。
このことは、シリコンウェハ11の内部でレーザ光が吸
収されて、溶融処理領域13がシリコンウェハ11の内
部に形成(つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理
領域が形成)されたものではなく、溶融処理領域13が
多光子吸収により形成されたことを意味する。多光子吸
収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国
大会講演概要第66集(2000年4月)の第72頁〜
第73頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工
特性評価」に記載されている。
起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割
れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することによ
り、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面
に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、基
板に力が印加されることにより成長する場合もある。な
お、溶融処理領域からウェハの表面と裏面に割れが自然
に成長する場合において、溶融処理領域が溶融の状態か
ら割れが成長するか、もしくは溶融の状態から再固化す
る際に割れが成長する場合のいずれもある。ただし、こ
れらの場合も溶融処理領域はウェハの内部のみに形成さ
れ、切断後の切断面は図12のように内部にのみ溶融処
理領域が形成されている。基板の内部に溶融処理領域を
形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必
要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。
せて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以
上でかつパルス幅が1ns以下の条件で照射する。パルス
幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさ
せると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに
転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又
は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変
化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例え
ば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns
以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸
収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レ
ーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第1
05頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射による
ガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。図1
4はこのレーザ加工装置100の概略構成図である。レ
ーザ加工装置100は、レーザ光Lを発生するレーザ光
源101と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節する
ためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部1
02と、レーザ光Lの反射機能を有しかつレーザ光Lの光
軸の向きを90°変えるように配置されたダイクロイッ
クミラー103と、ダイクロイックミラー103で反射
されたレーザ光Lを集光する集光用レンズ105と、集
光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される
基板1が載置される載置台107と、載置台107をX
軸方向に移動させるためのX軸ステージ109と、載置
台107をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるため
のY軸ステージ111と、載置台107をX軸及びY軸方
向に直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ1
13と、これら三つのステージ109,111,113の
移動を制御するステージ制御部115と、を備える。
3には複数の回路部2(電子デバイス)が形成されてい
る。基板1は、その裏面21にダイシングフィルム4
(粘着シート)が貼り付けられ、裏面21がレーザ光L
の照射側となるように載置台107に載置されている。
なお、本実施形態ではダイシングフィルム4として、基
材がポリオレフィン系の材質で、粘着剤がアクリル系の
材質のものを用いたが、例えば基材がポリ塩化ビニール
系の材質で、粘着剤がアクリル系の材質のものを用いて
もよい。
向なので、基板1に入射するレーザ光Lの焦点深度の方
向となる。よって、Z軸ステージ113をZ軸方向に移動
させることにより、基板1の内部にレーザ光Lの集光点P
を合わせることができる。また、この集光点PのX(Y)軸
方向の移動は、基板1をX(Y)軸ステージ109(11
1)によりX(Y)軸方向に移動させることにより行う。
光を発生する、波長が1064nmのNd:YAGレーザを用い
た。ダイシングフィルム4に対して透過性を有するから
である。図15はダイシングフィルム4の分光透過率特
性を示すグラフである。図示するように、ダイシングフ
ィルム4は、Nd:YAGレーザの波長が1064nmのとき、
70%を超える透過率があることが分かる。レーザ光源
101に用いることができるレーザとして、この他、N
d:YVO4レーザやNd:YLFレーザがある。レーザ光源は、ク
ラック領域、溶融処理領域を形成する場合、前述のレー
ザ光源を用いるのが好適であり、屈折率変化領域を形成
する場合、チタンサファイアレーザを用いるのが好適で
ある。
07に載置された基板1を可視光線により照明するため
に可視光線を発生する観察用光源117と、ダイクロイ
ックミラー103及び集光用レンズ105と同じ光軸上
に配置された可視光用のビームスプリッタ119と、を
備える。ビームスプリッタ119と集光用レンズ105
との間にダイクロイックミラー103が配置されてい
る。ビームスプリッタ119は、可視光線の約半分を反
射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の光
軸の向きを90°変えるように配置されている。観察用
光源117から発生した可視光線はビームスプリッタ1
19で約半分が反射され、この反射された可視光線がダ
イクロイックミラー103及び集光用レンズ105を透
過し、基板1の切断予定ライン5等を含む裏面3を照明
する。なお、基板1をその表面3に形成された複数の回
路部2毎に切断するため、切断予定ライン5は、互いに
隣接する回路部2間の間隙(すなわち裏面21上)、及
び、それに臨む基板1の裏面21上に設定される。
プリッタ119、ダイクロイックミラー103及び集光
用レンズ105と同じ光軸上に配置された撮像素子12
1及び結像レンズ123を備える。撮像素子121とし
ては例えばCCD(charge-coupled device)カメラがある。
切断予定ライン5等を含む裏面21を照明した可視光線
の反射光は、集光用レンズ105、ダイクロイックミラ
ー103、ビームスプリッタ119を透過し、結像レン
ズ123で結像されて撮像素子121で撮像され、撮像
データとなる。
121から出力された撮像データが入力される撮像デー
タ処理部125と、レーザ加工装置100全体を制御す
る全体制御部127と、モニタ129と、を備える。撮
像データ処理部125は、撮像データを基にして観察用
光源117で発生した可視光の焦点が裏面21上に合わ
せるための焦点データを演算する。この焦点データを基
にしてステージ制御部115がZ軸ステージ113を移
動制御することにより、可視光の焦点が裏面21に合う
ようにする。よって、撮像データ処理部125はオート
フォーカスユニットとして機能する。なお、可視光の焦
点はレーザ光Lの集光点に一致している。また、撮像デ
ータ処理部125は、撮像データを基にして裏面21の
拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは
全体制御部127に送られ、全体制御部で各種処理がな
され、モニタ129に送られる。これにより、モニタ1
29に拡大画像等が表示される。
15からのデータ、撮像データ処理部125からの画像
データ等が入力され、これらのデータも基にしてレーザ
光源制御部102、観察用光源117及びステージ制御
部115を制御することにより、レーザ加工装置100
全体を制御する。よって、全体制御部127はコンピュ
ータユニットとして機能する。
説明する。図16は、このレーザ加工方法を説明するた
めのフローチャートである。
光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。
この測定結果に基づいて、基板1及びダイシングフィル
ム4に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ
光Lを発生するレーザ光源101を選定する(S10
1)。次に、基板1及びダイシングフィルム4の厚さを
測定する。厚さの測定結果と基板1及びダイシングフィ
ルム4の屈折率とを基にして、基板1のZ軸方向の移動
量を決定する(S103)。これは、レーザ光Lの集光点
Pを基板1の内部に位置させるために、基板1の裏面2
1に貼り付けられたダイシングフィルム4の表面6(レ
ーザ光Lの照射側の面)に位置するレーザ光Lの集光点を
基準とした基板1のZ軸方向の移動量である。この移動
量を全体制御部127に入力する。
を貼り付け、基板1を裏面21がレーザ光Lの照射側と
なるようにレーザ加工装置100の載置台107に載置
する。そして、観察用光源117から可視光を発生させ
て基板1を照明する(S105)。照明された切断予定
ライン5を含む基板1の裏面21を撮像素子121によ
り撮像する。この撮像データは撮像データ処理部125
に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理
部125は観察用光源117の可視光の焦点がダイシン
グフィルム4の表面に位置するような焦点データを演算
する(S107)。
送られる。ステージ制御部115は、この焦点データを
基にしてZ軸ステージ113をZ軸方向の移動させる(S
109)。これにより、観察用光源117の可視光の焦
点がダイシングフィルム4の表面6に位置する。なお、
撮像データ処理部125は撮像データに基づいて、切断
予定ライン5を含む基板1の裏面21の拡大画像データ
を演算する。この拡大画像データは全体制御部127を
介してモニタ129に送られ、これによりモニタ129
に切断予定ライン5付近の拡大画像が表示される。
3で決定された移動量データが入力されており、この移
動量データがステージ制御部115に送られる。ステー
ジ制御部115はこの移動量データに基づいて、レーザ
光Lの集光点Pが基板1の内部となる位置に、Z軸ステー
ジ113により基板1をZ軸方向に移動させる(S11
1)。
発生させて、レーザ光Lを基板1の裏面21の切断予定
ライン5に照射する。図17はレーザ加工中の溶融処理
領域13を含む基板1の断面図である。図示するよう
に、レーザ光Lは、ダイシングフィルム4に対して透過
性を有するため、ダイシングフィルム4ではほとんど吸
されずダイシングフィルム4を介して基板1の裏面21
から入射する。レーザ光Lの集光点Pは基板1の内部に位
置しているので、溶融処理領域13は基板1の内部にの
み形成される。このとき、回路部2は基板1の表面3に
形成されているため、回路部2をレーザ光Lから保護す
ることが可能となる。また、ダイシングフィルム4の変
形や溶融等も防止される。そして、裏面21の切断予定
ライン5に沿うように(すなわち矢印A方向に沿うよう
に)X軸ステージ109やY軸ステージ111を移動させ
て、溶融処理領域13を切断予定ライン5に沿うように
基板1の内部に形成する(S113)。
て曲げることにより、基板1を切断する(S115)。
これにより、基板1を、回路部2を備えたシリコンチッ
プに分割する。このとき、各シリコンチップはダイシン
グフィルム4に貼り付けられているため、チップ飛びを
防止して安定したピックアップを行うことが可能とな
る。
ば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ基板1の内部に
集光点Pを合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライン
5に照射している。そして、X軸ステージ109やY軸ス
テージ111を移動させることにより、集光点Pを切断
予定ライン5に沿って移動させている。これにより、改
質領域(例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変
化領域)を切断予定ライン5に沿うように基板1の内部
に形成している。基板の切断する箇所に何らかの起点が
あると、基板を比較的小さな力で割って切断することが
できる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン
5に沿って基板1を割ることにより、比較的小さな力で
基板1を切断することができる。これにより、基板1の
表面3に切断予定ライン5から外れた不必要な割れを発
生させることなく基板1を切断することができる。
子吸収を起こさせる条件でかつ基板1の内部に集光点P
を合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライン5に照
射している。よって、パルスレーザ光Lは基板1を透過
し、基板1の表面3及び裏面21ではパルスレーザ光L
がほとんど吸収されないので、改質領域形成が原因で表
面3が溶融等のダメージを受けることはない。
板1の表面3に切断予定ライン5から外れた不必要な割
れや溶融が生じることなく、基板1を切断することがで
きる。よって、基板1が例えば半導体ウェハの場合、半
導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや
溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハか
ら切り出すことができる。表面に電極パターンが形成さ
れている基板や、圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が
形成されたガラス基板のような表面に電子デバイスが形
成されている基板についても同様である。よって、本実
施形態によれば、基板を切断することにより作製される
製品(例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶
等の表示装置)の歩留まりを向上させることができる。
予定ライン5沿った箇所は溶融しないので、切断予定ラ
イン5の幅(この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半
導体チップとなる領域同士の間隔である。)を小さくで
きる。これにより、一枚の基板1から作製される製品の
数が増え、製品の生産性を向上させることができる。
加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用
いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例え
ば、図18に示すように切断予定ライン5が複雑な形状
であっても、本実施形態によれば切断加工が可能とな
る。
基板の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生
じることなく、基板を切断することができる。よって、
基板を切断することにより作製される製品(例えば、半
導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置)
の歩留まりや生産性を向上させることができる。
ザ加工中の基板の平面図である。
る。
加工後の基板の平面図である。
る。
る。
された基板の平面図である。
強度とクラックスポットの大きさとの関係を示すグラフ
である。
おける基板の断面図である。
おける基板の断面図である。
における基板の断面図である。
における基板の断面図である。
されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表し
た図である。
ーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を
示すグラフである。
図である。
透過率特性を示すグラフである。
ためのフローチャートである。
ーザ加工中の溶融処理領域を含む基板の断面図である。
可能なパターンを説明するための基板の平面図である。
ルム、5…切断予定ライン、13…溶融処理領域、21
…裏面、100…レーザ加工装置、101…レーザ光
源、105…集光用レンズ、109…X軸ステージ、1
11…Y軸ステージ、113…Z軸ステージ、L…レーザ
光、P…集光点。
Claims (6)
- 【請求項1】 表面に電子デバイス又は電極パターンが
形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の
内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過
性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板
の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに
沿って前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形
成する工程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項2】 表面に電子デバイス又は電極パターンが
形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の
内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー
密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs
以下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有する
レーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面
から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記
基板の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工
程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項3】 表面に電子デバイス又は電極パターンが
形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の
内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー
密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs
以下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有する
レーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面
から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記
基板の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工
程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項4】 表面に電子デバイス又は電極パターンが
形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の
内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー
密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1ns以
下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有するレ
ーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面か
ら入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基
板の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域
を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方
法。 - 【請求項5】 前記粘着シートの基材は、ポリオレフィ
ン系又はポリ塩化ビニール系のいずれか1つの材質であ
ることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレ
ーザ加工方法。 - 【請求項6】 前記改質領域を形成する工程後、前記切
断予定ラインに沿って前記基板を切断する切断工程を備
える、請求項1〜5のいずれかに記載のレーザ加工方
法。
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