JPH01112130A - 赤外光ファイバの評価方法 - Google Patents
赤外光ファイバの評価方法Info
- Publication number
- JPH01112130A JPH01112130A JP62269634A JP26963487A JPH01112130A JP H01112130 A JPH01112130 A JP H01112130A JP 62269634 A JP62269634 A JP 62269634A JP 26963487 A JP26963487 A JP 26963487A JP H01112130 A JPH01112130 A JP H01112130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- light
- fiber
- defect
- krs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 19
- PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M thallium(i) bromide Chemical compound [Tl]Br PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 3
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 241000831652 Salinivibrio sharmensis Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、炭酸ガスレーザ光を利用したレーザメスやレ
ーザ加工機に導光路として用いる光ファイバに関するも
のである。
ーザ加工機に導光路として用いる光ファイバに関するも
のである。
従来の技術
臭化タリユウムとよう化タリユウムの固溶体より成る光
ファイバ（以下ＫＲＳ−５ファイバ）は赤外光を透過し
、特に炭酸ガスレーザなどのエネルギ光を伝送すること
が出来る。この光ファイバは出力３０Ｗクラスのレーザ
メス装置が既に実用化され、今後、さらに高出力化の可
能性を有する。
ファイバ（以下ＫＲＳ−５ファイバ）は赤外光を透過し
、特に炭酸ガスレーザなどのエネルギ光を伝送すること
が出来る。この光ファイバは出力３０Ｗクラスのレーザ
メス装置が既に実用化され、今後、さらに高出力化の可
能性を有する。
Ｋ ＲＳ −５光ファイバの高出力化の問題点として、
レーザ光に対する部分的欠陥があり、高エネルギのレー
ザ光を入射すると熱的劣化が生じる。
レーザ光に対する部分的欠陥があり、高エネルギのレー
ザ光を入射すると熱的劣化が生じる。
光ファイバを開発する上で、欠陥の状態及び性質を知る
ことは重要で、この欠陥の検知方法として、■ファイバ
表面の傷等の観察、■赤外センサによるレーザ伝送時の
ファイバ発熱分布の測定、■光パワーメータによるレー
ザ漏れ光の測定等が考えられる。
ことは重要で、この欠陥の検知方法として、■ファイバ
表面の傷等の観察、■赤外センサによるレーザ伝送時の
ファイバ発熱分布の測定、■光パワーメータによるレー
ザ漏れ光の測定等が考えられる。
発明が解決しようとする問題点
■は光ファイバをコア状態で取り扱い、光ケーブル化時
に生ずる傷や付着する塵埃等を問題とする。ファイバ表
面は常に清浄さを保つ必要があるが、現状ではファイバ
内部欠陥が主な問題である。
に生ずる傷や付着する塵埃等を問題とする。ファイバ表
面は常に清浄さを保つ必要があるが、現状ではファイバ
内部欠陥が主な問題である。
■はファイバ欠陥の発熱を、Ｋ ＲＳ −５ファイバが
赤外の透過材料であり透過波長域にわたって熱線の副射
係数が小さい（０，１以下）為に発熱温度の測定が不可
能である。■光ファイバは表面及Ｕコア内部で散乱源を
持ち、し・−ザ伝送時には漏れ光とＬ／て外部に放出さ
れる。この漏れ光は測定可能でファイバ散乱分布を知る
ことが出来るが、ファイバの熱的劣化の位置と一致しな
かった。
赤外の透過材料であり透過波長域にわたって熱線の副射
係数が小さい（０，１以下）為に発熱温度の測定が不可
能である。■光ファイバは表面及Ｕコア内部で散乱源を
持ち、し・−ザ伝送時には漏れ光とＬ／て外部に放出さ
れる。この漏れ光は測定可能でファイバ散乱分布を知る
ことが出来るが、ファイバの熱的劣化の位置と一致しな
かった。
本発明は従来の方法では困難であった、光ファイバ欠陥
部の発熱を検知することを目的とする。
部の発熱を検知することを目的とする。
問題点を解決するための手段
ＫＲＳ−５光ファイバを、偏向角が互いに直交する２枚
の偏向板の間に置き、片方の偏向板の裏から光ファイバ
の断面方向に照光し、レーザ伝送時の偏向板を通過して
来る照光を検知する。
の偏向板の間に置き、片方の偏向板の裏から光ファイバ
の断面方向に照光し、レーザ伝送時の偏向板を通過して
来る照光を検知する。
作用
光ファイバに部分的に熱的損傷につながる欠陥（異物、
結晶欠陥等光吸収Ｒ）があるとレーザ伝送時に発熱が生
じ、その部分には発熱量、発熱領域に応じた熱膨張が起
こる。そして発熱部の中心と非発熱部との間に機械的歪
ができ、結晶質の■（Ｒ５−５ファイバはその機械的歪
のために光学的偏向作用をともなう。直線偏向の光が光
ファイバの側面に照射されると機械的歪の部位では偏向
光が回転をし、そしてファイバに偏向板を重ねることに
より歪部の透過光を得ることが出来る実施例 以下図面に従って本発明の実施例を述べる。
結晶欠陥等光吸収Ｒ）があるとレーザ伝送時に発熱が生
じ、その部分には発熱量、発熱領域に応じた熱膨張が起
こる。そして発熱部の中心と非発熱部との間に機械的歪
ができ、結晶質の■（Ｒ５−５ファイバはその機械的歪
のために光学的偏向作用をともなう。直線偏向の光が光
ファイバの側面に照射されると機械的歪の部位では偏向
光が回転をし、そしてファイバに偏向板を重ねることに
より歪部の透過光を得ることが出来る実施例 以下図面に従って本発明の実施例を述べる。
第２図はファイバ欠陥部の様子を示す。（ｄ）はレーザ
光伝送前の状態でＫＲＳ−５ファイバ２１に欠陥Ａがあ
る。Ｃは正常部である。（ｅ）はレーザ伝送状態で欠陥
部Ａはレーザ光を吸収し発熱を生じ、温度上昇が起こる
。欠陥部Ａは正常部Ｃの平均的内部吸収係数（１，３Ｘ
１０−’）に比へ一桁程度大きいと考えられ、熱劣化
時の温度差は１００’Ｃ以上になる。 温度上昇によっ
てＡ部は熱膨張し、（ＫＲＳ−５（７）熱膨張係数は５
．８Ｘ Ｉ Ｏ−５テ膨張率が０．５８％）欠陥部Ａと
正常部Ｃの間に機械的歪Ｂが生し、この歪は結晶質であ
るファイバの結晶状態に影響を与える。
光伝送前の状態でＫＲＳ−５ファイバ２１に欠陥Ａがあ
る。Ｃは正常部である。（ｅ）はレーザ伝送状態で欠陥
部Ａはレーザ光を吸収し発熱を生じ、温度上昇が起こる
。欠陥部Ａは正常部Ｃの平均的内部吸収係数（１，３Ｘ
１０−’）に比へ一桁程度大きいと考えられ、熱劣化
時の温度差は１００’Ｃ以上になる。 温度上昇によっ
てＡ部は熱膨張し、（ＫＲＳ−５（７）熱膨張係数は５
．８Ｘ Ｉ Ｏ−５テ膨張率が０．５８％）欠陥部Ａと
正常部Ｃの間に機械的歪Ｂが生し、この歪は結晶質であ
るファイバの結晶状態に影響を与える。
第３図は光学偏向の基本的性質を示す。 （ｄ）は偏向
角の直行する２枚の偏向板の片方向から照光（無偏向光
）する場合で、偏向板１１によって透過するのは縦成分
の直線偏向光で、検光子１２と直行し透過光は得られな
い。（ｅ）は（ｄ）の２枚の偏向板の間に位相板を設け
たもので、偏向板１１の偏向光が位相板によって回転し
、角度が±９０°の時最大で検光子１２より透過光が得
られる。この角度は偏向光に対し回転位相角が、ｎ７ｒ
で透過光は最小、 （１／２＋ｎ）πで最大の透過光が
得られる。 （ｎ ＝０．ｌ、２．３・・・・・）第１
図は、偏向板を用いファイバ欠陥を見い出す様子を示す
。 （ａ）集光レンズｌによってＣＯ２レーザ光をＫＲ
Ｓ−５ファイバ２に入射すると、欠陥６てレーザ光の吸
収、発熱が起こる。 （ｂ）は光ファイバの光軸方向の
温度分布を示したもので、欠陥６部は発熱で温度１０に
上昇する。 （尚、光ファイバの両端は端面研磨による
端面吸収、発熱である。） （ａ）の偏向子３と検光子４の偏向角は互いに直行して
光ファイバ２をはさむように設置され、片方向（裏面）
から照光される。照光は偏向子３によって直線偏向を受
はファイバの結晶歪の無い部分は通過後検光子に当たる
が偏向角が異なるで透過光は得られない。欠陥部６では
発熱による周囲の結晶歪が偏向子３による偏向光を回転
させるので、検光子の透過光を得ることができる。この
歪部は、目視によれば一目で欠陥部を確認でき、またセ
ンサで光検出を行なえばその位置を数値的に求めること
ができる。
角の直行する２枚の偏向板の片方向から照光（無偏向光
）する場合で、偏向板１１によって透過するのは縦成分
の直線偏向光で、検光子１２と直行し透過光は得られな
い。（ｅ）は（ｄ）の２枚の偏向板の間に位相板を設け
たもので、偏向板１１の偏向光が位相板によって回転し
、角度が±９０°の時最大で検光子１２より透過光が得
られる。この角度は偏向光に対し回転位相角が、ｎ７ｒ
で透過光は最小、 （１／２＋ｎ）πで最大の透過光が
得られる。 （ｎ ＝０．ｌ、２．３・・・・・）第１
図は、偏向板を用いファイバ欠陥を見い出す様子を示す
。 （ａ）集光レンズｌによってＣＯ２レーザ光をＫＲ
Ｓ−５ファイバ２に入射すると、欠陥６てレーザ光の吸
収、発熱が起こる。 （ｂ）は光ファイバの光軸方向の
温度分布を示したもので、欠陥６部は発熱で温度１０に
上昇する。 （尚、光ファイバの両端は端面研磨による
端面吸収、発熱である。） （ａ）の偏向子３と検光子４の偏向角は互いに直行して
光ファイバ２をはさむように設置され、片方向（裏面）
から照光される。照光は偏向子３によって直線偏向を受
はファイバの結晶歪の無い部分は通過後検光子に当たる
が偏向角が異なるで透過光は得られない。欠陥部６では
発熱による周囲の結晶歪が偏向子３による偏向光を回転
させるので、検光子の透過光を得ることができる。この
歪部は、目視によれば一目で欠陥部を確認でき、またセ
ンサで光検出を行なえばその位置を数値的に求めること
ができる。
発明の効果
本発明は、偏向板の特性を利用する事により、従来困難
であったファイバの欠陥位置を簡単かつ明確に検出上
光ファイバの高出力化に大いに寄与するものである。
であったファイバの欠陥位置を簡単かつ明確に検出上
光ファイバの高出力化に大いに寄与するものである。
第１図は本発明の基本構成を示す模式図、第２図は光フ
ァイバの欠陥部の発熱と歪の状態を示す正面図、第３図
は偏向板の基本原理を示す斜視図である。 １・・・・集光レンズ、２，２１・・・・ＫＲＳ−５光
ファイバ、３，１１・・・・偏向子、４，１２・・・・
検光子 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第２図 （（Ｌ） とｇｓ−ｓファイバ Ｃ，ｅ） 第３図 （ｆン （シ ヱー□□−７＝ 透通尤
ァイバの欠陥部の発熱と歪の状態を示す正面図、第３図
は偏向板の基本原理を示す斜視図である。 １・・・・集光レンズ、２，２１・・・・ＫＲＳ−５光
ファイバ、３，１１・・・・偏向子、４，１２・・・・
検光子 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第２図 （（Ｌ） とｇｓ−ｓファイバ Ｃ，ｅ） 第３図 （ｆン （シ ヱー□□−７＝ 透通尤
Claims (1)
- 光学的偏向角が互いに直行する位置に配した２枚の偏向
板と照光源を有し、前記偏向板対の間に臭化タリユウム
とよう化タリユウムの固溶体より成る光ファイバ（以下
ＫＲＳ−５ファイバ）を設置し、前記光ファイバのレー
ザ伝送時に前記照光の透過位置を求めることによりＫＲ
Ｓ−５ファイバの欠陥および欠陥位置を検出することを
特徴とする赤外光ファイバの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269634A JPH01112130A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 赤外光ファイバの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269634A JPH01112130A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 赤外光ファイバの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112130A true JPH01112130A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17475083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62269634A Pending JPH01112130A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 赤外光ファイバの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112130A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269634A patent/JPH01112130A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
| US7547613B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-06-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7592238B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7615721B2 (en) * | 2000-09-13 | 2009-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7626137B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-12-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser cutting by forming a modified region within an object and generating fractures |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8969761B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip |
| US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0597390B1 (en) | Birefringence distribution measuring method | |
| JPH08240792A (ja) | ビーム出力装置およびビーム出力方法 | |
| WO2016031567A1 (ja) | 複屈折測定装置および複屈折測定方法 | |
| US6678433B2 (en) | Apparatus and method for measuring residual stress and photoelastic effect of optical fiber | |
| US4976543A (en) | Method and apparatus for optical distance measurement | |
| JPS60143420A (ja) | 磁気ヘツドの検査方法 | |
| JPH01112130A (ja) | 赤外光ファイバの評価方法 | |
| JP3730629B2 (ja) | 光ファイバの残留応力測定装置 | |
| JP2021096319A (ja) | 検査方法、検査装置、及び検査システム | |
| JP2003240526A (ja) | 表面測定装置及びその測定方法 | |
| JPH04118540A (ja) | 光学部品の欠陥検出方法及びその装置 | |
| JP2006189411A (ja) | 位相遅延の測定装置及び測定方法 | |
| JP4516648B2 (ja) | 複合偏光板の検査方法 | |
| JP3021338B2 (ja) | 消光比測定方法および消光比測定装置 | |
| JP2021096318A (ja) | 検査方法、検査装置、及び検査システム | |
| JPH0369059B2 (ja) | ||
| JP4534049B2 (ja) | 密閉容器内温度測定モニタ | |
| JP5019110B2 (ja) | 赤外線厚さ計 | |
| JP3615864B2 (ja) | 楔状複屈折板の光学軸角度測定方法 | |
| JPS6055011B2 (ja) | 温度検出装置 | |
| CA2320850C (en) | Linear conoscopic holography | |
| JPH0474934A (ja) | ビーム特性測定装置 | |
| JPH09119821A (ja) | 光線の入射角の示差測定方法、およびその装置 | |
| KR101219384B1 (ko) | 편광효과에 민감한 파면 오차 측정장치 및 이를 이용한 측정방법 | |
| JP3579173B2 (ja) | レンズ総合検査機及びレンズ検査方法 |