JP2005159379A - レーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 弾性を有するウェハシート33上に固定された圧電素子ウェハ31の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、ウェハ31において第1の方向に延在する複数の第1の切断予定ラインのそれぞれに沿ってウェハ31の内部にクラック領域を形成すると共に、ウェハ31において第1の方向と交差する第2の方向に延在する複数の第2の切断予定ラインのそれぞれに沿ってウェハ31の内部にクラック領域を形成する工程と、シート33を介してウェハ31に応力を印加することにより、クラック領域を切断の起点として第1及び第2の切断予定ラインに沿ってウェハ31を複数の圧電デバイスチップ37に分割する工程と、を備える。
【選択図】 図19
Description
レーザ光を加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(A)加工対象物:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ700μm)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
なお、レーザ光品質がTEM00とは、集光性が高くレーザ光の波長程度まで集光可能を意味する。
レーザ光を加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(A)加工対象物:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
NA:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
レーザ光を加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1ns以下の条件で照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
本実施形態の第1例に係るレーザ加工方法について説明する。図14はこの方法に使用できるレーザ加工装置100の概略構成図である。レーザ加工装置100は、レーザ光Lを発生するレーザ光源101と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、レーザ光Lの反射機能を有しかつレーザ光Lの光軸の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、ダイクロイックミラー103で反射されたレーザ光Lを集光する集光用レンズ105と、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1が載置される載置台107と、載置台107をX軸方向に移動させるためのX軸ステージ109と、載置台107をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるためのY軸ステージ111と、載置台107をX軸及びY軸方向に直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ113と、これら三つのステージ109,111,113の移動を制御するステージ制御部115と、を備える。
次に、本実施形態の第2例について説明する。この例は光透過性材料の切断方法及び切断装置である。光透過性材料は加工対象物の一例である。この例では、光透過性材料としてLiTaO3からなる厚さが400μm程度の圧電素子ウェハ(基板)を用いている。
Claims (1)
- 弾性を有するシート上に固定されたウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物において第1の方向に延在する複数の第1の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第1の改質領域を形成すると共に、前記加工対象物において前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する複数の第2の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第2の改質領域を形成する工程と、
前記シートを介して前記加工対象物に応力を印加することにより、前記第1及び前記第2の改質領域を切断の起点として前記第1及び前記第2の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を複数のチップに分割する工程と、を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009524232A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | フィアニウム リミテッド | 高出力の短小光パルス供給源 |
US7732730B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
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US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US20150188507A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
KR20170053112A (ko) * | 2015-11-05 | 2017-05-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
-
2005
- 2005-02-22 JP JP2005045975A patent/JP3761567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8716110B2 (en) | 2000-09-13 | 2014-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7732730B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7825350B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-11-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8969761B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip |
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US8946589B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
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US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
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US8927900B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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US8551865B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-10-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting an object to be processed |
US8598015B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-12-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8673745B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-03-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
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US8802543B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
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US8263479B2 (en) | 2002-12-03 | 2012-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for cutting semiconductor substrate |
US8409968B2 (en) | 2002-12-03 | 2013-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion |
US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8450187B2 (en) | 2002-12-03 | 2013-05-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8247734B2 (en) | 2003-03-11 | 2012-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8685838B2 (en) | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
US8551817B2 (en) | 2003-09-10 | 2013-10-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
JP2009524232A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | フィアニウム リミテッド | 高出力の短小光パルス供給源 |
JP2014090196A (ja) * | 2006-01-20 | 2014-05-15 | Fianium Ltd | 高出力の短小光パルス供給源 |
US20150188507A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
US10291196B2 (en) * | 2013-12-26 | 2019-05-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing an acoustic wave device |
KR20170053112A (ko) * | 2015-11-05 | 2017-05-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102488215B1 (ko) | 2015-11-05 | 2023-01-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
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